Патенты с меткой «кристаллических»

Страница 4

Способ определения неоднородности распределения фаз в кристаллических материалах

Загрузка...

Номер патента: 1670550

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Барков, Бурыкин, Востриков, Жидков, Экк

МПК: G01N 23/20

Метки: кристаллических, материалах, неоднородности, распределения, фаз

...в каждом отдельном случае на трубке и счетчике устанавливали идентичные щели, с целью получения отдифрагмированного, с минимальной расходимостью, плоскопараллельного пучка. В одном варианте образец и эталоны снимали в статических условиях без вращения приставки, в другом включали равномерное вращение образца вокруг нормали к поверхности отражения с частотой 1 Гц.В последнем варианте при анализе относительной разности концентраций фаз съемки эталонов не потребовалось. так как значения интегральной интенсивности строго пропорциональны облучаемому объему при изменении вертикальной проекции пучка.Параметр неоднородности , П на 1=1 ходили иэ нижеприведенных соотношений, соответственно, для случая неподвижного и вращающегося образцаккп"=(- -...

Устройство для непрерывной очистки кристаллических веществ от смол и жиров

Загрузка...

Номер патента: 1680635

Опубликовано: 30.09.1991

Авторы: Кудрин, Михайлик, Михайлов, Нечаев, Потемин

МПК: C02F 1/40

Метки: веществ, жиров, кристаллических, непрерывной, смол

...проходит по трубам и нагревается до 98 С, При этом кристаллы сорбиновой кислоты растворяются и смолы и жиры, захваченные ранее кристаллами, освобождаются и, имея меньшую плотность, чем образовавшийся раствор сорбиновой кислоты в воде, всплывают, образуя под верхним днищем 4 теплообменника слой смол и жиров у отверстия патрубка 3, Очищенный раствор сорбиновой кислоты проходит через отверстие усеченного конуса 7 и через зазор между конусом и корпусом поступает к выходному отверстию патрубка 5 для вывода очищенного раствора.Очищенный раствор сорбиновой кислоты, контактирующий с верхним обогреваемым днищем 4, нагревается от 98 С до 101,3-101,9 С, При этой температуре очищенный раствор сорбиновой кислоты кипит, слой смол и жиров...

Способ испытания на прочность образцов материалов из частично кристаллических полимеров

Загрузка...

Номер патента: 1693446

Опубликовано: 23.11.1991

Авторы: Гольдман, Кизнис, Руткаускас, Щербак

МПК: G01N 3/18

Метки: испытания, кристаллических, образцов, полимеров, прочность, частично

...5, ускоряющую разрушение полукольца. При этом температура испытания выбирается, например для полукольца из ПЗКД, 80 С. Образец в виде полукольца, подвергаемый испытанию в заданном режиме, заменяет испытания труб, выполненных из частично кристаллического полимера. на прочность при внутреннем давлении.Справедливость такой замены объясняется следующим,Долговечность полимерного материала определяется, в основном, долей проходных молекул, количество которых зависит от молекулярного строения, а именно, молекулярной массы, молекулярно-массового распределения, Причем проходные молекулы наиболее явно влияют на долговечность полимерного материала при долговремен;7;,";Г 17;,T Составитель В,Лазареваедактор О рипта Тсхред М,Моргентал Корр Муска аз...

Способ послойного количественного анализа кристаллических твердых тел

Загрузка...

Номер патента: 1698916

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Белкин, Груич, Джурахалов, Морозов, Пичко, Умаров

МПК: H01J 49/14, H01J 49/26

Метки: анализа, количественного, кристаллических, послойного, твердых, тел

...атомы мишенив направлении, практически перпендикулярном плоскостям падения и рассеяния ионов, т,е. рассеянные и распыленные частицы пространственноразделены, вследствие чего увеличивается отношение сигнала к Фону, чтоприводит к увеличению чувствительности анализа в 10 раз,Кроме того, при скользящих углахпадения ионов облегчается анализ распыленных компонент твердой кристаллической мишени в связи с тем, что онивылетают в определенном азимутальномнаправлении ( 1. = 85 + 5 ) по отношению к плоскости рассеяния пучка. Спомощью моделирования на ЗВИ в приближении парных столкновений былиисследованы траектории ионов Аг сЕ = 7 кэВ, испытывающих скользящеерассеяние ф = 5 ) на поверхностимонокристалла Си (100) ( 110), атакже образование...

Устройство для обработки контура кристаллических элементов

Загрузка...

Номер патента: 1703406

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Банков, Друккер, Никитин

МПК: B24B 31/023

Метки: контура, кристаллических, элементов

...2 создаются оптимальные условия для обработки контура, в результате чего уменьшается на 10-20;6 вероятность обрзэования сколов на кристаллических элементах и не наблюдается уменьшения размеров контура кристаллических элел 1 ентов и также повышается производительность. При этом скорость обработки может быть увеличена в 1,5 раза с одновременным улучшением качества обрабатываемых кристаллических элементов. Формирование фасок непосредственно связано с качеством кристаллических элементов, поскольку протяженностьфасок(определяемая временем обработки)5 10 15 20 25 30 35 40 4550 55 и их плавность определяют основные параметры кри.та; ческ;х элементов, в том числе-, нна. и е-.сг сопрот .сление, монзчзстотнс:1, и дс Пр еыполнении заглушек 2 с...

Способ определения кристаллографических координат поверхностей кристаллических тел

Загрузка...

Номер патента: 1718070

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Глазов, Путивцева

МПК: G01N 23/20

Метки: координат, кристаллических, кристаллографических, поверхностей, тел

...прохождения рентгеновского луча, в. которую вставляется рентгеновская. пленка, На той же подставке устанавливается металлическая пластина 10 с расположенным на оси прибора магнитным кристаллоносцем 5 и укрепленным.на нем кристаллом 6, Расстояние от кассеты до кристалла 35 мм (стрелкой показано направление хода рентгеновских лучей).Сущность предлагаемого способа заключается в следующем.Кристаллическое тело 6 укрепляют с помощью пластилина на торце магнитного кристаллоносца 5, который переносят на конец кристаллодержателя 4, В кассету 3 вставляют светочувствительную пленку. С помощью кристаллодержателя кристаллическое тело вводят в фокус зеркала 2, включением источника 1 света экспонируют фотоснимок, На кристаллоносце отмечают...

Способ визуализации дефектов структуры в кристаллических объектах

Загрузка...

Номер патента: 1721475

Опубликовано: 23.03.1992

Авторы: Комар, Мигаль, Ульянов, Чугай

МПК: G01N 21/19

Метки: визуализации, дефектов, кристаллических, объектах, структуры

...поляризованного света от лазера 1, пройдя через объектив 2, становится расходящимся, в результате дальнейшего прохождения пучка через объект 5 и отражения от его поверхностей образуется изображение фазовой структуры объекта, которое фотографируют в проходящем и отраженном свете на фотопластинки 8 и 8 соответственно. Затем между объектом и фотопластинкой в проходящем луче последовательно помещают компенсатор 6, а также четвертьволновую пластинку 3 и анализатор 7, которые образуют круговой анализатор, а между источником света и объектом помещают четвертьволновую пластинку 3, превращающую свет в циркулярно поляризованный, изменяют оптическую разность хода, вносимую компенсатором, и фотографируют совмещение изображения объекта с его фазовой...

Аппарат для получения кристаллических веществ

Загрузка...

Номер патента: 1773431

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Баранов, Бомштейн, Громов, Мельников, Чистовалов

МПК: B01D 9/02

Метки: аппарат, веществ, кристаллических

...концах крышки 2.Аппарат работает следующим образом, Корпус 1 устанавливается в ис одное положение (см. фиг.1), и в нем задаются соответствующие тепловые режимы. Через технологические патрубки 4 о корпус 1 подается либо исходный раствор на кристаллизацию, либо отдельнь 1 е его компоненты. Включается вибратор 5, компоненты перемешиваются, а затем проводится процесс кристаллизации, Гибкий элемент 6 с размещенными на нем сферами 7 погрукают в реакционную среду, По завершении технологической стадии корпус 1 переводится и фиксируется в положение фильтрования (см, фиг,2), При работающем вибраторе 5 под фильтрующим элементом 3 создается разрежение, и из корпуса 1 отфильтровывается маточный раствор, Набор сфер 7, совершающих колебательные...

Способ определения размеров ультрадисперсных кристаллических частиц твердотельных образцов

Загрузка...

Номер патента: 1775655

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Антонов, Даровский, Маркашова, Смиян

МПК: G01N 23/20

Метки: кристаллических, образцов, размеров, твердотельных, ультрадисперсных, частиц

...слоях частиц, средний размер конгломерата б определяют в режиме электронного контраста, после чего выбирают диаметр электронного пучка таким образом, чтобы ОО, а ускоряющее напряжение выбирают таким, цтобы оно обеспечивало глубину проникновения электронов в твердотельный образец, превышающую б. После этого переходят на работу в режим ликро-микродифракции, корректируют диаметр электронного пучка до размеров, обеспечивающих получение точечной электронограммы, Далее определяют колицество рефлексов К на выбранном дифракционном кольце и производят расчет среднего размера частиц 0 по фор- муле 15 20 25 30 35 с 10 Л 5 50 55 ный характер, поэтому для электронного0пучка соотношенис д О= - , применяемоеЯв рентгеновском анализе(2),...

Способ рентгеновского фазового анализа аморфно кристаллических материалов

Загрузка...

Номер патента: 1784886

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Еднерал, Костюкович, Скаков, Шелехов

МПК: G01N 23/20

Метки: аморфно, анализа, кристаллических, рентгеновского, фазового

...аморфно-кристаллического-сплава, где 1- ская фаза не имеет текстуры.интенсивность в произвольных единицах, 2 Использование предлагаемого. способа9- угол дифракции в градусах, "- интег- рентгеновского фазового анализа аморфноральнвя интенсивность линии кристалличе- кристаллических материалов по сравйениюГкой фазы, г - пиковая интенсивность 10 с существующими имеет то преимущество,аморфного гало под максимумомлийии,что по. диФракционной картине в области(ЙК ) - ййдексыййтерференции линйи;-углов едйнственной дифракциойной линииПредлагаемый способ рентгеновского (НКС) станоайтсявозможнымопределение.-фазового айалйза аморфно-кристалличе- среднйх объемных долей аморфной и криских материалов может быть реализован 15 сталлической...

Устройство для шлифования кристаллических элементов

Загрузка...

Номер патента: 1785875

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Горбунов, Манаков, Серебряков, Федчунов

МПК: B24B 7/22

Метки: кристаллических, шлифования, элементов

...приводит к необходимостиустана.ливать резонатор на позицию настройки в непосредственной близости с вращающимся шлифовальным диском, что неудобно и опасно для работающего.Целью изобретения является повышение точности и производительности обработки.Поставленная цель достигается за счет того, что механизм подачи выполнен в виде рычага с грузом, вставленного в.обойму и закрепленную на одной оси с ней, а резона 2025 3050 тор устанавливается в верхней измерительной части рычага. Причем рычаг перемещается внутри обоймы в пределах величинырабочего хода, что обеспечивает одинаковое давление резонатора на диск, завися-щее от величины установленного груза.Рычаг фиксируется в рабочем положениитолкателем, не связанным с обоймой и управляемым...

Способ отбора кристаллических заготовок n j(т ) для изготовления сцинтилляционных счетчиков

Загрузка...

Номер патента: 862700

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Виноград, Гуревич, Цирлин

МПК: G01T 1/202

Метки: заготовок, кристаллических, отбора, сцинтилляционных, счетчиков

...радиационным изменением наклона платодетектора при -40 С и величинойпослесвечения заготовки при комнатой температуре.Отклонение времени облучения и интервала времени между окончанием облучения и измерением величины Л отуказанных выше значений приводит кнарушению корреляции между величинами 3 иЬР. 5 10 15 20 25 30 35 40 бованиям, при этом повторное использование контейнеров исключено.Необходимость охлаждения детекторов до -40 ОС приводит к существенному усложнению требуемой аппаратуры изначительному увеличению длительности во времени процесса отбора (только охлаждение до -40 С и нагрев докомнатной температуры требует не менее 1 ч.) .Целью изобретения является сокра-щение времени, исключение непроизводительных затрат и упрощение процесса...

Аппарат для получения кристаллических веществ

Загрузка...

Номер патента: 1790969

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Годухин, Громов, Казаков, Каталхерман, Мельников, Тихонов

МПК: B01D 9/00

Метки: аппарат, веществ, кристаллических

...траверсами, установленнь 1 ми под углом к его оси и соединенными с мешалками, при это нижняя траверса снабжена расположенными по обе стороны вала скребками, закрепленными под противоположными углами.На фиг.1 представлен схематично предлагаемый аппарат для получения кристаллических веществ; на фиг.2 - сечение А - А на фиг.1; на фиг,З - сечение Б-Б на фиг.2.Аппарат содержит конический корпус 1 с крышкой 2, на которой установлено перемешивающее устройство 3, Перемешивающее устройство 3 состоит из вала 4, на котором коаксиапьно установлены две ленточные мешалки: наружная 5 и внутренняя 6, каждая из которых состоит из двух плоских спйрапьных"лент одного направления навивки. Плоские спиральные элементы ленточных мешалок 5 и 6 закреплены...

Способ анализа структурного совершенства кристаллических материалов

Загрузка...

Номер патента: 1800339

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Горбань, Самсоненко, Тимченко, Токий

МПК: G01N 24/10

Метки: анализа, кристаллических, совершенства, структурного

...вызвавших данный спектр, см з;Анализируют поликристаллическую алмазну 1 о пленку, синтезированную из газовой фазы по известной технологии, Методом ЭПР на частоте 35,5 ГГц проводили измерение плотности дислокаций в поли- кристаллической алмазной пленке, синтезированной из газовой фазы с плоскостями роста (И 1. Образец мог содержать дислокации, лежащие в плоскос;ях (И), ,ориентированные в направления 110. ввввй бразые дмежду ний и(56) Авторское свидетельство СССМ 546814, кл. О 01 М 27/78, 1977Авторское свидетельство СССМ 1437752, кл, О 01 И 24/10, 198 НАЛИЗА СТРУКТУРНОГО ВА КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ1800339 Составитель С.ГорбаньТехред М.Моргентал Корректор С.Шекмар Редактор Заказ 1160 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и...

Способ получения стандартов сравнения для количественного рентгенофазового анализа частично кристаллических материалов

Загрузка...

Номер патента: 1805361

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Жабин, Левочкин

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, количественного, кристаллических, рентгенофазового, сравнения, стандартов, частично

...значения, то есть будет1805361 Составитель М,ЛавочкинТехред М,Моргентал Корректор Л.Пилипенко Редактор Заказ 937 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 составлять требуемую часть от интенсивности дифракционного максимума полностью окристаллиэовавшегося образца. Немедленное охлаждение образцов после достижения этого момента позволяет прекратить 5 дальнейший рост степени кристалличности и зафиксировать ее заданное значение, то есть получить стандарт сравнения. Полученный стандартсравненйя получают неразрушающим способом, следовательно, его 10 можно применять и в том...

Способ получения кристаллических пластин селенида цинка

Загрузка...

Номер патента: 1808888

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Кожевников, Колесников

МПК: C30B 13/00, C30B 29/48

Метки: кристаллических, пластин, селенида, цинка

...Сущины выращивают стью 7 - 20 мм/ч с лизации, находяравлению движеуд ч+Ь, где ть движения зоны 50Ь 60. Полржанием газовых . 1 табл., 1 ил.на плоскости фронта кристаллизации у найден экспериментально.На графике представлена экспериментальная зависимость диаметра газовых включений О от скорости движения зоны ч.Из графика видно, что величина О линейно уменьшается с ростом скорости, При значении у -50 достигается эффективное удаление газовых включений любого размера (для интервала скоростей движения зоны 7-20 мм/час). Создание больших углов наклона нецелесообразно, т.к. ведет к снижению оптических характеристик кристалла, что связано с ухудшением очистки ЕпЯе от посторонних примесей. Нижняя граница интервала допустимых значений у зависит...

Способ определения трещиноватости кристаллических пород

Загрузка...

Номер патента: 1810539

Опубликовано: 23.04.1993

Автор: Макаренко

МПК: E21C 39/00

Метки: кристаллических, пород, трещиноватости

...длина керна, м;1810539 Оценка трещи новатости крис- таллических по о Количество скважин на площади исследования,е . Длина керна,м7115 0,84 и - количество скважин на площади исследования, едН - мощность кристаллических пород, м.Соответственно при определении трещиноватости использованы фактическиеданные:- количество скважин 170,- мощность кристаллических пород 280 м- длина керна 4600 м,30400170 280 - 0,64,Таким образом получен показатель трещиноватости кристаллических пород по Михайловской площади, равный 0,64,Результаты апробации участков с цельюоценки трещиноватости кристаллическихпород сведены в таблице.В результате статистической обработкиполученных данных было установлено, чтопри значениях показателя трещиноватостименее 0,55...

Аппарат для получения кристаллических веществ

Загрузка...

Номер патента: 1813476

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Баранов, Бомштейн, Годухин, Громов, Казаков, Каталхерман, Малышев, Мельников, Тихонов, Юшковец

МПК: B01D 9/02

Метки: аппарат, веществ, кристаллических

...элементом 5 под корпусом 1 и устройством для регенерации 22 обеспечивается с помощью подпружиненного Фиксатора 33, входящего в отверстия 34, расположенные на планке 35.Устройство для фиксации газораспределительной решетки 29, выполнено аналогично устройству для Фиксации обоймы 15 с фильтрующим элементом 5.Штуцер для подвода теплоносителя 38 для сушки твердой Фазы при работе5 83 чЬ 6аппарата в режиме сушки установлен в кристаллизации и фильтрации черезгерметичной камере 7 с возможностьюштуцер 36, отведенный вправо, можногоризонтального перемещения за счет подавать инертный газ в герметичнуютого, что он является, например, эле- камеруи бункер 6 для обеспеченияы ырментом силовои винтовои пары, Бункер стерильности проведения...

Способ измерения относительной концентрации облачных кристаллических частиц

Загрузка...

Номер патента: 1815617

Опубликовано: 15.05.1993

Автор: Пономарев

МПК: G01W 1/00

Метки: концентрации, кристаллических, облачных, относительной, частиц

...электростатического измерительного электрода предлагается использовать поверхность самолета, а по токам с электростатических разрядников определять относительную концентрацию облачных час тиц. 2 ил. ления относительной концентрации 11 и 12. При регистрации асимметрии токовых сигналов в блоках сравнения 9 и 10, превышающих заданный уровень, и регистрируемых на индикаторах внешних электрических полей 13 и 14, с помощью блоков управления в 15 и 16, включающих усилители постоянного СО тока и компараторы, отрабатываются сигна- а лы, разрешающие или неразрешающие счи- (Я тывание, например с помощью световых О индикаторов, и отключающие через реле блоки регистрации изменения относительной концентрации облачных кристаллических...

Способ обработки кристаллических элементов на основе селенида цинка

Загрузка...

Номер патента: 1630334

Опубликовано: 15.05.1993

Авторы: Бороденко, Кухтина, Лисецкая, Рыжиков, Силин

МПК: C30B 29/48, C30B 33/02

Метки: кристаллических, основе, селенида, цинка, элементов

...полного удаления воздуха и затем нагревают до 1000 - 1080 С, выдерживают при заданной температуре 3 - 10 ч, после чего температуру снижают со скоростью 200 С/ч, при комнатной температуре отключают проток водорода и извлекают элементы. По известной технологии 30 получения сцинтилляционного материала из легированного селенида цинка с целью создания центров люминесценции элементы ЛпЯе(Те) дополнительно отжигают в насыщенных парах цинка. Для чего данные элементы помещают в кварцевые ампулы вместе с навесками цинка, необходимыми для создания насыщенных паров цинка. Ампулы вакуумируют, запаивают и выдерживают при 1000 С в течение 24 ч, После повторной шлифовки и пол ировки измеряют коэффициенты поглощения и ослабления элементов, которые...

Способ поверхностной модификации кристаллических и аморфных термопластов и резин

Загрузка...

Номер патента: 1816773

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Дедов, Манин, Назаров, Семенов, Столяров, Тарасов

МПК: C08F 8/22, C08J 7/14

Метки: аморфных, кристаллических, модификации, поверхностной, резин, термопластов

...термообработки 60 С и в четыре стадии фторированияпо 5 мин каждая и три стадии термообрзботки.П р и м е р 24(контрольный). Обработкупроводят по примеру 21, но при температуре термообработки 85 С, т.е, выше заявленных режимов, Происходит потеря формыиэделия.П р и м е р ы 25 - 30, Обработку проводятпо примеру 1, но в качестве образцов пленочных материалов используют резину наоснове натурального каучука, резину на основе полиизобутилена, резину на основе бутадиенметилстирольного каучука, резину наоснове этиленпропиленового каучука. Вграфе 2 в таблице 1 в скобках в примерах1-20 представлены температуры плавленияполимеров, в примерах 21 - 24 - температуры стеклования.Экспериментальные данные по примерам 1-30 приведены в табл.1.П р и м е р ы...

Способ рентгенодифрактометрического определения напряженного состояния поверхностных зон изделий или образцов из кристаллических или частично кристаллических материалов

Загрузка...

Номер патента: 1832189

Опубликовано: 07.08.1993

Авторы: Бремер, Брехбюль, Вундерлих, Ефанов, Кемпфе, Кертель, Ценкер

МПК: G01N 23/20

Метки: зон, кристаллических, напряженного, образцов, поверхностных, рентгенодифрактометрического, состояния, частично

...углы поворота составОо + 120 о + 240 оизмеренных при этих углах поворота величин углов отражения формируют среднююарифметическую величину Г=(ир, +юр, + 1 гоо+йро+г 4 оо)/3 (1) Эта величина м,844 О. Величина угла отражения Рсвязана со средней величиной деформации кристаллической решетки 7 соотношением-с 19 о(фф-уо) =е. (2)Сумму нормальных напряжений (011+ огг) теперь можно определить из известного уравнения линейной теории упругости"+ (3)-- зп ф+е 1г2 2где е 1 и а - рентгенографические постоянные упругости, соответственно равные для никеля е 1 - -1,48 10 ммг/Н и - = 13,22 10 мм 2/Н (4). Для описанного случая величина (011+ ог) - -26,4 Н/мм .Во втором случае использован начальный угол поворота уЪ - 60 при том же делении полного...

Устройство для получения аэрозоля из кристаллических веществ

Загрузка...

Номер патента: 1836166

Опубликовано: 23.08.1993

Автор: Зяблов

МПК: B05B 17/00

Метки: аэрозоля, веществ, кристаллических

...которой прикреплено к выходному патрубку 10 через герметизирующую прокладку (диэлектрик)15, а меньшее обращено в направлении выходящего потока аэрозоля.Устройстйо работает следующим образом.В рабочую зону мельницы 4, загружают 5определенное количество кристаллического. вещества, например, поваренной соли (сучетом кубатуры помещения, в котором требуется получить аэрозоль) и закрываюткрышкой 5 с регулируемой заслонкой 11,при закрытой заслонке 11 устанавливаютсвободный конец вспомогательного воздуховода 3, соединенного с нагревателями 8,в соответствующее ему отверстие крышки 5,закрывают отсек 6 с мельницей 4 и осуществляют пуск мельницы 4 и нагревателей 8,снабженной вспомогательным вентилятором.После перемола загрузочной дозы...

Способ определения наличия прозрачных кристаллических веществ

Загрузка...

Номер патента: 1837342

Опубликовано: 30.08.1993

Автор: Быков

МПК: G08B 19/02

Метки: веществ, кристаллических, наличия, прозрачных

...этом предварительно, по наиболеерассеивающему свет веществу(им оказалсяслой песка), при помощи переменных рези- Бсторов 10, 11 токи в цепях микроамперметров 12 и 13 подбираются так, чтобыизменения этих токов были одинаковы, а ихотношение, соответственно, было равноединице 10Результаты исследований приведены втаблице.Из данных, приведенных в таблице,видно, что предложенный способ позволяетконтролировать наличие кристаллического 15вещества - льда.Согласно закону сохранения энергииобщее количество света в системе неизменно и равно количеству света. излучаемомуисточником света. Увеличение рассеяния 20света средой приводит к уменьшению количества света, прошедшего через эту средуна величину рассеяния,Таким образом, определив на сколько...

Способ изготовления дисковых кристаллических элементов

Номер патента: 1074367

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Данильченко, Малков, Нестеров, Уфимцев

МПК: H03H 3/02

Метки: дисковых, кристаллических, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИСКОВЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ, заключающийся в разделке кристалла на заготовки заданного угла среза, шлифовании, круглении, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных элементов и снижения трудоемкости изготовления их путем повышения точности расположения мест крепления кристаллического элемента и исключения операции повторного нахождения кристаллографической оси Z1, шлифование граней XY1 осуществляют до размера, меньшего диаметра дискового кристаллического элемента на 2 - 6% .

Способ изготовления кварцевых кристаллических элементов

Номер патента: 1739826

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Кибирев, Филимендикова, Ярош

МПК: H03H 3/02

Метки: кварцевых, кристаллических, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КВАРЦЕВЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ, включающий механическую обработку заготовки из кварца и ее химико-динамическое травление в кислотном растворе с поверхностно-активными добавками, проводимое в два этапа, первый из которых проводят при температуре 348 - 373 К, отличающийся тем, что, с целью уменьшения трудоемкости и повышения выхода годных, химико-динамическое травление на первом этапе осуществляют до получения шероховатости поверхности заготовки не более 5 10-8 м, а на втором этапе, проводимом при той же температуре, что и первый, до получения шероховатости поверхности заготовки не более 3

Способ изготовления кварцевых кристаллических элементов

Номер патента: 1552979

Опубликовано: 27.01.1995

Авторы: Кибирев, Ярош

МПК: H03H 3/02

Метки: кварцевых, кристаллических, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КВАРЦЕВЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ, включающий механическую шлифовку основных граней кварцевых пластин, глубокое травление рабочей зоны через маску металлизации, нанесенную на периферийную область кварцевой пластины, и удаление маски металлизации, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных элементов, глубокое травление производят в несколько циклов, перед каждым из которых в центральную область рабочей зоны каждой из основных граней кварцевой пластины наносят соосно с рабочей зоной защитное покрытие в форме круга, а после глубокого травления осуществляют удаление всех защитных покрытий, при этом время каждого цикла глубокого травления и радиус круга каждого защитного покрытия выбраны в соответствии с...

Способ определения кристаллографической неоднородности полупроводниковых кристаллических образцов

Номер патента: 1268015

Опубликовано: 10.02.1996

Авторы: Гладыщук, Грибковский, Гурский, Паращук, Пендюр, Таленский, Яблонский

МПК: H01L 21/66

Метки: кристаллических, кристаллографической, неоднородности, образцов, полупроводниковых

1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ НЕОДНОРОДНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОБРАЗЦОВ, основанный на возбуждении и регистрации стримерных разрядов в образце, отличающийся тем, что, с целью обеспечения определения кристаллографической неоднородности тонких (тоньше 0,1 мм) пластин сульфида кадмия, повышения экспрессности и достоверности, возбуждение стримерных разрядов в образце производят периодическими импульсами напряжения, имеющими амплитуду 2 - 5 кВ, отрицательной полярности с крутизной фронта импульса электрического поля не менее 1016 В/см с, перемещают точку приложения импульсов напряжения по поверхности образца, а о наличии...

Способ непрерывного получения профилированных кристаллических изделий из расплава

Загрузка...

Номер патента: 1820638

Опубликовано: 27.10.1996

Авторы: Корчунов, Костыгов, Пеллер

МПК: C30B 15/34

Метки: кристаллических, непрерывного, профилированных, расплава

...на вытягивание - в определенный период времени с постоянным отношением упомянутых скоростей.Для повышения стабильности процесса с улучшенным качеством изделий и увеличением выхода годных за счет этого согласноп, 6 формулы изобретения в течение процесса поддерживают постоянной результирующую скорость Чр получения изделия (фиг. 1). При этом в случае выращивания участков изделия с прямолинейным продольным профилем скорости движения столба расплава в горизонтальной плоскости и перемещения затравки также поддерживают постоянными, при получении участков изделия с криволинейным продольным профилем обе указанные скорости изменяют по определенному закону, сохраняя постоянной Чр. Так при получении участка изделия, продольный профиль...

Способ получения кристаллических щеток

Номер патента: 1468021

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Букин, Ткаченко, Цейтлин

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: кристаллических, щеток

Способ получения кристаллических щеток из аналогов природных драгоценных камней, включающий плавление шихты, содержащей материал щетки и растворитель, выдержку при температуре кристаллизации материала щетки, извлечение щетки и очистку ее от растворителя, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса, повышения его производительности и увеличения прочности щетки, в качестве растворителя используют материал с удельным весом большим, чем удельный вес материала щетки, очистку ведут размещением щетки на поверхности пористой керамики или порошка из тугоплавкого материала, разогретых до температуры, соответствующей температуре кристаллизации материала щетки, и после очистки щетку с одной...