Патенты с меткой «микросхем»

Номер патента: 1085439

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Брюхно, Данцев, Комаров, Усманова, Юлдашев

МПК: H01L 21/26

Метки: микросхем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСХЕМ, включающий создание областей p-типа в кремниевой подложке n-типа проводимости, диэлектрическую изоляцию этих областей, контроль качества полученных областей с диэлектрической изоляцией для определения областей с повышенной концентрацией примеси p-типа проводимости и формирование в диэлектрически изолированных областях рабочих структур, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных, области с повышенной концентрацией примеси p-типа проводимости перед формированием в них рабочих структур подвергают облучению тепловыми нейтронами в течение времени t, определяемого по формуле

Номер патента: 1686982

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Брюхно, Шер

МПК: H01L 21/76

Метки: диэлектрической, изоляцией, микросхем, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСХЕМ С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ ЭЛЕМЕНТОВ, включающий формирование на поверхности кремниевой подложки основной защитной пленки, вскрытие в ней окон под области боковой изоляции, вытравливание в окнах изолирующих канавок, удаление основной защитной пленки, формирование на вскрытой поверхности подложки высоколегированного n+-слоя, выращивание пленки оксида кремния путем окисления подложки, вскрытие окон к кремниевой подложке над участками под высоковольтные транзисторы, осаждение поликристаллического кремния, удаление материала кремниевой подложки до вскрытия дна изолирующих канавок и формирование во вскрытых областях кремния низковольтных и высоковольтных транзисторов, отличающийся тем, что, с целью...

Номер патента: 1591750

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Брюхно, Коновалов, Лебедев, Шер

МПК: H01L 21/18

Метки: микросхем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСХЕМ, включающий создание в кремниевой подложке n-типа первых диффузионных областей p-типа, формирование канавок, разделяющих p- и n-области в подложке, формирование диэлектрической пленки на поверхности канавок, осаждение поликремния, удаления материала подложки до вскрытия дна канавок и создание во вскрытых изолированных канавками участках кремниевой подложки диффузионных базовых и эмиттерных областей n-p-n- и p-n-p- транзисторных структур, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных микросхем за счет повышения воспроизводимости параметров распределения примеси в p-n-p- транзисторных структурах, первые диффузионные области p-типа в кремниевой подложке создают глубиной, не превышающей разность между...

Номер патента: 1345976

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Глущенко, Красножон, Смирнов

МПК: H01L 21/82

Метки: затвором, интегральных, мдп-транзисторов, микросхем, поликремниевым

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ С ПОЛИКРЕМНИЕВЫМ ЗАТВОРОМ, включающий создание на монокремниевой подложке полевого окисла, подзатворного окисла и поликремниевого затвора, формирование областей истока и стока, создание межслойной изоляции, вскрытие контактов и создание металлизации, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и повышения быстродействия МДП-транзисторов и степени интеграции МДП БИС на их основе, после создания поликремниевого затвора проводят его окисление при 800 - 900oС, травление окисла кремния по всей поверхности структуры до удаления его над участками формирования областей истока и стока и через полученную маску проводят ионное легирование монокремния для...

Номер патента: 1172370

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Лысенко, Перфилов, Хатунцев, Чачин

МПК: G01R 29/26

Метки: временной, задержкой, зарядовой, микросхем, накоплением, освещенности, пороговой, связью, фоточувствительных

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПОРОГОВОЙ ОСВЕЩЕННОСТИ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ С ВРЕМЕННОЙ ЗАДЕРЖКОЙ И НАКОПЛЕНИЕМ, включающий измерение сигнала микросхемы, вызванного собственными шумами микросхемы, и облучение рабочей поверхности микросхемы оптическим излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений, рабочую поверхность микросхемы облучают постоянным по амплитуде импульсным оптическим излучением, синхронизированным с процессом формирования потенциальных ям в строке микросхемы, а, измеряя длительность импульсов излучения при равенстве сигналов на выходе микросхемы от собственных шумов и от импульсного излучения, величину Eпор пороговой освещенности определяют по формулеEпор =...

Номер патента: 1443593

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Перфилов, Фролов, Хатунцев

МПК: G01R 31/28

Метки: микросхем, фоточувствительных

СПОСОБ КОНТРОЛЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ с зарядовой связью, заключающийся в том, что на испытуемую микросхему подают напряжение питания, формируют в регистре испытуемой микросхемы чередующиеся пустые и заполненные зарядовые пакеты, регистрируют выходной сигнал микросхемы, определяют коэффициент передачи модуляции, по величине которого судят о пригодности испытуемой микросхемы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения времени контроля, формирование пустых и заполненных зарядовых пакетов осуществляют электрической инжекцией заряда в ячейки регистра испытуемой микросхемы.

Номер патента: 1264783

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Григоришин, Ефремов, Кривоусова, Муравьев

МПК: H01L 21/70

Метки: микросхем, сборки

1. Способ сборки микросхем, включающий нагрев мест пайки диэлектрических подложек и металлических выводов путем пропускания тока через вывод, пайку подложек с выводами твердыми припоями, охлаждение спаяного узла, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных изделий за счет улучшения распределения температуры в зоне пайки, подложку перед пайкой предварительно подогревают до 500 - 700oС и выдерживают при этой температуре до начала локального разогрева мест пайки, а после снижения температуры в местах пайки до температуры подогретой подложки проводят охлаждение спаяного узла.2. Устройство для сборки микросхем, содержащее соединители с отверстиями в контактах, подвижные пластины с упругими элементами, гнездо...

Номер патента: 1157868

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Бессонов, Бочвар, Ленников, Лысова

МПК: C22C 21/00

Метки: алюминия, контактных, микросхем, основе, площадок, проводников, сплав, тонкопленочных

СПЛАВ НА ОСНОВЕ АЛЮМИНИЯ ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ КОНТАКТНЫХ ПЛОЩАДОК И ПРОВОДНИКОВ МИКРОСХЕМ, содержащий никель и церий, отличающийся тем, что, с целью увеличения адгезии, уменьшения удельного электросопротивления, повышения термостабильности тонкопленочных контактных площадок и проводников микросхем, он дополнительно содержит магний при следующем соотношении компонентов, мас.%:Никель 5,0 - 10,0Магний 0,5 - 3,0Церий 0,015 - 0,3Алюминий Остальное

Номер патента: 716427

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Григоришин, Котова, Матусевич, Сурмач, Шохина

МПК: H01J 9/14

Метки: интегральных, микросхем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ, включающий операции получения диэлектрической пластины-заготовки путем толстослойного анодирования, нанесения на обе стороны пластины сплошных тонкопленочных покрытий, формирования элементов схем травлением диэлектрической пластины и покрытий, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления, в местах будущих элементов микросхем на обе стороны диэлектрической пластины наносят первый защитный слой фоторезиста, затем обе стороны пластины за исключением мест будущих отверстий в подложках и контуров отдельных схем на одной из сторон пластины покрывают вторым защитным слоем фоторезиста, причем указанные фоторезисты выбирают из условия их избирательного травления в разных электролитах,...

Номер патента: 1544170

Опубликовано: 15.11.1994

Авторы: Борисов, Воробьев, Петрова, Тельминов

МПК: H05K 3/44

Метки: гибридных, микросхем, подложек

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОДЛОЖЕК ДЛЯ ГИБРИДНЫХ МИКРОСХЕМ, включающий получение стеклопорошка путем измельчения гранулята стекла, нанесение на металлическую подложку слоя стеклопорошка методом электрофореза из суспензии, содержащей стеклопорошок и алифатический спирт, формирование покрытия из ситаллоцемента путем термообработки слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения качества подложек за счет улучшения равномерности покрытия по толщине и снижения его дефектности, перед измельчением гранулят стекла подвергают термообработке в течение 30 - 45 мин при температуре, равной 0,97 - 1,03 температуры размягчения стекла.

Номер патента: 1498324

Опубликовано: 15.12.1994

Авторы: Калинин, Катин, Стадник

МПК: H01L 23/28, H01L 23/48

Метки: герметизации, микросхем, пресс-композицией

СПОСОБ ГЕРМЕТИЗАЦИИ МИКРОСХЕМ ПРЕСС-КОМПОЗИЦИЕЙ, заключающийся в укладке в гнездо нижней части пресс-формы для герметизации теплорастекателя, установке выводной рамки с кристаллодержателем, к дну которого, расположенного ниже плоскости выводной рамки, присоединен полупроводниковый кристалл с проволочными выводами, смыкании верхней и нижней частей пресс-формы и заполнении ее внутреннего объема пресс-композицией, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных за счет уменьшения вероятности замыкания проволочных выводов на край полупроводникового кристалла и повышения надежности микросхем за счет снижения теплового сопротивления кристалл - корпус микросхемы путем исключения попадания пресс - композиции между кристаллом и...

Номер патента: 1385806

Опубликовано: 15.12.1994

Авторы: Хмарцев, Юсупов

МПК: G01R 31/28

Метки: интегральных, испытаний, микросхем, цифровых

СПОСОБ ИСПЫТАНИЙ ЦИФРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ, предусматривающий создание форсированной нагрузки испытуемой интегральной микросхемы, путем подачи на ее выводы переменного электрического напряжения и контроля правильности ее функционирования, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности испытаний, на входы испытуемой интегральной микросхемы подают постоянное электрическое смещение и устанавливают амплитуду переменного электрического напряжения в пределах переходного участка входной переключательной характеристики интегральной микросхемы, контролируют амплитуду выходного сигнала микросхемы, увеличивают частоту до значения, при котором амплитуда выходных сигналов микросхемы находилась в пределах переходного участка выходной...

Номер патента: 1417613

Опубликовано: 15.12.1994

Авторы: Хмарцев, Юсупов

МПК: G01R 31/28

Метки: интегральных, микросхем, цифровых

СПОСОБ КОНТРОЛЯ ЦИФРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ, заключающийся в том, что на контролируемую интегральную микросхему подают напряжение питания, формируют тестовое воздействие на логические входы интегральной микросхемы, регистрируют возникающие при этом выходные сигналы, сравнивают их с эталонными сигналами и по результату сравнения судят об исправности интегральной микросхемы, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности и сокращения длительности контроля, на все электрически связанные между собой входы интегральной микросхемы подают постоянное электрическое смещение и сигналы переменного напряжения при различном сочетании фазовых и амплитудных соотношений на различных входах, выбирают амплитуду сигналов переменного напряжения...

Номер патента: 1083842

Опубликовано: 20.03.1995

Авторы: Болдин, Голисов

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, легированных, микросхем, областей, полупроводниковых, приборов, создания

СПОСОБ СОЗДАНИЯ ЛЕГИРОВАННЫХ ОБЛАСТЕЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ путем окисления кремниевых пластин, вытравливания окон в маскирующем окисле, создания окисла в вытравленных окнах и ионной имплантации бора с последующей его разгонкой, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик полупроводниковых приборов и интегральных микросхем путем исключения дефектов в областях, легированных бором, выращивают окисную пленку в вытравленных окнах толщиной, определяемой соотношением d = kE,где d - толщина окисла, нм;E - энергия ионного легирования, кэВ;K - коэффициент, равный (3,6 - 4,0) нм/кэВ,после чего проводят ионную имплантацию бора в окисел энергией из диапазона 20-100 кэВ,...

Номер патента: 1603658

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Белов, Бутин, Степанова

МПК: B23K 35/24

Метки: лужения, микросхем, пайки, паста, паяльная

ПАЯЛЬНАЯ ПАСТА ДЛЯ ЛУЖЕНИЯ И ПАЙКИ МИКРОСХЕМ, содержащая стеарат триэтаноламина, порошкообразный припой, отличающаяся тем, что, с целью увеличения времени работы пасты без расслоения в импульсном режиме с паузой 0,1 4 с, она дополнительно содержит триэтаноламин при следующем соотношении, мас.Стеарат триэтаноламина 2,3 4,85Триэтаноламин 5,15 7,7Порошкообразный припой Остальное

Номер патента: 1393249

Опубликовано: 10.09.1995

Авторы: Пересветов, Рудаков

МПК: H01L 21/56

Метки: герметизации, интегральных, микросхем, полупроводниковых

СПОСОБ ГЕРМЕТИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ, включающий нанесение на рабочую поверхность микросхемы герметизирующего средства, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности микросхем за счет повышения степени герметичности, в качестве герметизирующего средства используют крышку из того же полупроводникового материала, что и микросхема, крышку устанавливают на слой металла, предварительно нанесенный по периметру рабочей поверхности микросхемы, и проводят зонную плавку металла с градиентом температуры в направлении от рабочей поверхности микросхемы к наружной поверхности крышки до появления расплавленного металла на наружной поверхности.

Номер патента: 1697410

Опубликовано: 10.09.1995

Авторы: Батог, Волошкин, Воронин, Петько, Савенко, Харахаш, Шологон

МПК: C08K 13/02, C08L 63/00, C08L 63/04 ...

Метки: герметизации, интегральных, композиция, микросхем

КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ ГЕРМЕТИЗАЦИИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ, включающая эпоксиноволачную смолу, диглицидиловый эфир фенола, отвердитель, кремнийорганический модификатор, ускоритель, антиадгезионную добавку и наполнитель, отличающийся тем, что, с целью повышения физико-механических и диэлектрических показателей и технологических свойств, она в качестве диглицидилового эфира фенола содержит диглицидиловый эфир тетрабромдифенилолпропана, в качестве кремнийорганического модификатора содержит 1,1,1,2,3,4,4,4-октаметил-2,3-бис-( 3 , 4 эпоксициклогексан)-тетрасилоксан, в качестве отвердителя новолачную фенолформальдегидную...

Номер патента: 1664082

Опубликовано: 20.09.1995

Авторы: Малинова, Махаев, Ожерельева

МПК: H01L 21/68

Метки: выводов, интегральных, корпусах, микросхем, периметру, плоских, расположением, спутник-носитель

...длякорпуса ИМ С с площадкой 11.Эксплуатация спутника-носителя происходит следующим образом,Корпус ИМС укладывается в окно 4 основания 1 в соответствии с ГОСТ 20,39.40584 крышкой корпуса прибора вниз, ВыводыИМС попадают в пазы 3 опорных площадок2, Окно 4 и пазы 3 предохраняют ИМС отперемещения в горизонтальной плоскости,. Затем сверху накладывают крышку 5 площадкой 11, которая прилегает к дну корпусаприбора и предохраняет ИМС от вертикальных перемещений и защищает ИМС от случайных механических воздействий в местеустановки кристалла, Фигурные прижимы 8при закрытии крышки 5 взаимодействуют свыводами ИМС и прижимают их к опорным Формула изобретенияСПУТНИК-НОСИТЕЛ Ь ДЛЯ И НТЕ ГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ В ПЛОСКИХ КОРПУСАХ С РАСПОЛОЖЕНИЕМ ВЫВОДОВ ПО...

Номер патента: 1695781

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Новотный, Орлов, Савинов

МПК: H01L 21/68, H05K 13/02

Метки: выводами, выводной, интегральных, кассета, корпусов, микросхем, планарными, плоских, преимущественно, рамкой

КАССЕТА ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ДЛЯ ПЛОСКИХ КОРПУСОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ С ПЛАНАРНЫМИ ВЫВОДАМИ И С ВЫВОДНОЙ РАМКОЙ, выполненная в виде ленты из термостойкого пружинящего материала с кадровой перфорацией вдоль ленты с окнами для корпусов микросхем и средствами фиксации выводов, отличающаяся тем, что, с целью расширения эксплуатационных возможностей, средства фиксации выводов интегральных микросхем выполнены в виде сквозных пазов, расположенных по бокам окон для корпусов микросхем вдоль ленты на расстоянии от окон, выбранном из соотношения C (0,2 0,5) a, где a ширина паза для выводов, мм.

Номер патента: 1589932

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Боднар, Кастрюлев, Корольков

МПК: H01L 21/306

Метки: барьера, высоту, диодами, имеющими, интегральных, микросхем, потенциального, различную, создания, шоттки

1. СПОСОБ СОЗДАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ С ДИОДАМИ ШОТТКИ, ИМЕЮЩИМИ РАЗЛИЧНУЮ ВЫСОТУ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАРЬЕРА, включающий формирование пассивных элементов и активных структур в монокремниевый подложке n-типа, нанесение диэлектрического покрытия, вскрытие в диэлектрическом покрытии контактных окон к эмиттерным областям и формирование эмиттерных структур, вскрытие контактных окон в диэлектрическом покрытии к базовым областям и областям формирования высокобарьерных диодов Шоттки, нанесения слоя платины и формирование силицида в открытых контактных областях, вскрытие контактных окон к областям формирования незкобарьерных диодов Шоттки, последовательное нанесение барьерного и токопроводящего слоев и формирование контактных электродов и...

Номер патента: 1549386

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Жуков, Смолин

МПК: H01C 17/22

Метки: величины, гибридных, интегральных, микросхем, пленочных, подгонки, резисторов, сопротивления

СПОСОБ ПОДГОНКИ ВЕЛИЧИНЫ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ, включающий формирование в резистивном элементе пленочного резистора областей повышенной проводимости с заданной величиной удельного поверхностного сопротивления путем термообработки резистивного элемента лучом лазера с одновременным контролем величины сопротивления, отличающийся тем, что, с целью повышения мощности рассеивания резистора, области повышенной проводимости формируют вдоль боковых кромок резистивного элемента, причем ширину области повышенной проводимости формируют не превышающей 0,25 ширины резистивного элемента, а заданную величину удельного поверхностного сопротивления области повышенной проводимости определяют следующим...

Номер патента: 1376839

Опубликовано: 10.03.1996

Авторы: Лизин, Тояков

МПК: H01L 21/02

Метки: микросхем, полупроводниковых

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МИКРОСХЕМ, включающий создание элементов микросхем, сборку ее в корпус, термоэлектротренировку путем нагрева микросхемы и воздействия на нее внешним электрическим полем, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и процента выхода микросхем, проводят термоэлектротренировку до сборки микросхем в корпус.

Номер патента: 1628838

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Космодемьянская, Шурова

МПК: H05K 3/26

Метки: гибридных, интегральных, микросхем, подложек

...воздухом. Далее подложкипоступают на визуальный контроль качества очистки. Показатели качества очисткиприведены в таблице,15 Как следует из таблицы, состав обеспечивает качественную очистку подложек гибридных микросхем от канифольного флюсав процессе монтажа. Отклонение значенийсопротивлений резисторов после очистки от2 первоначальных составляет +0,6. Повышается стабильность процесса УЗ-сварки,увеличивается прочность сварного соединения. Отсутствуют механические нарушенияповерхности (изолирующей, проводниковой, резистивной). Выход годных увеличивается до 100,1628838 Продолжение таблицы Выход годных,Способность к Качество очиПример разварке стки Канифоль флюс не обнаружен0,016 2 3 4 5 6 7 100 100 100 100 100 71 6,5-8,0 6,5-8,5 6,5-9,5...

Номер патента: 1814432

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Боднар, Кастрюлев, Корольков

МПК: H01L 21/265

Метки: барьера, высоту, диодами, имеющими, интегральных, микросхем, потенциального, различную, создания, схем, шоттки

...получить максимальный эффектувеличения высоты потенциального барьера высокобарьерных диодов Шоттки при минимальных токах утечки обратной ветви. Известно, что в процессе образования дисилицида титана на 1 нм . толщины слоя титана расходуется 2,27 нм толщины кремния. Таким образом, на взаимодействие, например, 45 нм титана расходуется 103 нм слоя кремния, что требует применения ионной имплантации бором с энергией 30 кэВ.Реализация самосовмещенной технологии формирования дисилицида титана с помощью одностадийной импульсной фотонной обработки в указанных режимах позволяет получать величины максимального логического перепада при минимальном 2 уровне легирования акцепторной примесью за счет большей степени электроактивации,. более...

Номер патента: 1834588

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Берестенко, Боков, Буравцев, Можаров, Мшенская, Сатаров, Шевченко

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: интегральных, микросхем, рельефа, формирования

...ф 10 кл/смприводит к тому, что резист не сшивается,а края рисунка расплываются, что существенно повышает дефектность.Экспонирование дозой более 5 ф 102кл/см может привести к полимеризациипленки резиста, которая является маской дляплазмополимеризованного слоя, что такжеповышает дефектность.Реактивно-ионное травление плазмополимеризованного стирола проводят при давлении не более 10 Па и удельной мощности2,5 - 3 Вт/см,Травление плазмополимеризованного стирола при давлении более 10 Па ведет кувеличению остаточных частиц в объеме и,к уменьшению длины их свободного пробега,а значит эти частицы имеют возможностьчаще сталкиваться с рабочей поверхностьюподложки и могут быть захвачены, ею, чтоповышает привносимую дефектность,Травление при...

Номер патента: 660562

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Васильев, Тимофеев

МПК: H01C 17/00

Метки: микросхем, подгонки, резистивных, тонкопленочных

Устройство для подгонки тонкопленочных резистивных микросхем, содержащее подвижной координатный столик, генератор ультразвуковой частоты с вибратором, снабженным инструментом для подгонки в виде иглы, и измерительный блок с коммутатором, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности и производительности работы устройства, оно снабжено пантографом с закрепленным на нем подпружиненным зондом и шаблоном с выполненными в нем отверстиями, топология которых соответствует топологии подгоняемой микросхемы, причем вибратор размещен на пантографе, а шаблон - на координатном столике.

Номер патента: 990067

Опубликовано: 20.07.2000

Авторы: Квитченко, Миронов

МПК: H05K 3/00

Метки: микросхем

Способ изготовления микросхем, основанный на последовательном нанесении на подложку многослойной структуры: первого и второго резистивных слоев и проводящего слоя и получении конфигурации элементов микросхемы методом фотолитографии с последующей термообработкой при 200 - 300oС на воздухе, отличающийся тем, что, с целью расширения области использования способа и снижения его себестоимости, после нанесения на подложку многослойной структуры с помощью позитивного фоторезиста гальванически наращивают медь и золото, по рисунку контактных площадок и проводников удаляют фоторезист, повторно наносят слой фоторезиста, получают позитивный рисунок низкоомных и высокоомных резистивных...

Номер патента: 1272597

Опубликовано: 10.07.2005

Авторы: Бабинов, Гребенников

МПК: B23K 26/00

Метки: лазерной, микросхем, прямоугольной, сварки, формы

1. Установка для лазерной сварки микросхем прямоугольной формы, содержащая лазер и камеру с контролируемой атмосферой, состоящую из корпуса с окном для ввода лазерного луча, штуцерами для откачки воздуха и подачи защитного газа и приспособлением для закрепления и перемещения свариваемых деталей, отличающаяся тем, что, с целью повышения производительности и расширения номенклатуры свариваемых микросхем, приспособление для закрепления и перемещения свариваемых деталей снабжено рамкой, на торцовых поверхностях которой выполнены направляющие в виде углублений с двумя полуосями квадратного поперечного сечения.2. Установка по п.1, отличающаяся тем, что, с целью обеспечения изменения...

Номер патента: 1759191

Опубликовано: 10.08.2005

Авторы: Гончаров, Кораблев

МПК: H01L 21/68

Метки: бескорпусных, выводов, ленточных, микросхем, формовки

Устройство для формовки ленточных выводов бескорпусных микросхем, содержащее державку с ножкой, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности и качества в работе, оно снабжено дополнительной ножкой, закрепленной в державке, при этом рабочие части ножей отогнуты на угол =120-150° относительно продольной оси державки, а дополнительная ножка в месте выхода из державки отогнута на угол =10-30° относительно продольной оси державки.

Номер патента: 1589743

Опубликовано: 10.08.2005

Авторы: Гончаров, Кораблев, Спирин

МПК: G01N 3/24

Метки: вводов, выводов, качества, микросхем, приварки

Устройство для контроля качества приварки вводов и выводов микросхем, содержащее корпус с подпружиненным силовым элементом, предназначенным для взаимодействия с вводами и выводами микросхем, и механизм индикации усилия взаимодействия, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности путем упрощения контроля, корпус выполнен в форме цилиндрической трубки, а силовой элемент - в виде размещенного в ней с возможностью перемещения штока, электрически связанного с механизмом индикации.