Патенты с меткой «резисторов»

Номер патента: 1470118

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Зайцев, Некрасов, Согуренко, Туркова, Франк

МПК: H01C 17/00

Метки: резисторов, фольговых

Способ изготовления фольговых резисторов, включающий формирование резистивных элементов на фольге, ее травление, нанесение со стороны вытравленных углублений стеклоцемента, отжиг и подгонку сопротивления, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих температур до 400 - 500oC, перед операцией нанесения стеклоцемента его обрабатывают 20 - 30%-ным водным раствором азотнокислого марганца и подвергают термообработке в интервале температур 180 - 200oC в течение 1 - 1,5 ч.

Номер патента: 1701049

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Артемов, Казадаев, Осипов, Стусь

МПК: H01C 17/24

Метки: лазерной, подгонки, прецизионных, резисторов, тонкопленочных

1. Способ лазерной подгонки прецизионных тонкопленочных резисторов, включающий изготовление тестовых образцов резисторов на диэлектрической подложке, нанесение пробных резов перпендикулярно направлению линий тока тестовых резисторов с использованием различных режимов лазерного излучения, определение зависимости величины удельного поверхностного сопротивления утечки резов от мощности лазерного излучения, выбор оптимального режима работы лазерного излучения путем сравнения полученной величины сопротивления утечки резов на тестовых образцах с заданной величиной и подгонку номиналов тонкопленочных резисторов путем нанесения лазерных резов параллельно линиям тока в выбранном режиме, отличающийся...

Номер патента: 240820

Опубликовано: 20.10.1999

Авторы: Заборская, Зуева, Кайнов, Курилло, Стакло, Терехов

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, металлопленочных, резисторов, токопроводящий

Токопроводящий материал для металлопленочных резисторов, содержащий полупроводниковую, например кремниевую, основу и токопроводящие компоненты, например никель и вольфрам, отличающийся тем, что, с целью повышения удельного сопротивления материала, он содержит 75 - 80% кремния, 15 - 17% никеля, 1,5 - 4% вольфрама и 2,5 - 3% титана.

Номер патента: 1452375

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Квасков, Сидоренко

МПК: H01C 7/10

Метки: нелинейных, оксидно-цинковых, резисторов

Способ изготовления нелинейных оксидно-цинковых резисторов, включающий операции обработки порошка оксида цинка, смешивания его с добавками, прессования заготовок резисторов, обжига, нанесения электродов, отличающийся тем, что, с целью снижения удельного электрического сопротивления и увеличения коэффициента нелинейности при плотности тока более 100 А/см2, операцию обработки порошка оксида цинка осуществляют в восстановительной среде при температуре в диапазоне 400 - 900oC.

Номер патента: 677575

Опубликовано: 27.04.2002

Авторы: Гарин, Епанешникова, Клипа, Тараненко, Уманцев, Франк

МПК: H01C 17/00

Метки: резисторов

Способ изготовления резисторов, включающий покрытие фольги химстойким материалом, формирование в нем пробельных участков, травление фольги через пробельные участки, удаление химстойкого материала и подгонку сопротивления, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности сопротивления резисторов в широком диапазоне температур, травление фольги выполняют на глубину, меньшую толщины фольги, а после удаления химстойкого материала наносят со стороны вытравленных углублений слой кристаллизующегося стекла и осуществляют его отжиг, после чего осуществляют травление фольги до вскрытия стекла в углублениях.

Номер патента: 944456

Опубликовано: 27.04.2002

Авторы: Епанешникова, Лебедь

МПК: H01C 17/00

Метки: резисторов

Способ изготовления резисторов по авт. св. 677575, отличающийся тем, что, с целью повышения точности геометрических размеров резистора, стеклоцемент отжигают под давлением 0,01-0,10 кг/см2.

Номер патента: 1780441

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Горчаков, Капитонов, Пиганов, Шопин

МПК: H01C 17/00

Метки: отбраковки, пленочных, резисторов

Устройство для отбраковки пленочных резисторов, содержащее блок измерения величины сопротивления, соединенный с блоком отбраковки, содержащем последовательно соединенные дифференцирующую ячейку и нуль-орган, блок выборки-хранения, компаратор и регистрирующий блок, причем сигнальный вход блока выборки-хранения, второй вход компаратора и вход дифференцирующей ячейки соединены с выходом блока измерения величины сопротивления, отличающееся тем, что, с целью повышения точности и достоверности отбраковки, в блок отбраковки дополнительно введены последовательно соединенные первый источник опорного напряжения и второй компаратор, второй источник опорного напряжения и третий компаратор и элемент...

Номер патента: 1457683

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Зеленин, Покрышкин, Шишмолин

МПК: H01C 17/00

Метки: импульсной, пленочных, резисторов, стабилизирующей

Устройство для импульсной стабилизирующей обработки пленочных резисторов, содержащее генератор импульсов обработки, блок синхронизации, компаратор, первую и вторую контактные клеммы для подключения резистора, причем вторая контактная клемма соединена с общей шиной, отличающееся тем, что, с целью повышения качества обработки, оно дополнительно снабжено источником постоянного тока, усилителем постоянного тока, первым и вторым блоками выборки и хранения, причем выход источника постоянного тока соединен с первой контактной клеммой, выходом генератора импульсов обработки и входом усилителя постоянного тока, выход которого соединен с первым входом генератора импульсов обработки и с первыми...

Номер патента: 1358653

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Гурский, Жебин, Зеленин, Шишмолин

МПК: H01C 17/00, H01C 3/00

Метки: пленочных, резисторов

Способ изготовления пленочных резисторов, включающий нанесение резистивной пленки на диэлектрическое основание, термическую обработку, формирование контактов, подгонку сопротивления и импульсную токовую тренировку, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности параметров, термическую обработку диэлектрического основания с нанесенной резистивной пленкой проводят при температуре на 30-50 K ниже температуры начала рекристаллизации резистивной пленки в течение 40-60 мин, а импульсную токовую тренировку осуществляют перед подгонкой сопротивления импульсами длительностью 10 -5 - 5·10-4 с, причем амплитуду каждого последующего импульса увеличивают на 3-5 В и...