Патенты с меткой «запоминающего»

Номер патента: 1628735

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Калинин, Овчаренко, Штыров

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричного, накопителя, постоянного, устройства

...на управляющие затворы и стоки выбранных запоминающихтранзисторов (нцзкое " на истоки адресных ИДП-транзисторов) через нихпротекают токи, инжектируя "горячие"электроны в запоминающих транзисторах, которые захватьеваются поликремниевыми электродами, увеличивая величину порогового напряжения запоминающих транзисторов до величины б9 В и более.Состояния остальных запоминающихтранзисторов сохраняются неизменными из-эа нулевого напряжения или наадресных поликреиниевых шинах 10 илиразрядных металлических шинах 14,В режиме считывания информации навыбранные ц цевыбраццые запоминающие транзисторы подается положительное импульсное напряжение аналогично, как при программировании, но малой величины и длительности (+5 В,300 нс),Если напряжение ца...

Номер патента: 1642886

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Овчаренко

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

...и второй группподают высокое положительное импульс-,ное напряжение (12 В, 1 с), Под действием этих напряжений иэбыточный эа"ряд электроиов удаляется с плавающихзатворов транзисторов 1 череэ конденсаторы 3, в, результате чего их пороговые напряжения становятся отрицательными, что эквивалентно единично 50му состоянию в режиме считывания информациици.Следует. отметить, что.для обеспечения блочного стирания информациив первом режиме через выбранные55транзисторы 5 второй группы на выбранные шины 8 подают высокое положительное импульсное напряжение, при этом остальные транзисторы 5 невЪбранных строк находятся в закрытом состоянии. Через конденсаторы 3 выбранных строк происходит удаление избыточного заряда транзисторов 1 выбранных строк,...

Номер патента: 1642888

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Овчаренко, Сущева

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент

...полупроводниковой подложки 1. Под дейст-вием высокой напряженности электричес-. кого поля во втором диэлектрическомслое 8 электроны инжектируются с ниж- ней поверхности по 3 икремнневых областей 9, туннелируют через Второй диэлектрический слой 8 и удаляются через области 5, 12 В результате .этого пороговые напряжения запоминающихтранзисторов становятся отрицательными, что эквивалентно единичному про водящему состоянию в режиме считыва" ния информации.3 режиме программирования информа" ции на Выбранную адресную поликремпиевую шину и выбранные разрядные диффузионные шины подают высокое положительное импульсное напряжение(12 В, 1 мс), На соседние разрядныедиффузионные шины и остальные адресные шниы подают нулевое напряжение,на...

Номер патента: 1586435

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Овчаренко

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

...хэзьк 6 и ииЕвкбофки зиненЕЧеь-еэинзжкбцен эонзк бМ К 11 ОкеОН хечйод,ом хебоееье 6 ен 5 1 чб Озе 1611 еб.е. ЕчеЕчйме 6 мвм еЕВ фд,эвхз.Обц эн мо 7 ЕчеЕЕеш зечеЕгкйбвй ау Ечбози 6-об,е.з еЕО 1111 еб 91 чее с-, йое,зибегебд, есеч.цчбмсо с одзи 6 эбзе Од, (зниш Цоегзэбге еое 111 еб 9 ы) збосед.е 6 есэпоккаеебцЛ Одз Вк зикзжнйцен (.ьэешЕчсеэбц) сэвшЕчееэйи зн е 1 вбо,е,зе 1611 всЕ,е. Одэщаекиееоцвб О.ЕОН-еВб 9 ЕЧН зикзжкбцен эааодойоц игод эинэжыбцен эоееэггЛ 11 д.а О егоц с вцеиееЭон одоеэЫе К 11 ищ фЧЕеепп ЭЕчеЕекббвб .эЕчеззйее злкней 91 чаэе 1 ЭЕчеЧЕгед,зо вн фэинэжыйцве 1 эон чизд,есжоггоц эомбин оЕВМоц с Чнеше элц Ьыйбеб элеЕЕеесЕ 91 чн и Е Лесееш алнзэйГЕ Я аЕнней 91 чсе вн ыЕгэд.ицоеЕВН Одоеьиб.е,ееч иее 1 еибофее ыешВсцчиьз...

Номер патента: 1765846

Опубликовано: 30.09.1992

Авторы: Алексеев, Ковалев, Минкина, Росницкий, Савельев, Торотенков

МПК: G11C 11/14

Метки: доменного, запоминающего, сигналов, тактирующих, устройства, формирователь

...сигналов 21 и выходы 22 блока.Дешифраторы (фиг, 2) выполнены на логических элементах НЕ, И, ИЛИ, в которых выходы регистра 14 или регистра 15 соединены через элементы НЕ 23 или непосредственно с элементами И 24, элементы И 24 подсоединены к элементу ИЛИ 25.На фиг. 3 показана электрическая схема формирователей сигналов (одного из группы формирователей сигналов 21), включающая логические элементы и триггер, Входными элементами формирователей сигналов являются элемент И-НЕ 26 и элемент И 27, подсоединенный к элементу ИЛИ-НЕ 28, а выходным элементом является триггер 29.Формирователь работает следующим образом,Вначале производится асинхронный или синхронный установ в "0" триггера 12, первого регистра 14, второго регистра 15 и...

Номер патента: 1770986

Опубликовано: 23.10.1992

Автор: Проценко

МПК: G11C 11/14, G11C 7/00

Метки: блок, доменах, запоминающего, информации, магнитных, считывания, устройства, цилиндрических

...ко вторым выводам магниторезистивныхдатчиковНа чертеке приведена схема блока считывания информации для запоминающегоустройства на цилиндрических магнитных доменах,Устройство содержит детектор 1 доменов, выполненный по мостовой схеме. В одни смежные плечи мостовой схемы включены располокенные на магнитоосной пленке доменной микросхемы рабочий и компенсационный магниторезистивные датчики 2 и 3 считывания. Первые выводыэтих датчиков объединены и подключены к первому выходу источника 4 питания, а их вторые выводы подключены через разделительные элементы 5 и 6 в виде конденсаторов ко входам усилителя 7 считывания, выход которого является выходом устройства,Другие смежные плечи мостовой схемыдетектора 1 доменов образованы обмотками 8...

Номер патента: 1770987

Опубликовано: 23.10.1992

Авторы: Курочкин, Службин, Темерти

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающего, магнитных, накопитель, устройства, цилиндрических

...информации 5. Когда канал ввода-вывода 6 заполнится ЦМД, включаются регистры хранения информации 5 и ЦМД из канзла ввода-вывода поступают в регистры 5, а ЦМД из регистров 5 поступают в канал оводз-вывода 6. Далее по каналу ввода - вывода 6 ЦМД поступают о узел считывзния 8, Рассмотрим более подробно продвижение ЦМД через зазор в регистрах 5 хранения информации. Направление поля смещения выбрана таким, что при положительных токзх 1, 12 ЦМД фиксируется в МСЛ, обрззуашейся у нижнего козя отверстий 9,10, В исходном состоянии ЦМД 18 и 19 (фиг.2) находятся в положении, определяемом положительным током 11 и отрицательным токам 1 э. При этом МСЛ абрззаозна нижним кроем отверстия 9 и верхним краем отверстия 11 для ЦМД 18 и верхним краем...

Номер патента: 1778784

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Астапова, Дудко, Иванов, Копылов, Поливанов, Рыжова

МПК: C10M 105/36, G11B 7/24

Метки: жидкость, запоминающего, иммерсионная, оптического, устройства

...вращаются.в иммерсионной жидкости в малых зазорах, иэ-за чего вязкость иммерсиоиной жидкости определяет мощность вращающего двигателч и, соответственно, нагрев устройства.Известно, что бис(триметилсилокси)дифенилсилан используется в качестве фармацевтических добавок (31, поскольку он является нетоксичным растворителем с низкой вязкостью.Целью изобретения является исключение изменения показателя преломления во времени и снижение вязкости иммерсионной жидкости для оптического запоминающего устройства,Цель достигается тем, что в качестве иммерсионной жидкости для оптического запоминающего устройства применяют бис(три метил силокси)дифенилсилан.Жидкость получают следующим образом.П р и м е р 1. В трехгорлую колбу, снабженную обратным...

Номер патента: 1778790

Опубликовано: 30.11.1992

Автор: Овчаренко

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

...остальные разрядные шины 2 - низкое положительное напряжение,Если пороговое напряжение выбранного запоминающего транзистора 3 низкое (высокое), не превышает (превышает) напряжение на адресной шине 1, то через него, разрядную шину 2, открытый адресный транзистор 4 выбранной строки протекает (не протекает) ток, что экивалентно единичному (нулевому) состоянию ячейки памяти. Через остальные ячейки памяти ток не протекает, так как закрыты адресные транзисторы 4,Считывание постоянно запрограммированной информации матричного накопителя, его ПЗУ части, определяемой наличием или отсутствием конденсаторов 5, проводится следующим образом.После стирания информации в матричном накопителе облучением его ультрафиолетовым излучением на все стирающие...

Номер патента: 1780120

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Батьков, Шишкин

МПК: H01J 9/16

Метки: запоминающего, сетчатого, электрода, элп

...рабочую поь в виде шарового сегмента высокм, и наносят на сетчатый электрод ческим способом слой никеля тол 5-0,6 мкм.длагаемый способ был реализован им образом. центрах станка навивки сеток,ОО 0042 зажималась оправка с двумя заенными на ее боковых сторонах рабо 3 ь,несущими элементами сетчатых одов. Навивка сетки с шагом 60 мкм,ъводилась вольфрамовой проволокой тром 8 мкм марки ВА-ТО последова-ф в двух взаимно перпендикулярныхлениях. После этого оправка опусти- ванну сернокислого никелирования и одилось осаждение никеля в течение ри токе в 1 А, Слой осажденного ни о окончании процесса имел толщину км.После промывки и сушки сетчатые электроды снимались с оправки и зона крепления сетки к несущему элементу покрывалась лаком ХВ, и...

Номер патента: 1790006

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Службин, Темерти, Ястребов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающего, магнитных, накопитель, устройства, цилиндрических

...и пространстве магнитнымрельефом, создаваемым протекающими токами.За исходное состояние примем такое,когда канал ввода - вывода 2 свободен отЦМД, а регистры хранения информации 3заполнены ЦМД 24 и 25, находящимися впозициях, обозначенных как А,Считаем, что при положительном направлении тока 2, 2", 3 и 3" домены фикси 1790006руется в позициях А, Г канала ввода - вывода 2 и А , Г регистров хранения информации 3 соответственно.Накопитель может работать в одном из трех режимов: запись, считывание или поиск информации.В режиме записи информации ЦМД 26 и 27 зарождаются в узле генерации 6 и путем подачи в проводники 2 и 2" двухфазных разнополярных импульсов тока (фиг. 3), сдвинутых друг относительно друга во времени на одну четверть периода,...

Номер патента: 1829048

Опубликовано: 23.07.1993

Авторы: Аверьянова, Гулько, Кривошеев, Мартыненко, Смишный, Строяновская

МПК: G11C 11/14

Метки: доменного, запоминающего, устройства, формирователь

...и отрицательным полюсами источника питания 19.На фиг.1 приведена функциональная схема формирователя тока треугольной формы для доменного ЗУ; на фиг.2 - временные диаграммы сигналов управления и эпюра тока в катушке,Формирователь Т,Т.Ф. для доменного ЗУ содержит управляющие входы 1, 2, 5, 12, 15, 16, токовые ключи 3, 4, 7, 14, 17, 18, диоды рекуперации энергии 6, 8, 11, 13, источники питания 19, 20, выходы 9, 10 для подключения катушки управления, причем токовые входы ключей 3, 17 соединены с положительным полюсом источника питания 19, токовый выход ключа 3 соединен с токовым входом ключа 4, анодом диода 6, катодом диода 8 и выходом 9 формировате 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 ля, токовый выход ключа 17 соединен с токовым входом...

Номер патента: 1837360

Опубликовано: 30.08.1993

Автор: Соколов

МПК: G11C 7/00

Метки: блок, доменах, запоминающего, информации, магнитных, считывания, устройства, цилиндрических

...напряжения, , первые входы которых являются входом 3 блока, а вторые входы соединены, соответ; ственно, с первой 4 и второй 5 шинами пи тания, выход второго делителя соединен с , первым входом компаратора 6, выход кото рого является выходом блока, а второй входсоединен с выходом детектора 7 нижнего уровня, первый вход которого соединен совторой шиной питания 5, второй вход - свыходом первого делителя 1, формирова,тель импульсов 8 и ключ 9, выход которого ; соединен с управляющим входом детекторанижнего уровня 7, вход - с первой шиной ; питания 4, а управляющий вход - с выходом УДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНО ДОМСТВО СССРСПАТЕНТ СССР) 21) 4650152/2422) 13.02.8946) 30.08.93. Бюл.М.(56) Авторское свидетМ 1091224, кл. 6 11Авторское свидеМ 1015403,...

Номер патента: 1839270

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Ананченко, Антонов, Возовик, Гапченко, Горшков, Гринько, Демьянов, Зелинский, Ковтун, Косцевич, Крючин, Петров, Скуридин, Токарь, Шанойло

МПК: G11B 7/00, G11C 13/04

Метки: запоминающего, оптико-механического, узел, устройства

...носителя относительно неподвижного контейнера 5, длина внутренней полости которого превышает удвоенную длину в осевом направлении) регистрирующего покрытия 7. Пнбвмапривод позиционирования содержит реверсивный пневмонасос 38, магистраль 39, в качестве поршня - носитель ийформации, а в качестве цилиндра - контейнер 5,Приведенный на фиг, 6 пример реализации предложенного узла оптико-мех ического запоминающего устройства содержит цилиндрический носитель информации, заключенный в контейнер 5, Цилиндрический носитель информации состоит из цилиндра 40, который может быть выполнен и из непрозрачного материала, на внешнюю повеохность которого нанесены регистрирующее 7 и защитное 30 покрытия. В цилиндре 40 размещена (например,...

Номер патента: 1436735

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Колкер, Крюков

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, накопитель, постоянного, устройства

НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в приповерхностном слое которой размещены первая и вторая диффузионные области первого типа проводимости, первая и вторая диффузионные области второго типа проводимости, третья диффузионная область второго типа проводимости, на поверхности первой диффузионной области первого типа проводимости расположен первый диэлектрический слой, на поверхности которой размещен второй диэлектрический слой, а на поверхности третьей диффузионной области второго типа проводимости размещен третий диэлектрический слой, на поверхностях второго и третьего диэлектрических слоев расположены плавающие затворы, выполненные из поликристаллического...

Номер патента: 1378682

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Овчаренко, Портнягин

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

1. МАТРИЧНЫЙ НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, диффузионные слои первого типа проводимости, размещенные в приповерхностном слое полупроводниковой подложки, диффузионные области второго типа проводимости, размещенные в приповерхностном слое полупроводниковой подложки между диффузионными слоями первого типа проводимости, первый, второй, третий, четвертый и пятый диэлектрические слои разной толщины с отверстиями, расположенные на поверхности одного из диффузионных слоев первого типа проводимости, второй диэлектрический слой расположен на поверхности другого диффузионного слоя первого типа проводимости, третий диэлектрический слой расположен на поверхности...

Номер патента: 1378683

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Овчаренко, Портнягин

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, информации, матричный, накопитель, постоянного, устройства

1. МАТРИЧНЫЙ НАКОПИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, содержащий ячейки памяти, выполненные на запоминающих транзисторах с плавающим затвором, ячейки памяти образуют матрицу из n строк и m столбцов, m + 1 разрядную шину первой группы, m разрядных шин второй группы, стоки первого и второго запоминающих транзисторов, ячейки памяти, расположенные в i-м столбце и j-й строке, соединены со стоками третьего и четвертого запоминающих транзисторов ячейки памяти, расположенной в i + 1-м столбце и j-й строке, стоки первого и второго запоминающих транзисторов ячеек памяти i-1-го столбца всех нечетных строк подключены к i-й разрядной шине первой группы накопителя, истоки запоминающих транзисторов ячеек памяти i-го столбца...

Номер патента: 888731

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Колкер, Овчаренко, Портнягин

МПК: G11C 11/40, G11C 17/00

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

1. МАТРИЧНЫЙ НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в приповерхностном слое которой расположены разрядные диффузионные шины второго типа проводимости, на поверхности полупроводниковой подложки расположен первый диэлектрический слой с частичным перекрытием краев разрядных диффузионных шин, на поверхности которого размещены поликремниевые электроды, каждый из которых выполнен в виде изолированных участков, расположенных параллельно разрядным диффузионным шинам с частичным их перекрытием, на поверхности поликремниевых электродов и первого диэлектрического слоя расположен второй диэлектрический слой, на поверхности которого над поликремниевыми электродами...

Номер патента: 1385872

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Овчаренко, Портнягин

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

МАТРИЧНЫЙ НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, диффузионные разрядные шины второго типа проводимости, расположенные в приповерхностной области полупроводниковой подложки, диффузионную область первого типа проводимости, примыкающую к диффузионным разрядным шинам, первый слой диэлектрика, расположенный на поверхности диффузионных разрядных шин, поликремниевые стирающие шины, расположенные на поверхности первого слоя диэлектрика, второй слой диэлектрика, расположенный на поверхностях первого слоя диэлектрика, диффузионных разрядных и стирающих шин и диффузионной области, поликремниевые электроды, расположенные на поверхности второго слоя диэлектрика и частично...

Номер патента: 1053638

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Овчаренко, Портнягин

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, накопитель, постоянного, устройства

1. НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости с углублениями, на поверхности которой в углублениях расположен первый слой полупроводника первого типа проводимости, а на остальной части полупроводниковой подложки первого типа проводимости расположен второй слой полупроводника первого типа проводимости, первый и второй диэлектрические слои, расположенные на поверхностях первого и второго слоев полупроводника первого типа проводимости, поликремниевые электроды, расположенные на поверхностях первого и второго диэлектрических слоев, в приповерхностном слое полупроводниковой подложки первого типа проводимости между вторыми слоями полупроводника первого типа проводимости...

Номер патента: 1405575

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Овчаренко, Портнягин

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

МАТРИЧНЫЙ НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, содержащий адресные и разрядные шины, в перекрестиях которых включены ячейки памяти, причем каждая ячейка состоит из запоминающего и адресного транзисторов и конденсатора, первый вывод которого соединен с плавающим затвором запоминающего транзистора, управляющий затвор запоминающего транзистора каждой ячейки памяти соединен с затвором адресного транзистора и подключен к соответствующей адресной шине, исток адресного транзистора каждой ячейки памяти подключен к шине нулевого потенциала накопителя, а сток соединен с истоком запоминающего транзистора, сток запоминающего транзистора каждой ячейки памяти смежных столбцов подключен к разрядной шине, отличающийся тем, что, с целью...

Номер патента: 1344119

Опубликовано: 30.12.1994

Автор: Колкер

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричного, накопителя, постоянного, устройства

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЧНОГО НАКОПИТЕЛЯ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, заключающийся в нанесении на полупроводниковую подложку первого маскирующего слоя из окиси кремния и нитрида кремния с отверстиями, легировании полупроводниковой подложки примесью первого типа проводимости, нанесении первого диэлектрического слоя, удалении первого маскирующего слоя, нанесении второго диэлектрического слоя с отверстиями, легировании полупроводниковой подложки примесью второго типа проводимости, нанесении третьего диэлектричского слоя толщиной 50 - 200 , нанесении областей первого слоя поликристаллического кремния, образующих плавающие затворы, травлении третьего и второго...

Номер патента: 1025259

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Колкер, Овчаренко, Портнягин

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

МАТРИЧНЫЙ НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, содержащий запоминающие МДП-транзисторы, стоки которых соединены с одними разрядными шинами, истоки - с другими разрядными шинами, управляющие затворы - с соответствующими адресными шинами, стирающие затворы - с соответствующими шинами стирания, соединенными с общей шиной стирания, а подложки - с общей подложкой, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и расширения функциональных возможностей путем построчного стирания накопителя, он содержит дополнительную общую шину стирания, одни и другие дополнительные МДП-транзисторы, при этом стоки одних дополнительных МДП-транзисторов соединены с общей шиной стирания, а затворы и истоки - соответственно с адресными шинами...

Номер патента: 1105055

Опубликовано: 27.01.1995

Авторы: Букреев, Колкер, Портнягин

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

1. МАТРИЧНЫЙ НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, на поверхности которой расположен первый диэлектрический слой с отверстиями, в которых размещен второй диэлектрический слой меньшей толщины, на поверхности первого и второго диэлектрических слоев размещены поликремниевые электроды, на поверхности которых и поверхностях первого и второго диэлектрических слоев расположен третий диэлектрический слой, на поверхности которого над поликремниевыми электродами размещены адресные поликремниевые шины, на поверхности которых и на торцах поликремниевых электродов расположен четвертый диэлектрический слой, на поверхности которого над одними торцами поликремниевых электродов...

Номер патента: 1148500

Опубликовано: 20.02.1995

Автор: Вербовецкий

МПК: G11C 11/42

Метки: запоминающего, оптический, оптоэлектронного, страничный, устройства

1. ОПТИЧЕСКИЙ СТРАНИЧНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДЛЯ ОПТОЭЛЕКТРОННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, содержащий блок разведения изображений, фотоприемный блок и блок управления, первый и второй выходы которого подключены соответственно к входам блока разведения изображений и фотоприемного блока, выход которого подключен к входу блока управления, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей преобразователя за счет выполнения арифметического сложения информации, в преобразователь введены блок сложения единиц, блок оптического преобразования единиц, блок оптического преобразования нулей, блоки оптической связи с первого по тринадцатый, блок сведения изображений и управляемый светопереключатель, причем первый и второй входы блока...

Номер патента: 1120852

Опубликовано: 20.02.1995

Автор: Вербовецкий

МПК: G11C 13/04

Метки: запоминающего, оптического, оптоэлектронный, страничный, устройства

ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ СТРАНИЧНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДЛЯ ОПТИЧЕСКОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, содержащий источник излучения, выход которого оптически связан через первый узел формирования луча с первым входом первого поляризационного светообъединителя, второй вход которого является оптическим входом оптоэлектронного страничного преобразователя, выход первого поляризационного светообъединителя через последовательно расположенные первый коллимирующий узел, оптически управляемый транспарант, первый поляризационный управляемый транспарант, второй узел формирования лучей оптически связан с входом первого поляризационного светоделителя, первый выход которого через последовательно расположенные третий узел формирования лучей, второй поляризационный...

Номер патента: 1485903

Опубликовано: 30.04.1995

Автор: Вербовецкий

МПК: G11C 11/42

Метки: ассоциативный, запоминающего, коррелятор, оптический, устройства

АССОЦИАТИВНЫЙ ОПТИЧЕСКИЙ КОРРЕЛЯТОР ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, содержащий многоканальный излучательный блок, оптический выход которого через последовательно расположенные проекционный блок и управляемый транспарант оптически связан с входом блока разведения пучков, оптические выходы которого через фокусирующий блок оптически связаны с входами фотоприемного блока, выход которого подключен к синхронизирующему входу блока управления, выходы которого с первого по третий подключены к управляющим входам соответственно многоканального излучательного блока, управляемого транспаранта и фотоприемного блока, отличающийся тем, что, с целью повышения его производительности при ассоциативном поиске по многим признакам опроса, блок разведения пучков...

Номер патента: 1487722

Опубликовано: 30.04.1995

Автор: Вербовецкий

МПК: G11C 11/42

Метки: ассоциативной, выборки, запоминающего, информации, оптической, устройства

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ АССОЦИАТИВНОЙ ОПТИЧЕСКОЙ ВЫБОРКИ ИНФОРМАЦИИ ИЗ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, содержащее группу многоканальных излучательных блоков, блок мультиплицирования, каждый выход которого через соответствующий проекционный блок оптически связан с входом соответствующего мультипликатора, каждый выход которого через последовательно расположенные соответствующие блок формирования пучков, управляемый транспарант и блок разведения пучков оптически связан с входом соответствующего фокусирующего блока, группу фотоприемных блоков, блок управления, группы выходов которого с первой по третью подключены к управляющим входам соответственно группы многоканальных излучательных блоков, управляемых транспарантов и группы фотоприемных блоков, группа...

Номер патента: 1344120

Опубликовано: 30.04.1995

Автор: Вербовецкий

МПК: G11C 11/42

Метки: запоминающего, оптический, оптоэлектронного, страничный, устройства, функциональный

ОПТИЧЕСКИЙ СТРАНИЧНЫЙ ФУНКЦИОНАЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДЛЯ ОПТОЭЛЕКТРОННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, содержащий входной квантующий блок, вход которого является оптическим входом преобразователя, оптический сумматор, выход которого является оптическим выходом преобразователя, блок управления, первый и второй выходы которого подключены к входам соответственно квантующего блока и оптического сумматора, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и расширения функциональных возможностей путем обеспечения возможности выполнения линейных операций над страницами информации, в него введены блок разведения пучков, блок светообъединителей, блок управляемых оптических транспарантов, блок фокусирующих объективов, блок оптических инверторов,...

Номер патента: 1345908

Опубликовано: 30.04.1995

Автор: Вербовецкий

МПК: G11C 11/42

Метки: блок, делительный, запоминающего, оптический, страничный, устройства

ОПТИЧЕСКИЙ СТРАНИЧНЫЙ ДЕЛИТЕЛЬНЫЙ БЛОК ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, содержащий оптический страничный преобразователь, оптический сумматор и узел управления, первый и второй выходы которого подключены соответственно к оптическому страничному преобразователю и оптическому сумматору, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей за счет обеспечения выполнения операции деления над страницами информации, представленной числами с плавающей запятой, в него введены первый и второй входные оптические регистры, узлы оптической связи с первого по двадцать первый, преобразователь кода, узел нормализации чисел, первый и второй управляющие светообъединители, светоделители с первого по третий, управляемый светопереключатель,...