G01R 33/095 — G01R 33/095

Номер патента: 256849

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Сытников, Таранов, Февралева

МПК: G01D 3/02, G01R 33/02, G01R 33/095 ...

Метки: измеритель, индукции, магнитной

...С. Г. Тара Институт электродинамики ИЗМЕРИТЕЛЬ МАГНИТНОЙ И Изобретение относится к области магнитных измерений и предназначено для измерения индукции постоянных магнитных полей.Известные измерители магнитной индукции, содержащие измерительный мост с датчиком магнитосопротивления в его плече, усилитель и индикаторный прибор, основанные на использовании магниторезистивного эффекта, имеют нелинейную зависимость показаний индикатора от измеряемой величины 10 в области слабых магнитных полей.Предлагаемое устройство отличается от известных тем, что, с целью линеаризации шкалы индикатора, оно снабжено дополнительным измерительным мостом с датчиком 15 матнитосопротивления, расположенным,в зазоре электромагнита, обмотка которого через выпрямитель...

Номер патента: 257600

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Богач

МПК: G01R 33/095

Метки: богача, величины, градиента

...цветной термографии, по известным формулам определяют ве личину или градиенты исследуемого магнитного поля.При использовании метода цветной термографии возможна визуальная индикция распределения магнитного поля вдоль провод 1 б ника. зобретен 1 едм Способ ента маг.ни нитосопрот целью повь по датчику постоянны тчры на е величине. для пзмер тного поля твлення, от щения раз магнитосо и ток и по го поверх Изобретение относится к области магнитных измерений и предназначено для исследования неоднородных мапнитных полей.Известные способы измерения неоднородных магнитных полей с помощью датчика магнитосопротивления не обладают достаточной разрешающей способностью, что не позволяет исследовать тонкую структуру поля,Предлагаемый способ отличается...

Номер патента: 371539

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вител, Козлов, Ротарь

МПК: G01R 33/095

Метки: датчик, магниторезистивный

...включении датчика в электрическую цепь, а третий омический контакт 3 является общим при включении датчика в электрическую цепь.Датчик представляет собой линию передачис переменными параметрами элекгрическои энергии от источника 4 к сопротивлению 5 нагрузки. Параметры, определяющие внутреннис потери электрической энергии в линии, зависят 1;, от напряженности магнитного поля в окружающем линию пространстве. Если потери энергии в линии малы, то мало и пада ощее на ней напряжение, а напряжение, выделяющееся на сопротивлении Б нагрузки, составляет существенную часть напряжения питания.Прп больших потерях электрической энергии, т. е. при большом падении напряжения в линии, напряжение, выделяющееся на зажимах сопротивления нагрузки, составляет...

Номер патента: 410342

Опубликовано: 05.01.1974

МПК: G01R 33/095

Метки: 410342

...це только постоянное, но 15 и переменное магнитное поле. Кроме того, отпадает необходимость в подмагцичивании, что значительно упрощает схему магнитометра, исключив из цее катушки подмагцичивапия и схему регулировки фазы подмагцичивания. 20На чертеже представлена схема магнитометра.Оц содержит потокочувствительцые датчики 1 и 2, образующие вместе с балансировочным сопротивлением 3 и симметричным выходом 25 источника переменного напряжения 4 мостову 1 о схему; источник постоянного тока 5, вклочеццый в диагональ моста; измерительный прибор 6, включенный в эту же диагональ через разделительную емкость 7. 30+ А,Е,Е, сов (ае+ а) 1,А - коэффициент, зависящий от параметров схемы;Ео - напряженность постоянного эческого поля;Е -...

Номер патента: 436287

Опубликовано: 15.07.1974

Авторы: Разин, Савенко, Щелкин

МПК: G01R 15/00, G01R 19/15, G01R 33/095 ...

Метки: бесконтактного, гальваномагнитное, сильных, токов

...лентыпопадают в более сильное поле, противопо 5 ложные - в более слабое; сопротивлениепервых участков увеличивается, вторых -уменьшается, в результате чего общее сопротивление ленты остается практически неизменным. Таким образом устройство оказыва 10 ется нечувствительным к перемещению проводника с измеряемым током по отношениюк чувствительному элементу,Специальная конструкция магниторезистивного чувствительного элемента в виде ленты15 обеспечивает также независимость точностиизмерения от действия внешнего магнитногополя помех.Ленточный чувствительный элемент является датчиком направленного действия. Он име 20 ет максимальную чувствительность к состав.ляющей вектора напряженности поля, перпендикулярной к плоскости ленты НП=Н соз...

Номер патента: 464875

Опубликовано: 25.03.1975

Автор: Токарев

МПК: G01R 33/02, G01R 33/095

Метки: датчик, магнитоэлектрический

...датчик снабжен кольцом, соосно раоположеннь)м с диском и герметически соединенным с ним двумя диэлектрическими шайбами, причем,пространство между кольцом и диском заполнено газообразным реагентом.На чертеже схематично изображен предлагаемый датчик.Датчик состоит из сплошнго диска 1, соосно раст)оложкольца 2, соединенных междутрическими шайоами 3 и 4 полость 5, заполненную газоооразным реагентом, проводников б и 7, присоединенных к диску 1 и кольцу 2 соответственно.Устройство работает следующим образом.Под влиянием приложенного к проводникам б и 7 напряжения в полости 5 возникает пробой газа, и находящийся в полости рсагент переходит в состояние плазмы. Вел ) датчик поместить в магнитное поле, параллельное оси датчика, то траектории...

Номер патента: 470772

Опубликовано: 15.05.1975

Автор: Сафинов

МПК: G01R 33/095

Метки: датчик, магнитосопротивления

...слой иа равныс части, и с металлическими контактами иа двух других гранях датцика. На чертеже показана конструкция предлагаемого датчика.Датчик магнитосопротивления состоит изподложки 1 в форме параллелепипеда из фер родиэлектрика с нанесенным иа четыре ее грани слоем магниторезистивного материала 2 и металлизацией 3. Четыре ребра граней имеют фаски 4, благодаря которым грани с слоем магниторезистивного материала образуют 10 остовую схему.Если датчик находится в магнитном полетак, что его вектор перпендикулярен одной из четырех рабочих граней, то при изменении величины индукции магнитного поля изменяет ся сопротивление только двух граней с слоеммагниторезистивного материала. Сопротивпение двух граней не изменяется, так как их...

Номер патента: 513332

Опубликовано: 05.05.1976

Авторы: Масюренко, Ниженский, Скрипник

МПК: G01R 33/095

Метки: индукции, магнитного, поля

...в магнитное доле на выходе мостовой схемы появляется переменное напряжение, пропорциональное прирагцению сопротивления маг ниторезистора, а следовательно, и квад-; рату измеряемой индукции, Это напряжение через автоматический переключатель 5 и полосовой фильтр 6, где подавляются и смехи и высшие гармоники, поступает на управляемый усилитель 7, Отсюда оно через детектор 8 и автоматический переключатель 9 попадает на фильтр нижних частот 10,Постоянная составляющая напряжения,выделяемая фильтром 10, пропорциональнавыходному напряжению 5 мостовой схемы3, коэффициенту усиления К управляемогоусилителя 7, коэффициентам передачи К 6,К 8 и К 10 полосового фильтра 6, детектора 8 и фильтра 10,Постоянное напряжение Ус помощьюпрерывателя 12...

Номер патента: 519658

Опубликовано: 30.06.1976

Авторы: Левитас, Пожела, Сталерайтис, Янавичене

МПК: G01R 33/095, G01R 33/10

Метки: градиента, магнитного, поля, составляющей

...с областью, имеющей повышенную посравнению со всем элементом скорость рекомбинации носителей тока, а элементы ориентированы так, что указанные грани расположены на противоположных сторонах потокочувствительных элементов.На чертеже показана схема предлагаемогоустройства.Устройство состоит из источника 1 питания,к выходу которого подключены последовательно соединенные резистор 2 и два потокочувствительных полупроводниковых элемента 3 и 4,содержащие области 5 и 6 с большой скоростью рекомбинации носителей тока, и выходного прибора 7, подключенного параллельно 30 элементам 3 и 4, причем указанные элементы расположены таким образом, что силы Лоренца в элементах различно ориентированы относительно областей 5 и 6.Устройство работает...

Номер патента: 552577

Опубликовано: 30.03.1977

Авторы: Валитов, Вальтас, Маргайтис

МПК: G01R 33/095

Метки: насыщения, пленок, потока, ферромагнитных

...идентичные участки обоих магнитопроводов, а полупроводнцковые потокочувствительные элеменгы установлены в симметричных зазорах магнцтопроводов.На чертеже представлена функццональцая схема устройства для измерения потока насыщения ферромагнитных пленок.Устройство содержит иерем агнцчцвающую обмотку 1, соединенную с источником 2 переменного тока ц нанесенную ца цдснтичцыс552577 Составитель С. ЛукинскаяТехрсд А. Камышникова Редак Заик оррект лова Заказ 677/16ЦНИ Изд,312И Государственного комит по делам изобретен 113035, Москва, 7 К, Р Тираж 1054та Совета Министров Сй и открытийушская наб., д. 45 сно Типография, пр. Сапунова,магнитопроводы 3 и 4, жестко связанные между собой и противоположно ориентированные, а в их зазорах установлены...

Номер патента: 574012

Опубликовано: 25.06.1978

Авторы: Вальтас, Маргайтис

МПК: G01R 33/095

Метки: датчик, магнитного, поля

...области 7 с повышенными рр СПРНТ расположены на гранях 4 и 5 укаждого из противоположных торцов 2 пластины 1, между областями 6 и 7 расположен выходной электрод 8. Области 6 с малыми СПРНТ условно обозначены плоша Э дио, ограниченной внутри пластины пункти. Папи орько дак Тираж 1112енного комитета Совета Мизобретений и открытийа, Ж, Раушская набд. э 3307/4БНИИПИ Государспо делам113035, Мос Подписное инистров СС лиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Пров 57 ром, а области 7 с повышенными СПРНТ условно обозначены утолщенными линиями,Датчик работает слепуюшим образом,При воздействии магнитного поля, параллельного граням 4 и 5 на пластину 1 по которой между контактами 3 протекает электрический ток, происходит перераспрепеление носителей...

Номер патента: 702325

Опубликовано: 05.12.1979

Авторы: Востриков, Гусев

МПК: G01R 33/095

Метки: величин, измерительный, магнитных, электрических

...4 тока. Напряжения на магниторезисторах 1 и 2, создавае.мые токами двухканального источника 3 тока. 4направлены встречно и компенсируют друг друга, Ввиду неизменности амплитуды входного напряжения О избирательного усилителя 5 на выходе амплитудного детектора б будет постоянное напряжение О (фиг, 2, г), в составе которого отсутствует переменная состав ляющая. Вследствии этого выходной ток 1 к (фиг, 2, д) электронного преобразователя равен нулю, и показание прибора 10 будет нулевым. При воздействии измеряемого постоянного магнитного поля амплитуды импульсов напряженности поля смещения, которые по направлению совпадают с напряженностью исследуемого поля, увеличиваются, а амплитуды импульсов противоположного направления -уменьшаются...

Номер патента: 834622

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Мурадов, Суханов, Троянский

МПК: G01R 33/095

Метки: магнитометр

...9, соединенный с одним входом блока 10 сравнения, второй вход которого через выпрямитель 11 соединен с общей точкой эталонного резистора 4 и развязывающего резистора 5. г)агнитометр работает следующим образом.. Бойкас Корректор2 Подписноного комитета СССРений и открытийРаушская наб., д, 4/5Ужгород. ул. Проектная,Составител ак Техред А Тираж 73 ВНИИПИ Государствен по делам изобрет 13035, Москва, Ж - 35,филиал ППП Патент, г.. Бутяги При температуре Т на магниторезистор 1 воздействует измеряемое магнитное поле В, поэтому на выходе моста 2 возникает напряжение разбаланса моста с частотой п 1- Ц, которая выделяется избирательным усилителем 6 и поступает на регистрирующий при бор 7, Кроме того, в магниторезисторе 1, а следовательно, и...

Номер патента: 892383

Опубликовано: 23.12.1981

Автор: Назаров

МПК: G01R 33/095

Метки: магнитного, поля, постоянного

...5,показания которого пропорциональны измеряемому полю.Входной сигнал усилителя снимается отсреднего электрода магниторезитора1 и средней точки делителя напряжения, выполненного из термостабильныхрезисторов 6. Магниторезистор 1 и делитель напряжения включаются к выходу источника 7 питания.Как видно. из схемы, магниторезистор 1 и резисторы 6 включены в мостовую схему, Плечами моста являютсятермостабильные резисторы 6 и сопротивления верхней и нижней части ( от среднего электрода) магниторезистора 1. Мостовая схема питается от источника 7 питания. В диагональ моста включен вход усилителя 4Устройство работает следующим образом.При отсутствии измеряемого магнитного поля мост уравновешен и на вхо" де усилителя 4 сигнал отсутствует. При...

Номер патента: 920596

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Ивин, Марченко, Мурадов, Суханов, Ягола

МПК: G01R 33/095

Метки: магниторезистор

...распределение, причем линии перпендикулярны к боковым граням36пластины 4 независимо от наличия илиотсутствия отверстий 5,только в узкихучастках густота линий увеличивается,так как в этих участках сопротивлениемагниторезистора возрастает по сравнению с участками без отверстий 5,При воздействии на магниторезистор 1 магнитного поля В=О эквипотенциальные линии Ч начинают поворачиваться, однако в участках, где имеются отверстия40 5 линии деформируются более того, возникают дополнительные токи щ из-за появления ЭДС Холла в участках с отверстиями 5, в результате этого эквипотенциальные линии Ч поворачиваются неодинаково. С другой стороны на бо" ковых гранях пластины 4 возникают неравные холловские ЭДС, так в участках с отверстиямиЧх = 1 д В С...

Номер патента: 935840

Опубликовано: 15.06.1982

Авторы: Вальтас, Маргайтис, Чесонис, Шпанье

МПК: G01R 33/095

Метки: насыщения, пленок, потока, ферромагнитных

...торцы одного магнитопрово"да замкнуты эталонной ферромагнитнойпленкой, магнитопроводы выполнены в С"образной формы с торцами, суженными в сторону поверхностей пленок.о 3 93584ных между собой и ориентированныхпротивоположно, причем перемагничи"вающая обмотка охватывает идентичныеучастки обоих магнитопроводов, аполупроводниковые патокочувствительные элементы установлены в симмет"ричных зазорах магнитопроводов, торцы одного магнитопровода замкнутыэталонной ферромагнитной пленкой,магнитопроводы выполнены С-образной 1 Оформы с торцами, суженными в сторо"ну поверхностей пленок,На чертеже представлена функцио"нальная схема устройства для измерения потока насыщения ферромагнитных 1 зпленок.Устройство содержит перемагничивающую обмотку 1,...

Номер патента: 953605

Опубликовано: 23.08.1982

Авторы: Аблаев, Назаров

МПК: G01R 33/095

Метки: магнитного, поля, постоянного

...состоит из двух половин с близким коэффициентом теплопередач 50 чи ферромагнитных стержнеи, ферромагнитные концентраторы 2 выполняются таким образом, цто они охватывают только половину поверхности магниторезистора 1, другую половину поверхности которого охватывают немагнит 55ные стержни 3, Третий электрод припаивается к середине магниторезистора 1 на границе площадей, охваченных ферромагнитными концентраторами 2 и немагнитными стержнями 3 из немагнитного материала. На половинах ферро магнитных концентраторов 2 расположены индукционные обмотки 4, которые подключаются к выходу усилителя 5 последовательно с регистрирующим прибором 6, показания которого пропорциональны измеряемому магнитному полю, Выходной, сигнал усилителя сни" мается...

Номер патента: 974312

Опубликовано: 15.11.1982

Авторы: Ивин, Марченко, Мосанов, Мурадов, Сорока

МПК: G01R 33/095

Метки: магниторезистор

...17уцастка 10.Иагниторезистор работает следующим образом.где Ц - падение напряжения на к-омучастке;Л - рабочий ток магнитореэистора;Кк- сопротивление к-ого участкамагниторезистора.Поэтому для раскрытия сущности предлагаемого магниторезистора необходимо отметить соотношение значений сопротивлений К участка 5 с вырезом 6 и сопротивления К 1 О участка 10 с поперечным токопроводящим покрытием, которые соответственно определяются выражениями(2) К= КУ+ КВ тп ппт, ппп,Р +й1 10где К 5- сопротивление участка 5;В,- сопротивление участка 10;К- сопротивление учасика 5 безсквозного отверстия;К- сопротивление участка 5 со0сквозным отверстием;т.п - сопротивление поперечноготокопроводящего покрытия 4;сопротивление полупроводни 10кового материала участка...

Номер патента: 1027657

Опубликовано: 07.07.1983

Автор: Пужляков

МПК: G01R 33/095, H01L 43/08

Метки: датчик, магниторезистивный, перемещений

...двух плеч моста, на которыенадвинулся управляющий элемент, увеличится на величину Ьй, а сопротивление двухплеч, с которых сдвинулся управляющийэлемент, уменьшится; на величину (-дР).Это приводит к разбалансировке моста.На выходных клеммах формируется сигнал пропорциональный величине смещения)управляющего элемента, причем максимальный сигнал будет при смещении управляющего элемента магнитной системы к одному из концов (правому или левому)чувствительных элементов 2 ,К недостатку известного датчика относится то, что диапазон, в котором величина сигнала пропорциональна величине смещения управляющего элемента, составляет 0,5 длины чувствительного элемента, сужает объем его использования."4 увствитеьные элементы магниторезисторов изготавливают...

Номер патента: 1035544

Опубликовано: 15.08.1983

Авторы: Ибрагимов, Исмаил-Заде

МПК: G01R 33/095

Метки: магнитного, напряженности, поля

...источник питания 1 ,Непостатком устройства явпяетсятрудность измерения напряженности вобласти ситытых и спабых магнитныхпопей, обусповленная непинейными эффекта ш 1 и пониженной чувствительностьюмагнитореэисторов в укаэанных пиапазонах измеренийЦепь изобретения - повьдпение чувствнтепьности устройства, при измеренияхв области спабых и сипьных магнитныхпопей.Поставпенпая цепь достигается тем,что устройство, содержащее магниторезистор и регистрирующий прибор, попопните 11 ьно снабжено управляющим,диодом и поспедоватепьно соедин;енными п 1 п 1 ией задержки и перекпючатепем,подключенным неподвижным контактомк регистрируюц 1 ему прибору, при этомциоц в прямом направпении подключенк подвижному контакту перекпючателяи к одному вт 1 вопу...

Номер патента: 1282025

Опубликовано: 07.01.1987

Авторы: Попов, Прочухан, Руд, Скорюкин

МПК: G01R 33/095

Метки: значения, индукции, магнитного, максимального, поля

...,(В ,), показанная 25На фИГ 2 ИМЕЕТ уЧаСтОК ГДиу (Вмакс),= сопз 1; в интервале В = О.макс0,6 Т, Соответственно в этом интервале максимальных магнитных полейчувствительность преобразователя У = 30сгдиу В макс = 0т. еинформация омагнитных полях с максимальной индукцией,меньшей 0,6 Т, теряется,На магниторезистивное веществопреобразователя воздействуют известным постоянным магнитным полем смещения В, = 0,6.0,7 Т того женаправления, что и исследуемое магнитное поле. В этомслучае результирующее максимальное поле, воздейству ющее на магниторезистивное веществореъпреобразователя В Вам + Вмаксбудет всегда больше 0,6 Т, и, следовательно, чувствительность г будетбольше нуля при любых значениях 5. В ,О, После того как исследуемоеи смещающее...

Номер патента: 1465844

Опубликовано: 15.03.1989

Авторы: Болотин, Левитас, Радзявичус, Сталерайтис, Стонис

МПК: G01R 33/095

Метки: вектора, величины, знака, индукции, компоненты, магнитного, поля, постоянного

...и знаку амплитуды детектированного постоянного напряже .ния, причем среднюю частоту Яз моду 30 лированной частоты переменного тока и иодулирующую частоту р выбирают из соотношенийсд Г =1 2 фТсс у сяь в з м ьр где- времй релаксации изменения35 . сопротивления резистора в магнитном поле;Т - наименьшее время колебаний ,амплитуды постоянного напряжения на резисторе в отсутствие магнитного поля.В предлагаемое устройство для измерения величины и знака компоненты вектора индукции постоянного магнитного поля, содержащее гальваномагни, торекомбинационный резистор, источник переменного электрического тока и измеритель постоянного напряжения, введены источник переменного напря 50 жения, эаграждающий фильтр, селективный усилитель и синхронный...

Номер патента: 1443600

Опубликовано: 23.12.1990

Авторы: Лачинов, Прейзендорф

МПК: G01R 33/095

Метки: анализа, гармонического, дипольных, длине, интегральных, магнитных, методом, неоднородностей, полей

...из висмута илиособо чистой меди обладает заметныммагниторезистивным эффектом в диапазоне полей более 0,1 Т с приемлемой линейностью зависимости сопроти"вления от поля. Это хорошо соответствует, например, диапазону магнитныхполей (15-5 Т) .Конструктивно датч 1 ки могут бытьвыполнены в виде сжатой продольнойпетли, которая скручивается в поворотную рамку - каркас, один в паз,совпадающий " осью вращения рамки,а другой. в паз иа ее внешней образующей, параллельно первому. указан-. ные датчики, основанные на магниторезистивном эффекте, практически беэ-,ынерциочны и, следовательно, имеютвысокое быстродействие. Бифилярнаяскрутка петель обеспечивает малуючувствительность к внешним электромагнитным наводкам. Расположение датчиков на краю...

Номер патента: 1316412

Опубликовано: 07.04.1991

Авторы: Лачинов, Саванеев

МПК: G01R 33/095

Метки: длины, заворачивающих, магнитов, пробников, эффективной

...магнитов 5 и 6 запитываются последователь" но током 1.Регистратор 7 измеряет сопротивление пробников 1 и 2 и по реэуль-щ татам измерения вычисляет эффективную длину заворачивающего магнита 5 с учетом калибровки пробников 1 и 2 и кривой намагничивания образцового магнита 6. Пробники 1 и 2 состоят из 4 жесткого каркаса - основания 10 спроточкой для установки туда магниторезистивной бифилярно скрученной петли 8 и 9, мягких уплотнителейпрокладок 12 в прижимной крышки 11. у Перед установкой петель 8 и 9 вкаркасы, измеряют и корректируют с помощью регвстратрра 7 интегральную чувствительность элементов (фиг. 3), ,Для этого элементы 8 и 9 свертывают у и помещают одновременно в постоянноеоднородное поле В, при этом кор" ректируя длину в...