Патенты с меткой «запоминающего»

Номер патента: 790016

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Игнатенко, Ломов, Миляев

МПК: G11C 11/14

Метки: доменного, запоминающего, накопитель, устройства

...предлагаемый накопитель следующим образом.Запись информации производится словами по 3 бита (фиг. 1 а) и по 6 бит (фиг, 1 б).Пусть наличие магнитного домена 8 в позиции 13 означает запись в разряд, соответствующий этой позиции, логической 1, а отсутствие домена - логического О. Генератор 2 последовательно зарождает и вводит в регистр 1 ввода-вывода магнитные дамены 8 в соответствии с записываемой информацией. Переход магнитных доменов из позиции в позицию во всех регистрах происходит синхронно за один обопот вектора магнитного поля управления Н(направления движения доменов показаны тонкими стрелками). Когда первое записываемое слово занимает позиции 14 - 16 регистра 1, которые связаны переключателями 7 с позициями 17 - 19...

Номер патента: 803007

Опубликовано: 07.02.1981

Авторы: Берендеев, Емельянов, Салакатов, Юрцева

МПК: G11C 7/02

Метки: запоминающего, магнитногооперативного, считывания, усилитель, устройства

...повторитель 5, резисторы 6 и 7,дифференцирующий элемент 8, конденсаторы 9 и 10, диодный мост 11, дифференциальный каскад 12, резистор 13 и диод 14.Усилитель считывания работает следующим образомПри протекании разрядного тока через разрядную считывающую шину 1 и генератор тока 2, а также по адресной шине 3, сигнал с сердечника выделится на генераторе 2, так как он имеет большое сопротивление для этого сигнала, и через открытый диод 4 проходит на эмиттерный повторитель 5. Резисторы 6 и 7 выбираются таким образом, чтобы через диод 4 проходила асть тока генератора тока, обеспечивающая открытие диода 4 для прохождения сигнала. С эмиттерного повтори" теля 5 сигнал поступает на дифференцирующий элемент 8, состоящий из конденсаторов 9,...

Номер патента: 824309

Опубликовано: 23.04.1981

Авторы: Паринов, Чиркин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающего, магнитных, устройствана, цилиндрических

...рельефность слоеви вызванное ею снижение надежностифункционир ования 21.824309 4м устройстве, Кроме того, увеличенная вомного раз плошадь балластной чести шин эффективно выполняет роль радиаторВ, отводящего тепло от активных шин и равм 5 номерно распределяющего его по всей ле- площади устройства. Это приводит к снио- жению температуры узких участков токоем проводящих шин и уменьшает вероятностьих теплового разрушения, а также ослвб 1 О ляет локальный разогрев мвгнитоодноосес- ной пленки. Однако это достигается значительнь усложнением технологии изготовления.Бель изобретения - упрощение изготовления ЗУ на БМД.Поставленная цель достигается путе того, что в известном способе изготов ния ЗУ на БМД формирование токопров дящих шин...

Номер патента: 824313

Опубликовано: 23.04.1981

Авторы: Анфиногенов, Буздин, Иофис, Кузьмин, Пароль, Флидлидер

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающего, памятидля, полупроводниковый, постоянного, устройства, элемент

...являются ограниченное быстродействие и высокое сопротивление элемента памяти.Цель изобретения - повышение надежности элемента памяти.Поставленная цель цостигается тем, что.элемент памяти содержит пленку металла, которая размещена между слоем ХСП и слоем монокремния, при этом пленка металла со слоем монокремния образует циоц Шоттки.На фиг. 1 показан элемент памяти в интегральном исполнении, выполненный на подложке ноликремния; на фиг. 2 - эквивалентная электрическая схема элемента памяти, на фиг. 3 - элемент памяти в интегральном исполнении, выполненный на сапфировой подложке с эпитаксиальной пленкой кремния; на фиг. 4- эквивалентная электрическая схема эле,мента памяти.Элемент памяти соцержит пластину 1 из поликремния, полосы...

Номер патента: 830574

Опубликовано: 15.05.1981

Авторы: Завадский, Заика, Самофалов

МПК: G11C 11/22

Метки: запоминающего, накопитель, устройства

...нанесен четвертый электрод 9 возбуждения и параллельно ему дополнительные к групп 60 (на чертехе =2) разрядных электродов 10, Разрядные электроды 10 в пределах каждой группы подключены к соответствующим дополнительным выходным. электродам 11. Длина разряд- у ных электродов 3 и 10 значительно превышает их ширину. Поляризация сегнетоэлектрического материала между электродами возбуждения 2,5 и 7,9 образуется приложением электрического напри;кения к указанным электоодам и в процессе эксплуатации не изменяется,Информация в накопитель может заноситься как при изготовлении, так и при эксплуатации. для этого достаточно приложить электрическое напряжение между соответствующим выходным электродом и электродом записи (например, между одним из...

Номер патента: 838755

Опубликовано: 15.06.1981

Авторы: Мамедов, Подопригора

МПК: G11C 11/40

Метки: блок, ди-намического, запоминающего, информации, регенерации, устройства

...8 опорного напряжения, источник 9сигнала восстановления потенциала, 25источник 10 тока. Предлагаемое устройство работает следующим образом.В режиме покоя ток источника 10 тока равен нулю, а напряжение источника 9 сигнала восстановления потенциала имеет высокий логический уровень, Напряжение на центральном р-и переходе четырехслойной структуры, об 35 разующей транзисторы 1 и 3, равна нулю. Перед тем, как на входную шину б подан сигнал, подлежащий усилению (регенерации), напряжение на базе транзисторов 4 и 5 понижается так,40 что их змиттерные р-и перехоцы смещаются в обратном направлении. Напряжение на регенерацианном входе сравнивается с опорным напряжением 8, Включается источник 10 така. Ксли напряжение на входе оказалось меньше...

Номер патента: 841043

Опубликовано: 23.06.1981

Авторы: Акинфиев, Арсланов, Ушаков

МПК: G11C 11/14

Метки: вращающегося, доменах, запоминающего, источник, магнитногополя, магнитных, устройствана, цилиндрических

...второй 7 и третий 8 ключи.Третий ключ 8 состоит из п-р-п транзистора 9, р-и-р транзистора 10, первого 1 ивторого 12 диодов. Сигналы управленияподаются на соответствующие входы 13 - . 16управления.В исходном состоянии все ключи закрыты,конденсатор 4 разряжен или заряжен дономинального значения положительного напряжения, и в соленоиде 5 отсутствует ра. бочий ток, создающий магнитное поле.Работа устройства начинается включением первого ключа 2, что приводит к дозаряду конденсатора 4 до номинальногозначения положительного напряжения, одновременно открывается ключ 8, конденсатор 4 начинает разряжаться через соленоид 5, возникает колебательный режимконтура 3 с соответствующей резонанснойчастотой. Через половину периода ток...

Номер патента: 841046

Опубликовано: 23.06.1981

Авторы: Слесарев, Чулков

МПК: G11C 11/42

Метки: запоминающего, оптоэлектрон-ного, синхрогенератор, устройства

...сдвигам фронта и спада, за счет чего временное положение центра считанного сигнала остается неизменным. Известное же устройство работает именно с фронтом опорного сигнала, подверженным джиттеру, за счет чего снижается точность синхронизации, а следовательно и надежность устройства (низкая достоверность декодирования данных).Цель изобретения - повышение точности синхронизации и надежности синхрогенератора путем повышения его устойчивости к искажениям опорного сигнала.С этой целью в синхрогенератор для оптоэлектронного ЗУ, содержащий частотно 25 30 35 40 45 50 55 4фазовый детектор, подключенный к интегрирующему блоку, выход которго соединен с управляемым генератором, выход которого через делитель частоты подключен к первому входу...

Номер патента: 875457

Опубликовано: 23.10.1981

Авторы: Замковец, Прохоров, Раев, Федотов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающего, накопитель, устройства

...накопиН.Л,Прохоров, В.КРаев, Ю.В.федотов и С.В.Закопитель,в два раэ а уменьшает количество резервных регистров хранения, вводимых в накопитель.Цель изобретения - увеличение быстродействия известного накопителя для ЗУ.Поставленная цель достигается путем того, что в нем регистры хранения нечетных и четных разрядов расположены попеременно и выполнены Г-образной формы, причем их горизонтальные участки направлены навстречу друг другу и магнитосвязаны с соответствующими каналами записи- считывания информации.На чертеже изображена принципиальная схема предложенного накопителя 15 для ЗУ.Накопитель для ЗУ содержит магнитоодноосную пленку, на которой расположены регистры хранения нечетных 1 и четных 2 разрядов, магнитосвязан- . 30 ные с...

Номер патента: 875458

Опубликовано: 23.10.1981

Автор: Попов

МПК: G11C 11/18

Метки: запоминающего, накопитель, оперативного, устройства

...гибкими токопроводящими дорожками, вторые пластины, выполненные из эластичного материала, причем концы стержней с цилиндрическими тонкими магнитными пленкааказ 9356/78 ВНИИПИ Го по делам 113035, МосПодписноо комитета СССРи открытийушская наб., д. 4/5 филиал ППП фПатентф, г. Ужгород, ул. Проектная,ми закреплены в металлизированных отверстиях первых пластин, первые и вторые пластины выполнены в виде монолитной конструкции, причем на вторые пластины нанесены гибкие токо- проводящие дорожки, соединенные с торцами соответствующих стержней, расположенных яа краях первых пластин.На чертеже показана конструкция накопителя, вид со стороны пластин,Накопитель содержит первую плас-. тину 1 с металлизированными отверстиями, являющуюся одной иэ двух...

Номер патента: 879649

Опубликовано: 07.11.1981

Авторы: Войникова, Зуев, Кравец, Селиванов

МПК: G11C 11/065

Метки: двумя, запоминающего, оперативного, организацией, разряд, сердечниками, устройства, числовая, ячейка

...при 25 этом на выходной обмотке 7 выделяетсямагнитный поток Фтс, вызывающий вконтуре связи ток Эк с, Кроме Э,с, вызываемого переключением трансформатора, в контуре связи действует ток 30 31 С,подаваемЖ в точку соединения кон-тура связи с обмоткой 6 считыванияи разделяющийся на две части. ток Э,протекающий по выходной обмотке 7 инаправленный навстречу 3 к с, и ток 35 Э протекающий по числовой шине 2и направленный согласно 3 к,с.Таким образом, по выходной обмотке 7 протекает разностный ток Эв с= 1,0, -3 В , а по числовой шине 2 - 40 суммарный ток Г.с - к.с,+и, причемг,с,-и.с =а +и =а.сМагнитный поток фк частично теряется на сопротивлении выходной обмотки 7 (Фс ), частично на сопротивлении числовой шины 2 (Ф с), а остальная часть (Ф)...

Номер патента: 879749

Опубликовано: 07.11.1981

Авторы: Буздин, Иофис, Кеворкова, Климушин, Флидлидер, Янков

МПК: H03K 3/286

Метки: запоминающего, устройства, ячейка

...шинами(входами) б и 7 управляющих импульсов,а вторые объединены и подключены кпервому выходу триггера 3,Вторая часть ячейки состоит изэлемента 8 памяти (ЭП), выход которого соединен с общей шиной, подключенной к формирователю 9, Выход формирователя 9 подключен ко второму установочному входу триггера 3, объединенные вторые входы элементов И 10, 1ко второму выходу триггера 3, Элементы И 4,5,10,11 выполнены в нице диодных сборок,До подачи сигналов на входы 6 и 7триггер 3 функционирует н соответствиис поступающими на его входы сигналами; ЭП 1 и 8 находятся но вклоченном(низкоомном ) состоянии.До спецноздействия, во время негои после его окончания схема работаетбез отклонения питания,Ячейка функционирует следующимобразом,При...

Номер патента: 886050

Опубликовано: 30.11.1981

Авторы: Крючин, Петров, Юдин

МПК: G11C 13/04

Метки: запоминающего, информации, носитель, оптического, устройства

...полиметилакрилат, поливинилаце тат.На чертеже показан носитель информации, разрез,Носитель содержит стеклянные подложки 1, регистрирующие слои 2, кольцевую прокладку 3 и защитный слой 4.При записи информации основнаячасть излучения поглошается в тонкомрегистрирующем слое 2 и происходитего локальное расплавление, частичнорасплавляется также и материал защитного слоя 4, расположенного в промежутке между подложками 1. За счетсил поверхностного натяжения и силвязкого трения происходит частичноевытеснение материала регистрирующегослоя из зоны облучения и заполнения еематериалом защитного слоя, расположенного между подложками, что приводит кизменению коэффициента отражения в 4месте записи, но вместе с тем сохраняетцелостность...

Номер патента: 888206

Опубликовано: 07.12.1981

Авторы: Агапкин, Феденко

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, интегрального, считывания, усилитель, устройства

...зарядки сигнальной шины 6, сигнальную шину 7, первый 8 и второй 9усилительные транзисторы, третий 10и четвертый 11 нагрузочные транзисторы, шину 12 питания и транзистор 13смещения, входы 14 и 15 и выход 16усилителя, Транзисторы 8 и 9 имеютобщий исток и соединены по триггерной схеме, а их стоки подключены соответственно к шине 7 и к выходу 16 усилителя. Истоки нагрузочных транзисторов 1 и 2 соединены соответственно с выходом 16 усилителя и шиной 7. Стоки и затвор транзистора 1 подключены к шине 12Затвор транзистора 2 является одним иэ входов усилителя 15. Затвор транзистора 13, стоки транзисторов 1 О, 11 и сток транзисторапредварительной зарядки шины 6 соединены с шиной 12. Затворы транзисторов 1 О и 11 подключены к истоку транзистора 10...

Номер патента: 890436

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Сергеев, Холопкин

МПК: G11C 11/14

Метки: генератор, доменного, доменов, запоминающего, магнитных, одноуровневого, устройства, цилиндрических

...,невого ДЗУ.Поставленная цель достигается тем, что генератор ЦМД для одноуровневого ДЗУ, содержащий магнитоодноосную пленку, на которой расположены ферромагнитная аппликация в форме диска и гальванически связанная с ней токопроводящая шина, содержит расположенные на магнитоодноосной пленке 1-образные Ферромагнитные аппликации, причем токопроводящая шина выполнена в форме петли, к внешней стороне которой примыкают 1-образные ферромагнитные аппликации, ЗОНа фиг. 1 представлена предлагаемая конструкция генератора ЦМД; на фиг. 2 а-г - расположение доменов во время работы генератора ЦМД.Предложенный генератор ЦМД для35 одноуровневого ДЗУ содержит магнитоодноосную пленку 1, на которой расположена Ферромагнитная аппликация 2 в форме диска,...

Номер патента: 902070

Опубликовано: 30.01.1982

Автор: Савельев

МПК: G11C 7/00

Метки: блок, воспроизведения, запоминающего, устройства

...соединен с выходом сумматора 6. Выход второго сумматора 8 соединен с входом усилителя 10 воспроизведения, второй и третий входы которого соединены с выходом формирователя 11 стробирующих импульсов и выходом дискриминатора 12, вход которого подключен к выходу делителя 5 напряжения, а вход формирователя 11 стробирующих импульсов подключен к первому входу сумматора 6.При считывании сигнал чтения вместе с помехой поступает по входу 2 на предварительный усилитель 1 воспроизведения, с выхода которого усиленный сигнал чтения подается на вход инвертора 7 и первый вход второго сумматора 8. Одновременно на второй вход 4 блока поступает эталонный сигнал 1, который передается на второй предварительный усилитель 3 воспроизведения. Этот сигнал после...

Номер патента: 911617

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Курочкин, Службин, Темерти

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающего, накопитель, устройства

...шести соседних ЦМД и по этой причине находитсяв равновесии. Однако это справедливотолько для решеток, имеющих бесконечные размеры, Реальные решетки ЦМД,используемые в качестве накопителейв ЗУ, имеют конечные размеры, в силучего ЦМД, находящиеся на краю решетки, должны быть уровновешены отталкивающей силой со стороны внешнегомагнитостатического барьера, Это жеотносится и .к внутренним участкамдоменосодержащей пленки, которые покаким-либо причинам необходимо оставить свободными от доменов.Магнитостатические барьеры могутбыть выполнены любым йзвестным способом, например травлением углублений соответствующей конфигурации наповерхности пленки, Известно, чтоЦИД, находящийся на выступе вблизиуглубления, испытывает силу, направленную в...

Номер патента: 920833

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Дикарев, Огнев, Топорков, Шамаев

МПК: G11C 8/00

Метки: запоминающего, устройства, формирователь

...чертеже изображена функциональная схема предлагаемого формирователя тока.,Формирователь тока содержит управляемый источник 1 напряжения, первую группу ключей 2, дифференциальный усилитель 3, источник 4 опорного напряжения, датчик 5 напряжения, вторую группу ключей 6 и интегратор 7. На чертеже показаны нагрузка 8, подключенная к нагрузочным входам и выходам формирователя тока, управляющий вход 9 и входы питания 10 - 12 формирователя тока.Дифференциальный усилитель 3 содержит транзисторы 13 - 15 и нагрузочные резисторы 16 - 19.Управляемый источник напряжения со.держит полевой 20 и биполярный 21 транзисторы и нагрузочные резисторы 22 - 25. Интегратор 7 содержит транзисторы 26 - 29, элемент НЕ 30, нагрузочные резисторы 31 - 37, конденсатор...

Номер патента: 926714

Опубликовано: 07.05.1982

Авторы: Сергеев, Холопкин

МПК: G11C 11/14

Метки: генератор, доменного, доменов, запоминающего, магнитных, одноуровневого, устройства, цилиндрических

...4 С-образной формы, элемент 5 ф 5 образования зародышевого домена в виде диска и управляющая токопроводящая шина 6 в форме полупетли, образующая на аппликации 3.уступ 7. Вектор 8 управляющего поля Нвращается 55 по часовой стрелке,Предлагаемый генератор ЦМД работает следующим образом. фНа фиг. 2 а,б,в,г,д,е показано расположение доменов на диске 5 и в канале 2 продвижения ЦМД в режиме генерации ЦМД. При положении вектора управляющего поля, показанном на Фиг. 2 б, в управляющую шину подается импульс тока 1 длительностью 0,25- 0,3 мкс (порядка 60 мА) такой полярности, при которой зародышевый домен, находящийся под диском, растягивается внутри управляющей шины, захватывается притягивающими полосами С-образной аппликации и, образуя...

Номер патента: 928405

Опубликовано: 15.05.1982

Авторы: Минков, Соломоненко

МПК: G11C 11/40, G11C 7/06

Метки: запоминающего, интегрального, считывания, усилитель, устройства

...отсутствуют цепи статического потребления и дифференциальный выходной сигнал на сигнальных шинах равен напряжению питания.Это имеет большое значение для интегральных динамических ЗУ большой и сверхбольшой емкости, так квк мощность, потребпяемая известными усилителями считывания, состагдяет 70-80",о мощности потребления ЗУ. Применение предлагаемогоусилителя позволит снизить мощность потребления ЗУ в 2-3 3 92840быстродействие за счет заряда параэитной емкости схемы.1 Ьдь изобретения - уменьшение потребляемой мощности и увепичение быстродействия усилителя считывания.5Поставленная цель достигается тем,что усилитель ссдержит два МОП-конденсатора и два ключевых транзистора, стокпервого ключевого транзистора соединенС ЗатВОРОМ ПЕРВОГО...

Номер патента: 928412

Опубликовано: 15.05.1982

Авторы: Гафаров, Минков, Соломоненко

МПК: G11C 11/34

Метки: запоминающего, интегрального, матричный, накопитель, устройства

...шин выборки с одной из полушин числовых шин.На фиг. 1 изображено .взаимное расположение элементов на кристалле ЗУПВ;на фиг, 2 - фрагмент топологии матричного накопителя,, Накопительподанному изобретению использованн в и нтегральном ЗУПВ емкостью".16384 бита, Запоминающее устройство,изготовленное по о -канальной МОП тех Знологии с самосовмещенными кремниевыми затворами и с двумя уровнями разводки иэ поликристаллического кремния, содержит элементы памяти 1, состоящие изМОП-конденсатора 2 и ключевого транзистора 3, Шины выборки 4 выполненыиз поликристаллического кремния второго уровня и являются одновременнозатворными шинами ключевых транзисторов 3. Числовые полушипы 5, соединен- Бнные с ключевыми транзисторами 3, выполнены из...

Номер патента: 930381

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Иванов, Косов, Проскуряков, Савельев

МПК: G11C 7/00

Метки: блок, доменного, запоминающего, информации, считывания, устройства

...туда которого. соответствует линейнопредварительного усилителя воспроиз- усиленной амплитуде информационныхведения, сигналов "1" или "0", но . усиленНа чертеже представлена блок-схема ных в более благоприятных условиях публока считывания информации для догь. 1 О тем сложения с эталонным сигналомменного запоминающего устройства. "1" на первом сумматоре,Блок считывания информации для Кроме того, усиленный эталонныйдоменного запоминающего устройства сигнал "1" поступает на вход делитесодержит первый вход 1, соединенный ля напряжения 6,а затем на вход формис первым входом первого сумматора 2, 15 рователя 10 уровня дискриминации, чтовторой вход которого подключен к входу .обеспечивает отслеживание уровня дискдополнительного...

Номер патента: 930383

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Сергеев, Холопкин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменного, доменов, запоминающего, магнитных, одноуровневого, переключатель, устройства, цилиндрических

...пленку 1, на которой расположены 1-образные 2 шевронные 3 и С-образные 4 Ферромагнитные аппликации, образующие входные 5 и выходные 6 каналы продвижения ЦМД, а также основная 7 и дополнительная 8 токопроводящие шины. Вектор 9 управляющего поля Нупр вращается по часовой стрелке.Переключатель ЦМД работает следующим образом.А. Режим переключения ЦМД из входных каналов в выходные каналы продвижения ЦМД. На фиг. 2 (а-е) показано .расположение доменов во входном и выходном каналах. При положении вектора управляющего поля НПР (фиг. 2 б) в управляющую шину входного канала подается импульс тока 1 длительностью, равной половине периода вращения НпР, и такой полярности, при которой домен может растянуться только по верхней границе...

Номер патента: 940238

Опубликовано: 30.06.1982

Авторы: Авсеев, Гвоздев, Стоянов, Сухоруков, Хорошунов

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, накопитель, устройства

...этом процесс записи завершается.Необходимо заметить, что подача высокого уровня напряжения на адреснуюшину 1 не может изменить состояние подключенного к ней запоминающего конденсатора 5 соседнего элемента 3 памяти,так как МДП-транзистор 4 указанного соседнего элемента закрыт,В режиме хранения информации на дополнительные адресные шины 9 и адресныешины 1 подаются низкие уровни напряжений. Поэтому все МДП-транзистрры 7 и 4закрыты.Информация хранится в форме зарядана конденсаторах 5. При этом логической1 соответствует заряженное состояниеконденсатора 5, а логическому О - разряженное состояние.Объединенные области истоков МДПтранзисторов 4 групп 6 элементов 3 памяти и подключенные к ним затворы вторыхМДП-транзисторов 8...

Номер патента: 942135

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Луговцов, Михелев, Савкин

МПК: G11C 7/22

Метки: запоминающего, магнитного, устройства, формирователь

...этот моментвремени протекает дополнительно токчерез резистор 10, поэтому его парамет 3ры выбираются таким образом, чтобы этотток был незначительным, но предотврашался разряд конденсатора 11 током утечки закрытого транзистора 1. По сравнению с известным устройством ток че4 й рез резистор 10 может быть значительноуменьшен.анЕмкость конденсатора 11 выбираетсядостаточно большой, чтобы он разряжалсянезначительно за время одного цикла работы формирователя. На чертеже представлена принципиальная схема формирователя тока.формирователь тока содержит форсирюший транзистор 1 трансформатор 2, иточник 3 импульсного тока, адресную обмотку. 4 магнитного накопителя, первыйдиод 5, первый источник 6 напряжения,транзистор 7 обратной связи, второй диод 8,...

Номер патента: 942145

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Потапов, Раев, Смирнов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающего, информации, магнитных, накопитель, устройства, цилиндрических

...Другой переклточатель ЦМД (для переключения в обратную сторону) образован за счет магнитных связей дополнительного канала продвижения ЦМД с каналом ввода информации, а также указанного расположения токопроводящей шины.Для последнего переключателя ЦМД также требуется одна полоска токопроводяшей шины.За счет выполнения канала ввода информации из (К )-образных ферроматнитных аппликаций удается уменьшить расстояния между регистрами хранения (т.е. период элементов продвижения в каналах ввода или вывода информации).В свою очередь это дает возможность или повысить плотность записи, или уменьшить плошадь кристалла, или увеличить степень резервирования регистров хранения и исправления ошибок, или скомпенсировать влияние промежутков между...

Номер патента: 947909

Опубликовано: 30.07.1982

Авторы: Сергеев, Холопкин

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающего, накопитель, устройства

...фиг,З О - г показано расположение доменов в регистре хранения ив канале считывания информации, При положении вектора управляющего поля 10 н зяб (фиг.30) в токопрово)вящую шину подается импульс тока длительностью равной половине периода управляющего поля и полярностью,при которой информационный домен, находящийся на С-об разной аппликации регистра хранения, при дальнейшем вращении вектора Н (фиг.ЗБ) растягивается по верхней границе токопроводящей шины и фзахватывается притягивающими полюса ми С-образной аппликации канала считывания, Величина амплитуды импульса тока .около 20 мА. При дальнейшем повороте вектора Н пр (фиг.ЗВ) домен, вследствиемагнйтного барьера, созданного импульсом тока по нижней границе шины, не движется по притягивающим...

Номер патента: 951394

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Гомзина, Гришечкин, Зиборов, Игнатенко, Пучкова

МПК: G11C 11/06

Метки: доменах, запоминающего, магнитных, накопитель, устройства, цилиндрических

...аппликациями регистров хранения информации и смещен"ная по отношению к их внешним сторо"нам на расстояние не более одного диаметра ЦМД,На чертеже представлен предлагаемый накопитель для запоминающего устройства на ЦМД, 15Накопитель содержит магнитоодноосную пленку 1, регистр вывода 2,регистры хранения. информации 3, С-образные поворотные Ферромагнитные аппликации 4, токовую шину управления 5 щдополнительную токовую шину управления 6.При передаче информации иэ регистров хранения в регистр вывода накопитель работает следующим образом. 25В момент времени, когда доменынаходятся в зонах основания С-образных поворотных ферромагнитных аппликаций 4, по дополнительной токовойшине управления 6, которая расположена под С-образными...

Номер патента: 953665

Опубликовано: 23.08.1982

Авторы: Дикарев, Епихин

МПК: G11C 5/02

Метки: блок, запоминающего, информации, магнитного, считывания, устройства

...6 устройства.Имеются осциллограмма 7 (см, фиг. 2)суммарного напряжения помехи и сигна.5па на входе 5, осциллограмма 8 индуктивной составляющей помехи, осциллограмма 9 медленно захватывающей составляющей помехи, осциллограмма 10 составляю- .щей помехи типа "пьедестал", осцилпограм.Ома 1 1 сигнала на выходе предварительного усилителя, осциллограмма 12 сигналана входе усилителя воспроизведенияУстройство работает следующим образом. 25При протекании тока по разрядной обмотке на входе 5 образуется напряжениепомехи, которое включает три компоненты, (см. фиг. 2); "пьедестал", представляющий собой установившееся значениепадения напряжения на сопротивпе 1 щи разрядной обмотки и на ключах выборки, индуктивную составляющую помехи, вызванную...

Номер патента: 955202

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Баринов, Кимарский, Ковалдин, Кузовлев, Орликовский, Черняк

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, накопитель, полупроводникового, устройства

...для полупроводникового запоминающего устройства.Поставленная цель достигаетсявведениемшунтирующих элементов, выполненных на диодах, аноды которых 5подключены к соответствующим разрядным шинам, а катодыявляются дополнительным управляющим входом наКопителя.На чертеже представлена блок-схема 0накопителя для полупроводникового запоминающего устройства.Накопитель содержит массив элемен.тов 1 памяти, соединенных адресными2 и разрядными 3 шинами, генераторы4 тока, управляющие элементы 5, вы. -полненные на транзисторах, шунтирующие элементы 6, выполненные на диодах,Схема работает следующим образом,В режиме хранения ток, задаваемыйгенераторами тока 4, равномерно распределяется между инжекторами всехэлементов памяти. В режиме считываниявыбор...