Стекло для резисторов

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз СоеетскииСоциалистическихРеспублик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(22) Заявлено 040681 (21) 3299570/18-21 5 М Кл 3 Н 01 С 7/00 с присоединением заявки ИВ(23) Приоритет Государственный комитет СССР по делам изобретений н открытий(331 УДК 621396.69(088.8) Опубликовано 30182. Бюллетень Но 44 Дата опубликования описания 30.1182 В.З. Петрова, Р.ф. утова, Т.М, Морозова, ВН,фйпатОви Н.А, РумянцевагМосковский институт электронной техники(54) СТЕКЛО ДЛЯ РЕЗИСТОРОВ 5-15 Изобретение относится к электрон"ной технике и может быть использовано для изготовления резисторов термЬ"печатающих матриц,Известно стекло, используемое дляизготовления регистров, метбдамитолстопленочной технологии. Резистивные композиции, содержащие рутений и стеклосвязку, обеспечиваюттребуемый диапазон удельного поверхностного сопротивления резисторов ивеличину температурного коэффициента,сопротивления, но не обладают достаточной твердостью и стабильностьюсопротивления в процессе эксплуатации Щ.Наиболее близким по техническойсущности к предлагаемому являетсястекло для резисторов, имеющее высокую плотность за счет содержанияоксида висмута (111), и позволяющееполучать качественную печать (21.Недостатком этого стекла является малая твердость, что приводит кистиранию поверхности резистора иизменению сопротивления.Цель изобретения - повышениетвердости и термостойкости стекладля резисторов,Поставленная цель достигаетсятем, что стекло для резисторов,вклю. чающее оксид свинца (11), диоксидкремния (1 У), полутарооксид бора(1:1) и полутарооксид висмута (111),дополнительно содержит полутарооксид 5 алюминия (111) при следующем соотношении компонентов, вес.:Оксид свинца (11) 55-70Диоксид кремния (1 У) 10-20Полутарооксид бо 10 ра (111) 5-15Полутарооксид висмута (111)Полутарооксид алюминия (111) 5 "15 15Стекла, содержащие менее 70 вес.тяжелых оксидов РЬО и В 120, необеспечивают требуемой плотностистекла - 5,4 г/см 3, поэтому введениеРЬО менее 55 и В 1 10 З менее 5 неэфФективно. Стекла, содержащие более70 РЬО или более 15 В 110, имеютнизкую микротвердость - менее420 кг/мм и проявляют склонность Ыкристаллизации. Совместное введениеРЪО и В 120 снижает склонность стекол к крйсталлизацни.Стекла, содержащие менее 10 810,менее химически устойчивы, а содержащие более 20 810 более тугоплав кие и вязкие при температурах вжи978204 Состав Предлагаемый 10 60 10 70 15 60 20 6510 55 10 66 11 10 10 10 15 Известный Таблица 2 Свойства. Состав Плотность, Микротвердость, Термостойкость, г/см кг/мм С Предлагаемый 5,5 450 130 440 120 54 450 130 5,4 500 140 55 460 120 5,5 Известный 400 90 гания резисторов, что ухудшает качество поверхности резистора,Введение менее 5 В 103 в составстекла также повышаеттугоплавкостьстекол и приводит к повышению температуры вжигания резисторов более850 ОС, введение ВЫ 03 более 15ухудшает термостойкость стекол ирезисторов на их основе до 100 сС,МО является компонентом стекла, повышающем его термостойкость;введение менее 5 А 6203 незначительно повышает его, а содержание АР 03более 15, хотя и желательно с точкизрения повышения термостойкости,но резко повышает температуру вжигания резисторов более 850 ОС, чтонежелательно.В табл.1 приведены составы синтезированных стекол.Каждое стекло оплавляют отдельнов корундиэовом тигле в силиковойпечи при .1200 ОС в течение, 30 мин,В табл,2 приведены характеристикистекол,Характеристики резисторов на основе предлагаемых стекол и известного представлены в табл.З. Иэ приведенных в табл.З данных следует, что предлагаемый составстекла обеспечивает получение резисторов термопечатающих матриц, выдерживающих без истирания и разрушения более 1,10 циклов печати и измене 6ние сопротивления не более 1,5. Стекло для резисторов может бытьиспользовано для изготовления рутенийсодержащих толстопленочных резис торов, пригодных для работы в составе термопечатающих матриц. Такжерезисторы могут найти применениев составе ГИС для радио- и электронной техники. Материал прост в 26 изготовлении и имеет существенныеотличия, дающие положительный эффект - повышение стабильности толстопленочных резисторов, работающихв составе термопечатающих матриц.Таблица 1 Содержание компонентов, вес,2 2 33 2 3978204 Т а блица 3 Характеристики резисторовЮ Состав Изменение сопротивления, % ТЕС10-ь 1/градпри 20 90 о Удельноеповерхностное сопротивление,Ом/кв После 10 циклов печати После 5 тер- моциклов от -60 до +120 ОС Предлагаемый 50" Изменение сопротивления дано после 10 циклов печати.6 Полутарооксид бора (111) 5-15Полутарооксид висмута (111) 5-15Полутарооксид алюминия (111) 5-15 Источники. информации,принятые во внимание при экспертиае1. Авторское свидетельство СССР В 633831, кл. С 03 С 3/10, 1978,2.Патент США В 3324049,кл.252-514 1967. Составитель Н. ЕондратовРедактор П, Макаревич Техред Ж.Кастелевич Корректор Г. Решетняк Заказ 9228/67 Тирад 761 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, 3-35, Раумская наб., д. 4/5 Филиал ППП фПатент, г. Укгород, ул. Проектная, 4формула изобретенняСтекло для резисторов, включающее оксид свинца (11), диоксид кремния (1 У), полутарооксид бора (111) и полутарооксид висмута (111), о тл и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения твердости и термостойкости, оно дополнительно содерзсит полутароокскд алюминия (111) при следующем соотношении компонентов, вес.ЪОксид свинца (11) 55-70 Диоксид кремния (1 У)10-20