Способ изготовления микросхем

Номер патента: 1748203

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Глушенко, Дереновский, Лысак, Михайленко

МПК: H01J 31/24

Метки: записи, многослойную, структуру, термомагнитной

...отражающий считывающий световой луч слой и коэоцитивный слой Применение отражающего слоя дает возможность увеличить отражающую ПМС оптическую мощность считывающего светового луча, Применение каэрцитивного слоя дает возможность увеличить угол вращения плоскости поляризации считывающего луча увеличением толщины магнитооптической среды, не ограничивая при этом динамический диапазон минимальной создаваемой площадью элемента термомагнитной записи, как это было в случае воздействия электронным лучом непосредственно на магнитооптическую среду в известном способе,Затем коэрцитивный слой размагничивают, воздействуя на него переменным магнитным полем, величину и направление вектора напряженности которого в процессе воздействия...

Номер патента: 471631

Опубликовано: 25.05.1975

Авторы: Арифов, Искандерова, Раджабов

МПК: H01L 7/02

Метки: многослойных, структур

...инертных газов с эц,;гцямсг от 1,5(10" до 5 Х 10 гоновгслг 2. Система электростатических линз б служит для ускорения и фокусировки пучка ионов.Система напуска газов ионного источника 7 состоит из игольчатого натекатсля и баллона с исследуемым газом. С помощью ионпзациоцных манометров и масс-спектрометра 8 контролируют давление и состав остаточных газов в измерительной камере,Порядок проведения экспериментов заключается в следующем; после обезгаживация всей установки и мишени и достижения давления в камере це выше 1 Х 10 " - 5 Х 11 тор, включают прямоканальцый иопаритель и производят напыление слоя ца подложку с данной температурой и с выбранной скоростью напыления. После предварительного нагпыле;гия слоя толщиной - 0,1 лкг, це выключая...

Номер патента: 905645

Опубликовано: 15.02.1982

Авторы: Гибадулин, Зудков, Кузнецов, Пантуев, Стрижнова

МПК: G01B 21/08

Метки: многослойных, структур, толщины

...блок 7 идентификации, блок 8 памяти, блок 9 анализа решений, регистратор 10. Блок 7 идентификации, в свое оче- ,щ редь, содержит задатчик 11 толщины слоев, блок 12 вычисления коэффициента отражения, блок 13 сравнения.Устройство работает следующим оС- разом. 45Поляризатор 2 с угловым кодировщиком 3 устанавливается в положение, обеспечивающее р- или я-поляризацию излучения источника света 1.Отраженное от многослойной структуры 1 поляризованное излучение поступает в спектрофотометр 5 с кодировщиком 6 длин волн, Сигнал с выхода спектрофотометра 5 поступает через третий вход блока 7 идентификации на вход блока 13 сравнения, где сравнивается с кодом коэффициента отражения, вычисленного е блоке 12.8 ычисление производится известным 5 фспособом...

Номер патента: 1452395

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Бузылев, Данилин, Ерохин, Иванов, Метакса, Мордкович

МПК: H01L 21/265

Метки: многослойных, структур

Способ изготовления многослойных структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого слоя изолятора методом ионной имплантации с последующим отжигом, отличающийся тем, что, с целью улучшения структурных и электрических параметров, имплантацию проводят последовательно ионами углерода дозой 0,8 - 3 1016 см-2, а затем ионами инертных газов дозой 1,75 - 2,5 х 1014 ехр/79(Ми - 2,3) см-2, где Ми - масса иона инертного газа, при этом соотношение энергий ионов углерода и ионов инертного газа выбирают из условия, что отношение среднепроецированных пробегов ионов углерода и инертного...

Номер патента: 1552933

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Вылеталина, Данилин, Дракин, Мордюкович

МПК: H01L 21/265

Метки: кремниевых, многослойных, структур

Способ изготовления кремниевых многослойных структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого слоя диэлектрика путем проведения повторяющихся циклов имплантации ионов азота - отжиг, при этом цикл по дозе имплантации составляет 1 - 10 1016 см-2, а суммарная доза 2 - 6 1017 см-2, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур за счет повышения изолирующих свойств диэлектрика, перед проведением повторяющихся циклов проводят имплантацию ионов кислорода с дозой 0,5 - 10