C23C 13/00 — C23C 13/00

Номер патента: 442239

Опубликовано: 05.09.1974

Авторы: Бобро, Борц, Воюев-Ларин, Донде, Лагутин, Лазарев, Селиванов

МПК: C23C 13/00

Метки: вакуумная, электропечь

...правой панели 26 на сво -бодновращающемся валу 32 подкатушечника 33 расположена приемнаякатушка ЗФ по конструкции сматываемая и приемная катушки ни, чем не отличаются друг от друга).На выходящем с заднеи стороныпанели 26 конце вала 32 жестко4, закреплена звездочка 35 цепнойпередачи и полумуФта 36 шарнирно-раздвижной муты 37, с по -мощью которой зал 32 подкатушечника 33 соединен переходным валом 38 с ведущим ВзлОИ электропризода 39, выполненного в видешестеренчатого редуктора с электромотором,Катушка. ЗФ, как и катушка 27,установлена на подкатушечнике Ззс возможностью вращения-скольжения, причем усилие скольжениярегулируется з необхадимых пределах. Для этого в подкатушечниках31 й 33 имеются продольные пазыФО с...

Номер патента: 444832

Опубликовано: 30.09.1974

Автор: Александров

МПК: C23C 13/00

Метки: вакууме, нанесения, слоев

...камеру, а также поддержания требуемого давления в последней предусмотрен натекатель 20.В камере 1 создают давление не меньше 30 5 10 -мм рт. ст. Через натекатель 20 подают 15 О П И С А Н И Е (и) 444832ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУаргон до 1 - 3 10 вмм рт. ст, На дополнительный электрод 19, выполненный из тантала, подают 200 - 250 в. Через 15 - 20 мин при помощи вала 7 подложкодержатели начинают вращать со скоростью 50 - 70 об/мин, На танталовый катод 17 подают напряжение 4000 в, устанавливают разрядный ток катода 100 ма. При этих режимах наносят слой тантала на подложки, расположенные на подложкодержателе 2. После нанесения слоя между катодом и подложками устанавливают заслонку (на чертеже не показана), стержню 9 придают...

Номер патента: 449118

Опубликовано: 05.11.1974

Авторы: Воскобойников, Гаврилов, Лагуткин

МПК: C23C 13/00

Метки: вакууме, многослойных, нанесения, покрытий

...оборудоч ванне: испврители 5, нагреватели 6, охладитель 7. Для напыления магнитных матриц служат электромагнитные кольца 8, в магнитное поле магнитные материалы напыляютсяи стабилизируются. Все камеры 10установлены; на каркасе 9, внутри которо;: го смонтированы, вакуумная система, пнев мосистема, система охлаждения и подводка электропитания.В транспортной камере расположены ме15 .хвнизм 10 транспортировки подложки 11,эксцентрик 12 привода съемника 13 и Г-образный рычаг 14. Перед отверстием, соединяющим транспортную камеру с рабо,чей, расположен шлюзовой затвор 15, В 20 рабочей камере расположена каретка съемника 16, опирающаяся на Г-образный рычаг, ; 14.Устройство работает следующим образом, Механизмы транспортировки 10...

Номер патента: 465445

Опубликовано: 30.03.1975

Авторы: Гаврилов, Шуберт

МПК: C23C 13/00

Метки: масок, механизм, подложками, совмещения

...2 размещается испаритель 6 и направляющие 7 и 8 механизма (фиг, 2), по которым с помощью роликов 9 и 10 перемещаются входящие в состав механизма составленные в беоконечную цепь кассетымаскодержатели 11 с масками. Перед шлюзом загрузки 3 в пылезащитном скафандре 12 (фиг. 1) размещается механизм подачи 13 многоместных спутников 14 (фиг. 3) с закрепленными на них подложками 15.Механизм совмещения масок с подложками работает следующим образом.Многоместный спутник 14 с закрепленными на нем подложками 15 устанавливается в пылезащитном скафандре 12, из которого он с помощью механизма подачи 13 и рокилов 16 при движении вверх входит в зацепление с пазами 17 предыдущего спутника 14, с помощью тянущего механизма 21 через шлюз загрузки 3,...

Номер патента: 485175

Опубликовано: 25.09.1975

Авторы: Веретин, Гропянов, Жунда, Зеберинь, Климова, Федорова

МПК: C23C 13/00

Метки: испарителя, материал

...ием л кой в вана основе оки циркония и соединени тана, Однако таки куумном сушильном шкафу. Обжиг т проводят в вакууме.После обжигав вакууме матери рителя имеет следующие характерно усадка - 10%; кажущаяся плотность ж ены ме т го актиодействую исп с ики;- 4,17 парени изобре ения - повышение термоиала испарителей в услови вышение чистоты испаряеотери ости матер вакуума и и о металла,йля этого в я характериз стойкостью сследовании риал испарителя доокись иттрия при слекомпонентов, вес. %:. олнительно вводяующем соотноше сле испарениядлагаемого соостороннимигли неустойчивы к пе 750 С) расплаву и тсротугоплавкие металлы материалом тигля за Кроме того, в каиспользуются кд титана,Испарители изготавливают пм увлажненной шихты под давл000...

Номер патента: 501118

Опубликовано: 30.01.1976

Авторы: Абеле, Зеберинь, Киршфельд, Клявин, Чолакян

МПК: C23C 13/00

Метки: испарения, металлов, сублимирующих

...0 верхности.ор возоб- предыличной ом атдне- иваол аетской четпри ение поии так плавле одит к Формула изобретени Способ испаре 25 лов путем нагр щийся тем, что тивности процесс сокого вакуума,лимнрующего те ЗО кого металла, ифективх средсубли- легко- низкую Изобретение относится к спосооам нанесения покрытий методом термического испарения и конденсации в вакууме и может быть использовано при испарении металлов, имеющих высокую упругость пара вблизи точки плавления.Известный способ испарения сублимирующих металлов с целью реализации теоретической скорости проводят либо в сверхвысоком вакууме (выше 10 -мм рт. ст,), либо при высокой температуре, приводящей к перегреву металла.Достижение сверхвысокого вакуума в промышленном...

Номер патента: 519500

Опубликовано: 30.06.1976

Авторы: Минайчев, Одиников, Панкратов, Пупко

МПК: C23C 13/00

Метки: вакуумное, шлюзовое

...рабочую камеру 14.Механизм перемещения 15 кинематическисвязан с ползуном 6.При правом крайнем положении ползуна 6производится загрузка изделия 10 в отверстие 15 штока 7. Изделие 10 при этом ложится на горизонтальную перегородку 3. При перемещении ползуна 6 в левое крайнее положение изделие 10 скользит по поверхности горизонтальной перегородки 3 и в месте ее обрыва в 20 отсеке 4 происходит перегрузка изделий 10под собственным весом из отверстия штока 7 в отверстие штока 8, при этом изделие 10 ложится на поверхность горизонтальной перегородки 2. При обратном ходе ползуна в правое 25 крайнее положение аналогичным образом происходит перегрузка изделия 10 из отверстия штока 8 в отверстие штока 9. В этом же положении осуществляется загрузка...

Номер патента: 560006

Опубликовано: 30.05.1977

Автор: Гольфенштейн

МПК: C23C 13/00

Метки: вакууме, веществ, испарения, скорости

...что поток испаряющихся 1 астиц модулирустся псрсмснцым электрическим полем и измсрястся амплитудноезцачецие частотцо-модулироваццого тока цасышсция электродов эмиттироваццых поверх(остью испарения.Анализ Золы-ампсрцьх характеристик прииспарсции рассматриВПГмых 13 си 1 сст 13 показь 1- 3 ас, 110 Ок иГ 1 и(сци 51 эл(к роцо 3 цабл 10- ДаСТС 51 ПРИ ИИЗКИ.Ц;3 ЦР 1351 ГЦИ 51 Х (ПОР 51;1 К(1100-: 200 В),11 а 1 сп 1 Г)1(с пок 13 и; 30,)можиа 5) схс)1 рса 1) лизации прсдлагасмо: 0 способ(1."ОСт;ТОИОГ Ди ГО)1) 1 Г.,ИЯ т ГК( ИПСЬИ 1 ГЦИ 51гГктроцов.От истОПик); 0 ис 3 С(ки, ии) 1 сц 1 х и;1 П) 5 ЖГ 1 И, МГЖ ") 1 03 ГРХОС ЬО ИСЦ Ь 0(31 И и ИССТКО); И ПИК 11:1.3)ГСЯ а:т)5 ЖГИИГ С (1 СТО 01( а; рЯжс 111 Г р Ск 1 (1) . Э го 1 111) 51 жс560006...

Номер патента: 565948

Опубликовано: 25.07.1977

Авторы: Акиншин, Паленный, Федоров

МПК: C23C 13/00

Метки: вращения

...траверсы, отверстияв траверсе выполнены под углом, отличнымоот 90 к оси ее вращения, а держатели из-.делий установлены в отверстиях с радиальным и осевым зазорами, обеспечивающимипри вращении траверсы принудительное воаржателей изделий вокруг сво56 Д 948 0 вращаются вокруг оси О, Тадеталь 7 совершает сложное.ное движение В двух плпл оск остях,: аклона де ржателя следует выбил нз геомет. и . у чивое вращение деробеспечиваев ется при угле наклонатриверсы, отличающимся от 90 о - эе, чем 5, Ск;тьжруг осн О и держателя вокруг т . язаны соотношением: и з-с 1то ром ва ианр те исполнения устройсти (фиг. 3 и 4 -,а тч вращения подложки (фигз держателей вставлены в отверсти втулок 10 и итияу . , приваренных под углом р. РЗ:. ",гмк тра ь...

Номер патента: 571526

Опубликовано: 05.09.1977

Авторы: Жунда, Ковальчук, Мовчан, Стребков

МПК: C23C 13/00

Метки: фольги

...для антиадгезива смеси 30окислов предпочтительно и в тех случаях, когда нет возможности испаритьтугоплавкую двуокись циркония (т.пл."2687 С). Смесь двуокиси циркония с0,3-0,85 мол.долями двуокиси кремния 35интенсивно испаряется уже при 14271627 С, для чего достаточно простейоших реэисторных испарителей.Чтобы получить сверхтонкую фольгусо стабильным. Фи;и,-механическимисвойствами, необходимо расширить зерх-.ний интервал температур поверхностиконденсации. Так, например, предельная прочность образцов медной фольгитолщиной 10 мкм при температуре конденсации 350 С после выдержки в течение месяца при комнатной температурепонизилась на 17. Предельная прочность тех же образцЬВ 1 при температуре конденсации 580 С сохранилась.69Предла аемый...

Номер патента: 628181

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Клебанов, Сумароков

МПК: C23C 13/00

Метки: адгезионно-связующее, листовой, нержавеющей, низкоуглеродистой, покрытие, соединения, стали, сталью

...структура покрытия такова, что в наружных слоях его содержатся элементы поверхностно-активные по отношению к низкоуглеродистой и нержавеющей сталям. Снижая свободную поверхностную энергию, они улучшают смачиваемость соединяемых поверхностей, что увеличивает адгезию. Пластичная сердцевина соединения 15 ооеспечивает релаксацию температурных напряжений, улучшает пластичность получаемого бимс -алла, Между элементами, входящими в состав наружных и внутренних слоев покрытия,при нагреве возникает эвтектическое взаимодействие, при определенных условиях возникает жидкая фаза. Все это позволяет вести процесс совместной прокатки при минимальной пластической деформации и минимальной температуре нагрева, строго выдеркивая заданные толщины...

Номер патента: 723797

Опубликовано: 25.03.1980

Авторы: Накрышский, Овдин, Чернухин

МПК: C23C 13/00

Метки: маскирующего, покрытия, фотошаблона

...ние дефектности фотошаблона, п его разрешающей способности и стойкости,Достигается это тем, что в способе получения Маскирующего покрытия фото- шаблона путем ионно-плазменного распыления хромовой мишени распыление хрома проводят со скоростью 2,5- 5 нм/сек при ускоряющем напряжении на мишени 3,5-5 кВ.В процессе изготовления фотошаблонов минимальной шириной линии;.В4в Ф 1 Ф1Жв3Ф,Я 2 Ц 94с11 мкм на установке УРМЗ.279.014 нацу толщины, увеличению плотности стеклянные подложки размером 70 х 70 мм хрома в пленке и к увеличению связи ионно-плазменным распылением наносят пленки хрома с подложкой, пленку хрома толщиной 0,04-0,045 мкм. Таким образом, полученное маскиПо предлагаемому способу задается руюшее покрытие при малой толщине режим...

Номер патента: 765399

Опубликовано: 23.09.1980

Авторы: Волков, Димант, Егоров, Мещеряков, Мулюков, Трифонов, Федоренко

МПК: C23C 13/00

Метки: вакууме, испаритель, нанесения, покрытий

...защитной пленки на отражающееалюминиевое покрытие,10 Предлагаемый испаритель представляет собой конусную спираль, свитуюиз проволоки 1 тугоплавкого металла, например молибдена, к концамкоторой подводится ток, Шаг навивки15 спирали - переменный и увеличивается от основания конуса, В нижнейчасти конуса размещена навеска 2испаряемого материала, например мо. ноокиси кремния,В вакуумной камере конвейернойустановки для нанесения испарениемв вакууме светоотражающего покрытияповышенной коррозионной стойкостина отражатели фар, отражатели 325 располагаются с боковых сторон ина одинаковом расстоянии от испарителя 4 параллельно оси конуса, внижней части которого размещенанавеска моноокиси кремния 2, распы 30 ляемая после нанесения...

Номер патента: 783361

Опубликовано: 30.11.1980

Авторы: Андронова, Клявин, Шехтман

МПК: C23C 13/00

Метки: алюминий, металлических, нанесения, покрытий, сплавы

...Ф с нана Фдч. 783361 формула изобретенияСпособ нанесения металлическихпокрытий на алюминий и его сплавы путем испарения и конденсации в вакуу-,ме, включающий предварительную подготовку поверхности подложки, нанесенийметаллиЧескогб покрытия; о т л иЗО ч а ю щ и й с я тем, что с цельюповышения адгеэии покрытия и упрощения процесса, предварительную подгоЖвку поверхности подложки осуществля-.путем ее нагревадо температуры35 200-250 ОС в парах магния.Источники информацииРпринятые вовнимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССРР 307118, кл. С 23 С 13/00, 1971.О 2. Патент США М 3281263,кл. 117-50, опублик. 25.10,66. Составитель Л. БеспаловаРе акто Н. Суханова Тех ед Н.Г аб кторИ, Куска Подписное д рЗаказ 8481/31 Тираж 1074ВНИИПЙ...

Номер патента: 796244

Опубликовано: 15.01.1981

Авторы: Алексанов, Дмитрук, Каменцев, Левинский, Снесаревский, Яковлев

МПК: C23C 13/00

Метки: покрытий

...1 и 2 с взрываемым материалом 3, источников постоянного 4 и 5 ,напряжения, подключенных к высоковольт ным электродам 1 и 2 разноименными полюсами через управляемые разрядники 6 и 7 соответственно. Сигнал на управляющие влектроды 8 и 9 управляемых разрядников 6 и 7 поступает с блока 10 управления разрядом. Устройство работает следующим обрааом.20При включении устройства схема коммутации блока 10 управления разрядом обеспечивает поочередную подачу сигнала на управляющие электроды 8 и 9 рааряд796244 4 Формула изобретения 3ников 6 и 7 и соответственно поочередный разряд источников 4 и 5 напряжения на высоковольтные электроды 1 и 2 с взрываемым материалом 3.Устройство обеспечивает повышение надежности и увеличение срока службы устройства...

Номер патента: 804718

Опубликовано: 15.02.1981

Авторы: Бабаков, Зеленцов

МПК: C23C 13/00

Метки: тензорезисто-pob, формирования

...созданиеконфигурауии элементов схемы методомфотолитографии, нанесение слоя проводящего материала, после нанесенияреэистивной пленки наносят пленкуматериала, имеющего слабые адгезионные свойства с реэистивным и изолируюРщим слоями, а перед нанесением слояпроводящего материала наносят подслой иэ материала, имеющего хорошиеадгезионные свойства с материаломреэистивного слоя, на слое проводящего материала Формируют маску,после чего удаляют пленку, имеющуюслабые адгезионные свойства,На чертеже изображена схема формирования тензорезисторов. 36На металлическую подложку 1 сизолирующим слоем 2 напыляется тонкая пленка тенэорезистивного материала 3. В качестве последнего используется сплав-вихром Х 20 Н 80. Послепроведения фотолитографии...

Номер патента: 863716

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Гуров, Захаров, Морозов, Тучин, Хлопов

МПК: C23C 13/00

Метки: нанесения, покрытий

...в виде жестко соедине радиопрозрачной камеры и рупор параболической антенны СВЧ диа На чертеже изображено устро для нанесения покрытия, общий Устройство для нанесения по 15 состоит иэ рупорно-параболичес антенны 1, герметично соединен ней радиопрозрачной камеры 2 с верстиями 3 в стенке, обращенн поверхности 4, на которую прои 20 дится нанесение материала, и о стием 5 для ввода паров матери в .нее по магистрали 6. Устройс помещено в вакуумную камеру 7. энергия подводится к рупорно-п болической антенне по волновод тракту 8 от генератора 9,Устройство работает следующ образом. От генератора 30 тракту 8 энергия863716 ре). Кроме того, повышается адгезиянаносимого слоя к рабочей поверхности (на 30-40), а сами пленкиобладают высокой...

Номер патента: 889740

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Глускин, Димант, Егоров, Леснов, Мулюков, Мурзин, Назарова, Тузов, Федоренко, Шарапова, Шуров

МПК: C23C 13/00

Метки: вакууме, исходного, нанесения, паров, покрытий, полимеризацией, соединения, химического

...труб 30 с отверстиями 31, диаметр 20 25 30 35 40 0 которых увеличивается в направлении подачи исходного газообразного соединения. Изделия 1 закреплены в изолированном от корпуса камеры 5 вращающемся барабане 32, состоящем из электрически изолированных друг от друга радиальных секций, Потенциал поочередно" подводится к соосно расположенным друг относительно друга иэделиям - электродам 1,.расположенным в упомянутых противоположных секциях барабана 32, Внутри полости барабана 32 размещен испаритель 14, вокруг которого осуществляется вращение изделий 1.Конвейерная установка работает следующим образом. Вакуумные камеры 5 (фиг.2) непрерывно перемещаются тележками 13 при помощи замкнутого цепного конвейера 3 (фиг,1), На позиции загрузки в...

Номер патента: 891800

Опубликовано: 23.12.1981

Авторы: Бай, Малинина, Панов, Педос, Прокопук, Шагина, Шевакин

МПК: C23C 13/00

Метки: гибких, охлаждения, подложек

...подвода и отвода охладителя 7, выполненных 35в виде труббк с отогнутыми концами8 и 9, резервуар 10 с теплопроводящей жидкостью 11, обеспечивающий компенсацию потерь жидкости в процессеработы, направляющий ролик 12, приемный гаспель 13 и гибкая подложка 14Механизм 2 содержит две бесконечные ленты 15, установленные по краямбарабана 5, сепаратор 16, два транс-портных ролика 17, два прижимных ролика 18 на пружинной подвеске 19, системы 20 охлаждения и механическойочистки ленты 21.1Устройство работает следующим образом.Гибкая подложка 4 транспортируется с размоточного гаспеля 3 на приемный гаспель 13 через направляющиеролики 4, 12 и барабан 5, который может нагреваться до любой необходимой температуры, Проходя над тиглем1, гибкая подложка...

Номер патента: 910837

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Бабад-Захряпин, Борисов, Лагуткин

МПК: C23C 13/00

Метки: вакууме, испарения, термического

...жестко связанный с токоподводом 2, изолятор 3, трудопровод4, анод 5 сферической формы, вентиль6 с отверстиями 7. В межэлектродноепространство помещают испаряемый материал (не показан).Устройство работает следующим образом,Межэлектродное пространство вакуумируют через трубопровод 4 и затем заполняют газом, необходимым для зажигания тлеющего разряда. На анод и катод подают напряжение, обеспечивающеенапряжение между ними тлеющего разряда, При этом происходит разогревкатода и материала покрытия. Удельнуюмощность катода устанавливают такой,что испаряемый материал целиком переходит в парообраэное состояние. Происходит перенос испаряемого материалапо структурным дефектам (дислокация),воэнйкаюшим в результате бомбардировки внутренней...

Номер патента: 950794

Опубликовано: 15.08.1982

Автор: Андрацкий

МПК: C23C 13/00

Метки: джозефсоновских, мостиков

...контактную маску 6 нижнего электрода из фоторезиста или диэлектрика, который плохо травится в высокочастотном ионном разряде (в этом случае на изолируюций слой наносится пленка такого диэлектрика, например А 120 з). На фиг. 2 б показан профиль этих слоев и вид на подложку сверху; заштрихованный квадрат - контактная маска, а пунктиром показан нижний электрод. В ионном разряде через контактную маску травится пленка изолирующего слоя и нижнего электрода, пока не сформируется совпадающие, открытые торцы, При этом пленка нижнего электрода стравливается до подложки в том месте, где ее не защищает контактная маска, которая, в свою очередь, стравливается частично или полностью (фиг. 2 в). Таким образом, пленка нижнего электрода оказывается...

Номер патента: 1004485

Опубликовано: 15.03.1983

Авторы: Блинов, Меркушев, Чурилов

МПК: C23C 13/00

Метки: гибкой, подложке, резисторов, тонкопленочных

...резистивного материала наподложку, после чего маскируют реперные знаки, а проводящие элементыФормируют методом Фотолитографии,причем локальное осаждение резистивного материала на подложку осуществляют через свободную маску.П р и м е р. Через свободную маску на полиимидную подложку наносятметодом вакуумного испарения резистивные элементы и реперные знаки. Маска в данном случае, кроме своей основной Функции, играет роль теплового экрана, предохраняющего подложкуот перегрева при нанесении тугоплавких материалов. Затем маскируют реперные знаки и наносят сложной проза ,004485 Составитель Н. Серебрянннкова lТехред Т.Маточка КоРРектоР О Билак Редактор Т. Парфенова Заказ 1805/36 Тираж 954ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений...

Номер патента: 1038380

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Мустафин, Прибыловский, Фатюнин

МПК: C23C 13/00

Метки: сопротивления

...и толкателем, а блок контактоврасположен в направляющем канале.Причем направляющий канал выполнен с пазом для свидетеля и имеетпрямоугольное сечение.На фиг. 1 показано устройство,общий вид; на фиг, 2 - то жепоперечный разрез.Устройство содержит гнездо дляустановки свидетелей, выполненное.в виде бункера 1 с установленной внем стопой свидетелей 2, груз 3 50для фиксации свидетелей в бункере,канал 4 прямоугольного сечения дляперемещения свидетелей, имеющийнаправляющие пазы 5, расположенныев верхней части канала симметрично 55относительно оси этого канала, а вканале выполнен паз 6 для свидетеля и размещен блок контактов с контактами 7 для подключения свидетелей к блоку контроля сопротивления контакты могут иметь сверху прижимные пружины...

Номер патента: 932842

Опубликовано: 07.09.1983

Авторы: Алексеевский, Денискин

МПК: C23C 13/00

Метки: металлических, нанесения, покрытий

...помещается в испаритель, которь:м является, например, спираль из тонкой вольфрамовой, рениевой, танталовой ;ли молибденовой проволоки, Спираль наг ревается током, при атом жицкий гелий 4 из колпака вытесняется, и происхоцит испарение находящегося в испарителе вещества при температуре . конденсации газа, пары которого вместе с паром ожиженного газа увлекаются в верхнюю часть колпака, где конценсируются на его холоцных стенках н на прикрепленных к ним подложках. Разогрев нагревателя или непосрецственно испаряемого вещества может также произвоциться высокочастотным Полем (в этомслучае удобно использование небольшогоцилиндрического нагревателя, изготовленного иэ тонкой фольги указанных вышеметаллов) или лучом лазера,Г р и м е р 1. В...

Номер патента: 1046343

Опубликовано: 07.10.1983

Авторы: Баскин, Ежовский, Кольцов, Новосад, Павлинский, Рачковский, Шевченко

МПК: C23C 13/00

Метки: защитного, покрытия

...пано способу получения защитного по- ры Сг 202 С 12 Р при давлении 1330 Пакрытия преимущественно на стальных проводят вйдержку в течение 20 сек,подложках путем вакуумного терми- откачивают систему до давления 1 Па,ческого нанесения алюминиевого покры- перекрывают систему откачки, подаюттия на нагретую подложку, после 35 пары С 2 НОН. Выдержав 10 сек, откананесения алюминиевого покрытия про- чивают систему до 1 Па. За один циклводят его обработку попеременно па- на поверхности алюминия формируетсярами хлористого хромила и этилового сплошной слой оксида хрома толщинойспирта при 473-593 К и давлении 1-0,005 мкм. За 20 циклов наносят1000 Па. 40 слой толщиной 0,1 мкм бледно-золоНапуск паров химических реагентов тистого цвета,в вакуумную...

Номер патента: 1052563

Опубликовано: 07.11.1983

Авторы: Копань, Повьякель

МПК: C23C 13/00

Метки: многослойных

...структурыконденсата и как следствие, повыша)ет прочность материала.На фиг. 1 схематично представленопредлагаемое устроиство для получеиия многослойныхматериалов, общийвид; на фиг. 2 - то же, фронтальная проекция. 2Устройство состоит из двух источников 1 паров осаждаемых материалов,размещенных на конце вала 2, и цилиндрической подложки 3. На валу 2находится шкив 4, подвижный в осевомнаправлении, на котором закрепленыупругие спицы 5 с прокатными роликами 6 бочкообразнойформы и заслонками 7, На каждой из заслонок 7 на сторонах, обращенных к прокатным роликам 6, размещены источники дисперсных частиц упрочняющего материала, выполненные в виде штабиков 8, контактирующих с роликами 6.Устройство работает следующим образом.Источники 1...

Номер патента: 1101475

Опубликовано: 07.07.1984

Автор: Ряхин

МПК: C23C 13/00

Метки: поверхности, подложки, резисторов, тонкопленочных, чистоты

...оценки результата визуального контроля, в связи с чем достоверность получаемых результатов мала. Кроме того, способ неприменим к гидрофобным по верхностям. цветовой окраски чистых и загрязненных участков поверхности.Фиг. 1-4 иллюстрируют достоверность определения чистоты поверхности контрольных подложек согласно предлагаемому способу.П р и м е р. Определение чистоты поверхности проводилось на подложках из керамического материала М, применяемых в производстве основных типов тонкопленочных цилиндрических резисторов: МЛТ, ОМЛТ, С 2-13, С 2-14, С 2-29 В, С 2-36, С 2-50 и др. Керамические подложки специально загрязнялись различными способами для возможности оценки объективности предлагаемого способа.Анализируемые цилиндрические...

Номер патента: 1127913

Опубликовано: 07.12.1984

Авторы: Латышев, Семенов, Сидоркин

МПК: C23C 13/00

Метки: покрытия, толщины

...измерительный блок 6 (например, частотомер 43-44 А). При этом выход генератора 2 одиночных импульсов подключен к электромагниту 3, а датчик 4колебаний соединен с входом усилителя 5 напряжения, выход которогоподключен к частотомеру 6,Колебательная система включаетстержень 1, жестко соединенный сконтрольным образцом 8 и упругимиэлементами, выполненными в видепружин-консолей: пружиной 9, блн-ьжайшей к контрольному образцу, и пружиной 1 О, удаленной от контрольногообразца, закрепленную на торце стерж". ня металлическую пластину-якорь 11 ,электромагнита.Датчик колебаний может быть построен на любом из известных принципов:емкостном,индуктивном,фотоэлектрическом н т.д. В изобретении ис" пользован фотоэлектрический датчик, содержащий миниатюрную...