Способ визуализации дефектов структуры в кристаллических объектах

(5 ИЯ, "," г ИСАНИЕ ИЗОБРЕТ лазерной технике. Целью изобретения является расширение функциональных возможностей путем визуализации различных дефектов структуры и неоднородностей, создающих поле остаточных напряжений в прозрачных объектах. На поверхности кристаллического объекта создают геометрический рельеф одним из известных методов, затем производят оптическую полировку одной или двух параллельных поверхностей объекта и фотографируют изображение фазовой структуры, возникающее при пропускании через объект или при отражении от его поверхностей расходящегося когерентного линейно поляризованного света, после чего между кристаллическим объектом и фотопластинкой последовательно помещают компенсатор и круговой анализатор, а между лазером и объектом помещают четверть волновую пластинку и, плавно увеличивая создаваемую компенсатором оптическую разность хода, фотографируют совмещение изображения объекта в поляризованном свете с его фазовой структурой при достижении компенсации двупреломления в каждой из выбранных областей объекта, 1 ил,последующем наблюдении дефе туры в отраженном свете.Недостатками являются ра кристаллического материала и нии, односторонность получаем мации, поскольку "видимым травления становятся лишь те де торые вызывают заметное изме рости травления поверхности в тов с зрушение и травлеой инфори" после фекты, конение ско- травителе то ск ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИПРИ ГКНТ СССР ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЪСТВУ(71) Харьковский авиационный институт им,Н,Е,Жуковского, Харьковское научно-производственное объединение "Монокристаллреактив" Научно-исследовательский центрпо технологическим лазерам, г. Троицк(56) Аэро Э.А., Томилин М.Г. Применениежидких кристаллов для неразрушающегоконтроля оптических материалов, деталей ииэделий. ОМП, 1987, Гч. 8, с; 50-59.Меланхолин Н.Н. Методы исследованияоптических свойств кристаллов. - М.: Наука,1978, с. 140,(54) СПОСОБ ВИЗУАЛИЗАЦИИ ДЕФЕКТОВСТРУКТУРЫ В КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОБЪЕ КТАХ(57) Изобретение относится к экспериментальным .методам исследования дефектовструктуры в прозрачных кристаллическихматериалах и может быть использовано вквантовой электронике, оптоэлектронике и Изобретение относится к экспериментальным методам исследования дефектов структуры в прозрачных кристаллических материалах и может быть использовано в полупроводниковом материаловедении, микроэлектронике и лазерной технике.Известен способ визуализации дефекв структуры, заключающийся в химичеом травлении поверхности кристаллов иопределенного состава, неопределенность связи между составом травителя и типом выявляемых дефектов структуры порождает неоднозначность полученных результатов,Известен также способ визуализации дефектов структуры, основанный на использовании жидких кристаллов,Однако этот способ применим только для высокоомных кристаллов, имеющих оптически совершенную поверхность, Он также не позволяет наблюдать дефекты структуры при различных температурах. Кроме того, способ неприменим к объектам, на поверхность которых нанесено защитное покрытие.Наиболее близким к предлагаемому способу является метод светящейся точки, относящийся к теневым методам, Метод позволяет обнаруживать в кристаллах лишь блоки мозаичности, следы скольжения и другие дефекты, которые характеризуются скачком показателя преломления,Недостатки известного способа состоят в том, что он применим для контроля только прозрачных материалов; при его использовании необходимы объекты в виде плоско- параллельного диска, реализующая способ установка обладает большими размерами. К тому же этот способ не чувствителен к дефектам структуры, порождающим остаточные напряжения.Целью изобретения является расширение класса визуализируемых дефектов структуры и неоднородностей,Указанная цель достигается тем, что согласно способу, включающему регистрацию фазовой структуры объекта, на поверхности кристаллического объекта создают геометрический рельеф, затем производят оптическую полировку двух параллельных поверхностей объекта, просвечивают объект расходящимся когерентным линейно поляризованным светом и фотографируют изображение фазовой структуры, возникшее при пропускэнии света через объект и при отражении ог его поверхностей, после чего между кристаллическим объектом и фотопластинкой последовательно помещают компенсатор и круговой анализатор, а между источником света и обьектом помещают четвертьволновую пластинку, изменяют оптическую разность хода и фотографируют совмещение изображения объекта с его фазовой структурой при достижении компенсации двулучепреломления в каждой исследуемой области объекта, затем убирают компенсатор, круговой анализатор и четвертьволновую пластинку, поворачивают объект вокруг оси, лежащей в плоскости поверхности объекта до возникновения интер 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 ференционных полос равной толщины, затем в отраженном свете фотографируют совмещение изображения фазовой структуры обьекта и интерференционной картины, после этого на полированную поверхность объекта наносят токопроводящую оптически прозрачную пленку, нагревают объект до появления локальных изменений в интерференционной картине, фотографируют ее и по полученным изображениям судят о наличии дефектов в кристаллическом объекте.На чертеже показана блок-схема устройства для визуализации дефектов структуры.Устройство содержит расположенные последовательно газовый лазер 1, обьектив 2, четвертьволновые пластинки 3 и 3, держатель 4 кристаллического объекта, кристаллический объект 5, компенсатор 6, анализатор 7, а также фотопластинки 8 и 8 .Пучок когерентного линейно поляризованного света от лазера 1, пройдя через объектив 2, становится расходящимся, в результате дальнейшего прохождения пучка через объект 5 и отражения от его поверхностей образуется изображение фазовой структуры объекта, которое фотографируют в проходящем и отраженном свете на фотопластинки 8 и 8 соответственно. Затем между объектом и фотопластинкой в проходящем луче последовательно помещают компенсатор 6, а также четвертьволновую пластинку 3 и анализатор 7, которые образуют круговой анализатор, а между источником света и объектом помещают четвертьволновую пластинку 3, превращающую свет в циркулярно поляризованный, изменяют оптическую разность хода, вносимую компенсатором, и фотографируют совмещение изображения объекта с его фазовой структурой при достижении компенсации двулучепреломления в каждой исследуемой области объекта, затем убирают четвертьволновую пластинку 3, компенсатор 6 и круговой анализатор 7, поворачивают обьект вокруг оси, лежащей в плоскости его поверхности, до возникновения в отраженном свете интерференционных полос равной толщиной. После этого фотографируют совмещенное изображение фазовой структуры обьекта и интерференционной картины, на полированную поверхность объекта наносят токопроводящую оптически прозрачную пленку, нагревают объект до появления локальных изменений в интерференционной картине, фотографируют ее и по полученнымизобракениям судят о наличии дефекта в кристаллическом объекте.10 15 20 25 30 40 45 50 55 Предлагаемый способ визуализации дефектов структуры в кристаллических объектах основывается на следующих физических явлениях. При травлении или окислении на поверхности кристаллического объекта образуется геометрический микрорельеф. Микрорельеф связан с выходом на данную поверхность дефектов структуры, которые своими упругими полями влияют на скорость травления (растворения). При оптической полировке поверхности кристаллического объекта геометрический рельеф покрывается нарушенным слоем с иным показателем преломления, Поскольку толщина нарушенного слоя является функцией координат, то кристаллический объект является объектом фазовым, Дефекты структуры кристаллических объектов зачастую обуславливают остаточные напряженияродавеличину которых можно определить предлагаемым способом с помощью компенсатора. Клиновидность нарушенного слоя, возникшая вследствие наличия остаточных напряженийрода, приводит к появлению интерференционных полос равной толщины, что позволяет визуализировать указанные остаточные напряжения, Известно влияние электрического состояния поверхности на физические свойства кристаллов поля р н ых классов. Известно также, что остаточные напряжения различного рода зачастую обуславливают, согласно принципу суперпозиции симметрий Кюри, локальное понижение симметрии, Последнее приводит к появлению качественно новых свойств у изначально ку.бических кристаллов. При этом такие параметры как коэффициент термического линейного расширения, теплоемкость, пъезооптические коэффициенты и другие обнаруживают существенную зависимость от электрического состояния кристалла,Предлагаемый способ применим к монокристаллам, имеющим поверхности в виде естественных сколов. При этом отпадает необходимость обработки поверхности, В тонких объектах фазовая структура возникает за счет локальных изменений показателя преломления или за счет наличия локальных областей оптической активности,По сравнению с известным предлагаемый способ визуализации дефектов структуры в кристаллических объектах позволяет визуализировать поле остаточных напряжений, создаваемых дефектами структуры, и выявляет не только дефекты структуры, но и делает заключение о типе дефектов структуры. Устройство, реализующее данный способ, имеет размеры в 3-5 раз меньшие, чем устройство, реализующее известный способ, Кроме того, предлагаемый способ позволяет получить информацию о разнообразных дефектах и микронеоднородностях структуры, формирующих не только оптические, но и механические, тепловые и диэлектрические свойства кристаллических объектов, исследовать динамику необратимых изменений в кристаллических объектах при интенсивных внешних воздействиях,например,эффект"линзы",возникающий при пропускании интенсивного лазерного излучения через объект, а также объекты, обладающие большим светорассеянием, из-за которого известные способы к ним не применимы.Формула изобретения Способ визуализации дефектов структуры в кристаллических объектах, включающий просвечивание и регистрацию фазовой структуры объекта, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью расширения класса визуализируемых дефектов структуры и неоднородностей, на поверхности кристаллического объекта создают геометрический рельеф, затем производят оптическую полировку двух параллельных поверхностей объекта, отличных от поверхности с геометрическим рельефом, просвечивают объект расходящимся когерентным линейно поляризованным светом и фотографируют на фотопластинку изображение фазовой структуры, возникающее при пропускании света через объект и при отражении от его поверхностей, после чего между объектом и фотопластинкой последовательно помещают компенсатор и круговой анализатор, а между источником света и объектом помещают четвертьволновую пластинку, изменяют оптическую разность хода и фотографируют картину совмещения изображения объекта с его фазовой структурой при достижении компенсации двулучепреломления в каждой исследуемой области объекта, затем убирают компенсатор, круговой анализатор и четвертьволновую пластинку, поворачивают объект вокруг оси, лежащей в плоскости поверхности образца до возникновения интерференционных полос равной толщины, затем в отраженном свете фотографируют картину совмещения изображения фазовой структуры объекта и интерференционной картины, после этого на полированную поверхность объекта наносят токопроводящую оптически прозрачную пленку, нагревают объект до появления локальных изменений в интерференционной картине, фотографируют ее и по полученным изображениям судят о наличии дефектов в кристаллическом обьекте,1721475 50 Редактор Н. Рогулич и Заказ 947 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СС 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 роизводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 10 Составитель Техред М.Мо Комарьтал Корректор О.