Резистивный материал и способ изготовления толстопленочных резисторов на его основе

(71) Заявител РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ И СП ОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ Б ИЗГОТОВЛЕНИЕГО ОСНОВЕ Изобретение относится к электроннойтехнике и может быть использовано, например в микроэлектронике для изготовле ния толстопленочных резисторов.Известен реэистивный материал, содержащий мелкодисперсный порошок цинкалюмоборатного стекла и бор, Толстопленочные резисторы на его основе. изготовляю путем нанесения на диэлектрическую подложку резистивной композиции с последующим вжиганием ее 1 .Недостатки известного резистивного материала и способа изготовления толсто пленочных резисторов на его основе состоят в высоком температурном коэффициенте сопротивления ( ТКС), низкой влагоустойчивости и термостабильности.Наиболее близким к изобретению по технической сущности является резистивный материал, содержащий мелкодисперсный порошок цинкалюмоборатного стекла и бор. Способ изготовления толстопленочных резисторов на основе этого резистив ного материала включает нанесение иа диэлектрическую подложку резистивной композиции с последующим вжиганием ее 23. Недостатки известного резистивногоматериала и способа изготовления толстопленочных резисторов на его основе заключаются в высоком ТКС, низкой влагоустойчивости и термос табильности.ЕЬль изобретения - снижение темпера 1 Отурного коэффициента сопротивления, повышение влагоустойчивости и термостабильнос ти.Поставленная цель достигается тем,что резистивный материал, содержащий15мелкодисперсный порошок цинкалюмоборатного стекла и бор, содержит в качествемелкодисперсного порошка цинкалюмоборатного стекла смесь оксидои ЕЛО -МО361,10 - ИОО - ВОЗ при следующем О соотношении компонентов, вес. %: Смесь оксидов 2 п О - М., О - в 2 о, - мое, - ь,о,ж - 99 Бор 1-850пр нформациние при э350381970.обритании01 С 7/О Источники инятые во вним 1. Патент США кл. Н 01 С 7/00,2, Патент Велик1130575,кл, Н33,69 32,82 5,4815,49 35,9236,395,8516,50 96 5 5 Заказ 7301 ВНИИП сное филиал ППП Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,3 960969 4При этом оксиды смеси 2 пО - МО - В изготовленной партии иэ 400 толс - ЙОО - В 10 взяты в следующих топленочных резисторов уходноминальных количествах, вес. %: значений сопротивления резисторов после2 дО 30,80-36,39 роздействия пяти термоциклов от -60 С АРО 5,48-6,44до + 125 С составляет не более 0,5%. Ь 10 5,34- 14,70 После выдержки толстопленочных резисто- ООЗ 15,13 16,50 ров в условиях относительной влажности в,о, 32,93-35,92 . воздуха 98% при + 40 С в течение 30 сут Кроме того, согласно спосооу изготов- уход номинальных значений сопротивления ления толстопленочных резисторов на ос составляет не более 1%, нове резистивного материала, включаюше- ТКС резисторов с удельным сопротивму нанесение на диэлектрическую подложку лением от 100 Ом/кВ до 100 кОм/кВ резистивной композиции с последующим в интервале температур от - 60 оС до вжиганием ее, отличается тем, что вжи- + 125 оС не хуже + 1101/град. ганне проводят при 630 - 640 С в тече-,15 Предлагаемое изобретение позволяето ние 8.- 12 мин. повысить надежность гибридных интегральдля получения резистивного материала ных микросхем с толстопленочными резис,подготовлено четыре смеси компонентов, торами и снизить их себестоимость. содержащие каждая, вес. %: Смеси окси-Ф о р м у л а и э о б р е т е н и я дов 2 О -Й 60 - ВО - МоО - ВоО щ, 1. Резистивный материал, содержащий 92; 98; 99 и 96 и бора 8; 2; 1 и 4. мелкодисперсный порошок цинкалюмоборатКаждую смесь приготовляют следующим ного стекла и бор, о т л и ч а ю щ и й. обраэом. с я тем, что, с целью снижения темпеМелкодисперсный порошок смеси окси-;ратурного коэффициента сопротивления, дов 2 пО -А 20- ВО МОО - ВО 5 повышения влагоустойчивости и термостасваривают в стеклообразное, состояние с бильности, он содержит в качестве мелко- последующим помолом, смешивают с бо- дисперсного порошка цинкалюмоборатного ром и органическим связующим в виде стекла смесь оксидов 2 п О - АРО- смеси ланолина, вазелина и циклогексано 1 О - МО О - ВО при следующем ла, взятых в соотношении 4,5- 1,5; 1, соотношении компонентов, вес. %: и тщательно перемешивают компоненты, Смесь оксидов 2 пО - МО -3 Для получения высокоомных резисторов 8110 - МОО - 8092 - 99 мелкодисперсный порошок стекла предва- Бор 1-8 рительно подвергают термообработке при 2. Материал по и. 1, о т л и ч а ю + 20 С в течение 2 - 10 ч перед ш и й с я тем, что оксиды смеси 2 оО- смешиванием с бором и органическим свя- АВ 0810- МоО - В 1 О взяты вЭ 5 зуюшим. Полученную композицию наносят следующих количествах, вес. %; методом трафаретной печати на керамичес- . 2 п О 30,80-36,39 кую подложку 22С с контактными пло- АР 105 48 6 44 щадками, например из сплава А - РЗ юово, 5,34 - 14,70 и проводят вжигание в воздушной среде 14 оОЗ 15 13 16 50 конвейерной электропечи при 635; 630, ЦО32,93-35,92 640 и 638 оС в течение 8, 12, 11 и 3. Способ изготовления толстопленоч мин соответственно, ных резисторов на основе реэистивного.Оксиды смеси 2 пО - А 00 - 810- материала по и, 1, включающий нанесение МОО - В 10 использованы в количест- на диэлектрическую подложку резистивной45 вах, указанных в таблице. композиции с последующим вжиганием ее, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что вжигание проводят при 630-640 оС в течение 8-12 мин. 1