Преобразователь инфракрасного излучения в поток электронов

Номер патента: 649270

Опубликовано: 15.02.1984

Авторы: Ботвин, Горелкинский, Невинный, Сигле, Чеканов

МПК: H01L 21/263

Метки: кремнии, проводимости, слоев, создания, типа

...кэВ. Глубина залеганияслоя определяется пробегом протоковв кремнии. Гсли однако, необходимосоздать слой на глубине меньше,чем пробег используемых протонов, то это достигается путем изменения угла падения пучка протонов и плоскости подложки в соответствии с формулой3 л 1 п 0,где О 3Испытание радиационной стойкости проводят на кремнии с проводимостью 5:40 Ом см, который получают путем внедрения "- 10 смпротонов с максимальной энергией 6 МэВ с последующим отжигом при 250 С в течение 20 мин. Исходным материалом служит кремний Г -типа с проводимостью 60-10 Ом см, после отжига при+450 С он инвертируется в И -тип,глубина залегания слоя;пробег протонов в кремнии;угол между направлениемпучка протонов и плоскостьюподложки,Тот факт, что скорость...

Номер патента: 1712906

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Алябина, Корнаухов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: базового, диода, меза, проводимости, слоя, типа

...базового слоя меза-диода в процессе его ФормированияЦель изобретения - обеспечение возможности определения типа проводимости,базового слоя в процессе формирования мезв-диода.Способ определения типа проводимости базового слоя полупроводникового меза-диода в процессе его формирования состоит в нанесении маскирующего покрытия площадью 31 на поверхность трехСлойной структуры с сильнолегированной подложкой, менее легированным базовым Слоем толщиной ЧЧ и сильнолегированным поверхностным слоем толщиной 1 с типом проводимости, противоположным типу проводимости подложки, травлении структуры на глубину б, причем б1+ Я, измерении емкости структуры С 1, удалении маскирую; щего покрытия до площади 52, травлении структуры на глубину х;х 1+Ю ИоЕЕо...

Номер патента: 792271

Опубликовано: 30.12.1980

Автор: Данилов

МПК: G06K 9/00

Метки: диэлектрической, контура, металлизированного, подложке, полупроводниковой, рисунка, слоя

...подложке,заключающемся в формирова. нии сигнала зондирования при сканировании рисунка и регистрации отраженного светового потока, его сканирование осуществляют пучком линейно-поляризованного света, вектор электрического ноля которого параллелен плоскости подложки, а угол падения соответствует утлу Брюстера.Сущность изобретения состоит в использова. иии явления поляризации при отражении света от полупроводниковых и диэлектрических материалов. Известно, что свет представляет собой электромагнитные волны. Векторы напряженностей Е и Й электрического и магнитных полей этих волн колеблются перпенди 30 кулярно друг к другу и вектору скорости распространения волны 7, т,е. электромагнитные волны являются поперечными.Если вектор Е в...

Номер патента: 1042531

Опубликовано: 23.08.1989

Авторы: Братишко, Филиппов

МПК: H01L 21/66

Метки: n-типа, анодном, арсенида, галлия, окислении, пробоя, проводимости

...галлия и-и -типа с концентрацией носи% 6 телей тока в а-слое 2 10, 1,5 10 5 ,10425лелепипеда, В ячейке установлены ка"тод 4 и образец 5, являющийся анодом, Ячейка снабжена фторопластовойкрышкой 6, стальными зажимами 7,8 изаполнена электролитом. Внешняя электрическая цепь состоит из источника9 белого света, источника тока 10"прибора 11 для регистрации напряже"ния на электродах электрохимической 10ячейки, Устройство содержит также,массивное основание 12, линзу 13,источник 14 стабилизированного напряжения, ключ 15, магнитную мешалку 16. 15На фиг,2 приведена зависимость напряжения пробоя от времени предвари"тельного (темнового) анодирования,где кривая 17 соответствует условиям:Н= 610, плотность тока 1=3 мА/см, 20время выхода на насыщение...

Номер патента: 760837

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Власов, Кокин, Манжа, Чистяков, Шварц

МПК: H01L 21/20

Метки: интегральных, полупроводниковых, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование областей скрытого слоя противоположного типа проводимости подложке, маскирование подложки диэлектрической пленкой, вскрытие в ней окон, эпитаксиальное наращивание, диффузию примеси одного типа проводимости с подложкой для формирования базовых областей, диффузию примеси привоположного типа проводимости по отношению к подложке для формирования эмиттера, вскрытие контактных окон, металлизацию, отличающийся тем, что, с целью уменьшения размеров элементов, сокращения технологического цикла и повышения процента выхода годных, вскрытие окон в диэлектрической пленке проводят по периметру скрытого слоя и внутри его, а диффузию примеси для формирования базовых областей...