Способ изготовления пленочных резисторов печатных схем

в них полосков и формирование контактных площадок и резисторов методом фотолитографии, формирование резисторов проводят путем дискретного удаления проводящего слоя на чередующихся участках одинаковой длины, измерения промежуточного значения величины изготовленной части резисторов и формирования недостающей части каждого резистора повторным удалением проводящего слоя на участках длиной,Д - Р(- 1), (1)У где ЬР - удаленная часть проводящего слоя;дК - измеренная. величина изготовленной части резистораР - длина дискретных частей судаленным проводящим слоемна полосках;ЙЧ - требуемая величина сопротинления М-го резистора, причем получение полосков осуществляют в соответствии с соотношением-- сопзй Р) . (2)Ьн,где Е -длина части полоскав, используемая для формированияреэистивной пленки междуконтактными площадками И-горезистора;Р Р+где Р - длина полоска между дискретными частями резистора,0соп 11 )Ям - ширина Х-го резистора, а дискретное удаление проводящего слоя на чередующихся участках одинаковой длины осуществляют в соответст вии с соотношениямисопзС; пм н мйм Бц(4)пй РмаксР ) Ем Бм Р (5)пи Рмиигде п - количество дискретных чиселХ-го рвзистора;Рминотклонение величины удельр с ного сопротивления резисмокстинного слоя.формирование пленочных резисторов с чередующимися участками в соответствии с соотношениями 3) -(5) позволяет на первом этапе фотолитографии изготовить каждый резистор частично в ниде одинаковой относительной части, а затем по результатам промежуточного измерения изготовить недостаточную часть также с одинаковой относительной величиной, Таким образом исключается влияние величины удельного сопротивления на техно-логический процесс, а следовательно,не имеют значения и причины, вызывающие его отклонрние,На фиг, 1 показана печатная пла 5 та с полосками; на фиг, 2 - Фотошаблон на Фиг, 3 - печатная плата срезисторами, величина которых составляет часть заданного значения; нафиг, 4 - разрез А-Ь на фиг, 3; на10 Фиг. 5 - печатная плата при повторной фдтолитографии со смещенным фотошаблоном по оси Х, на фиг. бто же, со смещенным Фотошаблономпо оси У.Печатная плата (фиг.1) содержитдиэлектрическую подложку 1 и полоски .2-4. Фотошаблон (фиг.2) содержит.элементы, определяющие, топологиюрезисторов, в виде дискретных частей 5-15 с одинаковым значением Р,)определяющим длину дискретной части резистора, и расстоянием междуними Р 1. Фотошаблон выполнен настеклянной подложке 16, Печатнаяплата (фиг.3) изготовлена с использованием данного фотошаблона и содержит диэлектрическую подложку 17,резисторы 18-20, величина сопротивлений которых составляет частьзаданного значения, выполненные ввиде дискретных частей 21-31 с проводящими площадками 32-45,Печатная плата (фиг.4) содержитдиэлектрическую подложку 17, резистивные слои 46 и 47 и проводящиеплощадки 32-40.Печ:атная плата (фиг.5) содержитна подложке 17 резисторы 18-20 сдискретными частями 21-31 и 48-54.Печатная щита (фиг,б) содержит40 на подлбжке 17 резисторы 18-20 сдискретными частями 21-31, 48-58.Полоски 2-4 на плате формируют ввиде реэистивного и проводящего слоев согласно соотношению (2) . Часть45 полоска 2, предназначенная дляизготовления резистинной пленки резистора между контактными площадками, имеет длину Е и ширину Я.Части полосков 3 и 4, предназначен.- ные для изготовления реэистинныхпленок резисторов между контактнымиплощадками имеют, соответственно,ДЛИНУ ) Е 4 И шИрИНУ Яэ) 54Используя фотошаблон на полосках2-4 печатной платы, осуществляют дискретное удаление у них проводящего покрытия методом фотолитографии на чередующихся участках одинаконой длины 21-31 (фиг, 3 и 4). При этом получают дискретные части резистора 21-31 с парными проводящими контактными площадками 32-45 на резисторномслое 46-47. Полученные дискретные части резистора с проводящими площадками и соответственные элементы 6-") 5-15 фотошаблона, определяющие то 1961169 пологию дискретных частей резисторов,формируют согласно соотношениям(2)-(5) . Затем проводят промежуточное измерение величины изготовленной части резистора, например резистора 18, по контактным площадкам 32и 39Смещают фотошаблон по оси Хи повторным удалением проводящегослоя путем селективной фотолитографии полосков, по длине совпадающихс осью Х, на участках длиной ь Р,согласно соотношению (1) Формируютнедостаточную часть каждого резистора в виде дискретных частей 48-54(фиг.5 .Смецают фотошаблоны по оси У ина плате повторным удалением проводящего слоя путем селективной, фотолитографии полосков, по длине совпадаюцих с осью У, на участках одинаковой длины дР согласно соотношению(1) формируют недостаточную частькаждого резистора в виде дискретныхчастей 55-58 (Фиг,б).1Полученная плата (фиг.б) содержитрезисторы с заданной величиной сопротивления. Резистор 18 .имеет ширину реэистивной пЛенки 51 и контактные площадки 32 и 39.Резистор 19 имеет ширину резистивной пленки 5 и контактные площадки40 и 43. Резистор 20 имеет ширинурезистивной пленки 54 и контактныеплощадки 44 и 45.Дискретные части 48-58 длиной аРполучены повторным удалением проводящего слоя, дискретные части 21-31.получены фотолитографией полосков на чередуюцихся участках одинаковой длины дискретным удалениемпроводящего покрытия,П р и м е р. Требуется изготовитьпечатную плату с резисторами В- 100 Ом 110; К 2 = 200 Ом +10К 3 = 2500 Ом 10 и т.д.На подложке с величиной удельного сопротивления резистивной пленки в пределах Р = 120 Ом/ь,Умин = 80 Ом/ьСогласно соотношению (2), учитывая требования обеспечения оптимального электрического режима,;а такжеконструктивные и технологическиетребования к изготавливаемым резис - + " 0,02, т.е. и( ЙМ" Бм 100 0 5 О 4167 пч р, 2030 Находят 21 0,41670,2083 мм, - 0,725 мм; Определяемые параметры Заданныепараметры параметры полосков мм 5, мм100 Ом т 10 0,725 0,5 1200 Ом т 10 0,725 0,5 торам, на диэлектрической подложкефотолитографией по нанесенным резистинному и проводящему слоям формируют полоски. Для резистора й задаются наименьшим возможным количе 5ством дискретных частей п = 1,определяют ширину полоски (резистора) Б0,5 мм, определяют по соотношению (3) величину сопят,1 О сопэй"= 0,02.м Гй 05 00 Для резистора К определяют Б, исходя из конструктивных и технологических требований так, что и 1 равня ется целому числу пг20- д=гду-0,02.Следовательно, и 1 1; Я 1 = 0,25 мм.Для резИстора К Э аналогичноЯз = 0,2 мм; п 5= 10.Используя соотношение (2), нахо 25 дят Р,Для й М Зм Р 1000 5ЧФ Ухлин 1 80 35 Определяют длины полосков для резистивной пленки между контактными+ 0,2083) 0,5 100 = 0,725 мм;1,1 р сопэ(Р,+ 2) .БВ 1450,020,725 0,25 200 ЕЗ Оф 02 0725 02 250050 = 7,25 мм. Полученные расчетные результатыприведены в таблице,параметры резисторов и фотошаблона 1 1 1 1 п 1 п 3 Р ф мм Р 1 мм сопэ 1 0,4167 0,2083 0,02 0,4167 0,2083 0,02где д У - удаленная часть проводящего слоядК - измеренная величина изготовленной части резистораР . - длина дискретных частей судаленным проводящим слоемна полосках,й - требуемая величина сопротивления Х-го резистора,причем получение полосков осуществляют в соответствии с соотношениемсопэСР,ЬнМ йгде ЕН - длина части полосков, используемая для формированиярезистивной пленки междуконтактными площадками М-горезистора,+где 3,1 - длина полоска между дискретными частями резистора,О .с сспзС ( 1 р- ширина Я-го резистора, а дискретное удаление проводящего слоя на чередующихся участках одинаковой длины осуществляют в соответствии с соотношениями сспэСпнн йЙц Бй,пКРкс пкУми О где пн количество дискретных частей М-го резистора,рмир - отклонение величинымин5 " удельного сопротивления реэистивногослоя.Источники инФормации,принятые во внимание при экспертизе20 1. Берри Р., Холл П. и Гаррис М,Тонкопленочная технология. М., фЭнергия", 1972, с, 152-161.2. Патент Японии Р 47-31 В 97,кл, 59 С 4, опублик. 1972 (прототип).961169 7 ФО Составитель В.МилославскаяРедактор Г.Безвершенко ТехредЛ.Пекарь Ко ектор А.Грицерр Филиал ППП "Патент", гУжгород, ул, Проектная, 4 аказ 7322/77 Тира ВНИИПИ Государствен по делам изобрете 113035, Москва, Ж, Р862 Подписноеого комитета СССРий и открытийушская наб., д, 4/5