Способ определения структуры слоя сыпучих материалов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(51) ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПОДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ 1, Й :.ФУР.Д 1 г У,ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН И АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(71) Химико-металлургический институт АН КазССР(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СТРУКТУРЫСЛОЯ СЫПУЧИХ МАТЕРИАЛОВ(57) Изобретение относится к модели"рованию процессов, в частности к мо"делированию поведения сыпучих матери-.алов в газовом потоке, Предложеннаякритериальная зависимость позволяетрасаирить диапазон определения струкра слоя определ уры слоя. Ст к функция сл бы где ч - скорость газа на входе вслой; чц - скорость частиц материала, находящихся под воздействием газа; Я - площадь сечения потока газа;Б А - площадь сечения слоя;степень равномерности распределениягаза при входе в слой;ц - степеньравномерности распределения газа привыходе из слоя. К=70-1800 отвечаетплотному слою, К = 70 - 0,2 - псевдоожиженному слою, К0,2 - 0,0009 -фонтанирующему слою, К = 0,0009 -0,00011 - плотному слою с зоной циркуляции в его нижней части, 2 з.п.ф-лы, 1 табл.)2- 0,14,Ра вали критерии К л %ьых- 0,22 соответстму слою. ев е 25 я о ор мул а т 1. Способслоя сыпучихпод воздейств деления стр риалов, нах туры ящихся тняк и Измени бивали рлт загружался изь струя газа сниз и ем газовог зависимост ка потлицельют скоорость п подавалапараметр ально и йкритер аппарата, состояния и, о я тем, что, с иапазона, измеряю входе в слой, ск щадь сечения поточ слоя матеИзмерения женно исевдоожи риала, нл скорости расширениярость газа н бл зулль очскока газа,ения клх нл вхскоростьсечений и л мат слои, площадь се ую скорость газа ого введе слоя, оценк алов висим ал материой эауры слоя сыиуч ят по критериал стру оизв т- б -мвх ср. ч ч м/ 3; 9; 1 О; 1 К м ч в х.ср ру с с ч- скоросслой;ч - скоро сЧБ - илощадсгаза,илощад ть газа цл м 2 -с. 5"ся ь сечения счоя ь рвцлерцост 1 рл и еделецццл ьх ле в слои;степеньиределецв )2 Вср1 вцомерцос рсиз сии 11 бретение отнОсится к мделироив 1 роцессл, в частности к моделирвцию сыпучих материлв в газовомиотке,ель изобретения - расширецие липзон, сисобл иреиелеция структуры слоя.И р и м е р, ля проведения опытв использовался аппарат с ирозрачцыми боковыми стенками размером 400 ххб 0 х 20 м . Днище липрата выполненовв двух вриантах: газорлсиределительця решетка с живым сечением 0,05О,5 и сплошная диафрагма с централь -иым отверстием 2 - 30 мм. В качествесыучего материал использовалсяилнестцяк фракции 1,б,5 мм. Измерен скорсто газа на вхОде и выходе(; и 1 , производилось с помощьющелевых невмометрических трубок,скорость чл с тиц материала ч определяллсь подкрашиванием частиц и киносъемкой. Илощлди сечений потока газа,Зс, вводимого в слой, определяли поуглу раскрытия конуса газа, подаваемого соилом,газа проводились в пятиоде и выходе, измеряласчлстии материал и илощотк газа./с = 45; 47; 48; 44; 4 б1 ч. Рассчитывлллсь степень равномерности расгре 1 елеция глзл на входе и выходе из слоя В таблице приведены различныеяния слоя и значения. итерий, определяющий ь чстиц материала; сечения итока веденцого н ;лси;ср циркуляции в егонижней части 0,0009-0,00011 1 О 3. Способ ио и, 1, о т л и ч а - ю щ и й с я тем, что степень равномерности газа рассчитывают по формуле Ср где и - число тачек измерения,ой визуаль орость, м/с ип газоподводяего устройст 15 х ное состояни за астипател вхо иала слой 6 0,2 0,5 Псевдоожиже Газ ораспределительная решетка 0 2 ный 02 05 008 01 О 4 О 7 О 7 140 Диафрагма Фонтанирующи нтральным от 5 1 лот ный вер стием двода газа Плотный с эонои цирку 08 0,0000,01 0,6 20 9 ции Составитель С. Киселевктор Л. Ка 3 ориэ Техред 1 ч,Дидык Корректор С. Черн 2222/45 Тираж 459 1 И Государственного иа делам изобретенийО 5, 1 осква, Ж, РаушПодписноекомитета СССРоткрытиикая наб д, 4 Зака роиэн 1 дгс. ии -палнграфнческо предприятие, г, ужгс род, ул. паектиа 2, Способ по и, 1,ю щ и й с я тем, чтотерия К составляют для.ПлотногоПсевдоожиженногоФонтанирующегоПлотного с зоной локальная скорость газа,определяемая опытным путем;средняя скорость газа, рас -считываемая па формуле
СмотретьЗаявка
3978619, 21.11.1985
ХИМИКО-МЕТАЛЛУРГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ АН КАЗССР
МАКСИМОВ ЕВГЕНИЙ ВИКТОРОВИЧ, ТАЛЖАНОВ АЙТКАЗЫ БЛЯЛЬЕВИЧ, КАПБАСОВ ШАКИР КОНУРХАНОВИЧ, АЛЬЖАНОВ МАРАТ КАЙДАРОВИЧ, ТУРСЫПБАЕВ ЕРБОЛАТ КАЙНАЗАРОВИЧ, КОЙЛЫБАЕВ ЖУМАЖАН АЙТБЕКОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G09B 23/24
Метки: слоя, структуры, сыпучих
Опубликовано: 07.05.1988
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1394223-sposob-opredeleniya-struktury-sloya-sypuchikh-materialov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения структуры слоя сыпучих материалов</a>
Предыдущий патент: Устройство для обучения основам вычислительной техники
Следующий патент: Устройство для моделирования процесса формирования рефлексов у животных
Случайный патент: Клапан для бурильной колонны