Патенты с меткой «вакууме»

Номер патента: 1832134

Опубликовано: 07.08.1993

Авторы: Батуев, Семенов

МПК: C23C 14/35

Метки: вакууме, нанесения, покрытий

...ионов аргОна, Ускоренные (напряжение извлечения 8-10 кВ) ионь попадают на дополнительнуо мишень 11, которая в этом случае находится в верхнем положении на уровне подложек, При таких высоких напряжениях удается получить пучок ионов током 5-10 мА с мал.м углом расходимости Зо, изменением формы и положения эмиттирующей плазменной поверхности. В результате падения ионов на мишень 11 образуется поток распыленных атомов сорта В, которые на поверхности основной мишени 1 образуот танкуо пленку, После этого отключается источник ионов и снова запускается магнетрон, и атомы сорта В переносятся на ростовуО поверхность подложек 9, где уже сформирована пленка из атомов сорта А, Таким образом, на определенную глубину в тонкую пленку 10 20 25 30 32 -"0...

Номер патента: 1836487

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Витторио, Джанфранко, Джованни

МПК: C23C 14/00

Метки: вакууме, гидрида, металла, металла,полученной, нанесения, пленки, пленкой, пленок, полученной, применение, способом, субстрата

...образец4 +с энергией 2,2 МеЧ и под углом 750. Как известно, эти два метода позволяют 50 определить концентрацию атомов в см, в результате чего можно сразу подсчитать стехиометрию гидрида, В данном случае получили величину соотношения Н/Т в интервале от 1,7 до 2. 55Анализ пленки при помощи малоуглового рентгеновского излучения подтвердил присутствие одной фазы гидрида титана, тогда как негидрированный титан имеет гексагонал ьную кристаллическую решетку. Анализ с помощью Оже-спектроскопиипоказал, что кислород содержится только ввиде примеси с концентрацией менее 1 ф,П р и м е р 2. На субстрат, представляющий собой стеклянную пластину размерами 5 х 5 см, была осаждена пленка гидрида титана при помощи того же оборудования и тем же...

Номер патента: 2000355

Опубликовано: 07.09.1993

Автор: Коваленко

МПК: C23C 10/56

Метки: вакууме, диффузионного, стальных, хромоалитирования

...с давлением 0,133 Па в течение 4,5 ч в эл.печи типа СЭВ,3/11,5. Обработанные по этому способу пресс-формы для литья под давлением медных сплавов обеспечивают повышение их стойкости в 2,53 раза, Такое повышение стойкости пресс-форм произошло благодаря получению на поверхности особого диффузного слоя.Как показали металлографические исследования, а также рентгено-спектральный электронно-эондовый микроанализ после обработки стали Ди 22 по указанному режиму диффузный слой состоит иэ двух эон. Первая. наружная толщиной 8 мкм, эона состоит иэ карбидов хрома состава (СгЕе)гзСб и (Сг, Ее)тСэ. Вторая эона, прилегающая к основному металлу, имеющая тол 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 щину 150 мкм, является твердым раствором в железе хрома...

Номер патента: 2001159

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Андреев, Григорьев, Саблев

МПК: C23C 14/32, C23C 8/00

Метки: вакууме, металлических, нанесения, покрытий, электродугового

...также к входу б операционного усилителя 7, являющегося электроннымсредством сравнения электрических сигналов. Второй вход 8 операционного усилителя 7 подключен к программирующемусредству 9, Выход 10 операционного усилителя 7 подключен к управляемым средстоам 5включения в виде управляемых ключей 11 и12, находящихся в цепях токоподводов кконцам катода 1. Отрицательный полюс источника электропитания 5 подключен к катоду 1, Электропитание устройства 10осуществляется от источника постоянноготока 13, положительный полюс которого соединен с вакуумной камерой, а отрицательный с общей точкой ключей 11 и 12. Начертеже показаны также катодное пятно 14 15итенерируемый им поток 15 металлическойплазмы в оиде расходящегося конуса,Работа предлагаемого...

Номер патента: 2001968

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Радзевич, Румянцев, Шкиров

МПК: C23C 14/00, C23C 14/34

Метки: вакууме, декоративных, нанесения, покрытий

...используемых материалов и упрощение технологического процесса.Цель достигается выбором материала грунтовочного слоя, препятствующего газо- выделению из материала изделия, который в то же время должен обладать хорошей адгеэией, не содержать растворителей, взаимодействующих с материалом изделия и нарушающих структуру и рельеф его поверхности, скрыть все дефекты поверхности, возникающие при изготовлении и обработке иэделий, и обеспечить необходимое качество поверхности для последующей металлизации, В качестве грунтовочного слоя использован лак на основе смеси пентафталевых и нитроцеллюлозных составляющих с отвердителем при конкретном содержании исходных компонентов, Коэффициент термического расширения данного лака должен соответствовать...

Номер патента: 2001969

Опубликовано: 30.10.1993

Автор: Воронов

МПК: C23C 14/02, C23C 14/14

Метки: вакууме, защитного, нанесения, покрытия

...соответствующие плр нлотры промежуточного слоя, с одной стороы, и минимальности толщины промежуто ного слоя, с другой стороны,Тонкая пленка, выращиоаемая на поверхности твердых тел, имеет сильно деформированную кристаллическую решетку, причем этот эффект наблодао)ся на толщинах 10 - 20 периодов решетки, т.е, "5 нм При дальнейшем росте пленки ее структура совпадает с кристаллической структурой макрообраэца из вещества этой пленки. Соотоетстоующие пределы лежат о диагаэоне 5 - 20 нм. Состав реагируощего газа ипи газовой смеси подбирается индивидуально для каждого защищаемого материала и определяется на Основе информацио тип ах симметрии и паралетрах кристаллических решеток химических соединений, образующихся при вэаилодейсгоии защищаемого...

Номер патента: 2001973

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Андреев, Григорьев, Саблев

МПК: C23C 14/34

Метки: вакууме, металлических, нанесения, покрытий, электродугового

...чем на Газадах ВышеГ,сротВсн;я й прцвалаки, образуот пле, ьлср ГегьО О масп, Сьем н,.ц 1 язкгтн яцро ззгДтся с катодов Диадан 9, пводы.та;ьх являются дагаальа измсритель: а моста. Напряжен,е;а даг али масГЭ1: -2 гх - Л). (1)Где" так в ве Гвизысит ельОГО масгэ;Гх - СОГЭОТИСЛСНС 1.;ЕДУ КОЦ 01 ПЗОВаО и и входал пг 1 азмс 1 О 0 Гатауа в праВГЛ КУ.Из выражения (1) следует, чта положен. катоднаго пятна, определяемое сопротивлецислл г, полностью характеризуетсяцап Гяжнием на диагонали моста, Паскаль,у дэдь 9 вуца сны н, встречу дгу друга,т а цаде 1 с напрй.кс 1 на них с абз1 ыГзцахсл, а поэтому нацрякеэдиегоа.ли н заг 1 ст от этого цаден:я 1 з .:Г 1 я,Диод 9 1 сабхо 111 мь д;1 и та 0, 1 эГ,э .элгь друг от друга цгопалакц 8 1 сдллэг,эОцени...

Номер патента: 1839649

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Воробьев, Неровный, Озеров, Подяпольский, Харченко, Хахалев, Ямпольский

МПК: B23K 9/16

Метки: вакууме, неплавящимся, сварки, электродом

...питания генераторов одиночных импульсов с индуктивностью позволяет осуществить дозирование энергии импульсов для образования плазменных электропроводящих каналов длительно стью 0,5-3.0 мс. обеспечивающих стабильное возбуждение сварочной дуги при их малых габаритах и весовых характеристиках.Благодаря этому заявленное устройст во проявляет новые свойства, что приводит к повышению эффективности и надежности его в работе, а также стабильности возбуждения сварочной дуги. Это позволяет сделать вывод о соответствии технического 40 решения критерию "существенные отличия",На чертеже изображено устройство для сварки неплавящимся электродом в вакууме.Устройство содержит водоохлаждаемый корпус 1, в "рабочем торце котброго установлен полый катод 2....

Номер патента: 1401918

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Лантратова, Любин

МПК: C23C 14/36

Метки: вакууме, мишени, распыления, стеклообразных, халькогенидных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИШЕНИ ДЛЯ РАСПЫЛЕНИЯ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ МАТЕРИАЛОВ В ВАКУУМЕ, включающий нанесение на электропроводное основание суспензии порошка халькогенидного материала, сушку, оплавление порошка, отжиг полученной заготовки с последующим ее охлаждением, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей процесса, перед нанесением суспензии порошка халькогенидного материала на часть поверхности основания наносят суспензию порошка оксидного стеклообразного материала с дисперсностью частиц 150 - 200 мкм с последующей сушкой и оплавлением порошка при температуре на 80 - 100oС выше температуры размягчения порошка в течение 30 - 40 мин и охлаждением, нанесение суспензии порошка халькогенидного...

Номер патента: 1737924

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Власов, Морозов, Толшмяков, Холкин, Щедрин

МПК: C23C 14/24

Метки: вакууме, градиентом, плотности, покрытия

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОКРЫТИЯ С ГРАДИЕНТОМ ПЛОТНОСТИ В ВАКУУМЕ , включающий последовательный нагpев одним электpонным лучом электpонно-лучевого испаpителя с отклоняющей магнитной системой двух pазноpодных матеpиалов, испаpение этих матеpиалов и конденсацию паpовых потоков на подложке, отличающийся тем, что, с целью pасшиpения технологических возможностей за счет обеспечения возможности плавно изменять плотность наносимого покpытия по ноpмали к повеpхности подложки, испаpение каждого матеpиала ведут с пеpеменной интенсивностью путем изменения вpемени воздействия электpонного луча на каждый матеpиал, пpи этом вpемя воздействия на матеpиал опpеделяют из выpаженияt < ...

Номер патента: 1809637

Опубликовано: 30.05.1994

Автор: Руднев

МПК: C23C 14/56

Метки: вакууме

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОБРАБОТКИ ИЗДЕЛИЙ В ВАКУУМЕ, включающее вакуумный шлюз-накопитель, содержащий разъемный автономно откачиваемый корпус, снабженный средством герметизации, фланцем для присоединения шлюза к рабочему технологическому объему и размещенными внутри корпуса узлом сборки изделий и механизмом их группового перемещения к фланцу на разгрузочно-нагрузочную позицию, а также включающее привод механизма перемещения изделий и размещенные в рабочем технологическом объеме разгрузочно-загрузочные манипуляторы, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности и качества изделий, узел сборки размещен относительно механизма подачи по разные стороны от разъема корпуса, привод механизма подачи расположен с внешней поверхности корпуса...

Номер патента: 1552676

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Капустин, Станишевский, Точицкий

МПК: C23C 14/00

Метки: вакууме, металлизации, поверхности, полимерных

СПОСОБ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛИМЕРНЫХ МАТЕРИАЛОВ В ВАКУУМЕ, включающий предварительную очистку поверхности, нанесение промежуточного слоя и покрытия, отличающийся тем, что, с целью повышения адгезии покрытия, в качестве промежуточного слоя наносят пленку углерода толщиной 5 - 250 нм со скоростью осаждения 2 - 20 нм/мин.

Номер патента: 826761

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Дударчик, Кривонощенко, Селифанов, Точицкий

МПК: C23C 14/44

Метки: вакууме, нанесения, покрытий

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ В ВАКУУМЕ, содержащее осесимметричную формирующую систему, состоящую из полого электрода и средства для возбуждения магнитного поля, встречно расположенные плазменные ускорители, систему питания и подложкодержатель, отличающееся тем, что, с целью повышения качества покрытий, плазменные ускорители смещены относительно оси формирующей системы и установлены под углом к ней.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что величина угла составляет 30-150o.

Номер патента: 1584433

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Грицкевич, Зыль, Точицкий

МПК: C23C 14/24

Метки: вакууме, осаждения, пленок

СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ ПЛЕНОК В ВАКУУМЕ, включающий испарение осаждаемого материала в тигле, инжекцию пара в вакуум с образованием кластеров, их ионизацию, ускорение и конденсацию на подложке, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей, перед инжекцией пара в вакуум внутреннюю полость тигля герметично соединяют с внутренней полостью замкнутой инжекционной камеры, затем внутреннюю полость тигля отсекают от инжекционной камеры и осуществляют сжатие пара.

Номер патента: 1069451

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Селифанов, Станкевич, Точицкий

МПК: C23C 14/46

Метки: вакууме, нанесения, плазменного, покрытий

СПОСОБ ПЛАЗМЕННОГО НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ В ВАКУУМЕ, включающий генерирование встречных потоков плазм исходных материалов, смешивание их в зоне взаимодействия потоков, направление электрическим полем в сторону подложки и их осаждение, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности путем увеличения коэффициента использования массы исходных материалов, при смешивании потоки плазм исходных материалов тормозят в зоне взаимодействия температурным полем на время 101 - 104 мкс.

Номер патента: 1478660

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Буравцев, Обухов, Рубан, Точицкий

МПК: C23C 14/26

Метки: вакууме, нанесения, покрытий

УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ В ВАКУУМЕ, содержащее подложкодержатель, испаритель, установленный напротив подложкодержателя, формирователь потока пара, расположенный на испарителе и выполненный в виде коаксиально расположенных усеченных конусов, стенки которых образуют каналы для выхода пара, отличающееся тем, что, с целью улучшения качества покрытий и увеличения коэффициента использования материала покрытия, формирователь потока пара размещен так, что его ось совпадает с центром подложкодержателя, а каналы для выхода пара выполнены так, что оси пересекают подложкодержатель в кольцевой зоне с радиусом R, выбираемом из выражения R=(0,6-0,9)R, где R - радиус подложкодержателя, мм, при этом расстояние L от подложкодержателя до...

Номер патента: 1757249

Опубликовано: 15.07.1994

Авторы: Береснев, Гриценко, Кривонос, Лымарь, Толок, Швец

МПК: C23C 14/40

Метки: вакууме, нанесения, покрытий

УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ В ВАКУУМЕ, содержащее рабочую камеру с размещенными в ней электродуговым испарителем и подложкодержателем, отличающееся тем, что, с целью повышения качества покрытий, в него введен ВЧ-генератор с согласующей системой, состоящей из конденсатора переменной емкости, соединенного с коаксиальным кабелем изменяемой длины, центральная жила которого соединена с подложкодержателем, а экран - с рабочей камерой.

Номер патента: 1163656

Опубликовано: 15.07.1994

Авторы: Колесов, Сейдман

МПК: C23C 14/32

Метки: вакууме, нанесения, плазменного, пленок, реактивного

СПОСОБ ПЛАЗМЕННОГО РЕАКТИВНОГО НАНЕСЕНИЯ ПЛЕНОК В ВАКУУМЕ, включающий напуск потоков инертного и реактивного газов при содержании реактивного газа более 10%, регулирование тока разряда путем изменения напряжения разряда и потоков газов, распыление мишени ионами из плазмы разряда с наложением магнитного поля и осаждение материала на подложку, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости свойств пленок от процесса к процессу, при регулировании тока разряда сначала определяют экстремальные значения тока изменением напряжения, после чего устанавливают минимальное значение тока путем изменения потока реактивного газа и максимальное значение тока путем изменения потока инертного газа.

Номер патента: 1332866

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Сейдман, Смирнов

МПК: C23C 14/36

Метки: вакууме, ионно-плазменного, распыления

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО РАСПЫЛЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ В ВАКУУМЕ, содержащее катод с дисковой мишенью, магнитную систему с концентричными полюсными наконечниками, расположенными с зазором один относительно другого с нерабочей стороны мишени и эксцентрично оси симметрии мишени, перпендикулярной ее плоскости, отличающееся тем, что, с целью повышения воспроизводимости процесса распыления мишени, мишень установлена с возможностью периодического поворота относительно ее оси симметрии на угол , определяемый из выражения = , при этом уголa...

Номер патента: 1565065

Опубликовано: 15.09.1994

Автор: Ряхин

МПК: C23C 14/24

Метки: вакууме, напыления, резистивного

СПОСОБ НАПЫЛЕНИЯ В ВАКУУМЕ РЕЗИСТИВНОГО МАТЕРИАЛА, включающий формирование на вольфрамовом испарителе в виде керна с навитой спиралью навески испаряемого материала, содержащего двуокись кремния и окись алюминия, нагрев испарителя электрическим током величиной 62-66А в течение 20-40 с, снижение тока до нуля и выгрузку изделий, отличающийся тем, что, с целью повышения экономичности процесса за счет повторного использования вольфрамового испарителя при сохранении качества напыляемых резистивных пленок, после выгрузки изделий через испаритель пропускают электрический ток величиной 64-76А в течение времени, достаточного для удаления остатков испаряемого материала и снижают ток до нуля в течение 30-300 с по линейному закону.

Номер патента: 1340829

Опубликовано: 15.12.1994

Авторы: Гаибназаров, Гершович, Дмитров, Кирсон, Лемищенко, Пичко, Плисс, Хейфец, Эстерлис

МПК: B08B 3/10

Метки: вакууме, дуговым, катодным, проката, разрядом

1. УСТАНОВКА ДЛЯ ОЧИСТКИ ПРОКАТА КАТОДНЫМ ДУГОВЫМ РАЗРЯДОМ В ВАКУУМЕ, содержащая вакуумную камеру, анод, электрод возбуждения дуги, держатель электрода, источник тока и фотодатчик, отличающаяся тем, что, с целью увеличения срока службы электродов возбуждения дуги и обеспечения удобства обслуживания, в устройство введены источник напряжения, исполнительный механизм, кинематически связанный с держателем электрода контактор с нормально разомкнутым контактом и пусковой цепью, датчик анодного тока, причем источник тока соединен через датчик анодного тока с анодом и электродом возбуждения дуги дополнительно через нормально разомкнутый контакт контактора, источник напряжения соединен через датчик анодного тока с исполнительным механизмом и через...

Номер патента: 1781899

Опубликовано: 15.12.1994

Авторы: Абдулов, Булат, Гершович, Груич, Кирсон, Мальцев, Пичко, Плисс, Эстерлис, Юнусов

МПК: B08B 3/10, B21B 45/04

Метки: вакууме, ленточного, проката, разрядом, электродуговым

УСТАНОВКА ДЛЯ ОЧИСТКИ ЛЕНТОЧНОГО ПРОКАТА ЭЛЕКТРОДУГОВЫМ РАЗРЯДОМ В ВАКУУМЕ, включающая вакуумную камеру, средства создания вакуума и транспортировки проката, средство возбуждения дугового разряда, источника тока с токоподводами, электронный узел с анодами, выполненный в виде пар зеркально - параллельных призм с электроизолированными экранами, отличающаяся тем, что, с целью повышения производительности и качества очистки путем обеспечения неограниченного перемещения катодных пятен дугового разряда вдоль обрабатываемой ленты, призмы анодов установлены токоприемными гранями симметрично относительно оси ленты, параллельно ей и вдоль направления ее перемещения, а экраны монтированы за пределами обрабатываемой ленты и только на анодах.

Номер патента: 1340230

Опубликовано: 20.03.1995

Авторы: Варакин, Кузнецов, Ляпин

МПК: C23C 14/56

Метки: вакууме, выгрузки, загрузки

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЗАГРУЗКИ И ВЫГРУЗКИ ИЗДЕЛИЙ В ВАКУУМЕ, содержащее рабочую и шлюзовую камеры, затворы с герметичными фланцами, расположенными между камерами, подложкодержатель и шток возвратно-поступательного перемещения с приводом, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции и повышения надежности в работе за счет обеспечения разгерметизации затворов и перемещения изделий от одного привода, фланец, расположенный со стороны рабочей камеры, выполнен в виде плоского кольца и снабжен подпружиненным сильфоном, размещенным соосно отверстию кольца и герметично соединенным с его поверхностью, а другой фланец выполнен в виде диска и снабжен фиксатором, закрепленным соосно штоку со стороны рабочей камеры, при этом шток размещен в рабочей...

Номер патента: 1828669

Опубликовано: 27.05.1995

Автор: Кульпинов

МПК: C23C 14/50, C23C 14/54

Метки: вакууме

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОБРАБОТКИ ИЗДЕЛИЙ В ВАКУУМЕ, содержащее подвижную камеру, размещенные в ней неподвижную стойку, средство технологической обработки, карусель с держателями изделий, выполненную в виде двух дисков, один из которых ведущий, а другой ведомый, сопряженных между собой с помощью пальца и группы отверстий, расположенных на ведомом диске, число которых соответствует числу обрабатываемых изделий, и привод планетарного вращения карусели, включающий две зубчатые пары, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности и улучшения эксплуатационных характеристик, оно снабжено двумя тягами, подвижно установленными в стойке, каждая из которых жестко связана с ведомым элементом одной из зубчатых пар привода карусели, и снабжено n 1...

Номер патента: 1580852

Опубликовано: 09.06.1995

Авторы: Зыков, Качанов, Марущенко, Фареник, Юнаков

МПК: C23C 14/00

Метки: вакууме, диэлектрических, мишеней, поверхностей

СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТЕЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МИШЕНЕЙ В ВАКУУМЕ, включающий бомбардировку мишеней ускоренным пучком положительных ионов и компенсацию заряда электронами катода-нейтрализатора, отличающийся тем, что, с целью повышения качества обработки за счет улучшения однородности обработки и снижения вносимой дефектности, на поверхность катода-нейтрализатора подают положительный потенциал (B), выбираемый из выражения5 kТ e < E; < U,где k постоянная...

Номер патента: 1427881

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Кошелев, Крафт

МПК: C23C 14/56

Метки: вакууме, нанесения, покрытий

УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ В ВАКУУМЕ, содержащее шлюзовую камеру, рабочую камеру, вакуумный затвор, расположенный между ними, и тележку с подложкодержателями и роликами, выполненными с возможностью зацепления с винтом, расположенным в рабочей камере, отличающееся тем, что, с целью повышения качества покрытий за счет уменьшения загрязнений подложек в шлюзовой камере элементами ее механизма перегрузки и транспортировки подложек, шлюзовая камера снабжена винтом, установленным соосно с винтом в рабочей камере, при этом ролики тележки выполнены с возможностью одновременного контактирования с винтом шлюзовой и рабочей камер.

Номер патента: 1737935

Опубликовано: 19.06.1995

Автор: Ломовцев

МПК: C23C 14/56

Метки: вакууме

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОБРАБОТКИ ИЗДЕЛИЙ В ВАКУУМЕ, содержащее шлюзовые и рабочие камеры, вакуумные затворы и тележки с приводом в виде винтов и роликов, причем ролики расположены на тележках с возможностью зацепления с винтами, которые расположены в шлюзовых и рабочих камерах, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности и расширения технологических возможностей, на торцах винтов выполнен осевой срез винтовой линии под углом к диаметру сечения, проходящего через точку среза, при этом угол подъема винтовой линии больше угла самоторможения винта, а каждый винт снабжен муфтой с дистанционным управлением.

Номер патента: 1725574

Опубликовано: 27.06.1995

Авторы: Маишев, Парфененок

МПК: C23C 14/34

Метки: вакууме, нанесения, покрытий

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ В ВАКУУМЕ преимущественно на цилиндрические длинномерные детали, содержащее ионный источник, выполненный в виде цилиндрического корпуса с двумя закрытыми торцами, на одном из которых выполнена кольцевая щель для выхода ионного потока, магнитной системы, анода и распыляемой мишени, и держатель обрабатываемой детали, отличающееся тем, что, с целью повышения качества покрытия и расширения технологических возможностей, в ионном источнике по его оси выполнено отверстие для прохода цилиндрической детали, а мишень выполнена в виде усеченного конуса, установленного напротив щели.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что оно снабжено турелью для установки мишеней.

Номер патента: 1240076

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Дудкевич, Клевцов, Мухортов, Свиридов

МПК: C23C 14/36

Метки: вакууме, ионно-плазменного, распыления

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО РАСПЫЛЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ В ВАКУУМЕ, содержащее рабочую камеру с окном, катодным узлом, содержащим электрод с закрепленной на нем диэлектрической мишенью, соединенный с ВЧ генератором и подложкодержатель, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции и повышения надежности в работе, мишень закреплена герметично в окне, а электрод расположен вне рабочей камеры.

Номер патента: 1184291

Опубликовано: 25.07.1995

Авторы: Луценко, Падалка, Саблев, Ступак

МПК: C23C 14/32

Метки: вакууме, металлических, нанесения, покрытий, электродугового

УСТРОЙСТВО ЭЛЕКТРОДУГОВОГО НАНЕСЕНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ В ВАКУУМЕ, содержащее протяженные анод и расходуемый катод, систему осевого перемещения катодного пятна вдоль рабочей поверхности катода, датчик положения катодного пятна и источник электропитания, отличающееся тем, что, с целью расширения технологических возможностей путем обеспечения программного управления областью перемещения катодного пятна дуги по рабочей поверхности расходуемого катода, датчик положения катодного пятна выполнен в виде проводника, установленного над рабочей поверхностью катода, и снабжен датчиками тока, подключенными к его выводам, а также программатором и дифференциальным усилителем, причем входные клеммы датчиков тока подключены к входам дифференциального...