Березенко

Номер патента: 890167

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Березенко, Крюков, Маслов, Ройзман, Руднева

МПК: G01N 21/27

Метки: газоанализатор, фотоколориметрический

...10, Свет от осветителя 11 попадает на рабочий фотоприемник 9 двумя путями: путем пря" мого отражения от ленты 2 (на чертеже - штриховая линия) и путем зеркального отражения от каналов 12 и 13 (на чертвже " штрихпунктирная ли" ния) .Рабочий и компенсирующий фотоприемники соединены по мостовой схеме. Компенсирующий фотоприемник 10 слу" жит для исключения влияния изменений условий окружающей среды на точность анализа, Для согласования компенсирующего фотоприемника 10 с рабочим фотоприемником 9 канал 14 перекрывается винтом 15, регулирующим степень засветки компвнсирующего фотоприем ника 10.Для компенсации неравномерности зеркального отражения света в каналах 12 и 13 в фотоблоке 6 выполнен дополнительный канал 16, соединяющий...

Номер патента: 881863

Опубликовано: 15.11.1981

Авторы: Березенко, Головань

МПК: G11C 19/00

Метки: запоминающее, стековое

...запоминающее устройство работает следующим образом.Имеется три основных режима работы. В первом режиме устройство работает как обычная стековая память с принципом функционирования "первый вошел - первый вышел". При этом на четвертый вход 18 подается низкий уровень напряжения, что соответствует отсутствию команды "Считывание" от внешнего источника. На выходе элемента НЕ 11 устанавливается высокий потенциал, который подается на управляющие входы последней группы элементов И-НЕ 8 коммутатора 5, тем самым на информационные выходы 20 всегда подаются выходы последнего регистра блока 1 регистров, Кроме того, низкий уровень напряжения команды "Считывание", подаваемый на синхронизирующий вход адресного дешифратора 9, блокирует работу...

Номер патента: 841053

Опубликовано: 23.06.1981

Авторы: Березенко, Вдовиченко, Векшина, Голубев, Фурсин

МПК: G11C 19/28

Метки: памяти, регистра, сдвига, элемент

...двига, содержащий два р-п-р транзистора, эмиттеры которых соединены с шиной питания, коллектор первого р-и-р-транзистора подключен ко входу элемента памяти и к базе и-р-пфгранзистора, эмиттер которого соединен с шийой841053вого регистра, его температурный диапазон работы (от минус 60 до + 125 С).В отличие от известного в предлагаемомэлементе памяти для сдвигового регистра с могут использоваться шунтирующие диодыШоттки, что повышает его частотный диапазон до 20 - 100 мГц. формула изобретения нулевого потенциала, введен диод Шоттки анод которого подключен к базе п-р-и-тран зистора, а катод - к базам р-и-р транзисто ров и к коллектору п-р-п транзистора, коллек тор второго р-п.р транзистора соединен выходом элемента памяти.На чертеже...

Номер патента: 826337

Опубликовано: 30.04.1981

Авторы: Базанов, Березенко, Вепхвадзе, Голубев, Корягин, Малюгин, Певцов, Прангишвили, Шкатулла

МПК: G06F 7/00

Метки: однородной, структуры, элемент

...входами первого блока коммутации, второй управляющий вход кото 40рого соединен с вторым управляющим входом второго блока коммутации и подключен к входной управляющей шине элемента однородной структуры.На чертеже изображена схема элемента однородной структуры.Элемент однородной структуры содержит блокэлементов И, коммутационный регистр 2, блок Э коммутации, многофункциональный логический элемент 4, регистр 5 функций, триггер 6 режима, блок 7 коммутации и блок 8 элементов И.Элемент однородной структуры Функционирует следующим образом.При наличии сигнала на управляющем 55 входе настроечная информация записывается в коммутационный регистр 2 и регистр 5 функций. После окончания записи возможны два различных варианта работы, Если в регистр...

Номер патента: 767757

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Березенко, Казанцев, Калинин, Корнев, Корягин, Мамаев, Марков, Отрохов, Сокол, Суворов, Яковлев

МПК: G06F 7/38

Метки: арифметических, выполнения, логических, операций, словами

...фОф. Преобразование каждого операнда может быть различным и определяется уп равляющим кодом, поступающим иэ блока 6 управления, Все возможные виды преобразования операндов А и А представлены в таблице. ющей с регистра 4, в соответствии с которой на вход узла 10 формированияпризнака нуля поступает код, содержащийсимволы "0" во всех разрядак, не принадлежащих группе обрабатываемых битов. По этому коду узел формированияпризнака нуля вырабатывает признакнудь", если все разряды поступившегона ее вход слова содержат только символы "0", и признак "не нуль" - в противном случае. Выработанный признакнаправляется на второй выход устройства. Со вкода коммутатора 3 результат операции арифметико логического узла 1 может быть записан на регистр 4 либо...

Номер патента: 641435

Опубликовано: 05.01.1979

Авторы: Березенко, Боярченков, Контарев, Корягин, Крылов, Ленгник, Фельдман, Шац

МПК: G06F 3/04

Метки: ввода-вывода, данных, операциями

...с ЗВМ и периферийными устройствами; связь 3 для обмена данными и управляющими сигналами с ЗВМ и периферийными устройствами; блок 4 сопряжения, связь 5 управляющих сигналов; связь 6 для обмена данными, управляющий вход 7 (для сигналов прерывания) процессора, связи 8 подключения блока 4; блок 9 памяти; процессор 10; блок 11 формирования тактовых сигналов; управляющая связь 12, связь 13 тактовых сигналов; пересчетный узел 14; импульсный генератор 15; схема сравнения 16; регистр 17; накопитель 18; пороговый элемент 19; узел 20 управления сбросом. Устройство работает следу(ощим образом,При отсутствии команды от ЗВМ выполняется цикл ожидания. Команда ОТЗВМ вызывает прерывание этого цила; соответству(ощий сигнал прерывания поступает иа входы...

Номер патента: 632061

Опубликовано: 05.11.1978

Авторы: Березенко, Березин, Иванов, Калинин, Корягин, Марков

МПК: H03K 3/286

Метки: дтриггер

...шине 3 (Ч), третий - к ин. формационной шине 4 (О). а выход - к первому входу первого элемента И элемен. за та И - ИЛИ - КЕ 5, второй вход которого подключен к выходу инвертора 6 и к треть. ему, входу второго элемента И элемента И - ИЛИ - НЕ о, первый вход которого под ключен к тактовой шине 2, а второй - к уп. равляюшей шине 3; вход инвертора 6 пол632061 Формула изобретекил Составитель Л, Петрова екред О, Луговая 1(ор ирак 1044 Под ктор Н. Тупицаисиое елактор Б. Федотовакая 5365/55ЦНИРПи Государспо л3035, МФидиал ППП Совета Мииис и открытийсная иаб., д.рол, ул, Прое ров ССС аеиного комитета лам изобретена ква, Ж 35, Раув Патеит, г, Укго 4/5тиая ключен к выходу элемента И - ИЛИ - НЕ 5, являющегося одновременно выхбром устрой....

Номер патента: 331608

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Березенко, Блецкан, Веселин, Веселкова, Данковский, Доброхотов

МПК: B01J 17/18

Метки: выращивания, кремния, монокристаллов, направлении, ориентированных

...(111 моно- кристаллов кремния из расплава на затравке в виде правильной четырехгранной призмы.Описываемый способ отличается от известных тем, что используют затравку, имеющую форму трехгранной призмы, боковые грани которой совпадают с кристаллографическими плоскостями 11 12Это позволяет исключить образование. двойников в начальный период рос та, в связи с чем увеличзвается производительность процесса.П р и м е р. Монокристаллы кремния, ориентированные в направлении 111, вытягивают из расплава по способу Чохральского, Затравки в виде трехгранных правильных призм с высотой треугольника в поперечном сечении, составляющей 4 мм, вырезают из моно- кристаллов, ориентированных в направ-. лении 1111 таким образом, что боковые грани...

Номер патента: 331607

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Березенко, Блецкан, Веселкова, Сахаров, Фалькевич, Шашков

МПК: B01J 17/18

Метки: выращивания, кремния, монокристаллов

...относится к металлургии полупроводников.Известен слособ выращивания моно- кристаллов кремния из расплава на затравке, имеющей Форму четырехгран- б ной призма, ориентированной в направлении 100,Описываемый способ отличается от известного тем, что используют затравку с боковыми гранями, совпадаю щими с кристаллографическими плоскостями100 ).Это дает возможность повысить выход монокристаллов в связи с тем, что их рост происходит более устойчиво. 18По описываемому способу монокристаллы выращивают на затравке квадратного сечения площадью ЗхЗ мм, вырезанной иэ монокристаллических слитков, ориентированных в направлениях 1111 и 11003 . Вытягивание производят обычным путем. Способ выращивания монокристаллов кремния из расплава на...

Номер патента: 599786

Опубликовано: 30.03.1978

Авторы: Березенко, Галущенко, Городиская, Жирный, Самулыжко, Яворский

МПК: A23B 4/04

Метки: колбасных, термической

...контакта спродуктом при температуре сре С10 - 15 мин.После о 5 работкп коптильным препаратомколбасы охлаждают в помещении при температуре 2 - 4 С и относительнои влажности воз духа 85 - 95% в течение 12 - 24 ч. Охлажденные колбасы сушат при температуре 10 - 12 С и относительной влажности воздуха 80 - 85% в течение 5 - 7 суток, затем прп температуре 10 - 12 С и относительной влажности воздуха ЗО 75 - 78% в течение 20 - 25 суток. Общая проКорректоры: Л, Брахнина и Т. Добровольская Редактор М. Дмитриева Заказ 401/9 Изд, Юо Збб Тираж б 28 НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретспий и открытий 113035, Москва, Ж.35, Раушская наб., д. 4/5Подписное Типография, пр. Сапунова, 2 должительность...

Номер патента: 556775

Опубликовано: 05.05.1977

Авторы: Березенко, Городиская, Яворский

МПК: A23B 4/04

Метки: колбасных, термической

...мк), Жидкость при температуре 90-100 оС испаряется и в рабочую 5зону термокамеры поступает в виде перовоздушной смеси. Поскольку температураобрабатываемых колбас ниже температурысреды, коптильная жидкость конденсируется на поверхности батонов,Количество подаваемой в термокамеружидкости в процессе обжарки при температуре 90-100 С составляет 0,5-1,0 % кмассе сырого продукта. Продолжительностьконтакта жидкости с продуктом 40-60 мин,1 ЬПосле обжарки колбас с применениемкоптильной х.идкзсти колбасы варят паромоили в воде при темпе "атуре 80-Ь 5 С в течение 3060 мин до достижения гемператуО 20ры в центре батона 70-72 С,После варки из термокамеры отсасывают пар и подсушивают поверхность полукопченых колбас в течение 5-10 мин притемпературе...

Номер патента: 525086

Опубликовано: 15.08.1976

Авторы: Березенко, Березин, Казеннов, Контарев, Немудров

МПК: G06F 7/38

Метки: арифметических, выполения, логических, операций

...1 Состояние ожиданияСдвиг кода левый на Рг 8Сдвиг кода правый на Рг 8Прием кода на Рг 8 с ИШВыдача кода с Рг на ИШВыдача инверсного кода с Рг 8 на ИШ Выдача кода с РГ 8 и приемэтого кода на Рг 6 с конъюкцией Выдача инверсного кода с Рг 8 иприем этого кода на Рг 6 с конъюкцией 0 Запрещенный код1 Режим счета на Рг 7 (Рг 7-1) 0 Режим вычитания единицы на Рг 7 (РГ 7-1) 1 Прием кода на Рг 7 с ИШ 0 Выдача кода с Рг 7 на ИШ 1 Выдача инверсного кода с Рг 7 на ИШ О Выдача кода с Рг 7 и прием этого кода на Рг 6 с конъюкпией1 Выдача инверсного кода с Рг 7 иприем этого кода на Рг 6 с конъюк- цией)Рг 5 слож О Рг Рг евыи виг ко О 2 9 О г 7 О О О 8 с Рг 7 Прием кода на Р 8 с О рием инверсногоРг 7 да 8 с Рг 6 О 36 да наРг 8 ием инверсногРг 6 О...

Номер патента: 512254

Опубликовано: 30.04.1976

Авторы: Березенко, Левицкий, Науменко, Орлов, Орловский, Симонов

МПК: D06F 71/04

Метки: влажно-тепловой, пресс, швейных

...элементы 17,Опорная поверхность нижней подушки выполнена в виде металлокерамической пластины 18 с шероховатой рабочей поверхностью для равномерного распределения пара в обрабатываемом изделии и предотвращения образования на ткани ласс. Подвод пара и воздуха производится с номощью датчиков через штуцеры, вставленные в отверстия 19.Верхняя подушка 3 также имеет крестоооразную форму (фиг. 5), выполнена пустотелой и работает без обогрева. В верхней части подушки укреплен коллектор 4, а в нижней части на пружинных растяжках 20 смонтирована прессующая,поверхность 21, которая имеет мелкоячеистую металлическую сетку 22 с натянутой на нее тканью.В привод верхней подушки 3 входят: электродвигатель 23 и колодочный тормоз 24, имеющий...

Номер патента: 418211

Опубликовано: 05.03.1974

Авторы: Березенко, Блецкан, Веселкова

МПК: C30B 15/36, C30B 29/06

Метки: выращивания, границами, двойниковыми, кремния, кристаллов, плоскостям

...роста уменьшаются, а ниже плоскостей двойниковаиия растет кристалл с ориентацией 100. ии кристаллов ава ца затраво плоскостям ост кристаллов 10 еющего в попепо площади лографической двойникованиявсегда может 15 выращивание ю затравку с выми границаектора 122 в 20направлению орого она изгозводимо полущие в поперечделенных двой т изобретения ре ащивают вы ральскому на ения разме противопокристаллов кремния с и ио плоскостям (111), сечениях изменяющиес различной кристалСпосоо выращивания войниковыми граница меющих в поперечных я по площади у.астки Изобретение может быть испполучения сложных кристаллдвойниковыми границамиимеюречных сечениях изменяющиесяучастки с различной кристалориентацией.Известно, что при выращиванкремния кристаллизацией...

Номер патента: 396124

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Березенко, Блецкан, Мисюра

МПК: C30B 15/00, C30B 29/06

Метки: бездислокационных, кремния, монокристаллов

...криста,пов к 30 цд по Т 1 охрял моцокрцстд,пд Зд здт 3 В)и, н Т 51 ГИ ВД;)п 51 П,1 О ОТ.22 П22222202 нных моноЦЗ Р 1 СПЛЯем учдсткд цм дцямстроиссе выа 1)цзяццбеспечен;я капп нцех НВДП меныВ Пкрис ЛЯО кому с выряц 1)метром,ПОДДЕРЖДЦИЕ кого фронт т; о. с цеЦель изоб условий, обе бездислокаци в цаправлени создание теплоых х устойчивый рост кристаллов кремния 30СТЕНИ 51печивающнных мот11101. м,:т 1 Зобретгцие Относится к метяллургцц .10ПР О ВОДИ и КС и.Известны способы получецицпоццых моцокристаллов повытягввяц;ем из расплава,пов которых после затравливНиучасток мо:окрцсталла с диамедиасегрд затравки, ц поддержфЭОЦТ КРНСТЯЛ;1 ИЗДЦ)М 1. Д,51 ЗОГО Ц 15 П) ВЬРЩ 16 ВЦИЦ ОЕЗД 1 Ь,ОКЦЦОЦ)ЫХ МЬОХРСТ 1,1,1 ОВ У 1 ЯЗЯЦНОЙ ОРНЕПТ 3 ЦИЦ Ве,тцчпну...

Номер патента: 356873

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Березенко, Блецкан, Веселкова, Сахаров, Фалькевич, Шашков

МПК: C30B 15/36, C30B 29/06

Метки: 356873

...пло войникования проПолученные криторное строение. ора, полученного в 11221. Плоскостяскости 1122). изобретени ред ия двойниковых нием из расплава гранной призмы, ленин 1100, отл обеспечения одно всем граням ок у, боковые гра лографическими 15 Способ кремния в ку в виде ванную в тем, что,20 двойников пользуют являются ми 1110).кристаллов на затрав- ориентироичаюи 1 ийся временного таэдра, исни которойплоскостяполучен ытягива четырехнаправ цельюания по затравккристал Изобретение о и полупроводников.Известно, что при выращивании монокристаллов кремния вытягиванием из расплавов на затравку, имеющую форму четырехгранной призмы и ориентированную в направлении 11001, может происходить образование двойников, являющееся, как правило,...

Номер патента: 295212

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Березенко, Волков, Здрыкин, Кузнецов, Нистратова, Розин, Фарбер, Шир

МПК: H04R 29/00

Метки: микрофонов, параметров

...датчиком звукового давления в камере для системы поддержания постоянного звукового давления. Он подключен ко входу микрофонного усилителя 7, соединенного с управляющим входом приставки 3,Испытуемый микрофон 8, расположенный в заглушенной камере, подключен ко входу усилителя 9, связанного с блоками автоматического контроля 10 и 11.Блок 10 предназначен для автоматического контроля чувствительности на фиксированной частоте и неравномерности частотной характеристики испытуемого микрофона. Прибор имеет два канала контроля неравномерности частотной характеристики. При необходимости контроль частотной характеристики может производиться во всем диапазоне рабочих частот. При несоответствии чувствительности неравномерности частотной...

Номер патента: 289804

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Березенко, Дробышев, Киевский, Кондратьев, Мицык, Молочной, Осадча, Промышленности, Стопчик, Украинский, Фиргер

МПК: A23J 1/06

Метки: крови, обесцвеченной, производства

...течение 20 - 30 мин,Для удаления непрореагировавших остатков перекиси водорода к гидролизату добавляют раствор фермента каталазы из расчета 5 г на 100 кг гидролизата (при активности 1 г фермента - 1 млн, ед,).П р и м е р 2, Осветление цельной крови при помощи кислотного гидролиза производят следующим образом.К стабилизированной крови добавляют 10% уксусной кислоты, разведенной водой, в соотношении 1: 3, одновременно для осветления вводят в количестве 4 - 8% к весу крови 30%-ный раствор перекиси водорода, повы шают температуру до 70 - 80 С и смесь вь 1- держивают при периодическом перемешивании в течение 1 - 2 час. При этом происходит частичный гидролиз и осветление, С целью удаления непрореагировавших остатков пере. киси водорода к...

Номер патента: 242699

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Бабанов, Березенко, Галущенко, Кулик, Молочной, Николаева, Охотов, Плиско, Рубаник, Сивец, Ткач, Украинский, Яковенко

МПК: A22C 11/00, A22C 7/00

Метки: коагуляции, колбасных, оболочки, формования

...цины (не,показано), привод ц камера 14 подачи фарша в формующие гильзы,Мясной фарш под,давлением подается в камеру 14, с помощью, которой производится заполнение фаршем формующих гильз 3, непрерывно вращающихся совместно с дисками 2. В начале заполнения формующих гильз фаршем внутренний электрод 4 со штоком 7 находится в крайнем выдвинутом положении. По мере поступления фарша в формующую гильзу 3 электрод 4 под давлением фарша отхо. дит. В результате предотвращается попадание воздуха в формующую гильзу во врезя заполнения ее фаршем. Пссле того как формующая гильза 3 пройдет камеру 14, наружный электрод 5 со штоком б, перемещаясь по копиру 11, плотно примыкает к фаршу, подпрессовь;- вая его в формующей гильзе 3. В этот моменг через...

Номер патента: 257308

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Березенко, Ботвинов, Вуйнштейн, Гончарук, Евдокимов, Калугина, Киевский, Мицык, Молочной, Повелица, Украинский, Фиргер

МПК: A23L 1/317

Метки: колбасных

...вторичное измельчение, например, на волчке с диаметром решетки 2 - 3 мм, Мясо куттеруют с добавлением всех составных частей фарша,Для повышения влагоудерживающей споСОбности (сочности), гомогенности (однородности) и вкусовых качеств в фарш при куттеровании вводят протеолитический ферментный препарат из расчета, например, 6 г терризина, растворенного в 5 л воды, на 100 кг фарша.5 Фарш куттеруют в течение 7 - 10 лин. Готовый фарш шприцем набивают в оболочку, Связанные батоны в подвешенном состоянии находятся на осадке в течение 1,5 - 2 час при температуре 15 С.0 Затем колбасу обжаривают при температуре 80 - 90 С в течение 60 - 120 лин и варят в воде при температуре 80 - 85 С в течение 60 - 120 лак до достижения внутри батонов...

Номер патента: 218543

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Березенко

МПК: H03M 1/64

Метки: «угол—дискретное, приращение

...определяется последовательностью переходов.Наименьшее число градаций для получения знака приращения сдвига фазы равно трем, но в этом случае величина У = "Р должнаУгр.гфбыть кратна трем, При использовании одного генератора частоты ,р и последующем получении из нее частоты 1 ф путем деления на Рг необходимо использовать пересчет на три. Четыре градации взяты из условия простого деления частоты на числа, кратные двум.Один генератор частоты ,р применяется для того, чтобы избежать ошибки от нестабильности частоты питания фазовращателя 1 ф и частоты р. В случае использования разных генераторов для получения этих частот необходимость в делителе частоты отпадает. Но при этом несихронное изменение частот р и ф, вследствие их конечной...