Способ корректировки фотошаблонов при изготовлении резисторов на кристаллах

ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯХ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциалистическихРесттублик(23) Приоритет -Государственный каиктвтСССР ао делаи изабрвтеикй и открытии(72) Авторы изобретения Бабаков ШОЮЗ 1 тяйЮ.ГЕНТНЭ 1 гееечесеае 13ИБЛИЭТЕЫА(54) СПОСОБ КОРРЕКТИРОВКИ ФОТОШАБЛОНОВ ПРИ ИЗГОТОВЛЕНИИ РЕЗИСТОРОВ НА КРИСТАЛЛАХ1Изобретение относится к измерительнойтехнике и может быть использовано при раз.работке и изготовлении полупроводниковыхрезисторов и тензорезисторов для малогабаритных первичных преобразователей.Известен способ изготовления резисторов,включающий формирование упругого элементас диффузионными тензорезисторами, соединен.ными по мостовой схеме, и калибровочнымидиффузионными резисторами 11.Недостатками этого способа являются значительный разброс сопротивлений тензорезисторов, а также увеличение габаритов тензопреобразователя за счет введения больших поплощади калибровочных резисторов,Наиболее близким к предлагаемому по тех.нической сущности является способ корректи.ровки при изготовлении тензометрическогопреобразователя, предусматривающий определе-.ние разброса сопротивления резисторов икорректировку слоя для вскрытия окон подконтакты резисторов с металлизацней 2.В этом способе на величину среднего систематического разброса сопротивлений влияют невоспроизводимость размеров ширинырезисторов на различных чувствительных элементах, расположенных в разных местах пластины, разброс удельного поверхностного со.противления по пластине, ошибка в шагемультипликации при изготовлении рабочихфотошаблонов н неточность совмещения наопеоациях фотолитографии. Целью изобретения является повышениеточности изготовления резисторов.Поставленная цель достигается тем, чтосогласно способу формируют с использованием единичных промежуточных фотошаблонов в увеличенном масштабе резисторы, имеющие удельное поверхностное сопротивлениев 5 - 10 раз, превышающее удельное поверхностное сопротивление резисторов на кристал-,лах, определяют разброс сопротивлений формированных резисторов и переносят окна под 20контакт с металлизацией на соответствующемединичном промежуточном фотошаблоне,На фиг, 1.изображен радиальный резистор; , на фиг. 2 - тангенциальный резистор.964490Измерительная схема представляет собойдва радиальных резистора, содержащих шестьпрямолинейных участков 1, обладающих элек.трическим сопротивлением (фиг. 1) и два/тангенциальных резистора, каждый из которыхсодержит по два прямолинейных участка 2реэистивного слоя, (фиг, 2).Методом фотолитографии на подложкеформируют монтажные площадки 3 и металлизированные перемычки 4 в изгибах резисто.ров. При этом используют негативные фото.шаблоны с единичным изображением схемычувствительного элемента, представляющие со.бой слой,для вскрытия окон под контакты.Затем после удаления незащищенных фоторезистором участков проводящего слоя формируют фоторезистивную маску резисторовизмерительной схемы, используя для этогонегативный фотошаблон с единичным изображением схемы чувствительного элемента, пред. щставляющего собой слой для вскрытия оконпод резисторы,На сформированных резисторах определяютсистематическую ошибку и величину среднегоразброса сопротивлений и по .полученным.результатам определяют величину коррекцииположения контактного окна от расчетногои соответственно изменяют .координаты соответствующих точек чертежа,Пэ скорректированным координатам изготавливается новый негативный промежуточ.ный фотошаблон слоя для вскрытия оконпод контакты и последующим уменьшениемс одновременным мультиплицированием изго. тавливают комплект рабочих фотошаблонов для последующего формирования измерительной схемы чувствительного элемента,Использование предлагаемого способа позво. ляет повысить точность определения систематического разброса номиналов резисторов и точность корректировки их геометрии,Формула изобретенияСпособ корректировки фотошаблонов приизготовлении резисторов на кристаллах, включающий определение разброса их сопротивлений и корректировку слоя для вскрытияокон под контакт резисторов с металлизацией,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с цельюповышения точности изготовления резисторов,формируют с использованием единичных промежуточных фотошаблонов в увеличенноммасштабе резисторы, имеющие удельное поверхностное сопротивление, в 5-10 раз превышающее удельное поверхностное сопротивление резисторов .на кристаллах, определяютразброс сопротивлений сформированных рези.сторов и переносят окна под контакт с ме.таллизацией на соответствующем единичномпромежуточном фотошаблоне,Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1, Патент Великобритании У 1208382,кл. 6 1 1 ч, опублик. 1 о 69.2, Авторское свидетельство СССР Юф 769370,кл. 6 01 1. 1/22, 29,07,78 (прототип).964490 Составитель В. ГодзиковскийТехред Е. Харнтончнк. а нлак Корректор едактор Н, Бо/2 каз ал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Про Тираж 887 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5