Патенты с меткой «резисторов»

Номер патента: 1812561

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Гул, Ряхин

МПК: H01C 17/00

Метки: прецизионных, резисторов, тонкопленочных

...превышающей уровень +0,05%. Эта достигается эа Счет решения вопроса повышения тепло- стойкости реэистивных пленок путем дополнительной их термотренировки в укаэанных 55 режимах. При этом Овыхода годных поТКСй 10 10 1/С почти оо всех случаях луч ше уровня, достигнутого при изготовлении резисторов па способу-прототипу, или находится на таком ке уровне, Т,е, полученные5 10 15 20 25 30 35 40 50 аналогом. результаты наглядно показывают достижение цели изобретения.Кроме того, как следует из результатов табл,1, предлагаемый способ обеспечивает также в 2 раза улучшение уровня стабильности при испытаниях резисторов под электрической нагрузкой на долговечность (2000 ч)Как видно иэ примеров 1 - 3, при изменении времени термотренировки от 1 до 3 ч...

Номер патента: 1812562

Опубликовано: 30.04.1993

Автор: Николаев

МПК: H01C 17/24

Метки: резисторов, тонкопленочных

...зигзагообразной3резистйвной цепи в поперечном направле1812562 Таблица 1 20 ЗО 1000 50 100 8,63 8,78 8,44 8,99 Таблица 2 1000 20 ЗО 50 100 10 7,45 6,94 7,32 7,56 7,63 . 7,70 Таблица 3 нии, В этом варианте номинал сопротивйления резистора изменяется от Хп = - - до3Хп = п 1-1) 2,57, а диапазон изменения П - 1 771сопоотивления составит бпЗависимость б от п 1 показана в табл.2.Зависимость приращения числа квадратов от резов для варианта, изображенногона фиг,2, приведена в табл.З,Подгонку по предлагаемому способупроизводят следующим образом,для каждого резистора определяют величину удельного сопротивления напыления Йнапгде Рнап. - величина сопротивления рази стора после напыления;и - расчетное число квадратов данного резистора,...

Номер патента: 1827687

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Пиганов, Самсонов, Шопин

МПК: H01C 17/22

Метки: подгонки, резисторов, толстопленочных

...б, Его выходные сигналы 35 имеют прямоугольную форму. При "нулевых" уровнях этих импульсов (первый такт) в устройстве для подгонки резисторов происходит измерение сопротивления подгоформирует цифровой код, пропорциональный его входному напряжению (разностному сигналу на выходе устройства сравнения 2). АЦП 4 содержит - разрядов, причем "вес" каждого последующего разряда, начиная со второго, меньше предыдущего в два раза.В первоначальный момент работы устройства для подгонки резисторов на первом выходе регистра сдвига 5,формируется логическая "1", которая поступает на второй вход элемента И 7 - 1, пропуская тем самым на выход элемента И 7 - 1 сигнал. содержаЩий на первом выходе АЦП 4. Если выходной сигнал элемента И 7 - 1 -...

Номер патента: 1353178

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Вершинин, Власенко, Маевский, Манчук, Пугачев, Сарин, Энтин

МПК: H01C 7/00

Метки: композиционных, объемных, резисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОБЪЕМНЫХ КОМПОЗИЦИОННЫХ РЕЗИСТОРОВ, включающий сухое перемешивание смеси из токопроводящих дисперсных материалов с портландцементом и диэлектрическим наполнителем, прессование полученной смеси с выдержкой под давлением 100 - 150 МПа и одновременной пропиткой ее насыщенным водяным паром с последующей сушкой, отличающийся тем, что, с целью увеличения удельной энергии рассеяния, в качестве диэлектрического наполнителя используют молотый кварцевый песок с размерами частиц 0,2 - 1,0, количество которого составляет 1 мас. ч. на 1 - 3 мас. ч. портландцемента.

Номер патента: 1818864

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Богатов, Бондарчук, Бунин, Касянин, Левашов, Мамян, Питюлин

МПК: B22F 1/00, C22C 1/05

Метки: ионно-плазменного, мишеней, напыления, основе, преимущественно, резисторов, титана, тонкопленочных, шихта

...готовят шйхту состава: 72 Т+4 С+24ство веществ, чем суммарно высокодиспер В, Термопрочность мишени 4. ТКС пленкисные соответствующйе порошки сажи и 5,О х 10 1/К, временная нестабильностьаморфного бора. Использование, в шихте 0,75.порошков карбида и диборида титана.по- П р и и е р 4. В условиях прототипазволяет повысить йористость мишеней доготовят шихту 57 Т+ 17 Сг+ 16 С+10-150 ь, что приводит к повышению термо 10 Й. Термопрочность мишени составпрочности ляла 2 цикла до разрушения. ТКС пленки,Отклойение состава шихтй за указан-: 9 х 10, временная нестабильность 1,2.ные пределы приводит к нарушению состава синтезированных продуктов и; П р и м е р 5. В условияхпримера 1ухудшению электрофизических характери готовят шихту состава 75 Т+ 9...

Номер патента: 494086

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Андрейченко, Врублевский, Горелов, Добжинский, Жаворонков, Зорин, Манчук, Полевцев, Репях

МПК: H01C 17/02

Метки: композиционных, резисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОМПОЗИЦИОННЫХ РЕЗИСТОРОВ, состоящих из защитной оболочки, выполняемой из пластичных смесей, и собственно тела резистора, выполняемого из смесей сверхжесткой консистенции на основе портландцемента с влажностью смеси 6,5 - 10% , включающий формовку, выдержку, гидротермальную обработку и сушку резистора, отличающийся тем, что, с целью достижения монолитности защитной оболочки с телом резистора и повышения напряжения перекрытия по телу резистора, вначале между наружной стенкой формы и коаксиально расположенным цилиндром методом виброуплотнения формуют защитную оболочку на всю высоту резистора, затем, постепенно поднимая коаксиальный цилиндр, в свежеотформованную защитную оболочку формуют тело резистора путем динамического...

Номер патента: 1251728

Опубликовано: 30.05.1994

Авторы: Власенко, Воробьев, Маевский, Манчук, Пугачев, Сафина, Фомин

МПК: H01C 17/00

Метки: высоковольтных, защитных, оболочек, резисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАЩИТНЫХ ОБОЛОЧЕК ДЛЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ РЕЗИСТОРОВ, включающий формовку заготовок из портландцемента под давлением с помощью цилиндрической пресс-формы с коаксиально расположенными в ней одним или несколькими цилиндрами, удаление цилиндров из пресс-формы, выдержку заготовок под давлением с одновременным насыщением портландцемента перегретым водяным паром, распрессовку и сушку, отличающийся тем, что, с целью повышения электрической и механической прочности защитных оболочек, перед операцией формовки цилиндры заполняют песком, осуществляют совместную формовку песка и заготовок, а насыщение портландцемента перегретым водяным паром осуществляют подачей его через песок, причем перед сушкой изделие освобождают от песка.

Номер патента: 1566777

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Гул, Ряхин

МПК: C23C 14/06

Метки: поверхности, подложки, резисторов, тонкопленочных, чистоты

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЧИСТОТЫ ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖКИ ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ по авт. св. N 1101475, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости способа в материале, выявляющем места загрязнения, компоненты взяты в следующем соотношении, мас.%:Окись кадмия 7,5 - 12,5Алюминий 7,5 - 12,5Окись алюминия 75 - 85причем соотношение окиси кадмия и алюминия в материале составляет 1 : 1, а испарение проводят при температуре испарителя 1080 - 1210oС.

Номер патента: 1632251

Опубликовано: 15.07.1994

Автор: Ряхин

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, низкоомных, резистивный, резисторов, тонкопленочных

РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НИЗКООМНЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ, включающий хром, титан, алюминий и диоксид кремния (IV), отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных, он дополнительно содержит оксид алюминия при следующем количественном соотношении компонентов, мас.%:Хром 40 - 62Титан 15 - 22Алюминий 4 - 8Диоксид кремния (II) 13 - 22Оксид алюминия 3 - 10

Номер патента: 1565064

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Гул, Ряхин

МПК: C23C 14/02

Метки: поверхности, подложки, резисторов, тонкопленочных, чистоты

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЧИСТОТЫ ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖКИ ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ по авт. св. N N 1101475, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности за счет выявления загрязнений в виде натиров капролона и паров масла и упрощения процесса, подложку предварительно нагревают при 400 - 700oС в течение 15 - 90 мин в замкнутой капсуле из керамического материала.

Номер патента: 1671057

Опубликовано: 30.09.1994

Автор: Ряхин

МПК: C23C 14/00, H01C 17/00

Метки: белого, керамических, микрозагрязнений, обнаружения, поверхности, подложек, резисторов, тонкопленочных, цвета

СПОСОБ ОБНАРУЖЕНИЯ МИКРОЗАГРЯЗНЕНИЙ НА ПОВЕРХНОСТИ КЕРАМИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК БЕЛОГО ЦВЕТА ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ, включающий термическое испарение в вакууме и конденсацию материала-анализатора на поверхности подложки при комнатной температуре и последующее выявление микрозагрязнений путем визуального контроля наличия темносерых участков конденсата материала-анализатира на поверхности подложек, отличающийся тем, что, с целью повышения технологичности, в качестве материала-анализатора используют цинк, а его термическое испарение и конденсацию осуществляют при величине вакуума (3,99 - 13,3) 10-3Па.

Номер патента: 1773204

Опубликовано: 30.10.1994

Автор: Иванов

МПК: H01C 17/22

Метки: номинал, подгонки, резисторов, тонкопленочных

1. СПОСОБ ПОДГОНКИ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ В НОМИНАЛ, включающий локальное формирование металлических участков на резистивном слое посредством инструмента приварки, отличающийся тем, что с целью повышения технологичности и надежности, для локального формирования металлических участков используют концы проволоки или полости фольги, а после приварки и устранения инструмента приварки оставшуюся часть проволоки или полоски фольги удаляют.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что локальное нанесение металлических участков осуществляют посредством ультразвука с нагружающим воздействием.

Номер патента: 1686961

Опубликовано: 20.02.1995

Авторы: Аникин, Бутузов, Сапрыкин, Хренова

МПК: H01C 7/00

Метки: величины, плата, пленочных, резисторов, сопротивления, тестовая

ТЕСТОВАЯ ПЛАТА ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ВЕЛИЧИНЫ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ, содержащая диэлектрическую подложку с пленочными резистивными элементами прямоугольной формы и контактные площадки, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности измерения величины удельного поверхностного сопротивления, она дополнительно содержит несимметричную микрополосковую линию передачи, выполненную в виде слоя металла на стороне диэлектрической подложки, противоположной размещению контактных площадок, и проводника, контактирующего со всеми пленочными резистивными элементами, причем резистивные элементы объединены в ячейки, соединенные последовательно участками проводника несимметричной микрополосковой линии передачи, контактирующего с каждым пленочным...

Номер патента: 1549386

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Жуков, Смолин

МПК: H01C 17/22

Метки: величины, гибридных, интегральных, микросхем, пленочных, подгонки, резисторов, сопротивления

СПОСОБ ПОДГОНКИ ВЕЛИЧИНЫ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ, включающий формирование в резистивном элементе пленочного резистора областей повышенной проводимости с заданной величиной удельного поверхностного сопротивления путем термообработки резистивного элемента лучом лазера с одновременным контролем величины сопротивления, отличающийся тем, что, с целью повышения мощности рассеивания резистора, области повышенной проводимости формируют вдоль боковых кромок резистивного элемента, причем ширину области повышенной проводимости формируют не превышающей 0,25 ширины резистивного элемента, а заданную величину удельного поверхностного сопротивления области повышенной проводимости определяют следующим...

Номер патента: 1259873

Опубликовано: 27.02.1996

Авторы: Исаева, Плеханов

МПК: H01C 17/00

Метки: пленочных, резисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ, включающий последовательное нанесение на подложку резистивного слоя, адгезионного подслоя ванадия, слоя меди, защитной металлической пленки, формирование рисунка резисторов, стабилизирующий отжиг с последующим удалением защитной металлической пленки, отличающийся тем, что, с целью уменьшения разброса значений температурного коэффициента сопротивления и повышения временной стабильности характеристик, в качестве защитной металлической пленки используют ванадиево-алюминиевый сплав с содержанием ванадия 15 - 30 мас.% и алюминия 70 - 85 мас.%.

Номер патента: 1819036

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Андронова, Братчиков, Вышкина, Морозова, Нечаев, Петрова, Шутова

МПК: C03C 3/064, H01C 7/00

Метки: основе, паст, резисторов, рутения, стеклосвязующее, толстопленочных

...25 и 29 мас,соответственно, обусловливает повышение температуры синтезастекла до значения выше 1500 С, что неже 15 лательно, а также повышает температурувжигания резисторов до 870 ОС, Уменьшение содержания Ю 02 и А 120 з в стекле дониже 20 и 15 мас.соответственно резкоухудшает влагостойкость резисторов20 ЬВ(,- 4 - 5 О, Также значительно ухудшаетсявлагостойкость резисторов при введении всостав стекла 820 з и ВаО более 33 и 18мас, о соответственно. Стекла, содержащие25 менее 10 мас,ф ВаО, имеют низкий КЛТР(менее 45 10 К ), что приводит к снижению термостойкости реэистивных пленокиз-за значительной разности в КЛТР проводящей фазы и стеклосвязующего.30 Уменьшение содержания ВОздо менее25 мас.о приводит к формированию неспеченной,...

Номер патента: 1461278

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Бережной, Ганиев, Дворина, Захваткина, Лиходед, Шурова

МПК: H01C 7/00

Метки: резисторов, сплав, тонкопленочных

СПЛАВ ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ, включающий соединение кобальта с кремнием и бор, отличающийся тем, что, с целью снижения температурного коэффициента сопротивления и расширения диапазона удельного сопротивления, в качестве соединения кобальта с кремнием используют CO2Si при следующем соотношении компонентов, мас.CO2Si 99,0 99,5В 0,5 1,0

Номер патента: 1172397

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Рыжаков, Цапулин

МПК: H01C 17/00, H01C 17/22

Метки: прецизионных, резисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРЕЦИЗИОННЫХ РЕЗИСТОРОВ, включающий формирование их на металлическом основании, термоциклирование, подгонку, технологическую герметизацию, охлаждение до температуры жидкого азота и циклическую электротермотренировку, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности резисторов в работе путем повышения стабильности их параметров, подгонку осуществляют после охлаждения резисторов до температуры жидкого азота пропусканием постоянного тока величиной, в 10 30 раз превышающей номинальный ток, в течение времени релаксации величины подгоняемого параметра к номинальному значению, а электротермотренировку осуществляют при изменении полярности тока после каждого цикла.

Номер патента: 1828306

Опубликовано: 20.07.1996

Авторы: Крыжановский, Соколов

МПК: H01C 17/00

Метки: резисторов, тонкопленочных

...осуществляется после осаждения слоя кремния, а также с использованием ИК излучения при температурах 375 - 525 С в течение 15 - 25 минут на открытом воздухе, в результате чего на поверхности образуется защитный слой двуокиси кремния (ЯО ),В процессе окисления кремниевой пленки часть кремния диффундирует в приповерхностный слой резистивной пленки, в результате чего происходит упорядочение структуры приповерхностного слоя резистивного элемента, и как следствие, улучшается временная стабильность резистора в целом. Изменение фазового состава приповерхностного слоя резистивного элемента и упорядочение структуры пленки сопровождается уменьшением сопротивления, в то время как окислительные процессы увеличивают его,Способ изготовления...

Номер патента: 1598726

Опубликовано: 20.07.1996

Авторы: Аванесян, Лазарев, Осипов, Савчук, Стусь

МПК: H01C 17/00, H01C 7/06

Метки: кремния, основе, резисторов, сплавов, тонкопленочных, хрома

1. Способ изготовления тонкопленочных резисторов на основе сплавов хрома и кремния, включающий последовательное нанесение резистивных и проводниковых слоев на диэлектрическую подложку методом термического испарения в вакууме, формирование проводниковых и резистивных элементов методом фотолитографии, многократную термообработку в диапазоне температур 250 550°С, включающую нагрев, охлаждение, измерение сопротивления резисторов и расчет значений ТКС, изотермическую выдержку, подгонку величины сопротивления, причем термообработку прекращают по достижении заданных значений ТКС, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности изготовления за счет временной стабильности резисторов, подгонку величины сопротивления осуществляют в два этапа,...

Номер патента: 1598730

Опубликовано: 20.07.1996

Авторы: Лазарев, Осипов, Стусь

МПК: H01C 17/00

Метки: кремния, основе, пленочных, резисторов, сплава, термообработки, хрома

1. Способ термообработки пленочных резисторов на основе сплава хрома и кремния, включающий многостадийную термообработку в диапазоне температур 350-450oС, каждая из которых содержит изотермическую выдержку, охлаждение до комнатной температуры, измерение величины сопротивления резисторов и расчет значений величин ТКС, причем операцию термообработки прекращают по достижении заданных значений величин ТКС, отличающийся тем, что, с целью повышения временной и температурной стабильности резисторов, после измерения величин сопротивления резисторов и расчета значений ТКС резисторы нагревают со скоростью 180-200oС/с до 460-500oC с последующим охлаждением и повторным измерением величин сопротивления резисторов и...

Номер патента: 1540578

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Елютин, Лазарев, Мараканов, Мушакова, Осипов, Чеботаренко

МПК: H01C 7/00

Метки: кремния, основе, резисторов, сплавов, тонкопленочных, хрома

1. Способ изготовления тонкопленочных резисторов на основе сплавов хрома и кремния, включающий нанесение на диэлектрическую подложку резистивного и проводникового слоев, формирование рисунка резистивных и проводниковых элементов и стабилизацию термообработкой на воздухе с последующим формированием защитного слоя путем нанесения металлического слоя и его оксидирования, отличающийся тем, что, с целью повышения временной стабильности резисторов, в качестве металлического слоя используют сплав на основе титана с добавками циркония, ниобия и молибдена, а операцию стабилизации и оксидирования металлического слоя совмещают.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что стабилизацию резистивного слоя осуществляют при температуре 350...

Номер патента: 1402166

Опубликовано: 20.09.1999

Авторы: Баренбойм, Калугин, Клековкина, Кухарь, Мараканов, Филиппов, Шекалова

МПК: C22C 19/00, H01C 7/00

Метки: выводами, меди, никеля, основе, прецизионных, резисторов, сплав

1. Сплав на основе никеля для изготовления прецизионных резисторов с выводами из меди, содержащий хром, ванадий, молибден, вольфрам, галлий, германий, алюминий, отличающийся тем, что, с целью уменьшения термоэлектродвижущей силы и повышения стабильности, компоненты взяты в следующих соотношениях, мас.%:Хром - 8 - 9Ванадий - 6,5 - 7,5Молибден - 5,5 - 8,0Вольфрам - 5,2 - 6,0Галлий - 4,3 - 4,9Германий - 2,1 - 2,7Алюминий - 0,1 - 0,3Никель - Остальноепри этом суммарное количественное содержание галлия и германия в сплаве составляет 7 мас.%.2. Сплав по п.1, отличающийся тем, что он дополнительно содержит рений в количестве 0,5 - 1,5...

Номер патента: 1491235

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Зайцев, Некрасов, Согуренко, Франк

МПК: H01C 17/00

Метки: резисторов, фольговых

Способ изготовления фольговых резисторов, включающий формирование на фольге резистивных элементов, травление фольги, химическую обработку резистивных элементов водным раствором соли, сушку и нанесение защитного покрытия, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности и расширения диапазона рабочих температур, в качестве водного раствора соли используют раствор кислой калиевой соли щавелевой кислоты с концентрацией ее в пределах 0,5 - 1%, при этом время химической обработки составляет 10 - 20 с, а перед сушкой осуществляют промывку резистивных элементов дистиллированной водой.

Номер патента: 1082212

Опубликовано: 10.10.1999

Автор: Новокшонов

МПК: H01C 17/00

Метки: нерегулируемых, резисторов

1. Способ изготовления нерегулируемых резисторов, включающий формирование резистивного элемента из электропроводящих нитей, соединение нитей между собой и выводами и герметизацию, отличающийся тем, что, с целью упрощения и повышения производительности труда и улучшения электрических характеристик, соединение нитей между собой осуществляют образованием петель и их взаимным переплетением в резистивное полотно плоской или трубчатой формы заданного топологического рисунка с последующим разделением полотна на отдельные резисторы.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что разделение резистивного полотна на отдельные резисторы по обеим координатам осуществляют неполными переплетениями нитей с...

Номер патента: 1667548

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Исаев, Кузнецов

МПК: H01C 17/00

Метки: резисторов

Способ изготовления резисторов, включающий намотку резистивной проволоки на цилиндрический каркас, состоящий из основной и дополнительной частей, выполненных из материалов с различными значениями температурного коэффициента линейного расширения, и регулировку характеристики температурной зависимости сопротивления, отличающийся тем, что, с целью снижения температурного коэффициента сопротивления, в качестве характеристики выбирают нелинейность температурной зависимости сопротивления, а ее регулировку осуществляют путем сматывания проволоки с дополнительной или основной части каркаса, при этом части каркаса располагают аксиально.

Номер патента: 900745

Опубликовано: 10.10.1999

Автор: Франк

МПК: H01C 17/00

Метки: резисторов, фольговых

Способ изготовления фольговых резисторов, включающий соединение металлической фольги с подложкой, нанесение маски на металлическую фольгу и ее травление через маску потоком ионов при напряжении потока ионов 1 2 кВ и плотности потока ионов 0,5 - 5 мА/см2 в течение 2 ч, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности параметров и снижения температурного коэффициента сопротивления, после операции травления металлической фольги через маску осуществляют дополнительную обработку металлической фольги потоком ионов с напряжением потока ионов 3 - 6 кВ и плотностью потока ионов 6 - 10 мА/см2 в течение 1 - 6 ч.

Номер патента: 1688724

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Согуренко, Франк

МПК: H01C 17/00

Метки: пленочных, резисторов

Способ изготовления пленочных резисторов, включающий соединение фольги с технологической подложкой, последующее покрытие фольги химически стойким материалом, формирование в нем пробельных участков, травление фольги через пробельные участки, удаление химически стойкого материала, подгонку сопротивления и формирование выводов, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих температур до 600oC, технологическую подложку размещают между двумя эластичными пленками на основе стекла с возможностью герметичного соединения эластичных пленок по периметру путем приложения давления, после чего полученную структуру обжигают при температуре плавления стекла.

Номер патента: 1581094

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Анкирская, Головко, Каминская, Недорезов

МПК: H01C 17/00

Метки: резисторов, толстопленочных

Способ изготовления толстопленочных резисторов, включающий формирование на диэлектрической подложке резистивного элемента, термическую обработку, ионную очистку поверхности резистивного элемента и создание контактов к нему, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности за счет снижения и стабилизации величины, контактного сопротивления, ионную очистку поверхности резистивного элемента проводят при напряжении пучка ионов 2 - 4 кВ и плотности потока ионов 6 - 10мА/см2 в течение 0,5 - 4 ч.

Номер патента: 1167995

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Дубровский, Лугин, Чаадаев

МПК: H01C 17/22

Метки: подгонки, резисторов, тонкопленочных

Способ подгонки тонкопленочных резисторов, включающий грубую подгонку, стабилизацию параметров резисторов и точную подгонку, отличающийся тем, что, с целью повышения точности подгонки и стабильности резисторов, стабилизацию параметров осуществляют термообработкой резисторов на воздухе в течение 10 - 240 ч при температуре, не превышающей температуру кристаллизации резистивного материала и на 25 - 100oC выше рабочей температуры резисторов.