Патенты с меткой «запоминающего»

Номер патента: 1642522

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Воротинцев, Гиль, Нестерук

МПК: G11C 11/14, G11C 15/02

Метки: ассоциативного, запоминающего, накопитель, устройства

...поиска, например, на равенство может быть осуществлена путем анализа значения разрада унитарного кода ассоциативного признака, значение которого соответствует значению кода признака поиска и более старшего разряда, Выберем для примера признак поиска, равный девяти, Для его сравнения с унитарным кодом ассоциативного признака, полученным выше, необходимо проанализировать значение восьмого (1/)+1/=9, откуда) =8) и девятого разрядов унитарного кода. Если они не равны (в нашем примере 0 и 1), то признак поиска равен ассоциативному признаку, в противном случае признаки не совпадают. Операции преобразования кода ассоциативного признака и его сравнения с признаком поиска осуществляются в элементе 9 ассоциативного поиска посредством...

Номер патента: 1642523

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Байкулев, Беккер, Волкова, Тарасюк

МПК: G11C 11/40, G11C 5/04

Метки: гибридного, запоминающего, подложка, устройства

...ширина свободной зоны кристалла. Если радиус отверстий выбрать больше ширины свободной зоны, то над отверстием в поле неоднородных термомеханических напряжений окажутся рабочие участки кристалла и характеристики запоминающих элементов изменяются. На подложке 1 расположены контактные площадки 4 и 5, Токоведущие шины (токо- проводники).не обозначены, чтобы не загружать чертеж излишней информацией,На подложке (например керамика 22 ХС размером 30 х 48 мм) с помощью ультразвукового сверления (в качестве среды использовалась вводная суспензия порошка карбида кремния) выполнили отверстия круглой формы диаметром 0,8 мм, Бескорпусные БИС ЗУ серии 537 РУ 1, имеющие габаритные размеры 3,5 х 3,5 мм и ширину свободной зоны 0,3-0,4 мм, крепили к...

Номер патента: 1644229

Опубликовано: 23.04.1991

Автор: Вербовецкий

МПК: G11C 11/42

Метки: ассоциативный, запоминающего, коррелятор, многоканальный, оптический, устройства

...каждому и"му ассоциативному при 5 10 15 1 Д 25Д 35 40 45 50 55 знаку ссо, .Втствовала и-я строка оптических сигналов, отображающая на выходе блока 1 все р-е (где р = 1, 2, 3, , Я,- число разрядов В признаке) разряды и-го признака на одной и той же длине волны А, отличающейся от длин волн, на которой отображаются остальные (и) признаки, Причем эти оптические сигналь отображают ассоциативные признаки например, или в коде Рида-Маллера, между двоичными знаками которого, представленными в прямом парафазном коде, располагаю ся опорные разряды в простом коде, или В коде Рида-Уаллера, двоичные знаки которого представлень, В прямом коде Манчестера т,е., когда каждый двоичный знак признака представляется во времени, например, 1644229двумя...

Номер патента: 1644230

Опубликовано: 23.04.1991

Автор: Вербовецкий

МПК: G11C 11/42

Метки: ассоциативного, запоминающего, коррелятора, многоканального, модуль, оптического, устройства

...спектральный излучаемый блок 1так, что, например, разряды р (где р ==1, 2, 3,5, а 3 - максимальная разрядность признака) каждого признака поступают последовательно на один и тот жеизлучатель блока 1, соответствующий э гомупризнаку. Блок 1 преобразует электрические сигналы, например, таким образом,чтобы всем р разрядам и-го ассоциативногопризнака соответствовала своя Ж длинаволны света. При этом разряды разных и-хпризнаков представляются пучками с разными длинами волн, т.е напримерЬ ФЖ ФЪФА. Эти оптические сигналы отображают, например, ассоциативныепризнаки в коде Рида-Маллера, двоичные,знаки кото,о"о представлены в прямом коде Манчестера(т.е., когда каждый двоичныйзнак признака представляется во времени,например, двумя состояниями...

Номер патента: 1647647

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Игнатьев, Кошманов, Михайлов, Мызгин, Протасов

МПК: G11C 7/00

Метки: запоминающего, источник, опорного, параметрический, устройства

...22, 26 при изменении уровней напряжений на входах 18 и 19 напряжение на шине 27 должно соответствовать среднему от высокого и низкого логических уровней напряжений на входах 18 и 19, Падение напряжений на резисторах 24 и 25 приводит к формированию низких логических уровней на базах транзисторов 28 и 29, в результате чего эти транзисторы оказываются запертыми и не влияют на уровни напряжений на выходах 30, 31. Падение напряжения на резисторе 32 создается колекторным то. ком транзистора 33, зто напряжение значительно меньше, чем на резисторах 24 и 25, поэтому базовый потенциал транзистора 34 выше чем у транзисторов 28, 29, транзистор 34 формирует уровни напряжений на выходах 30 и 31 в соответствии со следующим выражением: О = -- (О...

Номер патента: 1654874

Опубликовано: 07.06.1991

Автор: Вербовецкий

МПК: G11C 11/42

Метки: ассоциативный, запоминающего, коррелятор, многоканальный, оптический, устройства

...сигналов. Блок 1 преобразует электрические сигналы в оптические, например, . так, что каждому и-му ассоциативному признаку соответствует и-я строка оптических сигналов, отображающая на выходе блока 1 все р-е,(где р = 1, 2, 3,, а, з - число разрядов впризнаке) разряды и-го признака на одной и той же длине волны Я , отличающейся от длин волн, на которой отображаются остальные (и) признаки. Причем, эти оптические сигналы отображают ассоциативные признаки, например, или в коде Рида - Маллера,межцу двоичными. знаками которого, представленными в прямом парафаэном коде, располагаются опорные разряды16548 30 в простом коде, или в коде Рида -Иаллера, двоичные знаки которогопредставлены в прямом коде Манчестера(т.е. когда каждый двоичный...

Номер патента: 1656593

Опубликовано: 15.06.1991

Автор: Элеменкин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающего, информации, магнитных, накопитель, устройства, цилиндрических

...подаче нз общую петлю5 така обратной полярнос,На фиг,2 а,б,в,г изображен регистр хранения информации в разные моменты времени 11 - 14, отпичзющиеся нз Т/4, где Т -пеаиод управляющего паля -у, управляющие шины 4 имеют переменную ширину сцелью обеспечения ппанарности расположения ферромагнитных элементов 3,В момент, когда Ну приближается к нулеьаму значению, а так в шине 4 мзксимапей и наг;равпен, как показано на фиг,2 з. в в Общую петлю 5 подается импульс тока , генерации ЦМД, В результате на всех элементах, расположенных в зазоре общей петли 5, генерируется ЦМД 9. При 1=-11 и выбпанном, как показана на фиг,2 з, направлении тока, в верхней линейке регистра хоанения этот так создает МСЛ в межэпементных зазорах, куда переходит ЦМД, з в...

Номер патента: 1661835

Опубликовано: 07.07.1991

Автор: Вербовецкий

МПК: G11C 11/42

Метки: ассоциативный, запоминающего, коррелятор, многоканальный, оптический, устройства

...на излучательный блок1, например, в виде электрических сигналов, Блок 1 преобразует электрические сигналы в оптические, например, такимобразом, чтобы каждому и-у ассоциативному признаку соответствовала и-я строка оптических сигналов, отображающая навыходе блока 1 все р - е (р = 1, 2,3з, где з- число разрядов в признаке) разряды и-гопризнака на одной и той же длине волныф, отличающейся от длин волн, на которойотображаются остальные (и - 1) признаки.Причем эти оптические сигналы отображают ассоциативные признаки, например, илив прямом парафазном коде, или в прямомкоде Манчестера.(т,е. когда каждый двоичный знак признака представляется во времени, например, двумя состояниями света,отображающими его в прямом и обратномпростом коде, т,е,...

Номер патента: 1672531

Опубликовано: 23.08.1991

Авторы: Азов, Беккер, Заколдаев, Штырлов

МПК: G11C 11/40, G11C 29/00

Метки: запоминающего, постоянного, программируемого, устройства

...памяти, которые вышли из строя на стадии изготовления схемы) и с потенциально ненадежными ячейками памяти (например, плавкие перемычки с эауженной рабочей областью, которые могут разрушиться после многократных циклов считывания) поступают на операцию повышенного по сравнению с рецептом считывания воздействия электрического тока на ячейку памяти. Эту операцию проводят в режиме программирования, но отличающуюся от него пониженным значением напряжения амплитуды импульсов программирования и равным 6+ 0,3 В. Это напряжение амплитуды импульсов было определено экспериментально. Для этого микросхемы устройства подвергают режиму программирования с изменением амплитуды импульсов программирования от минимального значения до значения, при котором...

Номер патента: 1674257

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Воротинцев, Гиль, Нестерук

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающего, магнитных, модуль, устройства, цилиндрических

...периода поля управления. Первый бит выводится из четной группы регистров хранения накопителя 1 через элемент 11 считывания и поступает на дифференциальный вход усилителя 15 считывания и далее на вход компаратора 17 первой группы и мультиплексор 19. Через 1/4 часть периода поля управления из накопителя 2 выводится следующий бит, через соответствующий усилитель 15 считывания поступает на инверсный вход компаратора 17 первой группы и далее на вход мультиплексора 19, Аналогичным образом через четверть периода из накопителя 3 считывается третий бит и еще через четверть периода - четвертый бит из накопителя 4. В следующем периоде поля управления последовательно из нечетной группы регистров хранения накопителей 1-4 первой группы выводятся...

Номер патента: 1679548

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Игнатьев, Кошманов, Михайлов, Мызгин, Протасов

МПК: G11C 7/14

Метки: запоминающего, источник, оперативного, опорного, параметрический, устройства

...равно сумме напряжения питанияи падений напряжений на резисторах 4 и 7и эмиттерных переходах транзисторов 6, 13и 14,Базовый потенциал транзистора 10 через последовательно включенные эмиттерные повторители на транзисторах 10 и 15 с соответствующим смещением поступает на выход 18. Если пренебречь базовым током транзистора 15, током выхода 18 и отклонением от единицы коэффициентов передачи эмиттерного тока транзисторов 13 и 14,эмиттерные токи у транзисторов 13 и 15 и у транзисторов 10 и 14 можно считать соответственно равными, В данных условиях, если транзисторы 13,15 и 10, 14 имеют одинаковое конструктивное исполнение, с минимальной погрешностью буЬет справедливо равенство напряжений на эмиттерных переходах транзисторов 13 и 15 и...

Номер патента: 1702423

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Куриленко, Сидоренко, Хоружий, Яровой

МПК: G11C 7/06

Метки: запоминающего, считывания, усилитель, устройства

...5, кспорь;Йповышался по,т, генно В соо Ветс ь,и ро(.том потенциала на информационно ВКОде 21, при запиоании Гранисгора 1, оь.гро нара стает до потечиала напряжен,"я питания,:.сли Вьбранный запомлнао,ий транзистор 22 находится В открыгом ссстоянии, то потенциал на информационном Входе 21 начинает уменьшаться и ограничивается напряжением 1,5 Р, обусловленном токамл через открывающиеся транзисторы 13 и 15, на затворы которых при этом подлеся соответственно напояжение 2,6 и 3,3 Б.Таким образом, ток заряда через зарядный транзистор 13 и транзистор 15 Вызывает ОГраничение токсразряда информационного входа 21 на величину не более 0,1 В5 10 Благодаря наличию обратной связи в усилителе изменение напряжения на информационном входе 21 на 0,1 В...

Номер патента: 1702426

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Абаренкова, Ефиценко, Котов, Сарнацкий

МПК: G11C 11/16

Метки: запоминающего, информации, магнитного, носителя, устройства

...ния при дальнейшем увеличении дозы облучения у -квантами, Однако, по достижении максимума Величина Аэ уменьшается с Водрзстзни 8 М дОдь) Облучения, что сэяэзно с агрегацией дефектов, приводящей к рассеянию ультразвуковых колебаний.Облучение у -квантами ампул; порошком магнитсстрикционОго магеризла проводилось от источника Со, в знер етическом60спектре которого име;отся две линии идлучения примеоно Одинаковой интенсивности с энергиями 1,1 Мзв и 1,33 Мзв. Так кзк радДелить Д 8 йствие этих двух блиэко расположенных гиний излучения не представляется возможным, поскольку не существует узкополосных Фильтров для жесткого идл- чекия, можно использовать истоинк Соо как источник СО средней энергией 1,25 Мэв.Выбор источника у -квантов с указанной...

Номер патента: 1709392

Опубликовано: 30.01.1992

Авторы: Бутт, Панков, Савельев, Твердохлеб

МПК: G11C 11/42

Метки: запоминающего, матричного, устройства, фоточувствительного, ячейка

...и затвором (шиной стирания) этого транзистора, так как паразитные емкости двух транзисторов оказываются соединенными параллельно.По окончании сигнала стирания каналытранзисторов 12. 13, 18, 19 запираются. Фотодиоды 9 и 10 оказываются обратно смещенными зарядами, запасенными их емкостями во время стирания, а на емкости запоминающето конденсатора 16 сохраняется напряжение Оных.о+Опереэ.1, где Оперез.1 - напряжение, которое возникает на конденсаторе 16 в результате перезарядэ емкости этого конденсатора через пэрэ"- зитную емкость между затвором и стоком транзистора 18 по заднему фронту сигнала стирания, На запоминающем конденсаторе 17, который при стирании был зэшунтирован открытым каналом транзистора 19 и поэтому был разряжен, при...

Номер патента: 1711231

Опубликовано: 07.02.1992

Автор: Вербовецкий

МПК: G06E 3/00, G11C 11/42

Метки: ассоциативный, запоминающего, коррелятор, многоканальный, оптический, устройства

...11 ввода-вывода, генератора 12синхроимпульсов, буферного накопителя13, формирователя 14 управляющих сигна 55 лов, буферного накопителя 15, формирователей 16 и 17 управляющих сигналов,буферного накопителя 18.Многоканальный ассоциативный оптический коррелятор работает следующим образом.ментов в блоке 1) ассоциативных признаков . через буферный накопитель 13 и формирова тель 14 поступают на многоканальный пере 10 р-му разряду и-го ассоциативного признака 15соответствовала свояк Длина волны света, .При этом одноименные разряды разных и-хп риз на к о в п редста вля ются пуч ка ми с раз=ными длинами волн. Эти оптические сигналы отображают, например, ассоциативные знаки которого представлены в прямом коде Манчестера. При этом предположим, что,...

Номер патента: 1711232

Опубликовано: 07.02.1992

Автор: Вербовецкий

МПК: G06E 3/00, G11C 11/42

Метки: ассоциативный, запоминающего, коррелятор, многоканальный, оптический, устройства

...буферного накопителя13, формирователя 14 управляющих сигналов, буферного накопителя 15, формирова 45 телей 16 и 17 управляющих сигналов,буферного накопителя 18.Многоканальный ассоциативный оптический коррелятор работает следующим образом.50 По команде генератора 12 синхроимпульсов из канала 11 ввода-вывода и (где и= 1,2,3.в, гл - число излучательных элементов в блоке 1) ассоциативных признаковчерез буферный накопитель 13 и формиро 55 ватель 14 поступают на, многоканальньвспектральный излучательный блок 1 так,что. например, разряды р (где р = 1,2,38,а 5 - максимальная разрядность признака)каждого признака поступают последовательно на один и тот же излучатель блока 1соответствующий этому признаку, Блок 1 преобразует...

Номер патента: 1711234

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Ваулин, Мельников, Симагин

МПК: G11C 29/00

Метки: аналогового, запоминающего, измеритель, параметров, устройства

...г),задержанные на времяй1 уфэп, где ту ээп - время установления напряжения на выходе формирователя 3 эталонного перепада, поступают на входы одновибратора 13, блока 9 формирования быстрой пилы, блока 10 формирования медленной пилы и на Я-вход триггера 15, переводя последний в единичное состояние. При равенстве напряжений на выходах блоков 9 и 10 (фиг.2 д) коммутатор 11 вырабатывает перепад напряжения, который формирует импульс на выходе одновибратора 12. Импульс с одновибратора 12 подается на В-вход триггера 15 и переводит его в нулевое состояние, Таким образом на выходе триггера 15 формируются импульсы переменной длительности (фиг.2 ж).Минимальная длительность этих импульсов Тв мин выбирается меньше предполагаемого времени...

Номер патента: 1714680

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Богатов, Дударенко, Сенкевич, Стариш

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающего, магнитных, накопитель, устройства, цилиндрических

...магнитного поля, пературы Кюри; на фиг,4 - температурная доменосодержащий элемент, расположен-зависимость области устойчивой работы доный между источниками переменного маг- . меносодержащего элемента и температур- нитного поля в ПМП, создаваемом 35 ная зависимость. магнитных параметров элементами коррекции постоянного маг-источника магнитного поля смещения, нитного поля. элементы температурной кор- Накопитель для ЗУ на ЦМД Содержит рекции ПМП из магнитомягкого материала экран 1, выполненный из магнитомягкого . с температурой Кюри ниже температуры материала, источники ПМП, выполненные в Кюри доменосодержащего элемента,: при виде пластин 2, элементы 3 коррекции постомыкающие к торцам источников ПМП 2) янного поля, выполненные в...

Номер патента: 1725260

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Беккер, Волкова, Заколдаев, Кушнер, Миронцев

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающего, постоянного, программирования, устройства

...связи междуразрушенными частями некоторых потенциально ненадежных элементов схем. Таким образом снижается надежностьфункционирования БИС ПЗУ.Цель изобретения - повышение надежности программирования, 20Поставленная цель осуществляетсятем, что согласно способу программирования постоянного запоминающего устройства, включающего тестированиепостоянного запоминающего устройства, 25подачу на плавкие перемычки разрушающих импульсов тока, контроль записаннойинформации, электротермотренировку идополнительный контроль записаннойинформации, перед подачей разрушающих импульсов тока на плавкие перемычки подают нагревающий импульс тока иодновременно с этим воздействуют однородным магнитным полем, направленным перпендикулярно к поверхности...

Номер патента: 1742860

Опубликовано: 23.06.1992

Автор: Ребане

МПК: G11C 13/04

Метки: запоминающего, памяти, устройства, частотно-селективного, элементов

...плотность записина вторичном элементе повышается втакое число раз, в какое уменьшеноизображение. Процесс уменьшения изображения элемента с записанной информацией (или их совокупность) можновести также и многоступенчато, приэтом коэффициент пространственногоуплотнения равен произведения коэффициентов уменьшения на всех ступеняхпроцесса,Способ применим независимо отпространственной формы заполненногоинформацией участка на первичной пленке. Материалы пленок могут быть любыми, требуется чувствительность кфотовыжиганию на достаточно широкомучастке поглощения. Пленки могут бытьи многослойными, их поглощение можетбыть обеспечено одновременным введением примесей разной природы,На фиг, 1 изображена схема экспе"риментальной установки;...

Номер патента: 1079079

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Гриценко, Камбалин, Романов

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент

...Инжектированные дырки захватываются ловушками нитрида кремния, по всему слою 3, в том цисле и около границы раздела первого и второго диэлектрицеских слоев элемента памяти, где накапливается положительный заряд.Стирание осуществляется при подаце на проводящий слой положительного напряжения такой велицины, цто поля во втором и первом диэлектрицеском полях в 1,5-2,5 раза меньше, цем при записи. При этом преобладающим является ток инжекции электронов из полупроводниковой подложки через пер вый диэлектрический слой во второй диэлектрицеский слой. Электроны цастицно рекомбинируют с дырками, а 1079079частицно компенсируют их заряд. Недостатком такого элемента памяти является недостаточно большое времяхранения информации.Целью изобретения...

Номер патента: 1149789

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Гаштольд, Камбалин

МПК: G11C 11/40

Метки: варианты, его, запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент

...подложкеодного тийа проводимости (55)иг.1)распопожены дигон,узионные области 2другого типа проводимости. ььа полупроводнь(ковОЙ подложкР с частичнымперекрытием одних краев областей 2рас.по 5 ьояен диэлектрическии слОи51 а ПОДЛОЖКЕ РаСГ 5 ОЛО 515 ЕНЬЬ ДИЭЛЕКтРИческий слой ьь с перекрытием краевОбластеи 2, а на нем - диэлектрический лОЙ 5. Оба этих слоя образуютзатворный диэлектрик, На затворномдиэлектрике находится проводящийэлеьтрод, состоящий из двух полупроводниковьх слоев 6 и 7, расположенных друг на друге и образующих р-г 5- переход Второй вариант (59 иг,2) отличдРтся От первого тРИ чтО полупроводниковые слои, образующие Р-л-переход, 1 ьасположены смежно Отььосительно друг друга.Рассмотрим .работу элемента памяти,огда...

Номер патента: 1159447

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Гладких, Камбалин, Сайбель, Титов

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент

...изобретения явпяе)слкение надеяности элемента пампт - ,сцет умень)ения колицеств:1 .ро 1при программированииЦель достигается тем, цто зле"мент памяти для постояннсго зас):ни .:ющего устройгтва, содер(аы Й по/ /г)(.ВОДНИКОВуО ПОдЛОжКу р-тИПа г р:. Во,) Иэ приповерхностнсм слое кото)О )гсГ)эло(ены три Области и-типаГ;ег) г)мост 4, на повер)п;Ости полу;)., "-л 4 КОВ)эк г)0/;.Г 30 к Расг)оло)4(ены,г 1 ЬЕ: Обестй П-тИПа Г)рОВОДИМОСт Г;( тЙ) диз пе кт рице сии Й слОЙ ра с, г,г , гЕ)Г)/у ГЕ ВОЙ и ТОРОЙ Обг)ВС,-г);с цг), гр) Оо.п;)ст 2,3 и- -,) ;г) -), 1,; ЛОЛУ и ровод"30.3-Г)жко Р:3 г).ГЭ)(Э ДИЗЛЕКтРИ, гЙ(. ЦастИЦНЫМ ПЕ 8 КРЬГГИ,) ЛП ( ".-:,.:, "г. р)Е)(Ду ОбЛа СТ яМИ 2-) 3 .)Еи 4( 441 ГРИ)гЕр, ИЗ ДВугз Н,4 П, НИ Грнда КРВМНИЛ р Дву"Си гзмн П...

Номер патента: 1124762

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Грищенко, Камбалин, Меерсон

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент

...постоянного запоми" нающ 7 его устройства, содер)ка 171 ем г)ог 7 упроводниковую пог 1 ло)кку первого тига проводимости, в приповерхностном слое которой расположены Области второго типа проводимости, образую,щ)ие р"а-переход, между Областями второго типа проводимости расположен первый-слой диэлектрика, выполненный. из двуокиси кремния толщиной 10-130 А, на поверхности которого размещен вто" рой слой диэлектрика, толиина которого превышает толщину перво.о слоя, иа поверхности второго слон расположен третий слой диэлектрика, выполненный из нитрида кремния тоггщиной в 20-100 раз больше толщины первогослоя, на котором расположен проводящий слой, в полупроводниковой подлож 1 а выполнено углуоление, боковыестенки которого рвспоу)ожены под...

Номер патента: 1751815

Опубликовано: 30.07.1992

Авторы: Игнатьев, Мызгин, Неклюдов, Савенков

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, накопитель, оперативного, устройства

...устройства.Поставленная цель достигается тем, что в накопителе для оперативного запоминающего устройства, содержащем матрицу элементов памяти, первые адресные шины которой являются входами выборки накопителя, источники тока хранения, первые выводы которых подключены к шине нулевого потенциала, токоограничительные элементы на резисторах, первые выводы которых подключены к соответствующим вторым адресным шинам матрицы элементов памяти,вторые выводы источников тока хранения соединены с первыми выводами резисторовсоответствующих токоограничительныхэлементов,.вторые выводы которых объединены. На чертеже изображена принципиальная электрическая схема накопителя для оперативного запоминающего устройства..Накопитель для оперативного...

Номер патента: 1756939

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Овчаренко, Финк

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

...10, затвором которого являетсяадресная шина 3 первой группы, а стоком иистоком - соседние разрядные шины 5 первой группы,Матричный накопитель работает следующим образом,В режиме общего стирания информации на разрядные шины 5 и 6 первой ивторой группы подают высокое положительное импульсное напряжение относительноаДресных шин 3 первой группы, В результате пороговое напряжение всех запоминающих транзисторов 1 становитсяотрицательным, что эквивалентно проводящему состоянию запоминающих транзисторов 1 в режиме считывания информации.В режиме программирования на все адресные шины 4 второй группы подают нулевое напряжение, все ключевые транзисторы2 находятся в закрытом состоянии,На адресную шину 8 третьей группы,шину 9 питания подают...

Номер патента: 1655242

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Овчаренко

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент

...за счетвысокой напряженности стокового электрического поля выбранных запоминаю "щнх транзисторов "горячие" электроныинжектируются из каналов этих транзисторов, захпзтьгваются поликремнггевыми областями, чТо приводит к повьппению их пороговых напряжений. Этоэквивалентно нулевому непроводящемусостоянию в режнгге считывания информации,Состояния остальных невыбраниыхзапоминающих транзисторов сохраняются неггзлгенными из-за нулевого напряжеггия на адресных поликремниевыхплглах илп низкого напряжения на разрядных диффузионных шинах, в результате чего отсутствует инжекция "горячих" электронов в их каналах.В режиме считьвания информации иа,адресные поликремниевые шины и разрядные диффузионные гпины подают более низкое (5 В) напряжение...

Номер патента: 1607620

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Овчаренко

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

...НЯТГряжение а Е 1 сэ выбранцьэе раз э)я 11 ные шиээы 3 подаэат низкое положигельное напряжение, я на соседн 11 е выбранные пэины 3 - нулевое цапря:жение, на остальные разрядные шины 3 нцзкое положительное напряжение. Если пороговое напряжение транзистора 6 ячейки памяти 1 низкое, то через НЕГО ПРО 1 ЕКЯЕТ ТОК ЧТО ЭКВИВЯЛЕНТ цо единичному сОСтояциюе Если ПО 1)о говое напряжение транзистора 6 высокое, то через него не протекает ток что эквийалентно нулевому состоянию,Если при проверке работоспособно" сти матричного накопителя будет ус" . тановлено наличие де 11)ектной строки ячеек памяти 1, то оця заменяется строкой из ячееэ," памяти 4 программируемых электрически, исходные состояния которых эквивалентны единично-, муЯля этого Йя...

Номер патента: 1607621

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Овчаренко

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричного, накопителя, постоянного, устройства

...затворагс эятеогеетяюдтех ТГ)аеезесторов,Области 15 - Обкееадесаге есоетдееесаторов, другими обкладками - слой 12 обгяс.)1 10 упоявляюдеими затвораме зя)Оминяющих тряеезистот)ОВ и затворми1ядг)есных сеЕЕН-трате зест 01 оввкееюченных .пос гедовя ельно с зепоеееяюпдме трянзисторами, слои 12, с которыми соединены области 14, являются стоками запомнтаюдеих транзисторов, слой12, размещенные между областями 10,являются истоками адресных ИДП-транзисторов и обстей шиной матричногонакопителя.1)абота матричного накопителя заключается в следующем. В режиме считывания информации на выбранную адресную поликрсэгниевую шину 10 подают низкое положительное напряжение+5 В, ца остапыьте адресные поликремниевые шины 10 и общую диффузионнуюшину 12...

Номер патента: 1669307

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Овчаренко, Портнягин, Серебрянникова, Штыров

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

...эффективной ширины канала на 0,1-0,3 и 0,4-0,7 соответственно для элементов памяти с состояниями "1,0" и "0,1".Таким образом, для двухбитнцх зле ментов пвмятй с состояниями "1,1; "1,О"; "О, 1"; "0,0" получены следую" щие соотношения проводимостей каналов относительно нелегированного элемента памяти с состояниями "1.,1" с максимальной проводимостью: 1,О, 0,7" 0,9 0,3-0,6, О.Работа матричного накопителя заключается в следующем.В реаимесчитывания информации нв выбранную поликремниевую адресную в 1" ну 5 подают низкое полоаительное напряжение (3-5 В) на остальные адресные шины 5 - нулевое напрякецие. На выбранные металлические разрядные ши- ны 8, к которь 1 м подключены истоки ИДП"транзисторов, в которых, размещен или отсутствует...