Патенты с меткой «резисторов»

Номер патента: 1029239

Опубликовано: 15.07.1983

Авторы: Ленных, Макордей, Чепельчук, Шапкина

МПК: H01C 7/02

Метки: материал, резистивный, резисторов, толстопленочных

...технике и может быть использовано,например, в микроэлектронике приизготовлении толстопленочных элементов интегральных схем.Известен реэистивный материал 5для толстопленочных резисторов, содержащий кобальтит никеля со структурой шпинели и переходный металл,выбранный иэ ряда, состоящего из ванадия, хрома и железа 1), 30Наиболее близким к изобретению нотехнической сущности является резистивный материал для толстопленочных резисторов, содержащий кобальтитникеля со структурой шпинели и марга нец в качестве модифицирующей добавки 2),Недостаток известных резистивныхматериалов состоит в узком диапазонеудельного сопротивления.20Цель изобретения - расширениедиапазона удельного сопротивленияЦель достигается тем,что резичтивный материал,...

Номер патента: 1030864

Опубликовано: 23.07.1983

Авторы: Буренин, Мандрыгин, Фитасов

МПК: H01C 17/00

Метки: непроволочных, номинал, подгонки, резисторов

...переклкиатщв коммутатор, первый, второй 64 .2и третий входы которого соединены соответственно с выходами блока моделирования шага, блока памяти и блока контроля номинала, а выход - с блокомнарези подгоняемого резистора через блокусилителя мощности и блок злектропрвода, введен дополнительный блок памяти,вьциа которого соединен с четвертымвходом коммутатора, который снабженвторым двухполюсным переключателем,причем первые и вторые контакты, атвицке первый и второй общие контактыдвухполюсных переключателей соединенысоответственно с первым входом, выходом, вторым и четвертым входами коммутатора, при етом общие ксатакты двухполюсных контактных переключателейподключены к раэноименным контактамТакое, техническое решение позволяетсорвать...

Номер патента: 1035646

Опубликовано: 15.08.1983

Авторы: Власенко, Врублевский, Жаворонков, Катков, Маевский, Манчук, Семикин, Юдин

МПК: H01C 17/00

Метки: объемных, резисторов

...1000-1500 кгс/см, выдержку сухой смеси осуществля-.ют 30-60 мин при том же давлениипри одновременном ее водонасыщениии после распрессования резисторысушат до постоянного веса при 105110 С.Вода, поступающая снизу в смесь,поднимается по капиллярным порамсмеси вверх, вытесняя при этом пузырьки воздуха, оставшиеся в смесипосле установления давления. Приэтом в результате вытеснения объемавоздухаи одновременной гидратациицемента, т.е. перехода. частиц цемента иэ твердого состояния в коллоид"ное, происходит релаксация давленияи дополнительное уплотнение смеси.Объем продуктов твердения цементав 2-2,5 раэ превышает объем исходныхчастиц, что способствует снижениюпористости,Большая стабильность электрических и механических...

Номер патента: 1038970

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Чернявский, Шемякин

МПК: H01C 17/242

Метки: пленочных, подгонки, резисторов, цилиндрических

...под" точках и дополнительный рез осуществгонки пропорциональна величине при" ляет в середине эоны разрыва паралращения сопротивления при испаре" лельно кромке резистора. нии одного точечного участка.реэис- . На фиг. 1 изображено взаимноеютивнои пленки,При нарезании спираль расположение резов; на фиг. 2 - .экси инои иэолируюшеи канавки одновре- , периментально полученные кривые заменннно с двух сторой градиент на" висимости приращения сопротивления4 Ср сопротивления в момежт при трех различных углах повороастания содЕокончания подгонки практически . тв окончания одной и начала другой вдвое превышает значение, соответст- половин спиралей относительно продоль вующее случаю одностороняего нареза- ной оси резистора; на фиг,3 -...

Номер патента: 1038971

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Коробов, Петренко, Рождественский

МПК: H01C 17/26

Метки: микросхем, пленочных, подгонки, резисторов

...устройства состоит в необходимости индивидуальной установкй игл-электродов на кон- тактные площадки.Наиболее близкой пЬ технической .сущности к изобретению является зондовая головка для установок контроля и измерения схем, содержащая эластичноепрозрачное основание с нанесен , ными на него пленочными измерительны ми контактами с микронаконечниками 2 .Недостатком указанного устройства является невозможность осуществле. ния подгонки сопротивления резисторов электролитическим способом непосредственно в процессе контроля.Цель изобретения " расширение функциональных возможностей контактного устройства путем группового выполнения операций подгонки и контроля, снижения трудозатрат при совме; щении устройства с микросхемой и тру доемкости...

Номер патента: 1045281

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Блинов, Валюнин, Егорова, Филатов

МПК: H01C 17/26

Метки: пленочных, подгонки, резисторов, сопротивления

...для е-о перемещения и фиксацииП )и этом ра)Оцл 1 коне,- д:О 1 Рик :ОВМЕЩРН С КОНЦОМ аМПУЛЫ Оаоочо 0 электрода.На ертеже представлено устрсйстнс для подгонки, сецение,Устройство содержит дьпулу 1 1)дбо це 1 о эгеТродд, заполнен- уо пооистым материалом , с капиллярной структурой /,нагример, поролон, во,Лок и т. ,1, пропитанным электролитом (например, Г:1)-ььй раствор борной ил нигной кислоты, деиоьизованная вода) наконечник 3 из пористого материала с капиллярной структурой и электрод 1. ВЫПОЛНЕ)1 Н 11 й ПОДВИЖНЫМ,. Е ДРЧНО) СЛУ чае пс при )ц пу винтового соеди неи я с Фиксируюшей гайкой 5, ,причем наконечник 3 и электрод ) погружень в порИстый материал 2, Наконечник 3 здключе- в ксжух 6 из твердого и прочного диэлектрического атериалд...

Номер патента: 1046208

Опубликовано: 07.10.1983

Авторы: Доброер, Корнатовский, Махонина, Панов, Федоров

МПК: C03C 3/10

Метки: резисторов, стекло, толстопленочных

...подложки иэ Керамики70 10 1/град). 66,0 12,0 11,0 Ы,О РЪОво510В 11 Недостатком известного стекла является высокое значение температурного коэффициента сопротивления (ТКС), измеряемого в,диапаэоне температур (-60) - (+125)фС (400- 1000)10 ьград"ф, и низкая влагостойкость - (2-5). 20Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому результату является стекло (2 1, включающее, нес.:25 60,0-67.,012,0-16,0 4,0-8,0 7,5-12,6 РЬО810АЮОВ 2МЬ 20 нлиЧго илитэ 0 1,.0-10,1 Известное стекло дает возможность получать резисторы с ТКС 150240 -10 1/град и влагостойкостью.0,6Высокий ТКС и низкая влагостойкость резисторов, изготовленных на основе указанного стекла, снижает качество резисторов ввиду недостаточной стабильности и...

Номер патента: 1046706

Опубликовано: 07.10.1983

Авторы: Брайнина, Федоровский

МПК: G01R 27/00

Метки: нелинейности, параметров, резисторов, электротермической

...тактовых импульсов, а выход соединен с блоком индикации, .второй выход генератора тактовых импульсов подключен к входу формирователя задержки, первый выход которого соединен с вторымвходом блока выбарки-хранения, а вто.рой выход формирователя задержкиподключен к второму входу дифференцирующего блока,На чертеже прнведена функциональная схема устройства.Устройство содержит генератор 1тока, испытуемое сопротивление 2,дифференцирующий блок 3,. блок 4выборки-хранения, делитель 5 .напряжения, .компаратор б напряжения, генератор 7 тактовых импульсов, формирователь 8 задержки, вычислительныйблок Э и блок 10 индикации.Устройство работает следующимобразом.При подключении испытуемого сопротивления 2 к выходу генератора 1 тока через...

Номер патента: 1046778

Опубликовано: 07.10.1983

Авторы: Рыжаков, Цапулин

МПК: H01C 17/00

Метки: прецизионных, резисторов

...термоциклирование, подгонку, герметизацик и эпектротермотренировку, поспе герметизации резисторыохпан дают до температуры жидкого азота и эцектротермотренировку осуществпяютпутем нагрева резисторов пропусканиемпостоянного тока вепичиной в 5-10 разпревышающей номинапьную, Р течениевремени репаксации вепичины сопротивпэния резисторов.Использование эпектронагрева резистора при температуре жидкого азота позвопяет эффективно выявить резисторы сослабой адгезией (потенциально надежныерезисторы бракуются), так как происходит разрушение резистора, локальныеучастки со спабой адгезией выжигаются.Это прив одит к повышению стабипьностирезистора,Использование эпектронагрева резистора постоянным током обеспечиваетэффективное раскрытие и развитие...

Номер патента: 1048524

Опубликовано: 15.10.1983

Автор: Чернявский

МПК: H01C 17/242

Метки: пленочных, подгонки, резисторов, сопротивления

...блок электроприво"да перемещения поверхности резистора:относительно луча лазера, контактныезажимы, соединенные с первым и вторым входами блока контроля сопротивления, введены последовательно соединенные триггер, формирователь импульса задержки, элемент 2 И, а такжеэлемент 2 И-НЕ, причем вход триггераи первый вход элемента 2 И-НЕ соединены с выходом блока контроля сопротивления, выход Формйрователя импульса задержки соединен с вторым входомэлемента 2 И-НЕ, второй вход элемента 10 2 И соединен с выходом элемента 2 И-НЕ,при этом выход триггера соединен спервым входом блока электропривода итретьим входом блока контроля сопротивления., а выход элемента 2 И - свходом блока лазера и вторым входомблока электропривода перемещения. 20 На...

Номер патента: 1051591

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Скуридина, Усков, Яблоков

МПК: H01C 17/232

Метки: резисторов

...-10 4 мм рт. ст,) устанавливается исходя из требований чистоты среды, в которой происходитотжиг. С точки зрения физико-химических превращений нижнего пределапо давлению при технологической операции "Отжиг", не существует, Нижний предел, равный 1 10 4 мм рт.ст,выбирают из условия сокращения вре 10 15 20 25 30 35 40 45 55 60 мени проведения операции "Отжиг"в производственных условиях.П р и м е р. С целью подгонкисопротивления резистора с одновременной стабилиз.цией структуры резистивного слоя проводят отжиг цилиндрических резисторов типа С 2-29,Й = 3,30 Ом, полученных термическим разложением БЭБХ на керамической подложке в течение 3 ч в вакууме 3 10 4 мм рт,ст, при 500-1000 С(результаты, изложенные ниже, практически не изменяются при...

Номер патента: 1053017

Опубликовано: 07.11.1983

Автор: Лищук

МПК: G01R 27/02

Метки: глухую, звезду, образующих, резисторов, сопротивления

...цепей, содержащее источник питания,.операционные усилители, измерительные приборы 113.Недостатком данного устройстваявляется его сложность.Известно также устройство для измерениясопротивления резисторов,образующих глухую звезду, содержащее эталонный источник тока, соединенный с первым входным зажимомустройства, операционный усилитель,выходом соединенный со вторым входным зажимом устройства, а неинвертируюшим входом - с эталонным источником тока,и измерительный приборГ 23.Недостатком йзвестного устройстваявляется узкий диапазон измеряемыхсопротивлений.Цель изобретения - расширение пределов измерения,Поставленная цель достигаетсятем, что в устройстве для измерениясопротивления резисторов, образующих 1 глухуюф звезду,...

Номер патента: 1054836

Опубликовано: 15.11.1983

Авторы: Дулицкая, Зинин, Кошкина, Малявкина, Меркушева, Размадзе, Тужникова, Чайкина

МПК: H01B 3/40

Метки: переменных, подложка, резисторов

...в подлодке для переменных резис" торов, содержащей слоистую целлюлоз" но-бумажную основу, пропитанную термореактивным связующим, на каждом из Вяешних слоев целлюлозно-бу" мажной основы дополнительно расположен слой лавсановой бумаги, про" питанной связующим на основе эпок,сидной диановой смоУЬ, причем массасвязующего на осйове эпоксидной диановой смолы составляет 0,8-2 массылавсановой бумаги, а толщина каждогослоя лавсановой бумаги - 0,125-0,5толщины слоев целлюлозно-бумажнойосновы,Изготавливают образцы подложекдля переменных резисторов из листовпропитанной бумаги, которые нарезают10 на резательной установке и собираютв пакет: внутренний слой содержитпропитанную целлюлоэную бумагу, анаружные слои - пропитанную лавсановую бумагу....

Номер патента: 1056281

Опубликовано: 23.11.1983

Автор: Юсипов

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, низкоомных, резисторов, тонкопленочных

...изпредлагаемого материала, обладаютжаростойкостью при эксплуатациина воздухе вплоть до температурыплюс 280 С и термостабильностью завремя 10000 ч, т,е, изменение величины сопротивления резистора от номинала составляет +7% при температуреокружающей среды плюс 280 С,оПовышение жаростойкости и термостабильности в предложенном материале происходит за счет того, что молибден образует с легирующими добавками гамма-фазу и твердые растворы,обладающие повышенной жаростойкостьюи териостойкостью. Введение лантаноидов в приведенном процентном1056281 Уменьшение содержания легирующихдобавок ниже указанных пределов приводит к резкому снижению жаростойкости и термостабильности при длительной эксплуатации.увеличение содержаний л гируюших...

Номер патента: 1061712

Опубликовано: 15.12.1983

Авторы: Масаки, Нобору, Юдзи

МПК: H01C 7/112

Метки: материал, нелинейных, резисторов

...парафин, поливинилс вый спирт илиполиэтиленгликоль( таки неорганическое, например, фосфор"ная кислотаСпекание проводится в обычнойЗО электрической печи при 1000-1300.ОСобычно в течение 1 ч. Это спеканиеуспешно осуществляется в воздушнойсреде,П р и м е р. Порошкообразные ис-.ходные компоненты в различных количественных соотношениях (в указанных пределах) смешивают в шаровоймельнице с получением 35 образцов, 40 в том числе и контрольных (с выходом за пределы), Образцы предварительно агломерируют в воздушной атмосфере в электропечи при 800 С вОтечение 1 ч и измельчают в шаровой 45 мельнице с получением 35 видоизмененных порций порошков. К видоизмененным порошкам добавляют в качествесвязующего полнвиниловый спирт иполученные массы...

Номер патента: 1072114

Опубликовано: 07.02.1984

Авторы: Аржанова, Банников, Залесский, Ильин, Ларин, Обносов

МПК: H01C 17/00

Метки: пленочных, прецизионных, резисторов

...типа С 2-29 В мощностью0,5 Вт на керамические основания наносят резистивную .пленку и подвергают ее термообработке на установке"Изотерм" в среде аргона. После тер-мообработки полученные заготовки резисторов армируют и проводят измерения электрического сопротивления итемпературного коэффициента сопро-.тивленияДанные о режиме термообработки ипараметрах резисторов приведены втаблице. Режимы термообработки Способ изготовления резисторов Т,С Расходаргона,л/ч ТКС. 101 гр. Время,мин-18,7 -17,9 -15,2 21 450 20 20 30 Изобретение относится к электронной технике и может быть использова; но в технологии изготовления постоянных пленочных прецизионных резисторов.Известен способ изготовления постоянных пленочных прецизионных резисторов, включающий...

Номер патента: 1075315

Опубликовано: 23.02.1984

Авторы: Блесткин, Денисова, Казанцев

МПК: H01C 7/00

Метки: композиционный, материал, резисторов, толстопленочных

...тем, что композиционный материал для толстопленочных резисторов, включающий проводящую фазу, триоксид вольфрама, борный ангидрид и кислородсодержащее соединение свинца, в качестве проводящей фазы содержит алюминий,. в качестве З 5 кисиородсодержащего соединения свинца - борнокислый свинец и дополнитель. но содержит борнокислый барий при следующем количественном соотношении компонентов, мас.Ъ: 40Алюминий 2,0-4,4Борный ангидрид 15,9-24,0БорнокислыйсвинецБорнокислый 45барий 17,7-26,0Триоксид воль, фрама Остальное для получения композиционного материалаКаждую смесь получают следующим образом.Оксид вольфрама (МРТу 6-09-4676- -67), алюминиевую пудру (ПАП, ГОСТ 5494-71), борнокислый свинец (мета ), водный, прокаленный до постоянного веса...

Номер патента: 1084273

Опубликовано: 07.04.1984

Авторы: Барабаш, Безруков, Доценко, Коростылев, Курякова, Олейник, Самсонов, Скрипник

МПК: C07C 149/18

Метки: бензилмеркаптид, исходного, качестве, продукта, резисторов, рутения

...вещество, практически нерастворимое в воде, спирте, большинстве органических растворителях. При нагревании плавится с разложением"при температуре выше 120 С.Наибольшая потеря органической составляющей в соответствии с дериватограммой происходит в интервалео180-400 С. Разложение заканчиваетсяпри 450-500 С с образованием двуокиси рутения. Соединение рентгеноморфно, ИК-спектр /таблетка К йг на приборе "Регин ЕЬпег":40 Н 3444 см , 6 1680 см-290 (сн 51 и 2860 ф 1Смг4600 см "Нзгсю 1 И 5 осм 1,60 ЬМСМ 1с=С (с(ром 1 С-Н(юРом 1475 сммонозамещенное кольцо .л 1фС П р и м е р 2. Резисторы на осно"ве бензилмеркаптида рутения. 0,58 гбензилмеркаптида рутения растворяютв 50 мл смеси органических растворителей например хлороформа и изоамилацетата. В...

Номер патента: 1084701

Опубликовано: 07.04.1984

Автор: Устинов

МПК: G01R 27/14

Метки: пленочных, резисторов, сопротивления, структура, тестовая, удельного

...которой расположены последовательно соединенные прямоугольные 4резисторы с одинаковой длиной и разной шириной реэистивных зон (2).Удельное сопротивление и отклонение ширины резистинных эон определяют по формулам на основе изМеренийсопротивления этих зон через контактные площадки, Контактными площадкамив этой тестовой структуре являютсявнешние участки резистинной зоны,вынесенные за пределы реэистивнойэоны и предназначенные для контакти.рования с металлическими зондами,Однако эта тестовая структура непредусматривает учета влияния нарезультат контроля особенностейметаллических пленочных контактовв частности отклонений их размеров,что приводит к большой погрешностипри контроле и практически делаетее неприменимой для контроля...

Номер патента: 1089631

Опубликовано: 30.04.1984

Авторы: Авдеенко, Глот, Ивон, Катков, Макаров, Чакк, Черненко

МПК: H01C 17/00, H01C 7/10

Метки: нелинейных, резисторов

...заключаются в низком коэффициенте нелинейности и высокой электропровод- ности нелинейных резисторов.Цель изобретения - увеЛичение коэффициента нелинейности и уменьшение электропроводности в слабых полях +Поставленная цель достигается тем, что согласно способу изготовле О ния нелинейных резисторов, включающеДополнительная Кс эффициент териообработка нелинейности при 700 ОС в те- при плотносчевие 1 ч ти тока10 А/сиф му приготовление керамической шихты из смеси оксида цинка с добавками оксидов металлов прессование заготовок резисторов высокотемпературный обжиг и дополнительную термообт аботку, последнюю осуществляют в тмосфере чистого кислорода при давении ЗбОторр или в атмосфереатого воздуха при давлении 1520- ,6080 торр.Проведение...

Номер патента: 1092575

Опубликовано: 15.05.1984

Авторы: Лен, Рудовол

МПК: H01C 17/00

Метки: запрессовки, корпус, оснований, переменных, резисторов

...на фиг.3 - разрез Б-Б на фиг,1; на фиг.4 - вид В на фиг.З.Устройство для запрессовки оснований переменных резисторов в корпус содержит матрицу 1 для размещения корпуса 2 резистора с контактной пружиной и пуансон 3 для запрессовки основания 4 резистора. Пуансон 3снабжен контактами 5 для подключениявыводов 6 основания 4 переменногорезистора к блоку управления (не показан). Контакты 5 изолированы отпуансона 3, Подпружиненный упор, выполненный в виде траверсы 7, предка.эначен для фиксации пуансона 3 в момент окончания деформации контактной пружины корпуса 2 резистора нарасчетную величину, Траверса 7 установлена с зазором Г относительно неподвижного регулируемого упора В, Величина зазора Г между траверсой 7 и неподвижным упором 8...

Номер патента: 1092576

Опубликовано: 15.05.1984

Автор: Таторчук

МПК: H01C 17/26

Метки: пленочных, подгонки, резисторов

...для повышения точности, посредством полного устранения переходных процессов на входе нудь-органа.Для упрощения устройства дополнительный резистор 17 и контакт 14 можно не применять, однако при этом устройство будет работать не в оптимальном режиме, т.е, с низкой производитель - ностью. Выбором величины сопротивления дополнительного резистора 17 регу-, лируется частота циклирования и длительность циклов подгонки и измерения.Длительность циклов измерения и подгонки зависит от времени перезаряда конденсатора 12 в каждом цикле. В начале подгонки в цикле измерения, когда подгоняемый резистор 18 подключен к изперезаряжается большим напряжениемнедобаланса моста, так как подгоняемыйрезистор меньше заданного на 1020%. Поэтому длительность...

Номер патента: 1095248

Опубликовано: 30.05.1984

Авторы: Власенко, Маевский, Манчук, Пугачев

МПК: H01C 17/00

Метки: объемных, резисторов

...в 40 капиллярах смеси, насыщает ее водой, которая растворяет цемент.Нижний предел температуры пара обеспечивает поступление несконденсированного пара.Выше указанных пределов температурэффект резко ослабевает, так как смесь разогревается, и пар не успевает конденсироваться в порах смеси, а через отверстие в верхнем пунсоне выбрасывается наружу.При этом смесь недостаточно насыщается 50 водой, снижается степень гидратации цемента, значит нужно увеличить время действия пара на смесь компонентов, т. е, увеличивать время выдержки смеси под давлением, что приводит к еще большему разогреву и ухудшению свойств резисторов - 55 увеличивается пористость, снижается механическая прочность, увеличивается разброс величины сопряжения и резко...

Номер патента: 371835

Опубликовано: 30.05.1984

Авторы: Власов, Коновалова, Кошкина, Спевакова

МПК: H01C 17/06

Метки: высокостабильных, резисторов

...Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Филиал П 11 П "П,отецт", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к области радиотехнической промышленности.Известен способ получения пленочных углеродистых резисторов посредством нанесения на подложку кремний- углеродистых пленок.Такой способ не обеспечивает получения высокостабильных резисторов,По предложенному способу на кремнийуглеродиствую пленку наносят чисто углеродистую, а затем снова кремнийуглеродистую пленку.Это позволяет повысить стабильность резистэров.На керамическую подложку методом пиролиза наносят последовательно кремнийуглеродиствую пленку с сопротивлением больше 10 Мом/кв, углеродистую пленку нужного...

Номер патента: 1096701

Опубликовано: 07.06.1984

Авторы: Куренчанин, Недорезов, Подшибякин

МПК: H01C 7/00

Метки: резисторов, толстопленочных

...резисторов состоят в низком температурном коэффициенте сопротивления (ТКС) и нелинейной зависимости сопротивления от температуры, что не позволяет использовать резисторы в качестве термометров сопротивления. Наиболее близким к изобретению техническим решением является способ изготовления толстопленочных резисторов, включающий приготовление пасты из порошков диоксида рутения с размером частиц 0,02-0,02 мкм и свинцовоборосиликатного стекла и нанесение пасты на керамическую подложку с последующим вжиганием пасты при 850 С 2.Недостатки известного способа изготовления заключаются в низком ТКС (менее 250 10град) и нелинейной зависимости сопротивления от 1 температуры.Цель изобретения - повышение температурного коэффициента...

Номер патента: 1100644

Опубликовано: 30.06.1984

Авторы: Авдеенко, Чакк, Черненко, Черных

МПК: H01C 17/30, H01C 7/112

Метки: нелинейных, резисторов

...осуществляют приэтой температуре в интервале 300"400 С на воздухе в течение 1-2 ч,оИзготовление нелинейных резисторов в процессе приготовления керамической шнхты из смеси оксидов металлов проходит в области высоких температур при наличии жидкой фазы.При этом после охлаждения заготовокв них между кристаллами оксида цинка образуется стеклообраэные прослойки - стеклофаза из оксида цинка идобавок оксидов металлов, которая 644 2в виде тонкой пленки располагается на поверхности кристаллов оксида цинка, обладает способностью к кристаллизации и как пленка сложного состава создает потенциальный барьер для тока, является причиной неомической проводимости и определяет ос- новные электрические свойства нелиней-. ных резисторов. Стеклофаза...

Номер патента: 1101475

Опубликовано: 07.07.1984

Автор: Ряхин

МПК: C23C 13/00

Метки: поверхности, подложки, резисторов, тонкопленочных, чистоты

...оценки результата визуального контроля, в связи с чем достоверность получаемых результатов мала. Кроме того, способ неприменим к гидрофобным по верхностям. цветовой окраски чистых и загрязненных участков поверхности.Фиг. 1-4 иллюстрируют достоверность определения чистоты поверхности контрольных подложек согласно предлагаемому способу.П р и м е р. Определение чистоты поверхности проводилось на подложках из керамического материала М, применяемых в производстве основных типов тонкопленочных цилиндрических резисторов: МЛТ, ОМЛТ, С 2-13, С 2-14, С 2-29 В, С 2-36, С 2-50 и др. Керамические подложки специально загрязнялись различными способами для возможности оценки объективности предлагаемого способа.Анализируемые цилиндрические...

Номер патента: 1101905

Опубликовано: 07.07.1984

Авторы: Аверьянов, Егорова, Юнусов

МПК: H01C 17/00

Метки: анодированием, групповой, заготовок, резистивного, резисторов, слоя, формовки, цилиндрических

...подложки. Основная трудность заключается в том, что в данном случае необходимо анодировать только ту часть тела заготовки резистора, которая находится между колпачками резистора, При этом температурный коэффициент сопротивления (ТКС) резисторов не должен сильно изменяться.Цель изобретения - расширение диапазона номиналов подгонки при сохранении стабильности сопротивления резистора.Поставленная цель достигается тем, что устройство для групповой формовки резистивного слоя цилиндрических заготовок резисторов анодированием, содержащее ванну, частично заполненную электролитом, источник питания, катод, погруженный в электролит, и анод, расположенный над поверхностью электролита, введен расположенный над поверхностью электролита стержень, а...

Номер патента: 1108365

Опубликовано: 15.08.1984

Автор: Новиков

МПК: G01R 17/10

Метки: активных, квадратурный, конденсаторов, мост, реактивными, резисторов, сопротивлений, сопротивлениями, сравнения, четырехплечий

...средней точки обмотки индуктивного делителя напряжения и общей шиной, симметрирующая ветвь подсоединена параллельно обмотке индуктивногоделителя напряжения, а последователь"но соединенные выводы двух конденса1108торов симметрирующей ветви подсоединены к общей шине.Путем создания дополнительныхустройств для контролируемого уменьшения тока со среднего вывода обмоткииндуктивного делителя напряжения накорпус моста этот ток уменьшен дотакой пренебрежимо мало величины,дальнейшее уменьшение которой ужепрактически не влияет на результатыизмерения.На чертеже приведена принципиальная электрическая схема предлагаемого четырехплечего квадратурного моста для сравнения активных сопротивлений резисторов с реактивными сопротивлениями...

Номер патента: 1109814

Опубликовано: 23.08.1984

Авторы: Богаткова, Волкова, Гудков, Загинайло, Закс, Максимцова, Ряхин

МПК: H01C 17/08, H01C 7/108

Метки: пленочных, резисторов, цилиндрических

...собой механическую смесь металла и диэлектрика С - 5102, добавляется смесь порошков алюминйя и его окисла в количестве 28 от керметного материала при соотношении металла и его окисла 2:1, Полученная смесь порошков после тщательного перемешивания наносится на испаритель в коли. честве, обеспечивающем требуемую толщину реэистивной пленки. Испаритель с нанесенным реэистивным материалом помещается в камеру вакуумного напыления и вокруг него размещаются керамические основания резисторов . По достижении в камере вакуума порядка 10 4 -10торр испаритель постепенно разогревается путем увеличения величины подаваемого на него электрического тока и проводят двухступенчатый режим испарения.Первая ступень испарения заканчивается по...