Способ изготовления тонкопленочных резисторов на гибкой подложке

ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик рц 004485(61) Дополнительное к авт. сеид-ву(22) Заявлено 190581 (21) 3294 б 04/18-21с присоединением заявки Йо(23) Приоритетр 1 М Кд 3 С 23 С 13/00 Государствеииый комитет СССР по делам изобретений и открытийДата опубликования описания 150383(54 ) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ НЙ, ГИБКОЙ ПОДЛОЖКЕИзобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве радиоэлектроннойаппаратуры при изготовленни микросхем частного применения, дискретныхтонкопленочных резисторов на гибкойподложке из полиимидной пленкиИзвестен способ изготовления тонкопленочных резисторов на пластмассовой пленке из полиимида или фторопласта, при котором пленка покрывается с обеих сторон слоями нихроматолщиной 0,002 мкм, а затем слоем меди толщиной до 20 мкм. Нанесениепокрытий осуществляется электроннымлучом, а травлением создаются резистивные элементы и соединения междуними. Значения поверхностного сопротивления лежат в пределах 20-300 Омна квадрат (Ом/П ) 1,11.Этот способ не позволяет получатьвысокоомные резисторы,Из известных технических решенийнаиболее близким к изобретению потехнической сущности является способизготовления тонкопленочных резисторов на гибкой подложке, включающийформирование резйстивных элементов,реперных знаков и проводящих элементов Г 21. Недостаток этого способа - большой разброс номиналов резисторов .Цель изобретения - уменьщение разброса номиналов резисторов.Поставленная цель достигается тем,что в способе изготовления тонкопленочных резисторов на гибкой подложке, включающем Формирование реэистивных элементов,. реперных знаков ипроводящих элементов, Формированиерезистивных элементов и реперныхзнаков осуществляют локальным осаждением резистивного материала наподложку, после чего маскируют реперные знаки, а проводящие элементыФормируют методом Фотолитографии,причем локальное осаждение резистивного материала на подложку осуществляют через свободную маску.П р и м е р. Через свободную маску на полиимидную подложку наносятметодом вакуумного испарения резистивные элементы и реперные знаки. Маска в данном случае, кроме своей основной Функции, играет роль теплового экрана, предохраняющего подложкуот перегрева при нанесении тугоплавких материалов. Затем маскируют реперные знаки и наносят сложной проза ,004485 Составитель Н. Серебрянннкова lТехред Т.Маточка КоРРектоР О Билак Редактор Т. Парфенова Заказ 1805/36 Тираж 954ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Подписное филиал ППП "Патент", г,ужгород, ул,Проектная, 4 После чего методом фотолитографии с использованием селективных травителей, формируют контактные площадки соединенные между собой пврежчками для образования электрической цепи, защищают резистивные элементы дйэлектрической пленкой, производят гальваническое осаждение металлов, .повышающих проводимость и паяемость контактных площадок при сборке ГИС и разделяют гибкуюподложку на отдель-, 10 ные элементы.Способ изготовления тонкопленоч- ных резисторов повышает процент выхода годных иэделий на гибкой подложке за счет: снижения теплового воэ действия на материал гибкой подложки при высокотвмпературном процессе нанесения рвзистивных элементов, выполнения контактных площадок и проводников методом фотолитографии, 2 О обеспечивающим повышение точности изготовления и совмещения проводящих элементов с резистивными. элементами. ( формула изобретения1. Способ изготовления тонкопле ночных резисторов на гибкой подложке,включащий формирование рвзистивныхэлементов, реперных знаков.и проводящих элементов, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью уменьшенияразброса номиналов резисторов, формирование рвзистивных элементов и реперных знаков осуществляют локальнымосаждением резистивного материалана подложку, после чего маскируютреперные знаки, а проводящие элементыформируют методом фотолитографии. 2.,Способ по п. 1, о т л и ч аю щ и й с я тем, что локальное осаж; дение резистивного материала на подложку осуществляют через свободную маску. Источники инфомарции,принятые во внимание при экспертизе 1. Электроника, М "Мирф, т.5.1,.Р 15(541), 1978.2. Ермолавв Ю.П. и др . "Конструкция и технология микросхем (ГИС иВГИС). М., "Советское радио", 1980,с. 34-38 (прототип ),