Патенты с меткой «запоминающего»

Номер патента: 1418815

Опубликовано: 23.08.1988

Автор: Буреев

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент

...кдругим числовым шинам, производитсяаналогично. Полярность источника тока такова,что диоды элементов памяти проводят в прямом направлении. Формула и з обретения Составитель Л. Дерюгин Техред И.Верес Корректор М. Васильева Редактор Г. Гербер Заказ 4162/51 Тираж 590 ПодписнорБНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий1130 15, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, гУжгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при проектировании постоянных запоминающих устройств (ПЗУ).5Целью изобретения является упрощение записи информации, которая может выполняться электрическим способом - пережиганием плавких предохранителей. 1...

Номер патента: 1425781

Опубликовано: 23.09.1988

Авторы: Воротинцев, Гиль, Нестерук

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающего, накопитель, устройства

...вторым 14, третьим 15 и четвертым 16 генераторами ЦНД, и позволяют ввести ЦНД, соответствующие .(р+)-м, (р + + 2)-м, (р+3-м и р+4)-м битам записываемой информации 1 р = 0,4, 8,) в первый 11, второй 12, третий 17 и четвертый 18 регистры ввода информации, продвигаясь по которым, ЦНД поступают к переключателям 10 обмена одноименных групп регистров хранения информации. Подача в провод никовую шину 22 обмена импульса тока вызывает параллельное занесение информации, находящейся в регистрах ввода информации, в регистры хранения информации соответствующих групп3 1425 яс одновременной параллельной передачей ранее хранимого информационногоблока из групп регистров хранения инФормации в соответствующие регистры5ввода и далее выводом его за...

Номер патента: 1429166

Опубликовано: 07.10.1988

Авторы: Ахмеджанов, Лушников, Романов, Хван

МПК: G11C 11/40, G11C 8/10

Метки: дешифратор, запоминающего, резервированием, устройства

...1 адреса, код которого соответствует коду входного инвертора,,на выходе присутствует сигнал логической единицы, при этом у остальныхФормирователей 1 на выходе - сигналлогического нуля,На первом установочном входе 15ключевого элемента 3 уровень логической единицы понижается до такой степени, чтобы он не был выше уровня напряжения на выходе основного формирователя адреса, но чтобы поддержатьтранзистор 11 в других элементах воткрытом состоянии для разряда затвора второго. транзистора 12 ключевогоэлемента.В это же время на адресные входы7 подается результат сравнения кодаосновного адреса с кодом адреса резервного элемента. Если эти адресане совпадают, то результатом сравнения является сигнал логической единицы, и затворы транзистора 12...

Номер патента: 1432609

Опубликовано: 23.10.1988

Авторы: Вешняков, Гавриленко, Мороз-Подворчан, Сергеев

МПК: G11C 16/04, G11C 19/28

Метки: буферного, запоминающего, регистр, сдвига, устройства

...4регистра закрыты, поскольку инжектируемый в их базы по импульсам Ф, иФ заряд не накапливается, а отводится через один из двух (который открыт) и-р-и-транзистор. Из базы транзистора 4 1-го разряда инжектируемыйзаряд отводится через элемент 12.При записи нового слова в буферное50ЗУ инжектируемый поимпульсу Ф зарядбазы транзистора 4 1-го разряда неотводится, а накапливается в нем,вследствие чего транзистор открывается,1-й триггер переключается в 1пи 55на 1-м выходе регистра действуетимпульс, по которому входное слово записывается в первую числовую линейку(ЧЛ) накопителя буферного ЗУ. Затем по импульсу Ф инжектируемый заряд накапливается в базе транзистора 4 2-го разряда, транзистор открывается, переключая в " 1" 2-й триггер и...

Номер патента: 1442995

Опубликовано: 07.12.1988

Автор: Мовсесян

МПК: G06F 13/00

Метки: динамического, запоминающего, контроллер, оперативного, устройства

...Ф 2 на первой группе выходов дешифратора 14 появляется один из сигналов стро- ,2 адреса столбцов С.,2в зависимости от начения разрядовращение на единицу, а едновибратор8 формирует сигнал КАЯ, Триггер 7находится в состоянии блокировкиобращения и разрешения регенерации,соответствующем низкому уровню напервом вь,ходе триггера 7,Состояние Ожидание микропроцессор.-го устройства в отличие от состоякОстанов характеризуетсяи 11отсутствием снятия сигнала Чтениеили "Запись", Благодаря связи элемента ИЛИ 6 с сигналом "Ожидание" вконтроллере циклы регенерации происходят без помех. В отличие от данных, находящихся в ОЗУ, управляющая программа микропроцессорного устройства обычно располагается в ПЗУ, При обращении к ПЗУ для выборки команды...

Номер патента: 1444890

Опубликовано: 15.12.1988

Авторы: Куварзин, Лихацкий, Яковлев

МПК: G11C 11/34, G11C 17/00

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

...требуется создание межсоединеннй между стоковьми, истокосвыми и затьорными областями площадьячейки данного матричного накопителязначительно велика,Целью изобретения является повышение степени интеграции матричногонакопителя ПЗУ.Поставленная цель достигается тем,что в матррг 1 ный накопитель для ПЗУ,который содержит полупроводниковуюподложку, на поверхности которой расположен диэлектрический слой на поверхности которого расположены изолированные друг от друга числовыеи разрядные шины, выполненные изпроводящего слоя, введены областинизколегированного полупроводника иобласти диэлектрика, последовательнорасположенные на поверхности полупроводниковой подложки в диэлектрическом слое под соответствующими пеника 3...

Номер патента: 1444891

Опубликовано: 15.12.1988

Авторы: Куварзин, Лихацкий, Яковлев

МПК: G11C 11/34, G11C 17/00

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

...и расположенные на поверхности полупровоцниковой подложки в диэлектрическом слое под соответствующими пересечениями чнс.нов.:, н разрядных шин области понун р;и. впик, на соответствующих участках поверхности которых размещены с зазором области диэлектрика, на поверхности которыхрасположены соответствующие числовыешины, а на поверхности областей полупроводника в зазоре расположены соответствующие разрядные шины.Кроме того, для обеспечения мно-.гократной записи информации, область диэлектрика выполнена двухслойной, например, из двуокиси кремния толщиной 1,5-2,5 нм и нитридакремния толщиной 50-100 нм.На фиг. 1 показана конструкцияматричного накопителя; на фиг. 2 -разрез А-А на фиг, 1; на фиг. 3конструкция перепрограммируемойячейки...

Номер патента: 1462419

Опубликовано: 28.02.1989

Авторы: Андрианов, Жаркова, Полетаев

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающего, накопитель, устройства

...и может бытьиспользовано при разработке запоминающих устройств (ЗУ) на цилиндрических магнитных пленках (ЦМП).Целью изобретения является увеличение отношения сигналпомеха,На фиг. 1 изображена гибкая непроводящая лента с топологическимрисунком числовых обмоток до сгибания; на фиг. 2 - накопитель в аксонометрии.Накопитель для ЗУ содержит числовые обмотки, прямые. 1 и обратные 2провода которых расположены на поверхности гибкой непроводящей ленты3 в плоскости, перпендикулярной осямЦП 1 4, и выполнены П-образной формы. ЦЪП 1 4 нанесены на разрядные провода 5, используемые как при записитак и при считывании, Запоминающимэлементом в накопителе являютсяучастки ЦМП 4, расположенные подпрямыми и обратными проводами числовой обмотки,Накопитель...

Номер патента: 1471222

Опубликовано: 07.04.1989

Автор: Вохмянин

МПК: G11C 17/00

Метки: емкостного, запоминающего, накопитель, перепрограммируемого, типа, устройства

...раз" рядных шинах и жестко связаны с адресными шинами. Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для создания запоминающих устройств, для которых важным Фактором является воэможность смены информа-ции эа короткое время.Цель изобретения - упрощение накопителя и сокращение времени перепрограммирования.На фиг. 1 представлен Фрагмент накопителя; на Фиг, 2 - конструктивное выполнение разрядных шин с элементами связи.Накопитель содержит адресные 1 и разрядные 2 шины, элементы 3 связи ,:емкостного типа. Разрядные шины 2 выполнены в виде круглых стержней с кольцевыми канавками 4, равномерно расположенными по всей длине стержня. Наружная поверхность стержня покрыта электроизоляционным материалом 5, например стержни...

Номер патента: 1499404

Опубликовано: 07.08.1989

Авторы: Лапидус, Малинин, Медников, Нечаевский

МПК: G11C 17/00

Метки: блок, запоминающего, памяти, полупостоянного, устройства

...нарушена, то это напряжениеостается неизменным (Фиг. Зг, прямаяХЗ) 15Напряжения, снимаемые с магнито-,резисторов 3, подаются на инвертирующие входы компараторов 10 длясравнения с опорным уровнем, На инверсных выходах тех компараторов 10, 20которые подключены к магниторезисторам 3 с ненарушенной связью вырабатываются импульсы отрицательной полярности с длительностями, равными времени, в течение которого напряжения,снимаемые с магниторезисторов 3,меньше опорного уровня (фиг. Зд,ж,з).На инверсных выходах тех компараторов 10, которые подключены к магниторезисторам 3 с нарушенной связью, 30сохраняется высокий уровень напряжения (Фиг. Зе).По положительному фронту импульса "Чтение" (фиг. За) сигналы с прямых выходов сравнивающих...

Номер патента: 1499405

Опубликовано: 07.08.1989

Авторы: Вешняков, Гавриленко, Коваль, Лысенко

МПК: G11C 19/00

Метки: буферного, запоминающего, регистр, управляющий, устройства

...случаю без конфликтных ситуаций. Максимальная частота записи/считывания определяется длительностью Формируемьп импульсов и ранна 1/2 Г.Рассмотрим и сопоставим процессы переключения ЭП и УР. В режиме хранения транзисторы 40 и 41, образующие триггер хранения, запитаны через диод 45 46 и транзистор 42 током хранения, а транзисторы 43 и 44, образующие входной парафазный триггер, не запитаны. При формировании импульсов ток питания трацзисОров 40 и 41 увеличивается приблизительно па порядок, и запитываготся транзисторы 43 и 44. Открывается тот из них, база которого соединена с коллектором закрытого транзистора 40 (или 41) (.-1)-го ЭП,55Допустим, что конструктивно транзисторы 43 и 44 идентичны транзистору 12, Ицжекция заряда в их базы...

Номер патента: 1506482

Опубликовано: 07.09.1989

Автор: Аваев

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, оперативного, устройства

...образом, запоминающий элемент имеет эквивалентную схему(фиг, 4), На схеме обозначено; 14 -запоминающий конденсатор, образованный слоями 6, 8, 7; 15 - запоминающий конденсатор, образованный слоями 7, 5, 2, 1; 16 - шина строки,17 - шина столбца, 18 - 1 ЩП-транзистор со встроенным каналом п-типа,образованный слоями 7, 9, 3 и 6 ипредназначенный для записи информации, 19 - МДП-транзистор 6 с индуцированным каналом п-типа, образованный слоями 1, 2, 3, 7 ц предназначенный для считывания,В режиме записи на шину 17 столбца подается либо низкое напряжениелогического "0" (Б = О), либо положительное напряжение логической 1(П ), а на шину 16 выбранной строки - положительное или нулевое напряжение Н апП Потсгде П, -модуль напряжения отсечки...

Номер патента: 1524092

Опубликовано: 23.11.1989

Авторы: Алексеева, Бутенко, Гольцев, Гусева, Илларионов, Крючин, Нанушьян, Полеес

МПК: G11C 13/04

Метки: запоминающего, информации, носитель, оптического, устройства

...- повышение надежности хранения и увеличение срока службы носителя информациидля оптического запоминающего устройства, Носитель информации содержитдве стеклянные подложки, цд каждойиз которых размещен регистрирующийслой и защитный слой, размещенный между ними, Защитный слой выполнен цэсилоксанового эластцчцого материалас модулем упругости 0,3-5 МПд,из силоксацового эластичного материала с модулем упругости 0,30 - 5 М 1 а.Силоксановый полимер готовится беэ применения органических растворителей т,е, является экологически чистым веществом,Верхнее значение модуля упругост 1 илоксанового эластичного материалапределяется предельно допустимымнижением чувствительности носителя1524092 подложки под давлением 10-12 Н/см. Проводится термическое...

Номер патента: 1531158

Опубликовано: 23.12.1989

Авторы: Нагаев, Соколов

МПК: G11C 11/155

Метки: блок, доменах, запоминающего, информации, магнитных, считывания, устройства, цилиндрических

...выходе ЦАП устанавливается напряжение, равное нулю.Для работы блока необходимо, чтобы перед считыванием данных была возможность считывать только помеху, что может быть обеспечено программным путем и всегда имеет место у запоминающего устройства на ЦМД, имеющих регистр связи. Помеха усиливается дифференциальным усилителем до логического уровня и по сигналу "Строб" проходит на выход усилителя. Выходной сигнал усилителя через элемент И поступает на счетный вход счетчика. Счетчик переводится в первое состояние и на выходе ЦАП появляется напряжение, определяющее уровень порога срабатывания дифференциального усилителя. Если уровень порога срабатывания дифференциального усилителя меньше по 25 абсолютной величине, чем напряжение помехи, то по...

Номер патента: 1531162

Опубликовано: 23.12.1989

Авторы: Статейнов, Сухарев

МПК: G11C 11/14

Метки: годности, доменного, запоминающего, карты, устройства, формирования

...в катушках 3 индуктивности, блок 5 формирования импульсов записи и считывания информации, камера 6 тепла 35 и холода.Формирование карты годности для доменного запоминающего устройства осуществляют следующим образом.Осуществляют постраничную запись информации в одноименные позиции годных и дефектных регистров хранения запоминающих модулей, после чего считывают эту информацию при максимально допустимом температурном градиенте во внутреннем объеме запоминающих модулей.Устройство для реализации предлагаемого способа работает следующим образом.50После включения устройства с выхода термочувствительного элемента 2 поступает сигнал о температуре внут-, реннего объема модуля 1при этом формирователь 4 вырабатывает импульного способа содержит...

Номер патента: 1531163

Опубликовано: 23.12.1989

Авторы: Корниенко, Костюк, Кролевец, Невядомский, Омельченко, Сидоренко, Смирнов, Третьяк

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, информации, оперативного, памяти, устройства, хранением, энергонезависимым, ячейка

...1 оперативной памяти хранит логический "0", т.е. близкий к нулю потенциал, то ключевые транзисторы 3 и 5 закрыты, и практически все напряжение, приложенное к затвору МНОП- транзистора 4, падает в подложке на области пространственного заряда, и МНОП-транзистор 4 сохраняет свое исходное логическое состояние с низким, например 0,5 В, уровнем порогового напряжения.Ячейка осуществляет обратный пере- .вод информации из энергонезависимойпамяти в оперативную, т.е. производить обратную запись, Для этоговначале через адресный транзистор 2заряжают узел 7 хранения потенциаладо уровня, соответствующего хранениюлогической "1" ( - 5 В), и устанавливают на затворе МНОП-транзистора 4напряжение, величина которого находится внутри его межпороговой...

Номер патента: 1531166

Опубликовано: 23.12.1989

Автор: Вербовецкий

МПК: G11C 11/42

Метки: запоминающего, многоканальный, оптический, оптоэлектронного, параллельный, устройства

...первой (А) и второй (В) страниц.При этом н оп гическом коммутаторе 1 устанавливается такая матрица голограмм (или она формируется оперативно на реверсивном носителе при подаче на него напряжеиия с блока 9), которая формирует такие связи между Блок 8 формирования пучков может быть выполнен, например, в виде телескопа.Блок 9 управления (фиг. 2) обеспечивает работу преобраэователя и может состоять, например, иэ генератора 10 синхроимпульсон, формировате- . лей 11-14 управляющих сигналон с пер- вого по четвертый, буферного накопителя 15 и канала 16 ввода, причем выходы генератора синхроимпульсон с первого по третий подключены соответственно к первому, второму и третьему формирователям управляющих сигналов, выходы которых подключены к...

Номер патента: 1531169

Опубликовано: 23.12.1989

Авторы: Прокопенко, Сидоренко, Хцынский, Ярандин

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

...эа счет туннельного пробоя конденсатора 2 происходит накопление положительного заряда на обкладках 5,т.е, высокого логического уровня("1"). В момент времени гоканчивается, действие высоковольтного сигнала стирания, а в момент с 4 производится отключение выбранных элементов5 153116 1 памяти, В течение интервала времени с -г.4 происходит разряд шины 24 на вход 30, находящийся под нулевым потенциалом, а шины 22 на вход 36, также находящийся в это время под нулевым потенциалом, Начиная с момента времени сз до момента времени происходит повторение цикла стирания, в течение которого элемент 1 10 памяти и другие элементы 1 данной секции накопителя оказываются полу- выбранными по входу 34, а в течение интервала времени с-г они полуныбраны по...

Номер патента: 1531170

Опубликовано: 23.12.1989

Автор: Семенов

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент

...запоминающих устройств (ППЗУ),Целью изобретения является повыше ние коэффициента программирования ЗУ.На фиг. 1 представлен разряд конструкции элемента памяти, на фиг, 2его топология1 ОЭлемент памяти содержит диэлектрическую подложку 1, проводящий слой,образующий плавкую перемычку 2, проводящие электроды 3, диэлектрическийслой 4 с отверстием 5., 5Перемычка 2 служит для невосстанавливаемого прерывания цепи между электродами 3 при необходимости изменения состояния данного элемента памяти ППЗУ в процессе программирования 2 О(записи информации в ППЗУ), Электроды3 служат для соединения перемычки2 с другими элементами накопителя(матрицы запоминающих элементов) исхем управления ППЗУ. Подложка 1 и 25слой 4 служат для крепления, защиты...

Номер патента: 1531171

Опубликовано: 23.12.1989

Авторы: Абрамов, Гуминов, Демин, Филатов

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающего, накопитель, постоянного, устройства

...12,15Формула изобретения Накопитель для постоянного запоминающего устройства, содержащий ячейки памяти, каждая из которых состоит 2 О из двух запоминающих транзисторов, стоки которых подключены к соответстнующей разрядной шине накопителя, затворы - к соответствующим адреснымшинам первой группы накопителя, а истоки - к соответствующим адресным шинам второй группы накопителя, истоквторого запоминающего транзистора каждой ячейки памяти, кроме последней,столбца накопителя соединен с истоком первого запоминающего транзистораследующей ячейки памяти этого жестолбца накопителя, о т л и ч а ю -щ и й с я тем, что, с целью повышения информационной емкости накопителя, он дополнительно содержит в каждой ячейке памяти третий запоминающийтранзистор,...

Номер патента: 1550580

Опубликовано: 15.03.1990

Авторы: Высочина, Копытов, Сидоренко, Солод

МПК: G11C 16/12, G11C 7/00

Метки: записи, запоминающего, устройства, формирователь

...работаетлинейном режиме. С выхода его наряжение поступает на затвор транистора 17, исток которого подключен выходной шине 19.5Длины каналов транзис.горов 1-11 выбираются близкими к длине каналов ,"ранзисторов 13 и 14, а транзистор 4 имеет геометрические размеры элеента памяти ЗУ. При технологическом еньшении длины канала элемента пати ЗУ уменьшается напряжение лавиного пробоя шины столбца матрицы ЗУ. дновременно уменьшается длина канаов транзисторов 1-11 и транзистора 4, При этом увеличивается ток через ,. епочку транзисторов и увеличивается апряжение на затворе транзисторов 14 и 6,уменьшая напряжение на затворе тран истора 17 и на выходной шине 19. аким образом, происходит уменьшение апряжения, подаваемого на элемент У и...

Номер патента: 1587588

Опубликовано: 23.08.1990

Авторы: Бальжанов, Мухопад

МПК: G11C 11/19, G11C 17/00

Метки: запоминающего, многоуровневый, накопитель, постоянного, радиочастотного, устройства

...разомкнутых на концах полосково-щелевых линий, перекрывающихся подпрямым углом на расстоянии Х/4 от концов.Связь полосковых линий в БД 1, находящихся в разных слоях, осуществляется черезполуволновой 1=1/2 щелевой резонатор 7,прорезанный в слое металлизации (слой Р)за счет составляющих напряженности СВЧмагнитного поля, направленных вдоль щели,Разомкнутые четвертьволновые полосковыешлейфы (слои Р и Е), которыми заканчиваются ПЛ 6 и короткозамкнутые четвертьволновые шлейфы на ЩЛ, образующиещелевой резонатор 7 связи, обеспечиваютпучность этих состав ляющих в центре пересечения линий.Накопитель работает следующим образом.СВЧ-сигнал подается на ПЛ 6 адресного входа, далее с помощью полуволновыхщелевых резонаторов 7, находящихся вслоях Г и Р...

Номер патента: 1594597

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Ермаков, Попков

МПК: G11C 5/12

Метки: жгутов, запоминающего, кодовых, постоянного, устройства

...электромагнита 13 и возвратной пружиной 4. На скобе 15 жестко Закреплен датчик положения намоточцых шаблонов, состоящий из фотодиода 16 и источник 17 света, закрепленных на неподвижном основании 18.Устройство работает следующим образом.При вращении диска 2 источник 17 света через зазоры между намоточнымн шаблонами 3 освещает фотодиод 1 б, ко-, торый подает команду в пульт управле; сия (на- локман), Пульт Управления-" согласно программе включает и выключает электромагнит 13, сердечник 12 Которого, скрещенный с прошивочной 1 иглой 10, разворачивает ее на оси 11.При включещи электромагнита прошивочная игла 10 возвращается в исход 5ное положение при помощи пружины 14,нри этом прошивочная игла 10 заводитинформационный провод 8 между...

Номер патента: 1603401

Опубликовано: 30.10.1990

Автор: Вербовецкий

МПК: G06E 1/02

Метки: блок, блоков, запоминающего, логических, оптической, связи, устройства

...вход которого располагается в передней фокальыой плоскости этих объективов и является входом узла 3. На выходе каждого объектива первой группы располагается второй поликубический мультипликатор, на выходах которого установлена вторая группа1 объективов, образующая с первой телескопические системы, каждый объектив второй группы связан с входом тре01 6Оптические сигналы с выхода корректирующего узла 2 поступают на вход узла 3 мультиплицирования пучков и размножаются таким образом, чтобы они при сутствовали одновременно на всех его К-ых выходах,Таким образом, на любой 1-й вход одновременно всех К-ых блоков В может поступать оптический сигнал от любого 1-го выхода блока А. При этом топология связи блока А с блоками В может...

Номер патента: 1608749

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Курочкин, Службин, Темерти

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающего, магнитных, накопитель, устройства, цилиндрических

...в нужном направлении ЦМД путем взаимодействия последних с переменным во времени и пространстве магнитным рельефом, создаваемым протекающими токами.За исходное состояние примем такое, когда канал 2 ввода-вывода свободен отЦМ запо в по н трех иска В заро пода рази сдви мени гают мая Узел ЦМ соот К А на гистр ния импу(фиг. сумм напр полу ного релье выво 28 и Б, а и кр пози слоя крае слоя П слоя нени вател один Одно ввод цию,проти маци зици за эт в ка хран ввода Таки ТОКОВ ввода инфо 3 ин выво перем стран 2 вво на од За 3 и инфо вода, а регистры 3 хранения информациииены ЦМД 26 и 27, находящимисяициях А.копитель может работать в одном изрежимов: записи, считывания или поинформации.режиме информации ЦМД 28 и 29даются в узле 6 генерации и...

Номер патента: 1624523

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Андрианов, Жаркова, Полетаев

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающего, магнитных, накопитель, пленках, устройства, цилиндрических

...которой находятся прямые (обратные) провода числовой обмотки одного ряда, с другой - обратные (пр 1 мые) провода числовой обмотки другого ряда, 2 ил. ванной ленты и придания ей П-образной формы в плоскости, перпендикулярной Ф осям 6 ЦМП, прямые и обратные провода (Я числовых обмоток одного ряда расположе- Я ны соответственно над обратными и прямы- ( р ми пооводами числовых обмоток другого ряда. ЦМП нанесены на разрядные провода 7, используемые как при записи, так и при считывании. Запоминающим элементом в накопителе являются участки ЦМП, с одной стороны которой находятся прямые (обратные) провода числовой обмотки одного ряда, с другой - обратные (прямые) провода числовой обмотки другого ряда. Накопитель работает следующим обраом,1624523...

Номер патента: 1628081

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Антонов, Горшков, Гринько, Крючин, Петров, Попович, Сергиенко, Токарь, Шанойло, Юдин

МПК: G11B 7/00, G11B 7/24, G11C 13/04 ...

Метки: запоминающего, информации, носитель, оптического, устройства

...режиме записи оптическое излучение оптической головки 5 (фиг.1,2)моделируется по интенсивности илииным Образом подлежащим записи сигналом. Это излучение производит измене 1 б 28081ции. ния каких-либо физических характеристик регистрирующей среды 5 (коэффициента отражения, коэффициента преломления и др) и тем самым осуществляетзапись информации.В режиме считывания с оптическойголовки 5 поступающее на регистрирующий слой 2 излучение модулируется записанной на нем информацией. Отраженное излучение светоделителем 8 направляется на фотоприемник 9, в котором преобразуется в электрический сигнал воспроизведения,В режиме восстановления регистрирующей среды 2 в зависимости от давления инертного газа 4, заполцлющего внутреннюю полость...

Номер патента: 1633458

Опубликовано: 07.03.1991

Автор: Вербовецкий

МПК: G11C 11/42

Метки: ассоциативного, запоминающего, оптический, оптоэлектронного, устройства

...2 - схема узла синхронизации.Оптический преобразователь содержит операциойный блок 1, блок 2 волоконных разветвителей, оптически управляемый транспарант 3, лазер 4, маску 5, проекционный блок 6, оптический вентиль 7, блок 8 волоконных объединителей, блок 9 синхро.низации.Операционный блок 1 предназначен для преобразования в каждом парафазном знаке внутри одной и той же страницы информации световых пучков, отображающих парафазные 1 и О, в пучки, отображающие только парафазные 1. Для этого операционный блоксмешает в каждом разряде страницы положение оптического сигнала парафазного О так, чтобы все оптические сигналы отображали только парафазные . Блок 1 может быть выполнен, например, в виде матрицы волоконных объединителей или фоконов,...

Номер патента: 1635208

Опубликовано: 15.03.1991

Автор: Мархасев

МПК: G11C 8/00

Метки: адреса, запоминающего, устройства, формирователь

...входы сброса которых являются входом сброса формирователя, а выходы - выходами формирователя, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью расширения функциональных возможностей за счет программируСчетчики 1.1, 1,2 и 1.3 выдаютодин или группу разрядов адреса, впределах группы идет последовательныйперебор адресов,Иассив адресов можно рассматривать как пространство, имеющее и координат (по числу счетчиков), При пприеме в запоминающее устройство иконтроле массива информации, имеющего и характеристик, с числом в элементов по каждой характеристике коэффициент пересчета каждого счетчикадолжен быть равным в. При работе сизменяемым форматом информации могутприменяться счетчики с переменным коэффициентом пересчета,Например, для приведенной...

Номер патента: 1635212

Опубликовано: 15.03.1991

Авторы: Куриленко, Сидоренко, Хоружий, Яровой

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, информации, постоянного, считывания, устройства

...пороговое напряжение Ч С 2,0 В), то потенциал на35входе 14 ограничивается напряжением0,7 В, обусловленным токами черезтранзистор 7 и транзистор 20. Приэтом на входе 9 схемы дифференциального усилителя 6 формируется потенциал, равный 2,0 В,1 ФНа вход 28 усилителя 6 подаетСяопорное напряжение, создаваемое настоке транзистора 29 формирователя 5 45опорного напряжения током разрядачерез транзистор 32, находящийся воткрытом состоянии, т.к. эти транзисторы находятся только в состояниис низким пороговым напряжением, т,е.Ч. (2,0 В.50гБлагодаря параллельному включениюпяти транзисторов 23-27 в формирователе 5 опорного напряжения, идентичных транзистору 7, обеспечиваетсяпостоянная величина отношения токовсчитывания транзисторов 15, 31. Приэтом на...