Патенты с меткой «кристаллических»

Номер патента: 1670550

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Барков, Бурыкин, Востриков, Жидков, Экк

МПК: G01N 23/20

Метки: кристаллических, материалах, неоднородности, распределения, фаз

...в каждом отдельном случае на трубке и счетчике устанавливали идентичные щели, с целью получения отдифрагмированного, с минимальной расходимостью, плоскопараллельного пучка. В одном варианте образец и эталоны снимали в статических условиях без вращения приставки, в другом включали равномерное вращение образца вокруг нормали к поверхности отражения с частотой 1 Гц.В последнем варианте при анализе относительной разности концентраций фаз съемки эталонов не потребовалось. так как значения интегральной интенсивности строго пропорциональны облучаемому объему при изменении вертикальной проекции пучка.Параметр неоднородности , П на 1=1 ходили иэ нижеприведенных соотношений, соответственно, для случая неподвижного и вращающегося образцаккп"=(- -...

Номер патента: 1680635

Опубликовано: 30.09.1991

Авторы: Кудрин, Михайлик, Михайлов, Нечаев, Потемин

МПК: C02F 1/40

Метки: веществ, жиров, кристаллических, непрерывной, смол

...проходит по трубам и нагревается до 98 С, При этом кристаллы сорбиновой кислоты растворяются и смолы и жиры, захваченные ранее кристаллами, освобождаются и, имея меньшую плотность, чем образовавшийся раствор сорбиновой кислоты в воде, всплывают, образуя под верхним днищем 4 теплообменника слой смол и жиров у отверстия патрубка 3, Очищенный раствор сорбиновой кислоты проходит через отверстие усеченного конуса 7 и через зазор между конусом и корпусом поступает к выходному отверстию патрубка 5 для вывода очищенного раствора.Очищенный раствор сорбиновой кислоты, контактирующий с верхним обогреваемым днищем 4, нагревается от 98 С до 101,3-101,9 С, При этой температуре очищенный раствор сорбиновой кислоты кипит, слой смол и жиров...

Номер патента: 1693446

Опубликовано: 23.11.1991

Авторы: Гольдман, Кизнис, Руткаускас, Щербак

МПК: G01N 3/18

Метки: испытания, кристаллических, образцов, полимеров, прочность, частично

...5, ускоряющую разрушение полукольца. При этом температура испытания выбирается, например для полукольца из ПЗКД, 80 С. Образец в виде полукольца, подвергаемый испытанию в заданном режиме, заменяет испытания труб, выполненных из частично кристаллического полимера. на прочность при внутреннем давлении.Справедливость такой замены объясняется следующим,Долговечность полимерного материала определяется, в основном, долей проходных молекул, количество которых зависит от молекулярного строения, а именно, молекулярной массы, молекулярно-массового распределения, Причем проходные молекулы наиболее явно влияют на долговечность полимерного материала при долговремен;7;,";Г 17;,T Составитель В,Лазареваедактор О рипта Тсхред М,Моргентал Корр Муска аз...

Номер патента: 1698916

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Белкин, Груич, Джурахалов, Морозов, Пичко, Умаров

МПК: H01J 49/14, H01J 49/26

Метки: анализа, количественного, кристаллических, послойного, твердых, тел

...атомы мишенив направлении, практически перпендикулярном плоскостям падения и рассеяния ионов, т,е. рассеянные и распыленные частицы пространственноразделены, вследствие чего увеличивается отношение сигнала к Фону, чтоприводит к увеличению чувствительности анализа в 10 раз,Кроме того, при скользящих углахпадения ионов облегчается анализ распыленных компонент твердой кристаллической мишени в связи с тем, что онивылетают в определенном азимутальномнаправлении ( 1. = 85 + 5 ) по отношению к плоскости рассеяния пучка. Спомощью моделирования на ЗВИ в приближении парных столкновений былиисследованы траектории ионов Аг сЕ = 7 кэВ, испытывающих скользящеерассеяние ф = 5 ) на поверхностимонокристалла Си (100) ( 110), атакже образование...

Номер патента: 1703406

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Банков, Друккер, Никитин

МПК: B24B 31/023

Метки: контура, кристаллических, элементов

...2 создаются оптимальные условия для обработки контура, в результате чего уменьшается на 10-20;6 вероятность обрзэования сколов на кристаллических элементах и не наблюдается уменьшения размеров контура кристаллических элел 1 ентов и также повышается производительность. При этом скорость обработки может быть увеличена в 1,5 раза с одновременным улучшением качества обрабатываемых кристаллических элементов. Формирование фасок непосредственно связано с качеством кристаллических элементов, поскольку протяженностьфасок(определяемая временем обработки)5 10 15 20 25 30 35 40 4550 55 и их плавность определяют основные параметры кри.та; ческ;х элементов, в том числе-, нна. и е-.сг сопрот .сление, монзчзстотнс:1, и дс Пр еыполнении заглушек 2 с...

Номер патента: 1718070

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Глазов, Путивцева

МПК: G01N 23/20

Метки: координат, кристаллических, кристаллографических, поверхностей, тел

...прохождения рентгеновского луча, в. которую вставляется рентгеновская. пленка, На той же подставке устанавливается металлическая пластина 10 с расположенным на оси прибора магнитным кристаллоносцем 5 и укрепленным.на нем кристаллом 6, Расстояние от кассеты до кристалла 35 мм (стрелкой показано направление хода рентгеновских лучей).Сущность предлагаемого способа заключается в следующем.Кристаллическое тело 6 укрепляют с помощью пластилина на торце магнитного кристаллоносца 5, который переносят на конец кристаллодержателя 4, В кассету 3 вставляют светочувствительную пленку. С помощью кристаллодержателя кристаллическое тело вводят в фокус зеркала 2, включением источника 1 света экспонируют фотоснимок, На кристаллоносце отмечают...

Номер патента: 1721475

Опубликовано: 23.03.1992

Авторы: Комар, Мигаль, Ульянов, Чугай

МПК: G01N 21/19

Метки: визуализации, дефектов, кристаллических, объектах, структуры

...поляризованного света от лазера 1, пройдя через объектив 2, становится расходящимся, в результате дальнейшего прохождения пучка через объект 5 и отражения от его поверхностей образуется изображение фазовой структуры объекта, которое фотографируют в проходящем и отраженном свете на фотопластинки 8 и 8 соответственно. Затем между объектом и фотопластинкой в проходящем луче последовательно помещают компенсатор 6, а также четвертьволновую пластинку 3 и анализатор 7, которые образуют круговой анализатор, а между источником света и объектом помещают четвертьволновую пластинку 3, превращающую свет в циркулярно поляризованный, изменяют оптическую разность хода, вносимую компенсатором, и фотографируют совмещение изображения объекта с его фазовой...

Номер патента: 1773431

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Баранов, Бомштейн, Громов, Мельников, Чистовалов

МПК: B01D 9/02

Метки: аппарат, веществ, кристаллических

...концах крышки 2.Аппарат работает следующим образом, Корпус 1 устанавливается в ис одное положение (см. фиг.1), и в нем задаются соответствующие тепловые режимы. Через технологические патрубки 4 о корпус 1 подается либо исходный раствор на кристаллизацию, либо отдельнь 1 е его компоненты. Включается вибратор 5, компоненты перемешиваются, а затем проводится процесс кристаллизации, Гибкий элемент 6 с размещенными на нем сферами 7 погрукают в реакционную среду, По завершении технологической стадии корпус 1 переводится и фиксируется в положение фильтрования (см, фиг,2), При работающем вибраторе 5 под фильтрующим элементом 3 создается разрежение, и из корпуса 1 отфильтровывается маточный раствор, Набор сфер 7, совершающих колебательные...

Номер патента: 1775655

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Антонов, Даровский, Маркашова, Смиян

МПК: G01N 23/20

Метки: кристаллических, образцов, размеров, твердотельных, ультрадисперсных, частиц

...слоях частиц, средний размер конгломерата б определяют в режиме электронного контраста, после чего выбирают диаметр электронного пучка таким образом, чтобы ОО, а ускоряющее напряжение выбирают таким, цтобы оно обеспечивало глубину проникновения электронов в твердотельный образец, превышающую б. После этого переходят на работу в режим ликро-микродифракции, корректируют диаметр электронного пучка до размеров, обеспечивающих получение точечной электронограммы, Далее определяют колицество рефлексов К на выбранном дифракционном кольце и производят расчет среднего размера частиц 0 по фор- муле 15 20 25 30 35 с 10 Л 5 50 55 ный характер, поэтому для электронного0пучка соотношенис д О= - , применяемоеЯв рентгеновском анализе(2),...

Номер патента: 1784886

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Еднерал, Костюкович, Скаков, Шелехов

МПК: G01N 23/20

Метки: аморфно, анализа, кристаллических, рентгеновского, фазового

...аморфно-кристаллического-сплава, где 1- ская фаза не имеет текстуры.интенсивность в произвольных единицах, 2 Использование предлагаемого. способа9- угол дифракции в градусах, "- интег- рентгеновского фазового анализа аморфноральнвя интенсивность линии кристалличе- кристаллических материалов по сравйениюГкой фазы, г - пиковая интенсивность 10 с существующими имеет то преимущество,аморфного гало под максимумомлийии,что по. диФракционной картине в области(ЙК ) - ййдексыййтерференции линйи;-углов едйнственной дифракциойной линииПредлагаемый способ рентгеновского (НКС) станоайтсявозможнымопределение.-фазового айалйза аморфно-кристалличе- среднйх объемных долей аморфной и криских материалов может быть реализован 15 сталлической...

Номер патента: 1785875

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Горбунов, Манаков, Серебряков, Федчунов

МПК: B24B 7/22

Метки: кристаллических, шлифования, элементов

...приводит к необходимостиустана.ливать резонатор на позицию настройки в непосредственной близости с вращающимся шлифовальным диском, что неудобно и опасно для работающего.Целью изобретения является повышение точности и производительности обработки.Поставленная цель достигается за счет того, что механизм подачи выполнен в виде рычага с грузом, вставленного в.обойму и закрепленную на одной оси с ней, а резона 2025 3050 тор устанавливается в верхней измерительной части рычага. Причем рычаг перемещается внутри обоймы в пределах величинырабочего хода, что обеспечивает одинаковое давление резонатора на диск, завися-щее от величины установленного груза.Рычаг фиксируется в рабочем положениитолкателем, не связанным с обоймой и управляемым...

Номер патента: 862700

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Виноград, Гуревич, Цирлин

МПК: G01T 1/202

Метки: заготовок, кристаллических, отбора, сцинтилляционных, счетчиков

...радиационным изменением наклона платодетектора при -40 С и величинойпослесвечения заготовки при комнатой температуре.Отклонение времени облучения и интервала времени между окончанием облучения и измерением величины Л отуказанных выше значений приводит кнарушению корреляции между величинами 3 иЬР. 5 10 15 20 25 30 35 40 бованиям, при этом повторное использование контейнеров исключено.Необходимость охлаждения детекторов до -40 ОС приводит к существенному усложнению требуемой аппаратуры изначительному увеличению длительности во времени процесса отбора (только охлаждение до -40 С и нагрев докомнатной температуры требует не менее 1 ч.) .Целью изобретения является сокра-щение времени, исключение непроизводительных затрат и упрощение процесса...

Номер патента: 1790969

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Годухин, Громов, Казаков, Каталхерман, Мельников, Тихонов

МПК: B01D 9/00

Метки: аппарат, веществ, кристаллических

...траверсами, установленнь 1 ми под углом к его оси и соединенными с мешалками, при это нижняя траверса снабжена расположенными по обе стороны вала скребками, закрепленными под противоположными углами.На фиг.1 представлен схематично предлагаемый аппарат для получения кристаллических веществ; на фиг.2 - сечение А - А на фиг.1; на фиг,З - сечение Б-Б на фиг.2.Аппарат содержит конический корпус 1 с крышкой 2, на которой установлено перемешивающее устройство 3, Перемешивающее устройство 3 состоит из вала 4, на котором коаксиапьно установлены две ленточные мешалки: наружная 5 и внутренняя 6, каждая из которых состоит из двух плоских спйрапьных"лент одного направления навивки. Плоские спиральные элементы ленточных мешалок 5 и 6 закреплены...

Номер патента: 1800339

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Горбань, Самсоненко, Тимченко, Токий

МПК: G01N 24/10

Метки: анализа, кристаллических, совершенства, структурного

...вызвавших данный спектр, см з;Анализируют поликристаллическую алмазну 1 о пленку, синтезированную из газовой фазы по известной технологии, Методом ЭПР на частоте 35,5 ГГц проводили измерение плотности дислокаций в поли- кристаллической алмазной пленке, синтезированной из газовой фазы с плоскостями роста (И 1. Образец мог содержать дислокации, лежащие в плоскос;ях (И), ,ориентированные в направления 110. ввввй бразые дмежду ний и(56) Авторское свидетельство СССМ 546814, кл. О 01 М 27/78, 1977Авторское свидетельство СССМ 1437752, кл, О 01 И 24/10, 198 НАЛИЗА СТРУКТУРНОГО ВА КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ1800339 Составитель С.ГорбаньТехред М.Моргентал Корректор С.Шекмар Редактор Заказ 1160 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и...

Номер патента: 1805361

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Жабин, Левочкин

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, количественного, кристаллических, рентгенофазового, сравнения, стандартов, частично

...значения, то есть будет1805361 Составитель М,ЛавочкинТехред М,Моргентал Корректор Л.Пилипенко Редактор Заказ 937 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 составлять требуемую часть от интенсивности дифракционного максимума полностью окристаллиэовавшегося образца. Немедленное охлаждение образцов после достижения этого момента позволяет прекратить 5 дальнейший рост степени кристалличности и зафиксировать ее заданное значение, то есть получить стандарт сравнения. Полученный стандартсравненйя получают неразрушающим способом, следовательно, его 10 можно применять и в том...

Номер патента: 1808888

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Кожевников, Колесников

МПК: C30B 13/00, C30B 29/48

Метки: кристаллических, пластин, селенида, цинка

...Сущины выращивают стью 7 - 20 мм/ч с лизации, находяравлению движеуд ч+Ь, где ть движения зоны 50Ь 60. Полржанием газовых . 1 табл., 1 ил.на плоскости фронта кристаллизации у найден экспериментально.На графике представлена экспериментальная зависимость диаметра газовых включений О от скорости движения зоны ч.Из графика видно, что величина О линейно уменьшается с ростом скорости, При значении у -50 достигается эффективное удаление газовых включений любого размера (для интервала скоростей движения зоны 7-20 мм/час). Создание больших углов наклона нецелесообразно, т.к. ведет к снижению оптических характеристик кристалла, что связано с ухудшением очистки ЕпЯе от посторонних примесей. Нижняя граница интервала допустимых значений у зависит...

Номер патента: 1810539

Опубликовано: 23.04.1993

Автор: Макаренко

МПК: E21C 39/00

Метки: кристаллических, пород, трещиноватости

...длина керна, м;1810539 Оценка трещи новатости крис- таллических по о Количество скважин на площади исследования,е . Длина керна,м7115 0,84 и - количество скважин на площади исследования, едН - мощность кристаллических пород, м.Соответственно при определении трещиноватости использованы фактическиеданные:- количество скважин 170,- мощность кристаллических пород 280 м- длина керна 4600 м,30400170 280 - 0,64,Таким образом получен показатель трещиноватости кристаллических пород по Михайловской площади, равный 0,64,Результаты апробации участков с цельюоценки трещиноватости кристаллическихпород сведены в таблице.В результате статистической обработкиполученных данных было установлено, чтопри значениях показателя трещиноватостименее 0,55...

Номер патента: 1813476

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Баранов, Бомштейн, Годухин, Громов, Казаков, Каталхерман, Малышев, Мельников, Тихонов, Юшковец

МПК: B01D 9/02

Метки: аппарат, веществ, кристаллических

...элементом 5 под корпусом 1 и устройством для регенерации 22 обеспечивается с помощью подпружиненного Фиксатора 33, входящего в отверстия 34, расположенные на планке 35.Устройство для фиксации газораспределительной решетки 29, выполнено аналогично устройству для Фиксации обоймы 15 с фильтрующим элементом 5.Штуцер для подвода теплоносителя 38 для сушки твердой Фазы при работе5 83 чЬ 6аппарата в режиме сушки установлен в кристаллизации и фильтрации черезгерметичной камере 7 с возможностьюштуцер 36, отведенный вправо, можногоризонтального перемещения за счет подавать инертный газ в герметичнуютого, что он является, например, эле- камеруи бункер 6 для обеспеченияы ырментом силовои винтовои пары, Бункер стерильности проведения...

Номер патента: 1815617

Опубликовано: 15.05.1993

Автор: Пономарев

МПК: G01W 1/00

Метки: концентрации, кристаллических, облачных, относительной, частиц

...электростатического измерительного электрода предлагается использовать поверхность самолета, а по токам с электростатических разрядников определять относительную концентрацию облачных час тиц. 2 ил. ления относительной концентрации 11 и 12. При регистрации асимметрии токовых сигналов в блоках сравнения 9 и 10, превышающих заданный уровень, и регистрируемых на индикаторах внешних электрических полей 13 и 14, с помощью блоков управления в 15 и 16, включающих усилители постоянного СО тока и компараторы, отрабатываются сигна- а лы, разрешающие или неразрешающие счи- (Я тывание, например с помощью световых О индикаторов, и отключающие через реле блоки регистрации изменения относительной концентрации облачных кристаллических...

Номер патента: 1630334

Опубликовано: 15.05.1993

Авторы: Бороденко, Кухтина, Лисецкая, Рыжиков, Силин

МПК: C30B 29/48, C30B 33/02

Метки: кристаллических, основе, селенида, цинка, элементов

...полного удаления воздуха и затем нагревают до 1000 - 1080 С, выдерживают при заданной температуре 3 - 10 ч, после чего температуру снижают со скоростью 200 С/ч, при комнатной температуре отключают проток водорода и извлекают элементы. По известной технологии 30 получения сцинтилляционного материала из легированного селенида цинка с целью создания центров люминесценции элементы ЛпЯе(Те) дополнительно отжигают в насыщенных парах цинка. Для чего данные элементы помещают в кварцевые ампулы вместе с навесками цинка, необходимыми для создания насыщенных паров цинка. Ампулы вакуумируют, запаивают и выдерживают при 1000 С в течение 24 ч, После повторной шлифовки и пол ировки измеряют коэффициенты поглощения и ослабления элементов, которые...

Номер патента: 1816773

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Дедов, Манин, Назаров, Семенов, Столяров, Тарасов

МПК: C08F 8/22, C08J 7/14

Метки: аморфных, кристаллических, модификации, поверхностной, резин, термопластов

...термообработки 60 С и в четыре стадии фторированияпо 5 мин каждая и три стадии термообрзботки.П р и м е р 24(контрольный). Обработкупроводят по примеру 21, но при температуре термообработки 85 С, т.е, выше заявленных режимов, Происходит потеря формыиэделия.П р и м е р ы 25 - 30, Обработку проводятпо примеру 1, но в качестве образцов пленочных материалов используют резину наоснове натурального каучука, резину на основе полиизобутилена, резину на основе бутадиенметилстирольного каучука, резину наоснове этиленпропиленового каучука. Вграфе 2 в таблице 1 в скобках в примерах1-20 представлены температуры плавленияполимеров, в примерах 21 - 24 - температуры стеклования.Экспериментальные данные по примерам 1-30 приведены в табл.1.П р и м е р ы...

Номер патента: 1832189

Опубликовано: 07.08.1993

Авторы: Бремер, Брехбюль, Вундерлих, Ефанов, Кемпфе, Кертель, Ценкер

МПК: G01N 23/20

Метки: зон, кристаллических, напряженного, образцов, поверхностных, рентгенодифрактометрического, состояния, частично

...углы поворота составОо + 120 о + 240 оизмеренных при этих углах поворота величин углов отражения формируют среднююарифметическую величину Г=(ир, +юр, + 1 гоо+йро+г 4 оо)/3 (1) Эта величина м,844 О. Величина угла отражения Рсвязана со средней величиной деформации кристаллической решетки 7 соотношением-с 19 о(фф-уо) =е. (2)Сумму нормальных напряжений (011+ огг) теперь можно определить из известного уравнения линейной теории упругости"+ (3)-- зп ф+е 1г2 2где е 1 и а - рентгенографические постоянные упругости, соответственно равные для никеля е 1 - -1,48 10 ммг/Н и - = 13,22 10 мм 2/Н (4). Для описанного случая величина (011+ ог) - -26,4 Н/мм .Во втором случае использован начальный угол поворота уЪ - 60 при том же делении полного...

Номер патента: 1836166

Опубликовано: 23.08.1993

Автор: Зяблов

МПК: B05B 17/00

Метки: аэрозоля, веществ, кристаллических

...которой прикреплено к выходному патрубку 10 через герметизирующую прокладку (диэлектрик)15, а меньшее обращено в направлении выходящего потока аэрозоля.Устройстйо работает следующим образом.В рабочую зону мельницы 4, загружают 5определенное количество кристаллического. вещества, например, поваренной соли (сучетом кубатуры помещения, в котором требуется получить аэрозоль) и закрываюткрышкой 5 с регулируемой заслонкой 11,при закрытой заслонке 11 устанавливаютсвободный конец вспомогательного воздуховода 3, соединенного с нагревателями 8,в соответствующее ему отверстие крышки 5,закрывают отсек 6 с мельницей 4 и осуществляют пуск мельницы 4 и нагревателей 8,снабженной вспомогательным вентилятором.После перемола загрузочной дозы...

Номер патента: 1837342

Опубликовано: 30.08.1993

Автор: Быков

МПК: G08B 19/02

Метки: веществ, кристаллических, наличия, прозрачных

...этом предварительно, по наиболеерассеивающему свет веществу(им оказалсяслой песка), при помощи переменных рези- Бсторов 10, 11 токи в цепях микроамперметров 12 и 13 подбираются так, чтобыизменения этих токов были одинаковы, а ихотношение, соответственно, было равноединице 10Результаты исследований приведены втаблице.Из данных, приведенных в таблице,видно, что предложенный способ позволяетконтролировать наличие кристаллического 15вещества - льда.Согласно закону сохранения энергииобщее количество света в системе неизменно и равно количеству света. излучаемомуисточником света. Увеличение рассеяния 20света средой приводит к уменьшению количества света, прошедшего через эту средуна величину рассеяния,Таким образом, определив на сколько...

Номер патента: 1074367

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Данильченко, Малков, Нестеров, Уфимцев

МПК: H03H 3/02

Метки: дисковых, кристаллических, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИСКОВЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ, заключающийся в разделке кристалла на заготовки заданного угла среза, шлифовании, круглении, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных элементов и снижения трудоемкости изготовления их путем повышения точности расположения мест крепления кристаллического элемента и исключения операции повторного нахождения кристаллографической оси Z1, шлифование граней XY1 осуществляют до размера, меньшего диаметра дискового кристаллического элемента на 2 - 6% .

Номер патента: 1739826

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Кибирев, Филимендикова, Ярош

МПК: H03H 3/02

Метки: кварцевых, кристаллических, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КВАРЦЕВЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ, включающий механическую обработку заготовки из кварца и ее химико-динамическое травление в кислотном растворе с поверхностно-активными добавками, проводимое в два этапа, первый из которых проводят при температуре 348 - 373 К, отличающийся тем, что, с целью уменьшения трудоемкости и повышения выхода годных, химико-динамическое травление на первом этапе осуществляют до получения шероховатости поверхности заготовки не более 5 10-8 м, а на втором этапе, проводимом при той же температуре, что и первый, до получения шероховатости поверхности заготовки не более 3

Номер патента: 1552979

Опубликовано: 27.01.1995

Авторы: Кибирев, Ярош

МПК: H03H 3/02

Метки: кварцевых, кристаллических, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КВАРЦЕВЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ, включающий механическую шлифовку основных граней кварцевых пластин, глубокое травление рабочей зоны через маску металлизации, нанесенную на периферийную область кварцевой пластины, и удаление маски металлизации, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных элементов, глубокое травление производят в несколько циклов, перед каждым из которых в центральную область рабочей зоны каждой из основных граней кварцевой пластины наносят соосно с рабочей зоной защитное покрытие в форме круга, а после глубокого травления осуществляют удаление всех защитных покрытий, при этом время каждого цикла глубокого травления и радиус круга каждого защитного покрытия выбраны в соответствии с...

Номер патента: 1268015

Опубликовано: 10.02.1996

Авторы: Гладыщук, Грибковский, Гурский, Паращук, Пендюр, Таленский, Яблонский

МПК: H01L 21/66

Метки: кристаллических, кристаллографической, неоднородности, образцов, полупроводниковых

1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ НЕОДНОРОДНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОБРАЗЦОВ, основанный на возбуждении и регистрации стримерных разрядов в образце, отличающийся тем, что, с целью обеспечения определения кристаллографической неоднородности тонких (тоньше 0,1 мм) пластин сульфида кадмия, повышения экспрессности и достоверности, возбуждение стримерных разрядов в образце производят периодическими импульсами напряжения, имеющими амплитуду 2 - 5 кВ, отрицательной полярности с крутизной фронта импульса электрического поля не менее 1016 В/см с, перемещают точку приложения импульсов напряжения по поверхности образца, а о наличии...

Номер патента: 1820638

Опубликовано: 27.10.1996

Авторы: Корчунов, Костыгов, Пеллер

МПК: C30B 15/34

Метки: кристаллических, непрерывного, профилированных, расплава

...на вытягивание - в определенный период времени с постоянным отношением упомянутых скоростей.Для повышения стабильности процесса с улучшенным качеством изделий и увеличением выхода годных за счет этого согласноп, 6 формулы изобретения в течение процесса поддерживают постоянной результирующую скорость Чр получения изделия (фиг. 1). При этом в случае выращивания участков изделия с прямолинейным продольным профилем скорости движения столба расплава в горизонтальной плоскости и перемещения затравки также поддерживают постоянными, при получении участков изделия с криволинейным продольным профилем обе указанные скорости изменяют по определенному закону, сохраняя постоянной Чр. Так при получении участка изделия, продольный профиль...

Номер патента: 1468021

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Букин, Ткаченко, Цейтлин

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: кристаллических, щеток

Способ получения кристаллических щеток из аналогов природных драгоценных камней, включающий плавление шихты, содержащей материал щетки и растворитель, выдержку при температуре кристаллизации материала щетки, извлечение щетки и очистку ее от растворителя, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса, повышения его производительности и увеличения прочности щетки, в качестве растворителя используют материал с удельным весом большим, чем удельный вес материала щетки, очистку ведут размещением щетки на поверхности пористой керамики или порошка из тугоплавкого материала, разогретых до температуры, соответствующей температуре кристаллизации материала щетки, и после очистки щетку с одной...