Стекло для толстопленочных резисторов

ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(23) Приоритет -С 03 С 3/10 Госуларствеииый комитет СССР ио лелам изобретений и открытии(удельное поверхност р ( 200 Ол ) со стаби рйстиками при воздей ких факторов. Изобретение относится и составам стекол, используемым при изготовлении толстопленочных рутениевых резисторов, применяющихся в производстве микросборок для радиотехнической, электронной и других отрас". лей промышленности.Известно стекло 1), включающее РЬО, Вг 03, 5)О 2, А 12 ОЗ, В)гов следу ющих количествах, вес.Ъ РЬО 70-.76; Вгоз 6-12; 5102 0,5-4; А)гоз 6-12; В гоз 01 5Однако в составе ила не содержатся компвращающие восстановлеНаиболее близким кпо технической сущносму результату являетсющего состава вес.Ъ:В 203 6-16; 5)ог 2-10;В)го 12-24 Мпгоз О,1,5. Это стекло исполводстве компаундов, рт,д. 12).Недостатком еется то, что и иэисторы имеют Ркоэффициент со Ти 10 ь 1/град ), еныл получение з отивлениеарактеиматичес-ое сопь нымнтвии к тения - снижение темпефициента сопротивленияизким удельным сопроЦель изо ратурного к резисторов тивлением. Цель до для толсто.чающее РЬО дополните следующем мас. %: Р 0стекло ов вклю 3 Д)20 з, Млог при иентов,стигается тем пленочных ре5102 ВгОЗ льно содержит соотношении чт и стоВСц О.игре эвестного стеконенты, предотние свинца. 15 предлагаемому ти и достигаемоя стекло следуРЬО 58-73А 1 гО 05-25 5-5 СсОз 0.,001- . ьэуется з произеэисторов нВ 203г 3СцонпогВведениепозиции степозволяет пким удельньтки Ом) иэффициентсмнее + 100. 10можность поров эа счет 4,0-14,0 в состав резистивной ко ла указанного состава олучать резисторы с низсопротивлением (десятизким температурны косопротивления (ТКС ме" Ь 1/град ), что дает возысить качество реэистоувели 1 ения точности и укаэанных ст зготовленные высокий темпе противленйя ( что делает н ниэкоомных ре кол являз них реатурный КС 400 х возможисторо".остав 10"2 10 530 527 15 3 10 526 Со- ста Мпо Таблица 3 ТКС, 10- 1/град табильность езисторов осле воздейтвия повышеной влажности,ф Удельное поверхностноесопротивление,Ом/п Стабильнострезисторовпосле воздействияэлектрической нагрузки, Ъ Соста т -60 о +25 т +25о +125 32,0,05,26 Д 6203, что, с го коэф торов с нием, о и МпО гредиен 60 Зб,О-М 1 2",О"30 8,0-10 7 О" 8 502В 20,ВгазА 10,резисВО В 2 5,0 стабильности сопротивления в процессе эксплуатации резисторов при воздействии электрических и климатических факторов,Наличие в составе стекол крупных Ионов Сц 2+и Мп 4+в сочетании с малы ми ионами с сильным кулоновскпм полем АЗ+и В 3+обеспечивает необходимую плотность упаковки ионов и затрудняет ионную проводимость стекла, что и позволяет уменьшить ТКС резисторов.10Взвешенные. исходные компоненты стекла загружают в тигель, который помещают в электрическую силитовую печь. Стекло варят в печи в течение 1 ч при 1200-1300 фС.В табл. 1 приведены предлагаемые составы стекла.Таблица 1 Содержание исходных компонентов,;Я 111 251 41,0 300 100 70 70 10 40 2 38,0 27 5 9 О 6 О 7 5 3 О 9 О3 36,0 24,0 8,0 5,0 8,0 5,0 14,030 Иэ табл. 3 видно, что резисторыс удельньм сопротивлением десяткиОм имеют низкий температурный коэффициент сопротивления, составляющий менее 100 10-6 1/град, что обеспечивает повышенную стабильность резисторов. При испытаниях на устойчивость к климатическим воздействиямизменение сопротивления резисторовне превышает 0,3,формула изобретенияСтекло для толстопленочныхторов, включающее РЬО, 502,В табл, 2 приведены свойства стекла предлагаемых составов.Таблица 2 На основе указанных стекол изготовлены толстопленочные рутениевые. резисторы, Для этого получают резистивные пасты, которые готовят тщательным перемешиванием порошка стекла, двуокиси рутения и органического связующего. Затем пасту наносят на керамические подложки методом трафаретной печати, подсушивают и подвергают термообработке при максимальной температуре 870 С. Характеристики полученных резисторов указаны в табл. 3. о т л и ч а ю щ е е с я тем целью снижения температурнофициента сопротивления резиснизким удельныя сопротивлено дополнительно содержит Со при следующем соотношении ин тов, мас,Ъ;Источники информации,принятые во внимание при экспертизе СоОМп 02 1,0-5,04,0-14,0 9963561, Патент Японии 9 49-2167,кл. 21 А 29, опублик. 1974.2. Авторское свидетельство СССРР 804584, кл, С 03 С 3/10, 1979Й Р Ы Е РР Р Заказ 829/33 Тираж 484 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035 Москва КРауиская наб. д. 4 5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Составитель М, войтовРЕ акто О, Пе сиянцева Тех едЛ.Пекарь Ко екто М. Коста