Ленников

Способ присоединения кварцевой мишени к катоду

Загрузка...

Номер патента: 1706236

Опубликовано: 15.12.1994

Авторы: Бессонов, Костюк, Ленников

МПК: C23C 14/34

Метки: катоду, кварцевой, мишени, присоединения

...мм и толщиной 20 мм и мишени из 502 диаметром 200 мм и толщиной 10 мм устанавливаются на барабане вакуумной установки УВН - 74 П - 3 с электронным испарителем. В керамический тигель загружают 40 г медного фракционирующего сплава (4,0-5,06 Мд, 5,0-6,0 ф 6 Се, 20,0-25,0 Яп, 64,0-71,0 оСо), откачивают установку до вакуума 5 10 мм рт. ст. с обязательным использованием ловушки, охлаждаемой жидким азотом, Включают вращение барабана и нагревают катоды и мишени до температуры 300+10 С и выдерживают при этой температуре 10 - 15 мин, Затем в рабочую камеру напускают аргон и проводят ионную очистку поверхности мишени и катода в течение 10 мин в режиме 0=3 кВ, 1=200 мА. Через вольфрамовый кольцевой катод электронного испарителя пропускают ток 0,8 -...

Сплав на основе алюминия

Номер патента: 1542067

Опубликовано: 15.11.1994

Авторы: Бессонов, Ленников

МПК: C22C 21/00

Метки: алюминия, основе, сплав

СПЛАВ НА ОСНОВЕ АЛЮМИНИЯ преимущественно для тонкопленочных резисторов, содержащий марганец, никель и церий, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона значений удельного поверхностного сопротивления и уменьшения температурного коэффициента сопротивления резисторов, он дополнительно содержит германий при следующем соотношении компонентов, мас.%:Марганец 10 - 12Никель 8,5 - 10,5Церий 0,25 - 0,3Германий 2,1 - 3,5Алюминий Остальное

Сплав на основе алюминия

Загрузка...

Номер патента: 1625036

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Бессонов, Ленников

МПК: C22C 21/16

Метки: алюминия, основе, сплав

...мас. ф получаются пленки с высоким удельным сопротивлением, что приводит к снижению эффективности преобразования штырей преобразователей устройств на по верхностно-акустических волнах. При содержании магния, меди и кислорода соответственно менее 0,11 мас 1,1 мас. и 0,0011 мас.ф, получаются пленки с недостаточной адгезией к подложке, значитель ной шероховатостью, что приводит к формированию штырей преобразователей с неудовлетворительными электрофизическими характеристиками и существенному возрастанию коэффициента затухания по верхностной волны в устройствах на поверхностно-акустических волнах. Из опробованных композиций предложенного и известного сплавов изготовлены элементы устройств на поверхностно-акустических волнах в виде...

Сплав на основе алюминия для тонкопленочных контактных площадок и проводников микросхем

Номер патента: 1157868

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Бессонов, Бочвар, Ленников, Лысова

МПК: C22C 21/00

Метки: алюминия, контактных, микросхем, основе, площадок, проводников, сплав, тонкопленочных

СПЛАВ НА ОСНОВЕ АЛЮМИНИЯ ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ КОНТАКТНЫХ ПЛОЩАДОК И ПРОВОДНИКОВ МИКРОСХЕМ, содержащий никель и церий, отличающийся тем, что, с целью увеличения адгезии, уменьшения удельного электросопротивления, повышения термостабильности тонкопленочных контактных площадок и проводников микросхем, он дополнительно содержит магний при следующем соотношении компонентов, мас.%:Никель 5,0 - 10,0Магний 0,5 - 3,0Церий 0,015 - 0,3Алюминий Остальное

Способ вакуумной плавки металлов и сплавов

Загрузка...

Номер патента: 1663038

Опубликовано: 15.07.1991

Авторы: Бессонов, Воробьев, Ленников

МПК: C22B 9/22

Метки: вакуумной, металлов, плавки, сплавов

...плавку заготовок осуществляют путем их бомбардировки в режиме аномального тлеющего разряда магнетронного типа в магнитном поле с индукцией 0,04 - 0,06 Тл при плотности ионного тока 0,1-2,0 А/см,2 напряжении 400 - 700 В и давлении инертного газа (4 - б) 10 мм. рт. ст, 1 табЛ, 1 ил. проводностью, Заготовка 3 приводится во вращение от внешнего привода.Магнитное поле с индукцией 0,04-0,06 Тл, направленное параллельно поверхности заготовки, создается с помощью постоянных кобальт-самариевых магнитов. В кварцевом стакане 4 зажигается аномальный тлеющийаавй разряд, который локализован вблизи поверхности заготовки. При плотности тока 0,5 О А/см ионы аргона, бомбардируя поверх- О ность заготовки, производят ее очистку, За д тем увеличивают...

Проводниковая паста

Загрузка...

Номер патента: 1415234

Опубликовано: 07.08.1988

Авторы: Брагин, Волков, Довбня, Ковалева, Ленников, Полковниченко, Рязанцева, Чапланов

МПК: H01B 1/02

Метки: паста, проводниковая

...мс нее )О мкч и сцдс р ж;ние;кт)внцц;лкчини 38,5",сцб;1)ленис н наст кис.ык ЛФ улучндс к;3(св кчдти, учен,н;и 1 н)срцкцвтцс г), нв р,нцсти нрцнцлникцв, нц,у 1,1(чы, ин;с ы, и(вцл 5 к г учсньииь количеств црни чсскц 0 сй 53 )Онс О В 13 дс т(., чтц снцсцб твуе у чс ньиенин) р;сс кдсмк ги цнс чк;3,,1 Гя цбцснцв 11 ия ОИ 1 им, н И 010 сц,сржч- Ння В Н;)СГЕ КИС.Ы,сФ И .(РуИ, КОМН)НЕН 1(е и ( Огцв,ян 1 цбр;сы ндсг с р 1(,;1 ч)ым с ц к р+нис ч кцмн ес не. Кри гс р)ч выбцр)3 н(сы я Вля к 3 с 5 ,сльнцс но 3 р 13 цсн( рцив.н.нис. ).1 с)33 я л и., 3ж лс нрВНИКОВ, И.(ОТО 3.СИВЫ, ИЗ ГИ , и;СГ, 3 гН. -жк;чс сзв нцвс рхнцси нц(жженн,3 и)с и р, ксчцсгь цнсчдкцв. (,0 т;ны н;с н р 313(снь В Т 36.1.11 з;36,1 " нре,с н сцс;в и;3ц рц 10 ИВ 1;3(ы и (п...

Электропроводящая паста на основе алюминия

Загрузка...

Номер патента: 1415233

Опубликовано: 07.08.1988

Авторы: Алексина, Брагин, Волков, Довбня, Климов, Ковалева, Козел, Ленников

МПК: H01B 1/02

Метки: алюминия, основе, паста, электропроводящая

...содержании борной кислоты впасте менее 0,5 мас.7 адгезия проводников к подложке не удовлетворяеттехническим требованиям (ТТ) (по ТТадгезии 3 50 кг/см,= 0,03 Ом/кВпоэтому нижний предел содержанияборной кислоты в пасте составляет0,5 мас.7,Согласно данным табл,1 при содержании борной кислоты в предлагаемой пасте 3 мас.7. удельное поверхностное сопротивление проводчикон удовлетворяет ТТ (паста У 7), При увеличении содержания борной кислоты (паста У 10) адгезия проводников к подложке возрастает, но удельное поверхностное сопротивление тоже возрастает, так как из-за увеличения количества В 0 з в проводнике электропроводность проводника уменьшается.При выборе оптимального г.одержания в пасте органического связующего критерием выбора...

Способ измерения коэффициента магнитострикции и угла скоса оси анизотропии цилиндрических магнитных пленок

Загрузка...

Номер патента: 871110

Опубликовано: 07.10.1981

Авторы: Глушкова, Зарубина, Ленников, Смирнов

МПК: G01R 33/18

Метки: анизотропии, коэффициента, магнитных, магнитострикции, оси, пленок, скоса, угла, цилиндрических

...амплитудных значений ЭДС выходного сигнала положительной и отрицательной полярностей. 60 Н К, Еи Ы,Т и Т На фиг, 1 представлена схема уст-ф ройства, реализукщая предлагаемый .способ; на фиг. 2 - кваэигистерезисная кривая зависимости амплитудного значения ЭДС выходного сигнала положительной и отрицательной полярностей в зависимости от величины и знака угла закручивания.Измерение угла скоса оси анизотропии проводят на образце 1, который представляет собой проводящий сердечник из неферромагнитного материаладиаметром 0,01 см с нанесенным нанего слоем ферромагнитного материала (пермаллой с добавкой кобальта) толщиной 1 мкм, жестко закрепленном в зажимах 2. Крутящий момент создают 15 вращением одного из зажимов, угол поворота отсчитывают по...

Приспособление для оптической сигнализации о глубине реки на перекатах

Загрузка...

Номер патента: 7649

Опубликовано: 31.01.1929

Автор: Ленников

МПК: G08B 5/36, G08G 3/00

Метки: глубине, оптической, перекатах, реки, сигнализации

...своей части лампу 2, Задняя стенка фонаря представляет из себя сочетание нескольких отражательных плоскостей 4,4, равномерно распределяющих отраженный свет на переднюю стенку фонаря. Передняя стенка состоит из двух стеклянных пластинок 5,5, закладываемых в направляющие пазы и выполняемых или из матовых стекол, или из стекол выкрашенных в белый цвет светопрозрачной краской, Впереди стеклянных пластинок вдвигаются с боков металлические трафареты б,б, которые удерживаются непосредственно перед стеклами 5,5 в гнездах 7,7 (фиг, 2); на трафаретах вырезаются цыфры линиями достаточной ширины, чтобы их можно было читать невооруженным глазом на расстоянии до 200 м.; днем цыфры будут казаться белыми на черном фоне трафаретов, а ночью -...