Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства

Номер патента: 699565

Опубликовано: 25.11.1979

Авторы: Гаврилов, Милославский

МПК: G11C 11/08, G11C 7/00

Метки: записи, запоминающий, информации, линейка, магнитного, модуляцией, сопротивления, типа, ферритовая, элемент

...им пульсов тока чередующейся полярности.На фиг. 1 изображена временная диаграмма адресного и разрядного токов в режиме записи предложенным способом; на фиг. 2 изображен запоминающий элемент с модуляцией магнитного сопротивления типа ферритовая линейка, прошитый адресной и разрядными шинами.Предложенный способ записи был реализован в запоминающем устройстве объемом 256 чисел. В режиме записи адресный 15 ток в виде последовательности пачек импульсов чередующейся полярности (см. фиг. 1) формировался в адресной шине, прошитой через опросные отверстия ферритовой линейки. Одновременнопо разрядным шинам, прошитым через информационные отверстия ферритовой линейки, подавались разрядные токи той или иной полярности в зависимости от записываемой...

Номер патента: 1012701

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Камбалин, Кольдяев

МПК: G11C 7/00

Метки: записи, запоминающий, информации, мдп, структурах, элемент

...подложки. Поскольку растекание заояда в таких структурах происходит по направлениюк полевому электроду, то и время хракения его уменьшится пои повышении темпе ратуры, при которой прои сходит запись. Это является недостатком известного способа записи инФормации в запоминающий элемент на ИЛП-транзисторах.Целью изобретения является повышение надежности записи за счет увеличения времени хранения записанной инФормации,Цель достигается тем, что в способе записи инФормации в запоминаю" щий элемент на ИЯП-структурах ос" нованном на инжекции основного заряда путем подачи напряжения на диэлектрик ИРП-транзистора, осуществляют дополнительную инжекцию заряда путем подачи напряжения на диэлектрик ИДП- транзистора, создающего заряд 1 О з =...

Номер патента: 510743

Опубликовано: 15.04.1976

Авторы: Самокиш, Фаренбрух

МПК: G11C 7/00

Метки: записи, информации, магнитного, магнитных, модуляцией, сопротивления, элементах

...способа записи время записи10 15 20 25 30 35 40 45 равнительно велико (5 - 20 мкс). В связи с этим не представляется возможным использовать известный способ записи в ЗУ со считыванием без разрушения информации, применяемых в системах коммутации с импульсно- временным делением каналов, Это объясняется тем, что специфической особенностью ЗУ, обслуживающих системы коммутации с импульсно-временным делением каналов, является их непрерывная работа по обеспечению соединений, Все такие системы обычно работают с определенным циклом повторения временных каналов. Например, в системах электронных автоматических телефонных станций (ЭАТС) с импульсно-кодовой модуляцией (ИКМ) период Тцикла равен 125 мкс. При этом время, отводимое одному каналу,...

Номер патента: 553678

Опубликовано: 05.04.1977

Авторы: Погребной, Шойфер

МПК: G11C 7/00

Метки: «биакс», записи, информации, магнитные, типа, элементы

...токовых импульсов в режиме запи си.Магнитный элемент типа биакс 1 содержит отверстие опроса 2 и отверстие записи 3.Через отверстие опроса 2 проходит числовая обмотка 4, а через отверстие записи 3 - разрядная обмотка 5. Магнитопровод опроса 6 охватывает отверстие опроса 2.В момент записи возникают два информационных потока Ф, и т 1 т, Силовые линии потока Фд (диагонального) охватывают как отЗ 0 верстие опроса 2, так п отверстие записи 8.В то же время возникает не информационный поток Ф, силовые линии которого охватывают только отверстие опроса 2. Общее изменение потока в магнитопроводе опроса 6 равно сумме Фи Фа. 5В предложенном способе записи импульсы числового тока, например отрицательной полярности, имеют амплитуду 1 равную...

Номер патента: 658599

Опубликовано: 25.04.1979

Автор: Бережной

МПК: G11C 11/34, G11C 7/00

Метки: записи, запоминающий, информации, мноп-типа, элемент

...- Да (в МНОП-транзисторах энергетическая глубина ловушек вблизи границы окисел-нитрид кремния составляет 0,8 -0,9 эцв) и более глубокими ловушками в объеме диэлектрика Д (энергетическая глубина этих ловушек в пленке нитрида кремниянхарактеризуется спектром уровнеи вблизи1,2 энв, 1,7 эцв, 1,9 энв). При совместномдействии электрического поля, вызываюгцегоинжекцию носителей в диэлектрике Д, и термического воздействия, способствующегоэнергетическому перераспределению инжектированных носителей в диэлектрике Д, основная часть накопленного заряда локализуется на глубоких ловушках. Эффективность такого перераспределения низка и основная часть накопленного заряда (особенно ири относительно толстом диэлектрике Дх5для МНОГ 1-транзисторов, если...