Патенты с меткой «микросхем»

Номер патента: 1688471

Опубликовано: 30.10.1991

Авторы: Бомко, Сибирцева, Тарханов

МПК: H05K 13/04

Метки: микросхем, печатные, платы, преимущественно, радиоэлементов, установки

...на осях 49 с возможностью вращения ролики 50 для взаимодействия с ограничителями 4, Для размещения печатных плат предназначен стол 51.30Устройство работает следующим образом.При включении телескопического пневмоцилиндра 30 наружный шток 32 и вместе с ним внутренний шток 31 перемещаются вниз до упора в неподвиж ный упор 7. Ползун 36, ведомый роликами 35 и ориентируемый роликами 44, по направляющему концу стакана 17 подходит к направляющей 8, на которой40 располагается микросхема, сбаэированна: на упор 10. Выталкиватель 38, пройдя расстояние до микросхемы, Останавливается, 45 а ползун 36, продолжая перемещение, сжимает пружину 39, которая прижимает выталкиватель 38 к микросхеме, При этом эажимные губки 46 наезжают своими роликами...

Номер патента: 1691792

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Антошкин, Линков, Филин

МПК: G01R 31/317

Метки: датчик, диагностической, емкостный, информации, микросхем, съема, цифровых

...может использоваться, например,для определения шага квантования Н и количества уровней квантования на один сигнал, если предполагается преобразованиерезультирующего сигнала в код с помощьюаналого-цифрового преобразователя.Разрешающая способность датчика припрочих равных условиях определяется законом изменения емкости по длине датчика.Исследования данного критерия длядатчиков с линейным и гиперболическим законом (датчик с линейно-изменяющейсятолщиной диэлектрика) изменения емкостипоказали, что для датчика с гиперболическим законом изменения емкости величинаЬюп в два раза выше,Очевидно, существует некоторый оптимальный закон изменения емкости, обеспечивающий максимальную разрешающуюспособность датчика.Таким образом, задача сводится к...

Номер патента: 1691976

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Измайлов, Орлов

МПК: H05K 1/11, H05K 1/18

Метки: выводами, контактное, микросхем, планарными

...Дс)ЭГ)8,( С)1/)ка ПРИМЕНЯЮТСЯ ДЛЯ,/с. Г 8118;-11431 Озсэи)//-,с го Рлиян)4 я контактов 5и. 81(ра)1,1000 ан)/)я Г)нуренн 8 й металлиэ)1 ванно,1 поверхнОСГью Г)ластин 7 помехи, (Оторгя )арми/ется при прохожденииэлото)1 чоского сигнала через контакт 5, атакжс для 008 спе" 8/1 ия возмОЯ(ности рас"пайк, опла.гок 1(оа,:сиал)3 ных кабелей,4 нан 1)1)ух1 ых С.оронах контактных узлов 4,К;нтактное устрс йство работает следу)О.,/ "1)и Обра;3 омМикр/;.)с (814 у разме)цают в корпусе устО/р 1"сааа)04 К) 1 б,.сзом чтооь) какды)4 врво, Г)опал в:во, 1,а.;) между двумя приз)4 атическими зубьями гребенки 2, За- .тем с помощь)о траверсы 18 прижим 3 подается в зону контактирования и прижимаетвыводы микросхемы к контактам 5 упругимипрокладками 10, тем самым...

Номер патента: 1691992

Опубликовано: 15.11.1991

Автор: Пушкарев

МПК: H05K 13/00

Метки: выводов, микросхем, рихтовки

...установлены в подшипниках основания 1 и соединены с приводом 7 посредством зубчатых передач 8, Две другие цепи 9 и 10 размещены на роликах 11, вращающихся ка осях 12, закрепленных в корпусах 13. Цепи выполнены в виде звеньев гусеницы 14, соединенных пальцами 15, выступающие кокцы которых являются цевками при зацеплении с вилками 4, Корпуса 13 закреплены на кронштейнах 18, нижние концы которых шарнирно закреплены на осчовании 1, а верхние перемещаются вдоль шпильки 17 при помощи гаек 18, тем самым осуществляется прижим цепей 9 и 10 к бо1691992 Ю новым граням цепи 2. Транспортирующий Лоток 19 закреплен на основании 1 так, чтобы между ним и наружной поверхностью цепи 2 могла проходить микросхема 20 с выводами в сторону цепи. На валу 21,...

Номер патента: 1695385

Опубликовано: 30.11.1991

Авторы: Беккер, Заколдаев, Маслов, Фомин

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающих, микросхем, отработки, постоянных, программируемых, устройств

...этого в кристалле 3 возникает градиент температуры.Под действием градиента температуры в кристалле. 3 (фиг,1) возникает поле термомеханических напряжений.В поле термомеханических напряжений деградационные процессы развиваются более интенсивно: происходит локальное перераспределение ионов примеси, образуются группы вакансий, что приводит к появлению микропор, развиваются локальные термомеханические взаимодействия, Кроме того, изменяется ширина запрещенной зоны кремния, сме1695385 Ф,1-Фие. г Составитель С.КоролевРедактор А.Лежнина Техред М,Моргентал Корректор О,Кравцо оеытиям при ГКНТ СССР аз 416 ВНИИ 1 ираж Подпи нного комитета по изобретениям и о 3035, Москва, Ж, Раушская наб 4 осударс Производственно-издательский комбинат "Патент", г....

Номер патента: 1329599

Опубликовано: 07.12.1991

Авторы: Демиденко, Короткевич, Костюченко, Татаренко

МПК: H05K 1/05

Метки: алюминиевой, гибридных, интегральных, микросхем, подложки

...Г,с Оп Бс.1" (с; яе М.ЛЫХ УС ИЛИИ РЕ ЛЦЛЯ и ОСя-, л- З- ги заусенцев ца кромках Применение з(Р 1 Т 11;слс гл 1 л (снов Ве Орто)ос(0 орОЙ ки(сит;1 Обе псив л "ет высо-(ую скорост рзг гл лц элц( го окисл; Г ; менее 0 э м:,г м-,ц) . -,б рлзовацяе структуры Оксилс (. Пор и болспого диаметра (тэ 1 ОГ)Г ,)ЗлПОЛЦЕЕИ" 1 ОР ПОЛ 1 Ы(гСЧм П;КОМ ЯО" ЗВОЛЯРТ ПОСЪСГИТЬ т(П 1 О(. Та 1 о.Ь ЗОЛ ПОЖЕК УЛУЧ 1 ИТЬ ЛР К 1 ССЭч Г РОБОТЯЩИХРРЗПСТИВЦ,СХ : г: с, УЦ г 11- 15 ть пл-сскостцо т 1, .Опсчс,(иП р "1 м е р. 11 одложя и. епг лсэа М 11 2 р заме)эом:ОЪ 8 "Я т.:1 Г 0,8-2,2 м обезжирисэлп э гс; .чсогл растворе, содержлщам .с(1 с цл р я трицлтряй 1 ОГ(сэат., приКцлсят , т Г,;ячей и холодной поде, сСе ег(; тепморихлуют г:.ри темп.ажуре 511 1( я усилии:жатия...

Номер патента: 1700500

Опубликовано: 23.12.1991

Авторы: Антошкин, Линков, Филин

МПК: G01R 31/3177

Метки: датчик, диагностической, емкостной, информации, микросхем, съема, цифровых

...если определить сначала оптимальные средние значения а;= 1 и,базисных функций е , при которых=1с теми же ограничениями (2) на вектора у,а затем путем решенья трансцедентныхуравненийт)(1 - е 1 т )=а,=2 и - 1(5)определить значения ть ЗНаЧЕНИЯ а 1 И ап ОПРЕДЕЛЯЮТСЯ ПУТЕМ ПОСтаНОВКИ В (5) ЗНаЧЕНИй Тмин И Тмакс, аОП дд 2 ЗЬ 5 Ь10 0100 О г О при которома = а, - 1 + О, - 1 Л: - 2, н - 1: (6) 15 ап - а 1п 1и - 1где Я - 1 =, О - сумма ипервых1=120 чисел Фибоначчи;О = О 1-2+ 01-1, О 1 = О 2 = 1 - рекуррентное уравнение, определяющее )-й член последовательности чисел Фибоначчи. Этирезультаты (формулу 6) можно получить так же путем цепочки индуктивных рассуждений исходя иэ теории чисел Фибоначчи,Таким образом, при заданном и и извеСтНЫХ...

Номер патента: 1705781

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Савченко, Сергиенко

МПК: G01R 31/28

Метки: зонд, микросхем, проверки, сигналов, цифровых

...образом, чтобы при "1" на первом, "0" на втором и "1" на третьем его входах сегменты индикатора 8 не светились (2-ая строка таблицы), а при "1" на первом, "0" на втором и "0" на третьем (1-ая строка таблицы) входах логического преобразователя 7 будут засвечиваться сегменты а,Ь,с,б,е и 1(фиг,2) индикатора 8, В результате на индикаторе 8 появится изображение "0", мигающее с частотой генератора 18 импульсов.(1 50 Гц). Поскольку глаз человека не замечает миганий с такой частотой, то оператор будет видеть на индикаторе цифру "0", соответствующую логическому нулю на щупе 10.Если на щуп 10 подается сигнал, уровень которого превышает уровень "1", то транзистор 9 закрывается, а транзисторы 3 и 11 открываются и коллекторным током открывают...

Номер патента: 1706789

Опубликовано: 23.01.1992

Авторы: Полещук, Салов, Чулков, Якубович

МПК: B23K 3/00

Метки: выводов, лужения, микросхем

...в ванне для флюса с воэможностью периодического взаимодействия с подпружиненными пружинами 1 Ь роликами 19 толкателей 20 захвата и толкателей 21 сброса микросхем, которые посредством штоков 22 связаны с золотниками 23 подачи флюса в ванну и 24 сжатого воздуха дл50 55 сброса облуженных микросхем в тару и продувки каналов, сообщающих ванну для флюса с гнездами для микросхем, кроме того устройство имеет направляющие трубки 25 для подачи сжатого воздуха и трубки 26 для подачи флюса в ванну,Выполнение каналов 11, сообщающих ванну с флюсом с гнездами для микросхем с четырех сторон обеспечивает одновременное обволакивание корпуса микросхем сразу с четырех сторон, чем создается хорошая теплоэащита микросхем от воздействия температуры...

Номер патента: 1709570

Опубликовано: 30.01.1992

Авторы: Акулинин, Белянский

МПК: H05K 13/02

Метки: микросхем, ориентированной, подачи, преимущественно, радиодеталей

...другой торец11, Спиральный лоток 2 выполнен с буртиком 12, который в зоне расположения отсекающей пластины 9 не выполняется.Вибробункер работает следующим образом.Микросхемы 7 загружаются в чашу 1навалом и под действием вибрации перемещаются по ее поверхности и поднимаютсяпо спиральному лотку 2 к отсекающей пластине 9, колеблющейся вместе с отсекате-,лем 3,ФГБольшинство перемещающихся по спиральному лотку 2 микросхем 7 расположеновыводами вверх, так как это положение 45обеспечивает наибольшую устойчивость,Перейвщающиеся выводами вверх микросхемы 7 беспрепятственно проходят мимоотсекающей пластины 9. Микросхемы 7, которые перемещаются по спиральному лотку 50 2 в любом другом положении или в несколько слоев, вступают во взаимодействие с...

Номер патента: 1711269

Опубликовано: 07.02.1992

Автор: Ковалевский

МПК: H01L 21/324

Метки: изоляции, интегральных, межслойной, микросхем, производстве, формирования

...не достигается та температура вязкотекучего состояния стекла, при котором время задер жки при оплавлении достигает минимального значения - 0,5 с.Увеличение процентного содержанияборфтористоводородной кислоты больше 35 мас.% в растворе так же, как и увеличе ние скорости потока водорода через объемиспарителя свыше 200 дм /ч, приводит к иззбыточному количеству ионов фтора и бора в газовой среде, способному вызвать кристаллизацию ФСС и разделение фаз. Такое5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 явление нарушает структурное совершенство слоев ФСС, так как в них появляются кристаллические включения, поры, трещины, разнотолщинность, что отрицательно сказывается на величине напряжения электрического пробоя и токов утечки.Увеличение плотности...

Номер патента: 1713133

Опубликовано: 15.02.1992

Автор: Ильин

МПК: H05K 13/00

Метки: корпусах, микросхем, облоя, съема

...27, консоли которых соединены пластиной 28 с закрепленным на ней приводом 29, В направляющих 27 установлена подвижная плата 30, соединенная с приводом 29, На 10 плате 30 закреплены опора 23 прижима сзачистными устройствами 31 по фиг. 1 и 2, привод 22 траверсы 21, кронштейн 32 с приводом 33, обоймы 34 с проходящим в них валом 35, на котором установлены рычаги 15 36, соединенное роликовыми ползунами 37с пазами 38 кареток 39, скользящих по направляющим 27, На валу 35 закреплено звено 40, соединенное шарнирно с приводом 33. Между каретками 39 с возможностью ЯО регулировки закреплен пластинчатый нож41, имеющий выступ 42. Для зачистки кон 25 30 35 40 45 50 55 тактных площадок 4 в корпусах 3 с, их двусторонним расположением (пенального типа)...

Номер патента: 1714541

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Архипов, Ермолаев, Знаменская, Кавешников, Кумиров, Малков

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28

Метки: микросхем, полупроводниковых, приборов, разбраковки

...графикам, приведенным в ряде источников, можно установить, что при дивергенции, равной нулю, вероятность ошибки 40 распознавания равна 0,5, а при 12= 39,2 она составит 0,15. Таким образом, использование предлагаемого признака для рассмотренного примера снижает вероятность ошибки классификации на 0,35. 45Поскольку реальные распределения шу-,мов надежных и потенциально-дефектных элементов различаются в меньшей степени, чем распределение сигналов в рассмотренном примере, то практически вероятность 50 ошибки классификации может снизиться на величину 0,1 - 0,2, что и подтверждается экспериментом.Способ может быть реализован с помощью устройства, структурная схема кото рого приведена на фиг.3. Устройство содержит датчик 1 с...

Номер патента: 1725431

Опубликовано: 07.04.1992

Автор: Мояк

МПК: H05K 13/04

Метки: микросхем, печатные, платы, преимущественно, радиоэлементов, установки

...канавки 5 Второе плечо рычага 1 выполнено в виде стержня 6, на который одета рукоятка 7, на последней установлен; регулировочный винт 8. На стержне 6 посредством скобы 9 шарнирно закреплен дополнительный двуплечий рычаг 10. Рычаги 1 и 2 подпружинены пружиной 11. Рычаг 10 установлен с возможностью взаимодействия одним из плеч с регулировочным винтом 8 и другим с рычагом 2, Устройство предназначено для установки микросхем 12 на печатные платы 13,Устройство работает следующим образом.Под действием пружины 11 зажимные губки 4 рычагов 1 и 2 раздвинуты. Микросхема 12 вводится между раздвинутыми зажимными губками 4; после чего нажатием на свободный конец дополнительного рычага 10 зажимные губки 4 сводятся на расстояния, соответствующее...

Номер патента: 1737354

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Богуш, Ткачук

МПК: G01R 19/145

Метки: микросхем, нагрузка, программируемая, тестирования, токовая

...и ветвь 2 формирования тока нагрузки низкого уровня. Ветвь 1 формирования тока нагрузки низкого уровня содержит и цепей, каждая из которых состоит из ПГТ Ь, подключенного к объединенным анодам первого 01 и второго 02 диодов, причем катод первого диода подключен к выходу 3 ПТН, а катод второго диода подключен к выводу источника опорного напряжения Е . Ветвь 2 формирования тока нагрузки высокого уровня содержит и цепей, каждая из которых состоит из ПГТ Ь, подключенного к объединенным катодам первого 011 и второго О 2 Ь диодов, причем анод первого диода подключен к выходу 3 ПТН, а анод второго диода подключен к выводу ИОН ЕН.Рассмотрим работу предлагаемого устройства с количеством цепей в каждой ветви формирования тока нагрузки, равным...

Номер патента: 1738517

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Куликов, Лопатченко, Маттис

МПК: B23K 3/03

Метки: захватное, микросхем, пайки, транспортировки

...установленный на толкателе 1 ивыполненный в виде выпуклой призмы изпостоянного магнита, прижим 3 микросхемы, выполненный с установочной поверхностью для держателя 2, которая выполнена ввиде вогнутой призмы из магнитного материала, Держатель 2 прижима и прижим 3снабжены элементами фиксации их относительно другдруга, которые выполнены в виде конического пальца 4 в прижиме 3, иотверстия 5 в держателе 2. Прижим 3 снабжен элементами ориен тирования относительно магазина, которые выполнены в виде продольных пазов б, Набор прижимов, соответствующих различным типоразмерам микросхем, хранится в мата зине. Выступы магазина 7, входя в продольные пазы 6 прижима 3, фиксируют прижим по осям У и Е, а выдвижной упор 8 - по оси Х,Замена прижима...

Номер патента: 1758610

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Белов, Картамышев, Кленов, Нуров

МПК: G01R 31/28

Метки: микросхем

...5 формы сигнала,генератор 2 пилообразного напряжения вырабатывает линейно-нарастаю 5 щее напряжение, и коммутатор 3 предварительно установлен таким образом,что одни сигнальные входы и входпитания контролируемой микросхемы6 подключены через коммутатор 350 к выходу генератора 2 пилообразного напряжения, а другие - к выходу истоцника 1 логического "0".Под действием приложенных сигналов в контролируемой микросхеме 655начинают протекать токи, которыестекаются в общую цепь микросхемы6 и, протекая через резистор 7,создают на нем падение напряжения,пропорциональное токам, Ток в общей7 Б 6610 5055 5 1цепи контролируемой микросхемы 6изменяется в зависимости от величи.ны пилообразного напряжения исвойств транзисторов, входящих вмикросхему...

Номер патента: 873861

Опубликовано: 30.09.1992

Авторы: Ангервакс, Зиновьев, Соколов

МПК: H05K 3/00

Метки: микросхем

...на основе полимера О будет больше диаметра отверстий о подггожке О. Изменением параметроо режима Обработки и толщины слоя гг можно г 1 обгггься такого состояния, когда объем Огоерстия о слое будет равен или больше Объема Отверстия в подложке, что выракаетс соотцогое- нием где Ь толщина подложки,Через трафарет, диаметр отоерсгии окОтором д меньше диаметра отгерстий ослое( д0), проводят зяцолнецие проводящей пастой отверстий о слое. Откуда поддействием капиллярных сил и вакуума Оняперетекает о отверстия о подложке Поверхность подложки и слоя остае 1 ся согзершенно свободной От загрязнения пастой,Наиболее широки применяемьгм мате.риалом подложки для толстоцленочныхсхем является алгомоокисная ко рамик э марки 22 ХС, имеющая температуру...

Номер патента: 1775691

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Холопцев, Чубаров

МПК: G01R 31/28

Метки: интегральных, микросхем, параметров, электрических

...напряжения 505, повторитель 6, выход которого подключенко входу блока задания масштабов 2, Блокзадания режимов с переключателями 8 и 9,первый реэистивный делитель напряжения10, первый вход которого соединен с источником опорного напряжения 4, второй егавход связан через переключатель 8 с выходом повторителя 6, э выход связан с первымвходам измерительного усилителя 1, второйрезистивный делитель напряхения 11, первый вход которого подключен к общей шине, второй вход связан с выходом измерительного усилителя 1, а выход связан свторым входом компаратора 3. при этомвторой вход измерительного усилителя 1чрез переключатель 9 блока задания режимов 7 соединен либо с входом повторителяб либо с вторым входом компаратора 3,Измерительный...

Номер патента: 1775881

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Мищенко, Соловьев, Шолков

МПК: H05K 7/12

Метки: головка, контактирующая, микросхем, подключения

...в сборе.Контактирующая головкадля подключения микросхем выполнена следующим образом,Контактный элемент состоит из упругой полосы 1, изогнутой в виде Ч-образной скобы, образующей лепестки 2На каждом лепестке контакта по бокам инверсно симметрично выполнены разно- глубокие вырезы в форме плеч, т. е. низкое плечо 4 лепестка 5 расположено против высокого плеча 6 лепестка 7, а высокое плечо 8 лепестка 5 располокено против низкого плеча 9 лепестка 7,Лепестки 5 и 7 развернуты на одинаковый угол, их токоведущие части 10 и 11 отлинии перехода 12 к выводу 13 до высоких плеч 6 и 8 имеют одинаковые сечения, оовный рельеф и геометрию на всех плоскостях и длину, достаточную только для прохожде ния их через толщину основания 14, полэуна15 и крышки...

Номер патента: 1545864

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Дорогутин, Ильинский, Славинский, Филоненко

МПК: H01L 21/603

Метки: интегральных, микросхем, многокристальных, сборки, свч-транзисторов

...ПТШ и СВЧмощных кремниевых транзисторов в плоские металлокерамические корпусы на модернизированном полуавтомате УВП. П,-ЗОО. Отличительная особенность сборки - распределение кристаллов и плат в соответствии со схемой, совмещение схемы с инструментом (вакуумной матрицей) и последующее перенесение схемы к подложке,Сборку СВЧ многокристальных транзисторов производят по схемам прямого и обратного монтажа. В первом случае производят сборку кремниевого транзистора, имеющего 24 кристалла толщиной 30 мкм. Перед разделением пластины на кристаллы на ее контактной поверхности создают гетерокомпозицию из слоев золота и германия, Затем пластину режут алмазной пилой и кассетируют отбракованные кристаллы. Кассету с кристаллами устанавливают в сборочный...

Номер патента: 1785085

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Гришаков, Измайлов, Орлов, Проневский

МПК: H05K 1/18

Метки: выводами, контактное, микросхем, планарными

...пластина 18, металлизированная с обеих сторон, с окнами 19 под универсальные прямоугольные контактные узлы 2. В зоне контактирования .прижим 7 установлен с помощью траверсы 20, которая зафиксирована в рабочем положении с помощью фиксатора 21.Дополнительный экран 3 с гребенкамивыполнен из электропроводящего материала (латунь, дюраль, медь) и оснащен, двух сторон диэлектрическими первой гребенкой 5 и второй гребенкой 6. имеющими металлизацию с наружной стороны. Выполнение несущей детали (дополнительного экрана 3 с гребенками) универсального прямоугольного контактного узла 2 из металла позволяет полностью устранить деформацию Г-образных зондов 4 во время взаимодействия с прижимом 7; существенно снизить взаимные помехи Г-образных зондов...

Номер патента: 1785086

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Васюков, Федоренко, Язвинский

МПК: H05K 3/04

Метки: микросхем, печатные, платы, преимущественно, радиоэлементов, установки

...наклонному лотку 2 или 3, перемещается всоответствующую направляющую 18 или 1010 для радиоэлемента (лоток-матрицу) или механизма 6 подачи радиоэлементов в зависимости от того, где расположена даннаякассета, слева или справа устройства, Прижимы 42 и,43 выполняют роль демпферов15 при переходе радиоэлемента с транспортирующего лотка в направляющую 18 или 19для радиоэлемента (лоток-матрицу),Рассмотрим работу механизма подачирадиоэлементов 6 в случае когда радиоэле 20 мент выдан с кассеты, расположенной в устройстве слева.По сигналу от блока, программного управления срабатывает привод 22 и каретка24, соединенная с ним, начинает переме 25 щаться вправо, Толкатель 26, перемещаетсяпо направляющей 19 для радиоэлемента(лотке-матрице),...

Номер патента: 1787079

Опубликовано: 07.01.1993

Автор: Облогин

МПК: B23K 3/03

Метки: демонтажа, интегральных, микросхем, пайки

...вертикальном положении. Незначительный перекос или отклонение от.вертикальной оси вызывает стекание припоя и делает его неработопригодным. В труднодоступных местах изделия РЭП использование такого паяльника вообще исключается, Требующая замены в труднодоступ ном месте И М С вызы вает необходимость полной или частичной разборки изделия., Целью изобретения является расширение функциональных возможностей патения не ограничивается одним положением, и не исключает его использование в труднодоступных местах, не прибегая к Заявленная цель достигается заменой,используемой в качестве теплоносителя жидкой фазы, веществом передающим тепло и способным впитывать припой, Сочетанием таких свойств обладает смачиваемое припоем, капиллярно-пористое...

Номер патента: 1795386

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Демочко, Мащенко, Рабодзей

МПК: G01R 31/28

Метки: интегральных, испытаний, микросхем

...В свою очередь, щелочные свойства электролита приводят кразрушению (растворению) пленки А 20 з."0 При этом обнажается чистая поверхностьА, на которой облегчаются условия разряда+ионов Н, что приводит к резкому возрастанию тока через поверхностную пленку воды(как следует из проведенных эксперимен"5 тов, в 50-100 раз). Это сопровождается ростом тока потребления, в которомкомпонента тока становится преобладающей.Дальнейшее развитие коррозионногопроцесса описывается формулой:А ОН -+ А(ОН)з 1, (2)Гидроксид алюминия, выпадающий в.осадок, имеет рыхлую структуру, не препятствующую развитию коррозии, что приво 25 дит к разрушению металлизации.Следует отметить, что скорость процесса нейтрализации ионов водорода в прикатодной области, описываемого...

Номер патента: 1799315

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Казанцев, Колбасов, Корнев, Молотков, Молоткова, Спиридонов

МПК: B23K 1/005, B23K 3/00

Метки: выводами, микросхем, пайки, печатные, планарными, платы

...на входе УУШД 18.унитарного кода с пульта 17 управления в соответствует шагу ШД 3 (1,5 О) и перемещесигйалы управления током фазовых обмо нию транспортной ленты 8 на 0,069 мм, Заток шагового двйгателя 3, устанбвленное висимость скорости подачи ленты 8 от.под платой устройство охлаждения 19, осу- частоты Е приведена в таблице,ществляющее йодачу сжатого воздуха черезщелевое сопло в зону пайки.Необходимая частота, а следовательно,Печатная плата 20, подлежащая пайке 35 скорость подачи транспортной ленты 8, ус-.установлена на транспортной ленте 8 с по танавливается переключателем, располомощью кассеты 21. Ка фиг. 2 изображена женным на ПУ 177. За начало отсчета печатная плата 20 в сборке с защйтным принимается момент прохождения платы...

Номер патента: 1812018

Опубликовано: 30.04.1993

Автор: Мельников

МПК: B23K 1/018

Метки: демонтажа, микросхем

...плоскостью корпуса установлена пружина 4 для сжатия захвата, имеющего небольшой свободный ход пластин 5 и выступы 6 для удержания устройства. А на концах захвата выполнены гребенки 7.Устройство работает следующим обраНадавливая двумя пальцами в выступынажимают на головку винта 3, сжимая 1812018 А 1 ние; при ремонте печатных изобретения:устройствосоный корпус, пружину и занный в виде П-образной ны, установленный на штоке ю продольного перемещения прижимных пластин кордупружину 4 и заводят гребенки 7 захвата 2 между выводов микросхемы. Отпуская головку винта 3, пружина 4 приходит в рабочее положение, давит на корпус 1, пластины 5 которого сжимают захват 2. Специальной насадкой паяльника разогревают одновременно все выводы микросхемы....

Номер патента: 1824678

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Кобяков, Шолков

МПК: H05K 1/11

Метки: интегральных, контактное, микросхем

...пазов 12 должно быть равно числу выводов 13 микросхемы 14, а расположение таким, что при установке ИМС в ложе 15 обоймы 8 каждый вывод микросхемы попадает в паэ (фиг,З). При этом ИМС становится очень точно сориентирована относительно обоймы, а ее корпус и гибкие выводы - менее восприимчивыми к механическим повреждениям.Фиксирующие штыри 11 (достаточно двух) располагаются так, что при установке обоймы 8 с ИМС 14 на плату 7 попадают в перехОдные (или специальные) отверстия 16 платы 7 и располагают обойму 8 с микросхемой 14 таким образом, что выводы 13 мик росхемы точно попадают на ламет 17 платы 7, что значительно упрощает процесс установки ИМС на плату. Подключение микросхемы осуществляется следующим образом Контактное устройство по...

Номер патента: 1322929

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Глущенко, Красножон, Смирнов

МПК: H01L 21/8232

Метки: интегральных, мдп-транзисторов, микросхем

...Фотолитографическим споП р и м е р 1, Кремниевую монокристал- собом формируют поликремниевые здтооры 8. лическую подложку 1 р-типа проводимости После травления поликремния е хромо- КДВ 12 Ом см ориентации (100) окисляют вом трдеителе через слой подзатеорного диопри 1000 Свсредекислородасдобаелени- электрика проводят совместное ионное ем хлористого водорода до толщины пред легироеание областей 9 истока и стокд и верительного окисла кремния 2 - 60 нм, эатворое мышьяком с энергией 130 кэР и методом пиролизадихлорсилана в аммиаке дозой 1000 мкКл/см и фосфором с знерпри давлении 100 Па и температуре 800 С гией 100 кэВ и дозой 7 мкКл/см . Здтем наносят на слой 2 слой 3 нитрида кремния проводят разгонку имплантировднной притолщиной 100...

Номер патента: 2005308

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Катеринич, Курин, Онопко, Оспищев, Попов

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28

Метки: испытаний, микросхем, моп-интегральных, пластине, ускоренных

...достижения сходного эффекта за счет отказа от установления связи коэффициента жесткости с плотностью ПС и сроком службы по току в подложку ИМС в патентной и научно-технической литературе не найдено. Сущность изобретения заключается в том, что ускоренные испытания на надежность МОП ИМС проводятся до разрезания пластины на кристалль 1 на основе установленной для данного типономинала изделия зависимости между вероятностью отказа при воздействии ИИ от уровня дозы ИИ в операции обучение - низкотемпературный отжиг, Контроль стандартных параметров МОП ИМС проводится до и после операции облучение-отжиг в режимах и условиях, указанных в ТУ для испытаний на надежность,Такой способ ускоренных испытаний обеспечивает сокращение длительности испытаний...