Патенты с меткой «запоминающего»

Номер патента: 674099

Опубликовано: 15.07.1979

Авторы: Божко, Мартынюк, Самофалов, Твердов, Фаттахов, Шпак

МПК: G11C 11/22

Метки: запоминающего, матрица, устройства

...Для этой цели хорошимиэлектрическими свойствами характеризуется пьезокерамика типа ЦТС, на основе которой были изготовлены экспериментальные образцы,Запись информации в предложенной матрице осуществляется путем приложенияразности напряжения к участкам пластинымежду электродами 4 и 3,преМ 1 шаюшейнапряжение переполяриэации пластины, одной или другой полярности, в зависимостиот записываемой информации ф 1" или "О".Под действием напряжения участки пластины поляризуются до насыщения. Приложенйе соответствующих разностей напряжения к выбранным участкам пластин (эапоминаюшим эйементам матрицы) выполняется подачей необходимых напряженийна числовые 10 и общие разрядные 9 шиПри считывании информации матрицадопускает два включения по...

Номер патента: 680046

Опубликовано: 15.08.1979

Авторы: Винаров, Седых, Тарасов, Цигельный

МПК: G11C 5/00

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, полупостоянного, устройства

...сквозное отверстие 11 в нижней панели, прямоугольное углубление 12 в,верхней панели, предназначенное для установки в нем вкладышей с маркировкой вертикалей и горизонталей матриц, элемент 13 кодирования запоминаемой информации (штырь с диодом), изоляционная втулка 14, механически соединяющая верхнюю контактирующую поверхность штыря с ;нижней контактирующей поверхностью, нииняя контактирующая поверхность штыря 15.Модуль описываемого ППЗУ, в котором реализована электрическая схема прямоуголыного матричного диодного шифратора с количеством пересечений горизонталей с вертикалями, равным 100 (10 горизонталей и 10 вертикалей), устроен следующим образом.Модуль ППЗУ состоит из трех изоляционных панелей 1, 2, 3 квадратной формы,...

Номер патента: 684616

Опубликовано: 05.09.1979

Авторы: Журавский, Самофалов, Селигей, Хенкин

МПК: G11C 17/02

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постояного, устройства

...накопитель следующим образом, При поступлении на координатную шину Х 5 положительного, а на координатную шину У 6 отрицательного импульсов по выбранной обмотке опроса 2 протекает импульс тока опроса, считывавщий информацию из накопителя, В684616 ЦИНИИПИ Заказ 5298/47Тираж 68 Подписное ал ППП "Патент",жгорол,Ул.ПРоектная, 4паузах между опросом накопителя на коорди. натиую шину Х 5 поступает уровень нулевого потенциала, а на координатную шину У 6 - вы. сокий уровень напряжения, Накопитель заряжается по цепи, включающей блок резисторов 7 и разделительный диод 4. Уровень напряжения, до которого заряжается накопитель, определя. ется соотношением сопротивлений делителя- смещенного в обратном направлении второго разделительного диода 4 и...

Номер патента: 689632

Опубликовано: 30.09.1979

Автор: "пьер

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающего, информации, считывания, узел, устройства

...5 ипдуктивностп. Другой электрод первого элемента 4 Джозефсопа и другой вь 1 вод катушки 5 ипдуктив ности соединены с шиной б управления, магнитосвязанной с вторым элементом 7 Джозефсона, электроды которого соединены с шиной 8 смещения и шиной нулевого потенциала. Вход узла считывания инфор мации соединен с числовой шиной 9 запоминающего устройства, в которую включены последовательно ячейки хранения информации, выполненные на элементах 1 О Джозефсона, управляемых разряднымпщи нами 11.Предложенный узел считывания информации работает следующим образом.При считывании информации по числовой шине 9, имеющей постоянное характеристп ческое сопротивление Яподается импульс тока 1, который, проходя через резистор 2, суммируется с током...

Номер патента: 691923

Опубликовано: 15.10.1979

Авторы: Диденко, Карнаух, Конарев, Полященко, Шандрин

МПК: G11C 7/00

Метки: записи, запоминающего, информации, накопителя, считывания, устройства

...и благодаря этому сущестненно повышена надежность функционирования запоминающих устройств,Формула изобретения аказ 6226/одписное ИИПИраж 68 Филиал ПП г. УжгороПатент ф ,ул. Проектная,4разрядных токов 1, первый оптрон 2,второй оптрон 3, разрядный трансформатор 4, усилитель 5 считывания,разрядную шину б, шину 7 Запись 0,шину 8 Запись 1., шину нулевогопотенциала 9,Устройство работает следующимобразом. В режиме записи по адреснойшине; выбранной в зависимости отзаданного адреса числсдой линейки,пропускают разнополярные импульсытоков. Направление токов, протекающихв"момент записи по разрядной .анне 6числовой линейки, определяется смыс лом информации, вводимой по выбранному адресу. Формирователи разрядныхтоков 1 формируют импульсы токов...

Номер патента: 698054

Опубликовано: 15.11.1979

Авторы: Меньщиков, Ошев

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающего, накопитель, типа, трансформаторного, устройства

...изготовления известного накопителя дляЗУ трзнсформаторного типа.Указанная цель достигается тем, что в плагаемом накопителе каркасы выполнены соскошенными боковыми стенками, напримерН-образной формы, причем в верхней их частивыполнены буртики.5 чертеже изображена конструкция накопиодержит каркасы 1, которыеей перфорированной подложкойрны разъемных сердечников 3 идля обеспечения Ч-образной ва также буртик 5 в их верхней4 4 Формула изобретения Составитель Н). РозентальРедактор А, Кравченко Техред О.Андрейко Корректор М.Шароши Заказ 656517 Тираж 681 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул, Проектная, 4 3,"...

Номер патента: 700876

Опубликовано: 30.11.1979

Авторы: Беккер, Золотенков, Красюк, Петрушина, Платонов, Твеленев

МПК: G11C 5/12

Метки: запоминающего, матриц, устройства, ферритовых

...достаточной толщины для точной ориентации сердечников невозможно;так как ферритовые сердечники имеют разброс по диаметру (для сердечников с внешним диаметром 0,53 мм этот разброс составляет 60 мкм), то при совмещении заполненного сердечниками трафарета с подложкой, на которую нанесен слой клея, сердечники находятся на разном расстоянии от слоя 20 клея. Для того, чтобы сердечники сминимальным диаметром достигли слоя клея и проникли в него на толщину своей стенки, необходим механический прижим трафарета к подложке, что мо жет привести к повреждению сердечников, затеканию клея в трафарет и его повреждению. Кроме того, невозможна равномерная приклейка сердечников, имеющих различный допуск по внешнему диаметру.Цель изобретения - повышение...

Номер патента: 702411

Опубликовано: 05.12.1979

Авторы: Журавский, Селигей, Тростянецкий

МПК: G11C 11/36, G11C 11/40

Метки: дешифратор, запоминающего, устройства

...12 открыты,Аналогично закрывается один из транзисторов 6 и открывается соответствуюший транзистор 11, остальные транзисторы 6 открыты, а транзисторы 11 закрыты, Закрытый транзистор 6 запираетсоединенный с ним диод 14, На соединенной с диодом 14 шине 2 повьппаетсянапряжение, т. е. происходит возбуждение шины 2. Ток опроса возникает в одной шине 4, подключенной одним концомк возбужденной шине 2, а другим концом - к возбужденой шине 1, соединенной с открытым транзистором 5. В остальных шинах 4 подключенных к возбужденной шине 1, ток опроса не возникает, так как аноды диодов 14 имеютнизкий уровень напряжения, равный падению напряжения на циодах 14 и открытых транзисторах 6, Резистор 1 3является тбкозадающим, Диод 14, соединенный с...

Номер патента: 723679

Опубликовано: 25.03.1980

Авторы: Присяжнюк, Юрасов, Яковлев

МПК: G11C 11/406

Метки: блок, запоминающего, устройства

...с него на выходы 25 по сигналу синхронизации на входе 28. Код слова псступает на входы 26 узла 19 связи, запоминается на регистре 22 слова и выдается на выходы 27 при наличии соответ -5ствующего синхронизирующего сигналана входе,28. При этом в режиме чтенияна вход 6 узла 1 синхронизации поступает команднсе слово Чтение и навыходные шины 8 выдаются сигналы,необходимяе для работы полупроводникового запоминающего устройства в этомрежиме и его связи с процессором.В режимеЗапись на вход 6 узла1 синхронизации поступает командное 15слово Запись и на выходные шины8 выдаются сигналы, необходимые дляработы запоминающего устройства вэтом режиме и его связи с процессором,В режиме регенерации генератор 13регенерации узла 12 регенерации выдает...

Номер патента: 729629

Опубликовано: 25.04.1980

Автор: Гецевичюс

МПК: G11B 19/02

Метки: запоминающего, комбинированный, привод, устройства

...на котором закреплена. ступица 7 с дисковым накопителем информации 8, Снаружи цилиндрического: ротора соосно установлен пневматический 15двигатель 9, имеющий окружную камеру 10подачи сжатого воздуха с воздухопитательным каналом 11, тангенпиальными отверстиями вращения 12 и каналами уравновешивания 13, Статорная обмотка одного из синхронных электродвигателей непосредственно подключена к блоку питания 14, а обмотка другого подключена -через параллельно соединенные фаэосдвигающий блок 15 и коммутатор 16. 25Привод работает следующим образом,Статорные обмотки 1 и 2 синхронныхэлектродвигателей питаются напряжениемстабилизированной частоты от блока 14.В момент пуска привода к обоим обмоткам 1 и 2 попаются сигналы, совпадающие по фазе, частоте...

Номер патента: 729635

Опубликовано: 25.04.1980

Авторы: Иванов, Розенталь

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающего, накопитель, устройства

...обладает повышенным быстродействием и имеет возможность непосрепственного подключениянакопителя к микро (мини-) ЭВМ безпромежуточного буферного запоминающего устройства. Накопитель для запоминающего устройства, содержащий магнитоопнооснуюпленку с цилиндрическими магнитнымидоменами, на поверхности которой расположены регисТры хранения информации,подключенные к входному и выходномуканалам продвижения цилиндрических магнитных доменов, о тл ича ющ и й -е я тем, что, с целью повышения быстродействия накопителя, он содержит переключатели цилиндрических магнитных .ЗБ доменов, расположенные в регистраххранения информации на расстоянии неменее трех диаметров цилинприческихмагнитных доменов, и токовые шины управления, каждая из которых...

Номер патента: 729636

Опубликовано: 25.04.1980

Авторы: Еремин, Стоянов, Сухоруков, Хорошунов

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, полупроводникового, устройства

...транзистора и с затворами словарных транзисторов смещения, истокикоторых соединены со вторыми выводамипитания соответствующих запоминающихэлементов на МДП-транзисторах и с истоками, соответствующих словарных транзисторов выборки, затворы которых подключены к соответствующим словарным шинам,стоки словарных транзисторов вьтборкя и словарных транзисторов смещения подключенык шине питания, соединенной со стокомнагрузочного транзистора и с затворочтранзистора обратной связи,На чертеже дана структурная схемаматричного накопителя,Матричный накопитель содержит запоминающие элементы 1, словарные 2 иразрядные 3 шины, шину нулевого потенциала 4 и шину питания 5, словарныетранзисторы 6 выборки, словарные транзисторы 7 смешения, нагрузочный...

Номер патента: 734805

Опубликовано: 15.05.1980

Авторы: Масалов, Масловский, Тишин, Холоднов, Цилибин

МПК: G11C 11/42

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, устройства, фотоэлектрического

...3 под поликристаллическим кремнием, а К - сопротивление самого поликристаллического кремния и внешних, подключенных к нему цепей, под поли- кристаллическим кремнием образуется обедненная дырками область и на полупрозрачный электрод 6 подается отрицательный импульс напряжения Бэ, амплитуда которого превышает порог поляризации слоя 3 диэлектрика с захватом заряда. При этом электроны из поверхностного слоя полупроводника в областях 2 через образовавшийся канал под поликристаллическим кремнием 4 и источник 9 уходят на шину нулевого потенциала 10, в областях 2 образуются не- Е стационарные области пространственного заряда (ОПЗ) 11. По истечении времени М, достаточного для образования ОПЗ на поликристаллический кремний подается отрицательное...

Номер патента: 734807

Опубликовано: 15.05.1980

Авторы: Кассихин, Овчаренко

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

...роль истоков" "элементов памяти и постоянно подключенной к шине нулевого потенциала,Подложка 15 выполнена низкоомной, легированной сурьмой, кремниевой и -типа, на"ее поверхности расположены параллельныеэпитаксиальные области кремния 16, слаболегированные бором, нижние части которых17 легированы бором в большей степени.Толщина и степень легирования бором этой" " =части-определяют длину канала и пороговоенапряжение транзисторов с лавинной инжекцией.В эпитаксиальных областях выполненыдиффузионные разрядные шины 13, 14 и+-типа проводимости. Толщина и степень легирования бором верхней части 16 определяют емкость разрядных шин 13, 14 и напряжение пробоя их р-п переходов. Первый слой диэлектрика выполнен издвуокиси кремния 18, и...

Номер патента: 737989

Опубликовано: 30.05.1980

Авторы: Есиков, Новицкий, Пафомов, Петровский

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающего, накопитель, устройства, ферроакустического

...воздействиям накопителя,Поставленная цель достигается тем,что в накопитель для ферроакустического запоминающего устройства, содержащий пакет плат, носители информациииз холоднокатанного магнитострикционного материала, одни концы которыхсоединены с демпферами, закрепленнымина плате, проводники записи, магнитосвязанные с носителями информации иэхолодйокатанного магнитострикционного материала, и ультразвуковые преобразователи, введены контактные площадки,расположенные на плате, выполненной с пазами, в которых расположены с зазором носители информациииз холоднокатанного магнитострикционного материала, ультразвуковые преобразователи закреплены на плате, апроводники записи соединены с контактными площадками.На фиг1 представлен...

Номер патента: 739643

Опубликовано: 05.06.1980

Авторы: Баранов, Герасимов, Кармазинский, Савостьянов

МПК: G11C 7/06

Метки: дополняющих, записи-считывания, запоминающего, мдп-транзисторах, усилитель, устройства

...транзисторы 9 и 10открыты, а транзисторы 5-8 закрыты, ина выходах усилитела поддерживаетса напряжение логического нуляВ режиме считывании транзисторы 7 20и 8 остаются закрытыми, Первоначальносигнал логического нуля подается на шину 13,запирая транзисторы 9 и 10. Узловые емкости на выходах триггера изолированы от источников питания и одна из них 25начинает заряжаться током считывания отвыбранной ячейки памяти, которая черездополнительные транзисторы в памяти подключена к выходам усилителя записи-считывания. После того как напряжение на 30одном из выходов усилителя превысит некоторую величину (разбаланс усилителя),на.вторую шину 1 4 управления подаетсясигнал логического нуля и открываютсянагрузочные транзисторы 5 и 6, После 35этогэ...

Номер патента: 739644

Опубликовано: 05.06.1980

Авторы: Берендеев, Салакатов, Юрцева

МПК: G11C 7/02

Метки: запоминающего, магнитного, оперативного, считывания, усилитель, устройства

...срабатывания осуществляется так же на дифференциальном усилителе, В качестве дифференпиального усилите ля 32 может быть использована, например,микросхема К 170 УИ 4. В моментфСтроб 1 ф кончается и диоды 26-29 моста снова открываются, шунтируя помехи.Использование предлагаемого усилителя считывания совместно с другими техническими решениями позволяет уменьшить габариты ОЗУ, значительно снизить стоимость запоминающих устройств, так как йозволяет получить помехоустойчивое быст. родействующее. ОЗУ по системе 2,5 Д с двумя проводами, При атом значително упрощается технология прошивки ферри- . товых сердечников. 3 7396рядйо-считывающими шинами через амиттерные повторители,"а выходы йодключены к прямому и инверсному входам дифференциального...

Номер патента: 739652

Опубликовано: 05.06.1980

Авторы: Завадский, Заика, Самофалов

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающего, накопитель, постоянного, устройства

...надругой стороне пластины перпендикулярно к втброму электроду возбуждения.Применение разрядных электродов,смещенййх друг относительно друга на 4расстояние, равное половине длины механической волны, и поляризации сегнетоалектрического материала, заключенногов объеме между четнйми, нечетными разрядйыми электродами и общими электродами во взьиимно противоположных направлениях, позволяет осуществить на выходном электроде операцию алгебраиче"ского вычитания положительной и отрицательной полуволн бегущей механическойволны.На чертеже схематично изображен накопитель постоянною запоминвкзйеюустройства в трех проекциях,4Основой. накопителя является пластина1 из сегнетоэлектрического материала,обладающего пьезоэлектрическими свойствами в...

Номер патента: 741317

Опубликовано: 15.06.1980

Авторы: Есиков, Новицкий, Пафомов, Петровский, Петровых

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающего, накопитель, устройства, ферроакустического

...технологию изготовления основания из этих материалов. Отдельное крепление каждого носителя снижает плотность записи, а наличие специальных проводников для создания магнитного поля записи усложняет техноло гию изготовления и снижает плотность записи. связи и контактные площадки, которые установлены на плате, выполненной с пазами, в которых расположены с зазором носители информации из холоднокатаного магнитострикционного материала, одни концы которых через подвижные элементы связи, а другие непосредственно соединены с контактными площадками, а ультразвуковые преобразователи закреплены на плате.На фиг. 1 показан накопитель, общий вид; на фиг. 2 - одна из плат в сборе.Накопитель содержит платы 1, носители 2 информации из холоднокатаного...

Номер патента: 741320

Опубликовано: 15.06.1980

Авторы: Гук, Коленников

МПК: G11C 11/42

Метки: запоминающего, оптического, составитель, страниц, устройства

...матрицу динамических элементов1 памяти, выходы которых подключенык световым клапаном 2, каждыйдинамический элемент памяти содержит Фотодиоды 3 и 4, катоды которыхподключены к световому клапану 2,а аноды - к адресным и разрядньышинам -5 и б матрицы. Световые клапаны соединены с генератором 7быстрого выключения.Составитель страниц работаетследующим образом,При подаче управляющих потенциалов на адресные 5 и разрядные бшины заряжаются барьерные емкостифотодиодон 4. Запись инФормациин матрицу осуществляется построчнопри подаче низкого разрешающегопотенциала на данную адресную шинуи подаче потенциалов, соответствующих вводимой двоичной информации,на все разрядные шины одновременно.После занесения информации н матрицу динамических элементов...

Номер патента: 744721

Опубликовано: 30.06.1980

Авторы: Епихин, Сарычев

МПК: G11C 7/02

Метки: выборки, запоминающего, информации, магнитного, устройства

...30схему О управления, схему 11 ИЛИ.Устройство работает следующим образом.В такте. считывания сигналом со схемы 1 Оуправления, запускаюгцим адресно-разрядныс формирователи 7, которые создают валресно-разрядной обмотке 5 полуток выборки, в обмотке б считывания наводитсяпомсха от полувыбранных серлечников 4.Г 1 а выхоле усилителя 8 воспроизвеления формируется импульс, поступающий на олин айагиз входов схемы 11 ИЛИ, на лругис вхолыкоторой поступают импульсы с других разрядов, Импчльс со схемы 11 ИЛИ поступаетна схему О управления, По задаваемомуфронту импульса схема 1 О управления запускает адресные формирователи 1. Сумма 4 фполутоков от алресно-разрялного 7 и адресного формирователя 1 перемагничивает сердечник 3. Считанный с сердечника 3...

Номер патента: 752474

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Завадский, Заика, Самофалов

МПК: G11C 11/22

Метки: запоминающего, накопитель, устройства

...пропорциональна величине преобразуемого цифрового кода.На чертеже изображена конструкция накопителя для ЗУ, выполненного согласно изобретению.Предложенный накопитель для ЗУ содержит пластину 1 из сегнетоэлектрического752474 оставитель Ю. РозентальТехред А. Камышникова екторы: Л, Слепая и О. Иоанесян Редактор 3, Ходакова Заказ 1454/9 Изд.393 Тираж 673 Подписное НПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5ипография, пр. Сапунова 2 материала, обладающего пьезоэлектрическими свойствами в поляризованном состоянии. На одну из сторон пластины 1 нанесен электрод возбуждения 2, выполненный в виде отдельных секций, имеющих одинаковую ширину, а их длины пропорциональны весам...

Номер патента: 752488

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Васильев, Вешняков, Корнейчук

МПК: G11C 19/00

Метки: запоминающего, импульсов, многотактового, распределитель, регистрах, сдвига, устройства

...триггера 1.( - 1) зарядом конденсатора 3,( - 1) на его выходе, одного из транзисторов 2 триггера 2,и разрядом емкости на его выходе.Время задержки между возбуждениямидвух соседних шин, например ( - 1)-ойи -ой, обуславливается задержкой налереключение одного транзистора 4триггера 1.( - 1), разрядом екостина его выходе, переключением одноготранзистора 3 триггера 2. и зарядомемкости на его выходе. Длительность 1 импульса равна или немного большенремени задержки между импульсами надвух соседних шинах управления, аусилители отрабатывают входной сигнал с некоторой задержкой по заднему 20 Фронту, таким образом, что импульсыпо шинам сдвига в накопителе частично перекрываются,Если импульс действует на6,( - 1)-ой шине, переключая триггер 1.(...

Номер патента: 765877

Опубликовано: 23.09.1980

Авторы: Кудрина, Некрасов, Полищук

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающего, матричного, накопителя, постоянного, программируемого, устройства

...ПЗУ.В исходной пластине кремния марки КЭФ-О,З, при помощи известного и широко применяемого в промышленйости метода, по заданной топологии форми- руются монокристаллические шины 1 . п-кремния с окисной изоляцией. Затем кремний окисляется способом термического окисления до образования пленки окисла 2 толщиной 1 мкм. Режимо оокисления: Т.=.1150 , 1 =10 о сух +140 вл1 ф г ог + 10 о сх. После этого проводится Формирование высоколегированных контактных областей 3 при помощи процессов фотолитографии и диффузии фосФора. Фотолитография:фоторезист - РН, метод нанесения фотореэиста центрифугирование (1500 об/мин, 30 с), сушка фоторезиста - при комнатной 40 температуре 20 мин, при Т=95 С - 20 мин, экспонирование - лампа ПРК, время - 1 мин,...

Номер патента: 767835

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Баранов, Герасимов, Кармазинский, Савостьянов

МПК: G11C 7/10

Метки: выходных, запоминающего, кмдп-транзисторах, сигналов, устройства, формирователь

...выполнятьэлемент согласования на МДП-транзисторе р-тииа и МДП-транзисторе п-типа, затворы которых соединены с первым и вторым входами, стоки - с выходами, исток МДП- транзистора р-типа подключен к шине питания, а исток МДП-транзистора п-типа к шине нулевого потенциала.На чертеже приведена электрическаясхема формирователя, который содержитэлемент 1 согласования, выполненный наМДП-транзисторах п-типа 2 и и-типа 3,шине 4 питания и шине 5 нулевого потенциала, элемент 6 И-НЕ, элемент 7 ИЛИ-НЕ,первый 8 и второй 9 инверторы, первый 10и второй 11 информационные входы, управляющий вход 12 и выход 13,Информационные входы 10, 11 подключаются к первой и второй разрядным шинамзапоминающего устройства,Г ыходной каскад работает в режимах"запрета...

Номер патента: 767838

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Прохоров, Раев, Федотов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающего, накопитель, устройства

...задержки будут заняты соответствующими битамиинформационного слова, например60 01011 (йиг. З,а). Так как в первыхдвух регистрах дейектности записанынули (первые два накопительных регистра чипа являются бездефектными),то на выходе усилителя считывания65 появится сигнал управления формирователем только через четыре периода управляющего поля, когда первые два бита информационного слбва окажутся на выходе элемента задержки (Фиг.З, Ь)С выхода Формирователя в шину управления элемента задержки посылаются импульсы управления, которые расширяют ЦМД в собтветствующих позициях рассматриваемого элемента задержки в голосовые домены, один из концов каждого из полосовых дбменов захватывается притягивающим магнитным полюсом Г-образной аппликации...

Номер патента: 769625

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Беккер, Майоров

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающего, накопитель, устройства

...цель достигается тем, что платы выполнены из керамической основы, на поверхность которой нанесена ферритовая пленка, причем отверстия в ферритовой пленке выполнены большего диаметра,чем отверстия в керамической основе.Это обеспечивает снижение индуктивнойнагрузки как за счет уменьшения толщины5 кипера, так и вследствие уменьшения эффективной ширины перемагнпчиваемой области вокруг ЦМП, приводящее к повышению быстродействия накопителя,На чертеже показан предложенный нако 10 питель, разрез.Накопитель содержит платы, которые выполнены из керамической основы 1, например керамики типа Б, толщиной- 200 мкм с нанесенной на ее боковые по 15 верхности ферритовой пленкой 2 толщиной10 - 15 мкм. Плата содержит сквозные отверстия 3 диаметром Дк, а...

Номер патента: 780033

Опубликовано: 15.11.1980

Авторы: Воробьева, Митина, Неклюдов, Приходько, Щетинин

МПК: G11C 7/06

Метки: запоминающего, постоянного, программируемого, считывания, усилитель, устройства

...которого соединен с базой вы ходного транзистора и через третийрезистор с шиной нулевого потенциала.Программируемый элемент выполненв виде плавной перемычки. Программируемый элемент выполнен в виде обратносмещенного р-п перехода.На чертеже дана электрическаясхема усилителя считывания, содержащего управляющий транзистор 1, фазовращательный транзистор 2, выходнойтранзистор 3, первый Резистор 4, второй резистор 5, третий резистор б,инвертирующий транзистор 7, первыйисточник 8 напряжения смещения,второй источник 9 напряжения смещения,программируемый элемент 10, пороговый элемент 11, четвертый резистор12, пятый резистор 13, входную шину14, выходную шину 15, шину 1 б питания, шину 17 нулевого потенциала.Программируемый элемент...

Номер патента: 783853

Опубликовано: 30.11.1980

Автор: Попов

МПК: G11C 11/18

Метки: запоминающего, накопитель, оперативного, устройства

...изображенопредлагаемое устройство;на фиг.2разрез А-А на Фиг. 1. 30 На торцовой панели 1 закрепленытокопроводящие дорожки 2, соединяющие торцы 3 стержней ЦТМП,В случае равных удлинений стержней торцовые платы свободно перемещаются параллельно своему первоначальному положению,При меньшем или большем удлинениикакого-либо стержня участок пленкимежду данным стержнем и другими стержнями растягивается, выпрямляетсятокопроводящая дорожка, соединяющаяэтот стержень с другим стержнем, ив стержнях не возникает значительныхусилий.Это обеспечивает сохранение магнитных свойств стержней ЦТМП во времяизготовления и эксплуатации накопителяпри тепловых и механических воздействиях на накопитель. В результатезначительного снижения усилий в стерж"иях...

Номер патента: 785896

Опубликовано: 07.12.1980

Автор: Вербовецкий

МПК: G11C 11/42

Метки: ассоциативной, блок, выборки, запоминающего, информации, оптического, оптической, устройства

...световыепучки параллельно оптической оси блокаи состоит, например, из матрицы волоконныхсветоводов или световодной планшайбы,преобразующей световые пучки считываемойинформации в гомоцентрические расходящиеся пучки, оси которых параллельны оптической оси, и линзового растра, преобразующего гомоцентрические пучки в параллельные. Кроме того, этот блок может состоять, например, из голографических элементов и т. д.ьлок оптического суммирования осуществляет сложение разрядов каждого произведения ассоциативного признака слова напризнак опроса и проецирование полученныхсумм на фотоприемный блок 4. В качествеблока 3 при расположении ассоциативныхпризнаков слов и признаков опроса в страницах по строкам может быть использован,например,...