Патенты с меткой «резисторов»

Номер патента: 951180

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Никифоров, Шифрин

МПК: G01R 27/00

Метки: качества, контактирования, переменных, резисторов

...переменного резистора.55 При подключении к клеьмам 26движка проверяемого переменного резистора и замыкании ключевого элемента 2 напряжение через нормально бО замкнутые контакты 8 и 10 обесточенного первого управляющего реле 7 и сопротивление контактируемой поверхности .проверяеьюго резистора поступает на обмотку измерительного, 65 реле 3 (например, поляризованноереле типа РП),Подвижный контакт 4 реле 3 при-жимается к контакту 5, в результатечего с задержкой, определяемой элементами 18 и 19, замыкается цепь питания обмотки первого управляющегореле 7, и, через диод 24, обмоткиизмеритель но го реле 3,При срабатывании первого управляющего реле 7 включается индикатор17 ф Рабочий участок ф , сигнапиэирукиций о нахождении движка...

Номер патента: 951418

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Борисов, Бороздин, Меркулов, Мишанин, Шигапов

МПК: H01C 17/00

Метки: пленочных, подгонки, подгоночными, резисторов, секциями

...В 5На фиг. 1 изображен график, иллюстрирующий распределение значений величин сопротивлений резисторов; на фиг, 2 - представлена функциональная схема устройства.30Устройство содержит контактный блок 1, аналого-цифровой преобразователь 2, блок 3 деления, блок 4 ввода, блок 5 вычитания, блок 6 умножения, блок 7 коммутации, высокочастотный генератор 8, например генератор факельного разряда, рабочие электроды 9.Устройство работает следующим образом.После подключения контактного блока 1 к резистору на выходе аналого-цифрового преобразователя 2 сопротивление-код появляется фактическое значение величины сопротивления резистора (Р ), Эта величина вычитается в блоке 5 от номинального значения (Р). На выходе вычитающего блока 5 появляется значение...

Номер патента: 953673

Опубликовано: 23.08.1982

Автор: Чернявский

МПК: H01C 17/00

Метки: номинал, пленочных, подгонки, резисторов

...величины можно минимизироватьЗО величину недореза.Устройство работает следующим образом.В исходном положении заготовка резистора (не показана) находится в35блоке 11 цанговой системы и величинаего сопротивления измеряется блоком13 контроля, На вход блока 1 управления с выхода блока 13 контроля поступает сигнал с амплитудой, пропор 40циональной величине сопротивления заготовки резистора, С выхода блокауправления напряженИе с амплитудой,пропорциональной шагу нарезки черезкоммутатор 3 поступает на второй45блок 10 памяти, где происходит запоминание и хранение этого уровнянапряжения. При этом уровень напряжения соответствует коэффициентупередачи блока 1 управления для воспроизводимой или моделируемой кривой50нарезки. Затем начинается...

Номер патента: 953674

Опубликовано: 23.08.1982

Авторы: Заика, Кравченко, Погорелый, Попов

МПК: H01C 17/242

Метки: номинал, пленочных, плоских, подгонки, резисторов

...луча, должен обладать дисперсией спектральной ) в плоскости , в которой производится пространственная раз- вертка компонента луча. В качестве такого элемента могут быть использованы дисперсионные призмы или дифракционные решетки, Основное требование к оптическому элементу 4 обеспечить необходимую угловую дисперсию оценка ее будет дана ниже) при минимальных потерях интенсивности компонент лазерного луча.Остальные элементы блок-схемы (фиг. 1) известны и не требуют дополнительных пояснений. Отметим только, что блок 12 управления может быть построен на базе мини-ЭВМ,цто 1существенно расширит возможности всего устройства и обеспечит полную автоматизацию процесса подгонки. Устройство работает следующим образом.Плата с резисторамине...

Номер патента: 955224

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Азаренков, Крылов

МПК: H01C 17/26

Метки: величины, вентильных, металлов, пленочных, подгонки, резисторов, сопротивления

...диодов с первойдиагональю измерительного моста 1,регулятор 5 режима осаждения, состоящий из блока б управления и транзисторного ключа 7. Измерительный мост1 содержит эталонный резистор 8 и катод 9.Устройство питается от синусоидального напряжения промышленной частоты,35один полупериод которого используется для питания измерительного моста1, а другой - для Формирования регулятором 5 режима анодирования пилообразных импульсов напряжения перемен 40ной длительности. Блок 2 измеренияи управления построен на основе,например, двух компараторов (не показан), один из которых выдает сигнал, на блок б управления по достижении 45сопротивления 90-95 от требуемого,а другой при достижении номинала. Устройство работает следующим образом.Подгоняемый...

Номер патента: 960969

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Белицкая, Генесева, Калашников, Кучеренко

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, основе, резистивный, резисторов, толстопленочных

...-60 С АРО 5,48-6,44до + 125 С составляет не более 0,5%. Ь 10 5,34- 14,70 После выдержки толстопленочных резисто- ООЗ 15,13 16,50 ров в условиях относительной влажности в,о, 32,93-35,92 . воздуха 98% при + 40 С в течение 30 сут Кроме того, согласно спосооу изготов- уход номинальных значений сопротивления ления толстопленочных резисторов на ос составляет не более 1%, нове резистивного материала, включаюше- ТКС резисторов с удельным сопротивму нанесение на диэлектрическую подложку лением от 100 Ом/кВ до 100 кОм/кВ резистивной композиции с последующим в интервале температур от - 60 оС до вжиганием ее, отличается тем, что вжи- + 125 оС не хуже + 1101/град. ганне проводят при 630 - 640 С в тече-,15 Предлагаемое изобретение позволяето ние 8.-...

Номер патента: 960970

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Вязовкин, Лопухин, Семенова, Чудаковский

МПК: H01C 17/242

Метки: подгонки, резисторов, тонкопленочных

...их над подгоняемым резистором,В течение времени перемещения бло"ков 10 и 12 блок 9 автоматическогоуправления стабилизацией и подгонкойопределяет температурный коэффицйент50сопротивления подгоняемого резистора.Это необходимо, ибо отсутствие учетатемпературного коэффициента сопротивления (ТКС) ведет к появлению дополнительной погрешности, После его оп 55ределения происходит вычисление величины ьР, на которую необходимо подогнать резистор с учетом ТКС, Послеэтого на управляющем выходе блока 9 автоматического управления стабилизацией и подгонкой появляются сигналы, поступающие на вход блока 10 преобразования интенсивности излучения, причем число и величина этих сигналов пропорциональны Д В.Блок 10 преобразования интенсивности излучения...

Номер патента: 960971

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Кузнецов, Лазарев, Момонт

МПК: H01C 17/235

Метки: пленочных, подгонки, прецизионных, резисторов

...39и 40, электронной линии задержки 41,интегратора 42, инвертора 43, компаратора 44, логического элементаИ 45 и трех ключей 46 -48,Устройство работает следующимобразом.Подложку 49 с подгоняемыми резисторами закрепляют на координатномстоле 2 в подложкодернателе 11, Подгоняемый резистор подключают с помощью контактных элементов 9 и 10960971 30 Устройство для подгонки прецизионных пленочных резисторов, содер 5к блоку 31 контроля величины сопротивления. На эталонном магазине со"противлений 32 устанавливают требуемую величину сопротивления резистора. Перемещением кареток 12 и 13 5с помощью электродвигателей 14 и 15подводят подгоняемый резистор к иглам-электродам 21. Руцкой 26 зубчатореецного механизма опускают иглыэлектроды 21 на резистивный...

Номер патента: 961169

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Лебедев, Хижа

МПК: H05K 3/00

Метки: печатных, пленочных, резисторов, схем

...с парными проводящими контактными площадками 32-45 на резисторномслое 46-47. Полученные дискретные части резистора с проводящими площадками и соответственные элементы 6-") 5-15 фотошаблона, определяющие то 1961169 пологию дискретных частей резисторов,формируют согласно соотношениям(2)-(5) . Затем проводят промежуточное измерение величины изготовленной части резистора, например резистора 18, по контактным площадкам 32и 39Смещают фотошаблон по оси Хи повторным удалением проводящегослоя путем селективной фотолитографии полосков, по длине совпадающихс осью Х, на участках длиной ь Р,согласно соотношению (1) Формируютнедостаточную часть каждого резистора в виде дискретных частей 48-54(фиг.5 .Смецают фотошаблоны по оси У ина плате повторным...

Номер патента: 964490

Опубликовано: 07.10.1982

Авторы: Бабаков, Власов, Зеленцов, Козин, Стрельцин

МПК: G01L 1/22

Метки: изготовлении, корректировки, кристаллах, резисторов, фотошаблонов

...фиг, 1.изображен радиальный резистор; , на фиг. 2 - тангенциальный резистор.964490Измерительная схема представляет собойдва радиальных резистора, содержащих шестьпрямолинейных участков 1, обладающих элек.трическим сопротивлением (фиг. 1) и два/тангенциальных резистора, каждый из которыхсодержит по два прямолинейных участка 2реэистивного слоя, (фиг, 2).Методом фотолитографии на подложкеформируют монтажные площадки 3 и металлизированные перемычки 4 в изгибах резисто.ров. При этом используют негативные фото.шаблоны с единичным изображением схемычувствительного элемента, представляющие со.бой слой,для вскрытия окон под контакты.Затем после удаления незащищенных фоторезистором участков проводящего слоя формируют фоторезистивную...

Номер патента: 968862

Опубликовано: 23.10.1982

Авторы: Авдеенко, Виницкий, Глот, Щелоков

МПК: H01C 17/30, H01C 7/112

Метки: нелинейных, резисторов

...коинейности, воспроизвоамперных характеристик их при токовых пере3 9688624цинка и 10-15 вес. Ж оксида бора и до регрузках в области 1 ОфА смчто,100 вес. 3 необожженной смеси оксида .обеспечивает повышение надежности рацинка с добавками оксидов металлов, боты ограничителей напряжений, основ"прессуют из полученной смеси заготов- нйм элементом которых является нелики и обжигают их.нейный оксидно-цинковый резистор.П р и м е р. Приготавливают 70 вес. Фсмеси оксида цинка с добавками оксидов сурьмЫ, висмута, марганца, ко- формула изобретениябальта Компоненты смеси берут в следующих количествах, мол. Ф: 97,5 ок Способ изготовления нелинейных ресида цинка; 1,0 оксида сурьмы; 0,5 . зисторов включающий смешивание оксиоксида висмута, 0,5...

Номер патента: 978204

Опубликовано: 30.11.1982

Авторы: Морозова, Петрова, Румянцева, Филатов, Шутова

МПК: H01C 7/00

Метки: резисторов, стекло

...температурах вжи978204 Состав Предлагаемый 10 60 10 70 15 60 20 6510 55 10 66 11 10 10 10 15 Известный Таблица 2 Свойства. Состав Плотность, Микротвердость, Термостойкость, г/см кг/мм С Предлагаемый 5,5 450 130 440 120 54 450 130 5,4 500 140 55 460 120 5,5 Известный 400 90 гания резисторов, что ухудшает качество поверхности резистора,Введение менее 5 В 103 в составстекла также повышаеттугоплавкостьстекол и приводит к повышению температуры вжигания резисторов более850 ОС, введение ВЫ 03 более 15ухудшает термостойкость стекол ирезисторов на их основе до 100 сС,МО является компонентом стекла, повышающем его термостойкость;введение менее 5 А 6203 незначительно повышает его, а содержание АР 03более 15, хотя и желательно с точкизрения...

Номер патента: 978208

Опубликовано: 30.11.1982

Авторы: Афанасьев, Нефедов

МПК: H01C 17/04

Метки: аксиальными, выводами, проволочных, резисторов

...проызводится пружиной 31,Для совмещения прорезей 2 оправок1 с траекторией выгрузки-загрузкиэаготовфк 4 из оправок 1 манипулятором 13 станок снабжен устройствомточного останова механизма креплениязаготовок (не показан),Для досылки заготовки 4 в захваты16 манипулятора 13 каретка 14 снабжена упором 32.Для сброса намотанного резистораиэ захватов 17 манипулятора 13 нанижний транспортер 20 неподвижныегребенки 33 верхнего транспортера 19снабжены сбрасывателем 34,Неподвижные гребенки шаговыхтранспортеров сделаны короче подвижных на длину технологической кассеты35. Кассета 35 с заготовками пристыковывается к неподвижным гребенкамверхнего транспортера 19, а свободная - к неподвижным гребенкам нижнего транспортера 20.Управление работой устройства...

Номер патента: 983765

Опубликовано: 23.12.1982

Автор: Буренин

МПК: H01C 17/00

Метки: пленочных, подгонки, резисторов, сопротивления, цилиндрических

...соединен с первым входом мостовой измерительнойсхемы,На чертеже изображена блок-схема 4 Оустройства.Устройство содержит каретку 1с размещенными на ней цанговыми зажимами 2, блок 3 контроля сопротивления резистора, блок 4 программ, механические приводы 5 и б вращенияи продольной подачи резистора, блок 7инструмента нарезки, обеспечивающийнарезание изолирующей канавки, блок 8памяти, эадатчик 9 среднего шага нарезки, мостовую измерительную схему10 с позицией замера 11, линейныйусилитель 12 а также сумматор 13.Устройство работает следующим образом.Заготовки резисторов, подлежащиеподгонке в номинал, грубо предварительно раскалибровываются, напримерс допуском +25. На блоке 4 программвручную выставляется среднее значениеноминала иэготовки...

Номер патента: 983766

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Демин, Стерхов, Стерхова

МПК: H01C 17/00

Метки: индивидуальной, подгонки, резисторов, тонкопленочных

...6,30На магазине 8 эталонных сопротивлений устанавливают требуемую величину сопротивления эталонного резистора, Затем на блок 9 сравнения ивыбора направления ведения подгонки 35 подают два сигнала - один с магазина 8 эталонных сопротивлений, другой с блока 7 контроля и управления подгонкой. На основании сравнения этих двух сигналов блок 9 сравнения 40 и выбора направления ведения подгонки вырабатывает один из двух сигналов рассогласования, первый из которых соответствует тому, что подгоняемый резистор 13 меньше эталонного, второй тому, что подгоняемый резис" тор 13 больше эталонного, В случае, если с блока 9 сравнения и выбора направления ведения подгонки на блок 4 автоматического вертикального перемещения игл-электродов поступает...

Номер патента: 989592

Опубликовано: 15.01.1983

Авторы: Мишанин, Шигапов

МПК: H01C 17/10

Метки: пленочных, подгонки, резисторов

...гиперболоида и включенная между первым вЫ О ходом генератора и рабочим электродом, а длина рабочего электрода определена формулой е = 1-." Се - -1 15 1 е. = -2где м) - круговая частота генератора факельного разряда. При этом ус, ловии в колебательном контуре ингде д - расстояние между электродами,5 - площадь меньшего торца индуктивностиг - радиус рабочего электрода; 201 - длина рабочего электрода.На чертеже представлена ;.функцио"нальная схема устройства,Оно содержит генератор 1 факельного разряда, индуктивность 2, рабочий электрод 3, вспомогательный электрод 11,Устройство работает следующимобразом,Подложка 5 с пленочным резистором 30(не показан) располагает ся на вспомогательном электроде 11. Рабочийэлектрод 3 подводится под...

Номер патента: 993342

Опубликовано: 30.01.1983

Авторы: Горелов, Минакова, Пугачев, Татьянченко, Халин

МПК: H01C 17/00

Метки: композиционных, резисторов

...резистив мента, нанесение на него оболочки и сушку, нанесе оболочки на резистивный осуществляют намоткой пр ных эпоксидной смолой ни ловолокна одновременно с температуре, иэменяющейс ному закону от 50 до 180 ние 20-60 мин.Способ осуществляется образом. Резистивный элемент собирают из отдельных цилиндрических деталей диаметром и высотой 0,5 мм помещают в термокамеру с вытяжйым окном, а затем обматывают послойно нитями из стекловолокна,пропитанными эпоксидной смолой ЭД. Намотку осуществляют вращением резистивного элемента вокруг своей оси с угловой скоростью 2-16 об/мин и возвратно-поступательным перемещением нитей из стекловолокна. Одновремекой осуществляют сушку в20 - 60 мин при непрерывщенки резистора внутри тот одного ее конца к...

Номер патента: 996356

Опубликовано: 15.02.1983

Авторы: Корнатовский, Махонина, Панов, Тризна, Федоров

МПК: C03C 3/10

Метки: резисторов, стекло, толстопленочных

...10 530 527 15 3 10 526 Со- ста Мпо Таблица 3 ТКС, 10- 1/град табильность езисторов осле воздейтвия повышеной влажности,ф Удельное поверхностноесопротивление,Ом/п Стабильнострезисторовпосле воздействияэлектрической нагрузки, Ъ Соста т -60 о +25 т +25о +125 32,0,05,26 Д 6203, что, с го коэф торов с нием, о и МпО гредиен 60 Зб,О-М 1 2",О"30 8,0-10 7 О" 8 502В 20,ВгазА 10,резисВО В 2 5,0 стабильности сопротивления в процессе эксплуатации резисторов при воздействии электрических и климатических факторов,Наличие в составе стекол крупных Ионов Сц 2+и Мп 4+в сочетании с малы ми ионами с сильным кулоновскпм полем АЗ+и В 3+обеспечивает необходимую плотность упаковки ионов и затрудняет ионную проводимость стекла, что и позволяет уменьшить ТКС...

Номер патента: 997105

Опубликовано: 15.02.1983

Автор: Тягунов

МПК: H01C 17/242

Метки: пленочных, подгонки, резисторов

...выше 50 Ъ.Цель изобретения . - повышение производительности и надежности работы путем исключения холостого хода подвикной части, что обеспечивает непрерывность процесса нарезки, и увеличение площади зеркала, от которой отражается лазерный луч.Поставленная цель достигается тем, что в устройстве для подгонки пленочных резисторов путем формирования подгоночного реза, содержащем источник лазерного излучения, формирователь лазерногб луча, снабженный поворотным зеркалом для отражения лазерного луча с электроприводом вращения, фокусирующую систему и механизм вращения резистора, поворотное зеркало выполнено в виде однозаходной одношаговой винтовой поверхности, ось вращения которой располокена параллельно направлению лазерного луча, при этом шаг...

Номер патента: 997106

Опубликовано: 15.02.1983

Автор: Чернявский

МПК: H01C 17/245

Метки: номинал, пленочных, подгонки, резисторов, сопротивления

...3 - схема защищаемого интегратора.Устройство содержит блок 1 контроля сопротивления и блок 2 управления, соединенные входами с электроконтактами шпинделей шпиндельнойголовки 3 ( не показаны ), лазер 4,соединенный с одним из выходов блока 1 контроля сопротивления, интегратор 5, входя которого соединеныс выходами блока 1 контроля сопротивления и блока управления 2, сумматор 6, соединенный входами с выходами блока 1 контроля сопротивления и блока управления 2, сумматоРб, соединенный входами с выходамизапускаемого интегратора 5 и блокауправления 2, а выходом - со входомэлектропривода вращения шпинделей 7,при этом электропривод вращенияшпинделей 7 и электропривод продольной подачи 8 механически соединенысо шпиндельной головкой 3,Ьлок контроля...

Номер патента: 1003157

Опубликовано: 07.03.1983

Автор: Хромушин

МПК: H01C 17/242

Метки: лазерной, пленочных, подгонки, резисторов

...на входы блока 15формирования импульсов и кольцевогораспределителя 16, разрешая их работу,На выходах кольцевого распределителя 16. Формируются последовательно распределенные во времениимпульсы, .с помощью которых распределяются во времени циклы измерениясопротивления резистора, воздействия луча лазера 1 на резистор и перемещения координатного стола 2Блок 9 измерения относительнойошибки сопротивления резистора Форми.рует на выходе напряжение, пропорциональное отношению разности сопротивлений эталонного и подгоняемогорезисторов к сопротивлению эталонного резистора. Первоначально сопротивление подгоняемого резистора меньшесопротивления эталонного резистора.В результате на выходах нуль-органа18 и блоков 8 и 12 сравнения присутствуют уровни...

Номер патента: 1004485

Опубликовано: 15.03.1983

Авторы: Блинов, Меркушев, Чурилов

МПК: C23C 13/00

Метки: гибкой, подложке, резисторов, тонкопленочных

...резистивного материала наподложку, после чего маскируют реперные знаки, а проводящие элементыФормируют методом Фотолитографии,причем локальное осаждение резистивного материала на подложку осуществляют через свободную маску.П р и м е р. Через свободную маску на полиимидную подложку наносятметодом вакуумного испарения резистивные элементы и реперные знаки. Маска в данном случае, кроме своей основной Функции, играет роль теплового экрана, предохраняющего подложкуот перегрева при нанесении тугоплавких материалов. Затем маскируют реперные знаки и наносят сложной проза ,004485 Составитель Н. Серебрянннкова lТехред Т.Маточка КоРРектоР О Билак Редактор Т. Парфенова Заказ 1805/36 Тираж 954ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений...

Номер патента: 1012354

Опубликовано: 15.04.1983

Авторы: Карымов, Минеев

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, низкоомных, резисторов, тонкопленочных

...основе порошков дисилицида молибдена и никеля.Исходными компонентами материала 1 О служат следующие порошки: Молибдендисилицид (МоЫд) ТУ-09 03-395-74,никель, марка ПЙК 1 Л 5 ГОСТ 8722-71Средняя дисперсность порошковсоставляет 40 мкм.Для получения материала порошкиисходных составляющих (Мо 8 и М ),взятые в необходимых пропорциях, подвергают мокрому смешиванию в средеэтилового спирта 250 мл на 1 кг 20 шихты в течение 8 ч. Смешиваниепроводят е полиэтиленовом барабанес агатовыми шариками диаметром 1 О мм,Барабан вращается на рольганге со ссредней скоростью 75 об/мин, Соотно шение масс шаров и шихты составляет3:1После смешивания полученную шихту сушат е термошкафу при 60-80 С иподвергают протирке через сито с 30 сеткой 10063 для разрушения...

Номер патента: 1014045

Опубликовано: 23.04.1983

Авторы: Кузнецов, Юсипов

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, низкоомных, резисторов, тонкопленочных

...для низкоомных тонкопле.ночных резисторов, содержащий ниобий и легирующие добавки, в качестве легирующих добавок содержит ванадий, молибден, хром и углерод при следующем количественном соотношении ком понентов, вес.%: 0,55,00,010,3 МолибденУглеродХром Ниобий Остальное 5,25 10,0 0,1 б,б 2. Ванадий МолибденУглеродХром Ниобий Остальное 3. Ванадий 11,0 Молибден 15,0Углерод 0,2 Хром 13,0 0,5-11,0 ВанадийМолибден Углерод Хром Ниобий 5.0-15,0О, 01-0,2. 40 0,3-13,0 Остальное Приведены конкре ные примеры 45 приготовления реэистивного материала предложенного сплава с различным содержанием исходных компонентов и их характеристики.Методом вакуумной дуговой плавки получали мишени из предложенного Численные значения параметров материала Рабочий...

Номер патента: 1014048

Опубликовано: 23.04.1983

Авторы: Гречанлийский, Железных

МПК: H01C 17/00

Метки: намотки, резисторов

...счетчика 7 импульсов. Измерительное плечо моста образовано последовательно включенныви дополнительным резистором 6, служащим для увеличения активной составляющей плеча в начале намотки, отдающей бобины 9 с микропроводом и наматываемгм на каркас 10 резистором. Нуль- орган 11 с индикатором 12 его состояния выполнен по фаэочувствительной схеме, включен в диагональ моста и имеет возможность выдавать сигналы состояния моста со сменой сигнала в момент перехода моста через ноль баланса. Раскладчик 13 микропровода редуктором 14 связан с шаговым двигателем 15, который, в свою очередь, связан с блоком управления 16 шаговым двигателем. Каркас 10 наматываемого резистора через шпиндель 17 связан с двигателем 18 намотки, Блок слежения 19...

Номер патента: 1014049

Опубликовано: 23.04.1983

Автор: Крылов

МПК: H01C 17/26

Метки: вентильных, металлов, номинал, пленочных, подгонки, резисторов, сопротивления

...- с вторым входом Формирователя измерительного тока, эмиттер - с первым входом операционного усилителя и выходом формирователя измерительного тока. Кроме того контактный узел выполнен по четырехзондовой схеме, третий вход которой соединен с общей шиной, а второй вход - с катодом.Укаэанное включение формирователя измерительного тока, протекающегочерез эталонный и подгоняемый резисторы, позволяет с большой точностью реализовать закон Ома при изменяющихся в широких пределах сопротивлениях подгоняемых резисторов, позволяетприменить четырехзондовое включениеподгоняемого резистора, что существенно повышает точность измеренияв широком диапазоне номиналов вплотьдо самых ниэкоомных резисторов,Кроме того, тавое построение устройства позволяет...

Номер патента: 1018155

Опубликовано: 15.05.1983

Авторы: Лен, Тимашов

МПК: H01C 17/08

Метки: заготовки, осаждения, парогазовой, покрытий, резистивных, резисторов, фазы

...оставовками,.:вызванными работой электромагнитных,клапанов,цель изобретения - повышение качества покрытия и. производительностиэ рабоче,.Поставленная цель достигается тем,что устройство. для осазщения резистивиых покрытий из: парогазовой .фазы. на 5 Озаготовки рези"торов, содержащее механизм загрузки заготовок резисто- .р 6 в, вертикально установленную на основании реакционную трубу с нагревателем, механизм регулиррваиия скорости перемещения заготовок в реакцион ной трубе и систему подачи парогазо"вой.смеси в реакционнукг трубу, снабжено накопителем обработанных загото.вок, располоаенньм иа выходе реакциоиной труфы, соединенным с системойподачи парогазовой смеси в реакционную трубу, причем механизм регулирования скорости...

Номер патента: 1019500

Опубликовано: 23.05.1983

Авторы: Астров, Карпеченков, Слушков, Теплицкая, Шоткин

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный, резисторов, тонкопленочных

...резистивный материал,включающий хром, кремний, вольфрам, идиоксид марганца, дополнительно содержит диоксид церия при следующем количественном соотношении компонентов, вес.Ъ:ВольФрам 10-20Кремний 15-25Диоксид марганца .15-30Диоксид церия .8-36Хром ОстальноеВведение в известный резистив-ный материал двуокиси церия - оксицаметалла с большим атомным весом "позволяет .расширить диапазон удельных сопротивлений реэистивных пленок,получаемых ионно-плазменным напылением до 12000 Ом/о при низком (длявысокоомного диапазона) ТКС в пределах (.150-400) 10 1/С и при сохранении во всем. диапазоне высокой стабильности их свойств во времени притемпературе окружающей среды от -60до +155 С.П р и м е р. Для получения мишенейиэ резистивного материала готовят...

Номер патента: 1020782

Опубликовано: 30.05.1983

Автор: Евсеев

МПК: G01R 27/00

Метки: дистанционного, изменения, радиационного, резисторов, сопротивления

...подключены ис 5 точник напряжения и дифференциальный усилитель осциллографа, дополнительно введены три компенсирующиекабельные линии, два дополнительныхрезистора, номинально равных облу 10 чаемому резистору, и два разделительных конденсатора, причем, одинконец первой компенсирующей линиичерез первый разделительный конденсатор подключен в то же плечо мостовой схемы, в котоРое включена кабельная линия с подключенным к нейоблучаемым резистором, второй конецдервой компенсирующей линии разомкнут, между первым ее концом и земляной шиной включен первый дополни 20 тельйый резистор, вторая компенсирующая линия подключена одним концомв соседнее плечо мостовой схемы, второй конец ее разомкнут, третья ком,пенсирующая линия подключена одним25...

Номер патента: 1026170

Опубликовано: 30.06.1983

Автор: Глот

МПК: H01C 7/108

Метки: материал, нелинейных, резисторов

...ренциальное сопро- тивлексид исмут Коэффици ент нели нвйности иоксид ремния 5 7 80 6,5 0-" 0 93 7 300 800 Составитель Ю.Герасичкактор Е,Лушникова Техред А, Бабинец к писное омитета ССС открытийушская наб., д, 4/5 илиал ППП Патент, г.ужгоро ектная,Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в техналогии изготовления нелинейных резисторов.Известен материал для нелинейныхрезисторов, представляющий собой состав стекла системы Ав " Те - Г (1).Недостаток известного материаласостоит в низком коэффициенте нелинейности (до 4)Наиболее близким к предлагаемомутехническим решением является материал для нелинейных резисторов, включакщий оксид висмута и диоксид кремния (2) .Недостаток заключается в низком...