H01J 31/04 — с одним или двумя выходными электродами

Однострочная телевизионная трубка с модуляцией величины отклонения электронного луча

Загрузка...

Номер патента: 148102

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Любин, Малахов

МПК: H01J 31/04

Метки: величины, луча, модуляцией, однострочная, отклонения, телевизионная, трубка, электронного

...отклонение (притяжение к пластине или отталкивание от нее), пропорциональное величине фото-э,д.с, в данной точке. Попадая на мишень, расположенную перпендикулярно к оси электронного пучка, пучок описывает на ней следы Л, форма которых зависит от распределения фото-э. д, с., т. е. освещенности вдоль строки, Поверхность полупроводника при облучении электронным пучком заряжается до некоторого стационарного потенциала, определяемого в частности величиной потенциала У, сигнальной пластины. Ток в цепи мишени в любой момент времени зависит от емкости облучаемого в данный момент элемента, т. е. от толщины клина в данной точке. Благодаря этому в сигнальном сопротивлении Я формируется напряжение видеосигнала, зависящее от положения пучка...

Источник поляризованных ионов

Загрузка...

Номер патента: 589645

Опубликовано: 25.01.1978

Авторы: Плис, Сороко

МПК: H01J 31/04

Метки: ионов, источник, поляризованных

...источник поляризованных ионов в двух проекциях,Постоянный магнит . охватысдет цилиндрический анод 2, с торцов которого установлены катод 3 и система 4 формирования ионного пучка, Магнит 1 и жестко соединенный с ним анод 2 заключены в корпус ис-точника 5, Охлаждаемая (например, азотнаи)ловушка 6 имеет форму сосуда с направляюшими 7, в которые устанавливается корпус источника 5, снабженный тягвми Ь яфиксируемый прижимной пластиной 9.Источник работает следующим образом.Поляризованные атомы подаются послеоткачки ясФочникв до вакуума 5 ф 10 торв пространство, ограниченное цяпиндричесКям анодом 2 в обнасти сильного осевогомагнитного поля. В этих условиях междукатодом Э я анодом 2 горит разряд Пеннино.га с осцяппируюшями эпектронвмя,...

Электронно-лучевая трубка

Загрузка...

Номер патента: 1091249

Опубликовано: 07.05.1984

Авторы: Молдовян, Молдовяну

МПК: H01J 31/04

Метки: трубка, электронно-лучевая

...координат, лежащей в плоскости коллектора, уравнением 49 2у(х) "ЬЬ+агаа агсв 1 п( - -1)+(М)-1.кагде Н .- 2, 3, 4, 5, целое число,а и Ь - положительные числа.На фиг. 1 представлена принципиальная схема устройства; на фиг, 2конструкция коллекторов для случаяумножения частоты гармонических электрических сигналов на 2 (И 2) визометрии.Устройство содержит ленточнуюэлектронную пушку 1 с ленточным электронным потоком 2, отклоняющую систему из пластин 3, электрически изолированные коллекторы 4 и 5, экранирующуюсетку б, резисторы 7 и 8, источник9 питания, диэлектрическую прокладку 10,Резисторы 7 и 8 подключены однимвыводом соответственно к коллекторам5 и 4, а другим - к положительномуполюсу источника 9 питания. Экранирующая сетка...

Преобразователь инфракрасного излучения в поток электронов

Номер патента: 1326094

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Альперович, Бобылев, Морозов, Чикичев

МПК: H01J 31/04

Метки: излучения, инфракрасного, поток, электронов

Преобразователь инфракрасного излучения в поток электронов, содержащий расположенный на прозрачной подложке легированный полупроводниковый слой р-типа проводимости с активированной цезией и кислородом свободной поверхностью, отличающийся тем, что, с целью расширения спектрального диапазона и увеличения помехозащищенности, между легированным полупроводниковым слоем р-типа проводимости и подложкой последовательно размещены полупроводниковый слой с глубокими уровнями и барьерный контактный слой, смещаемый в запорном направлении, а перед прозрачной подложкой расположен источник света, длина волны которого лежит в области электропоглощения полупроводникового слоя с глубокими уровнями.