Патенты с меткой «кристаллических»

Номер патента: 940830

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Деулин, Егорова, Кириллов, Крылов, Ларина, Питалев, Покровская, Слободчикова

МПК: B01J 20/06

Метки: арсенатов, кристаллических, ниобия, основе, сорбентов, тантала, фосфатов

...комилексов, Так, повышение температуры до 20 С уменьшает время устойчивого существования раствора соответствующих комплексов более чем в 10 раз,Затем проводят выделение осадков фосфатов или арсенатов из полученного раствора фосфатных (или арсенатных) комплексов либо нагреванием его до температуры 30 - 50 С, либо, введением в реакционную смесь концентрированной минеральной кислоты (5 - 15,моль/л) до концентрации ее в реакционной смеси 1 - 8 моль/л, Такие условия являются оптимальными, так как в этом случае осаждение происходит в виде геля ао всему объему реакционной массы, что обеспечивает высокий выход готового продукта и однородность его состава и свойств. В качестве минеральной кислоты, вводимой в реакционную смесь, используют...

Номер патента: 949979

Опубликовано: 07.12.1982

Авторы: Брантов, Татарченко, Хлесткин, Эпельбаум

МПК: C30B 15/34

Метки: выращивания, кристаллических, ориентированных, слоев

...верхнего тигля по капиллярному зазору между пластиной питателя и подложкой-кристаллом проникает в нижний тигель, НедоСтатком устройства является то, что работа его верхней части возможна при использовании предварительно подготовленных подложек, при этом площадь контакта подложки с расплавом вследствие его затекания в щель между питателем и подложкой определяется площадью пластины питателя, вдоль которой протягивается подложка. Значительная величина зоны контакта расплава с подложкой приводит к ухудшению 25 качества выращиваемого слоя вследствие загрязнения расплава примесями.Цель изобретения - снижение загрязнения примесями выращиваемых сло- ЗО ев за счет уменьшения зоны расплава, контактирующего с подложкой, и увеличение...

Номер патента: 1010055

Опубликовано: 07.04.1983

Авторы: Кашников, Мартыненко, Попов

МПК: C07C 87/14

Метки: выделения, гексаметилендиамина, дикарбоновых, кислот, кристаллических, солей

...отделяют товарную соль от маточного раствора. Маточный раствор в емкости 4 смешивают с дикарбоновой кислотой и полученную суспензию направляют на центрифугу 5, где отделяют смесь соли и дикарбоновой кис3 10100 лоты, затем кристаллырастворяют в чистой воде в, емкости 6 и направляют в реактор 1, где после добавления раствора гексаметилендиамина в эквимолярном соотношении получают б раствор соли с рН 7,7, Полученный маточный раствор выводят из схемы на сжигание или на угольную очистку.П р и м е р 1. В реактор 1 (фиг. 2) загружают в эквимолярных 16 соотношениях ГИД 38,4 кг; себациновую кислоту 66,61 кг и воду в количестве 700 кг. Реакцию солеобразования проводят при 80 ф С. После,цостижения рН раствора 7,7 смесь выдерживают в реакторе...

Номер патента: 1026009

Опубликовано: 30.06.1983

Авторы: Кибирев, Савуков

МПК: G01B 17/02

Метки: кристаллических, разнотолщинности, элементов

...элементов, заключающемуся в том,что устанавливают между электродами исследуемый элемент, возбуждают в нем колебания при двух различных конфигурациях электродов, при каждой из них измеряют значение резонансных частот первых гармоник, по разности которых определяют разнотолщинность 35 кристаллического элемента, выполняют электроды составными, подключением элементов электродов получают различ ную их конфигурацию и возбуждают колебания последовательного резонанса 40 на основной и ангармонической модах,На фиг.1 изображена электрическая схема устройстна, реализующего предлагаемый способ при возбуждении на 45 основной моде; на фиг,2 - то же, при возбуждении на ангармонической моде,Устройство содержит неподвижный иподвижный электроды,...

Номер патента: 1073643

Опубликовано: 15.02.1984

Автор: Орел

МПК: G01N 21/70

Метки: анализа, белково-липидных, кристаллических, соединений

...образец 5. Кромеэтого, имеется электровакуумный илитвердотельный фотоприемник б (с чувствительностью не хуже 10 квант/си" с)кондиционер 7 и блок регистрациисветового сигнала 8,Устройство работает следующим образом.При вращении электроднигателя 2 крутящий момент передается фторопластовому диску 3 и частично - далее исследуемому образцу 5, толщина которого составляет 1,5 мм. В результате трения в месте контактов фторопластоного диска 3 с исследуемым образцом 5, а также кюветы из органического стекла 4 с исследуемым образ - цом 5 образуются различные слои электрических зарядон. Кроме того, в результате трибоэлектризации фтороплас тоного диска и дна кюветы из органического стекла об образец последний дополнительно поляризуется в...

Номер патента: 1089493

Опубликовано: 30.04.1984

Автор: Болдышев

МПК: G01N 23/02

Метки: кристаллических, твердых, тел, фононных, частот

...монохроматический пучок медленных нейтронов энергии Е 0,1 э В, затем измеряют энергию и импульс рассеянных нейтронов. Изменение энергии нейтрона равно энергии излученных или поглощенных ими фононов 23 и 32. 5 10 15 20 25 30 Недостаток этого .:пособа - трудность получения монохроматического сфокусированного пучка медленных нейтронов, так как нейтрон не имеет электрического заряда, Детектирование рассеянного нейтрона с точным измерением его импульса также технически сложно ввиду малых потоков рассеянных частиц. Атомные ядра момногих элементов имеют большое резонансное сечение поглощения нейтронов в рабочей области энергии данного способа. Для экспериментов требуются большие монокристаллы порядка нескольких кубических...

Номер патента: 1122935

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Иманбаева, Серебряков, Щитченко

МПК: G01N 21/41

Метки: веществ, главных, кристаллических, показателей, преломления

...значение главных показателей преломления кристалла, его необходимо прикрепить к кристаллодержателю 5. Пространство между диском 1 и 2, образующее им-25 мерсионные камеры, заполняют иммерсионными жидкостями с различными показателями преломления, Затем кристалл 4, прикрепленный к кристаллодержателю 5, поочередно вводится в им-мерсионные камеры до тех пор, пока не будет установлено равенство по 1 ". казателя преломления жидкости.,и изучаемого кристалла. Равенство показателей преломпения устанавливают по полоске Бекке. Установив равенство показателей, определяют значейие показателя преломления жидкости. Для этого фиксируют окуляр-микрометром положение риски 3 в поле зрения, Удаляют иммерсионную жидкость фильтровальной бумагой и вновь...

Номер патента: 534942

Опубликовано: 30.03.1985

Авторы: Костенко, Литвиненко, Попов, Продан, Ткаченко

МПК: C07D 301/28, C07D 303/04

Метки: гидрохинона, диглицидных, кристаллических, эфиров

...известного способаотносятся довольно низкий выход це"левых продуктов, которые часто загрязняются побочными продуктами,большой расход ЭХГ и загрязнениеокружающей среды уносимым из зоныреакции ЭХГ.Цель изобретения - увеличениевыхода целевого продукта - достигается тем, что конденсацию проводятв присутствии катализатора - хлоргидрата трнметиламнна при температуре кипения реакционной смеси, а дегидрохлорирование при 25-40 фС,Хлоргидрат триметиламина обычноиспользуют в виде 633-ного водногораствора в количестве 1-3 мас.7. навзятый гидрохинон,Выход целевых продуктов 71,8 Х.П р и м е р, Смесь 16,5 г(1,05 моль) ЭХГ кипятят 10 мин,прибавляют 0,2 мл (0,005 моль)1 34942 363 -ного водного раствора хлоргидрата триметиламина, кипятят 5 ч,.охлаждают...

Номер патента: 1243932

Опубликовано: 15.07.1986

Авторы: Капланский, Кузьмин, Медведев, Николаев, Орлов, Расулов, Сармин, Солдатенков, Ушаков

МПК: B24B 37/04

Метки: доводки, кристаллических, элементов

...с помощью подшипников 2 установлен с возможностью вращения нижний притир 3. Нижний притир. 3 соединен ременной передачей с электроприводом 4. На шпинделе 1 свободно установлен с возможностью вращения эксцеитрик 5. На притире 3 с возможностью вращения вокруг эксцентрика 5 установлена кассета 6, В гнездах кассеты размещены кристаллические элементы 7. На верхнем торце шпинделя 1 установлен тормоз 8,скоторый одновременно выполняет роль оси верхнего неподвижного притира 9, свободнолежащего на кристаллических элементах. Тормоз 8 имеет корпус 10, пружину 11 и шайбу 12, Для увеличений усилия торможения корпус 8 закручивается по резьбе шпинделя 1 и стопорится контргайкой 13Устройство работает следующим образом.При вращении нижнего притира Э...

Номер патента: 1247730

Опубликовано: 30.07.1986

Авторы: Почежерцев, Пузанов, Пяткова

МПК: G01N 23/203

Метки: взаимной, гетероэпитаксиальной, кристаллических, ориентации, пленки, подложки, решеток

...рассеяние 5 на большой угол ядрами атомов одного сорта. Чем выше энергия, тем ближе к поверхности произошел акт рассеяния, Разрешение по глубине определяется энергетическим разрешением спектрометрической системы, тормозной способностью вещества мишени и геометрией рассеяния. При энергии ионов 0,5 МэВ/нуклон для большинства веществ легко достижимо разрешение по 15 глубине 0,01 мкм. Имея в наличии совокупность спектров обратнорассеянных ионов, измеренных при различных углах 6 между направлением регистрации и кристаллографическим направле нием, строят зависимость х(9) для выбранного интервала глубин рассеяния (= сопят).Такая зависимость для образца 1 пР/СаАз имеет вид, показанный на 25 фиг,3. Значение угла 8, при котором . х(В) = х ,...

Номер патента: 1297725

Опубликовано: 15.03.1987

Авторы: Адольф, Дитер

МПК: C07C 143/86

Метки: ацетоацетамид, кристаллических, солей, сульфофторида

...углекислого калия вводят при О С в 300 мл диметилформо.амида, После добавления 57,8 мл (1 моль) аминосульфофторида к смеси в течение 15 мин прибавляют по каплям 84,3 мл (1,1 моль) дикетена. Непосредственно после этого реакционную смесь перемешивают в течение 30 мин при 0 С и затем в течениео90 мин при максимум 30 С, После прибавления к реакционной смеси 500 мл ацетона калиевую соль ацетоамид-М сульфофторида отфильтровывают и промывают небольшим количеством ацетона, Идентификацию соединения и определение выхода производят по примеру 1. Выход 181 г (907 от теоретичес кого),Пример 4, 58,3 г (0,55 моль) порошкообразного углекислого натрияовводят при О С в 500 мл ацетона, После добавления 57,8 мл (1 моль) аминосульфофторида к смеси...

Номер патента: 1312459

Опубликовано: 23.05.1987

Авторы: Асланов, Фетисов

МПК: G01N 23/20

Метки: веществ, исследования, кристаллических, рентгенографического

...держателя образца и может убираться при отсутствии необходимости работы с 2ОКГ; платформу 6, установленную на основании 1, имеющую возможность поворота вокруг оси, перпендикулярной основанию с помощью механизма 1 поворота под контролем средства отсчета угла поворота платформы, источник 8 и детектор 9 рентгеновских лучей с индивидуальными механизмами поворота и средствами отсчета углов 10 и 11 соответственно источника и детектора, удлиненный узел 12 переменной длины, передающий вращение от механизма 3 к закрепленному на нем образцу С, кронштейн 13 крепления механизма поворота держателя образца к основанию.Устройство работает следующим образом. При исследовании монокристаллов образец устанавливается в точку С пересечения геометрических...

Номер патента: 1330459

Опубликовано: 15.08.1987

Автор: Кузнецов

МПК: G01B 11/06

Метки: доводки, кристаллических, пластин, процессе, толщины

...кристаллической пластины 5 (пластины вырезаны из однородного материала), то на первом этапе контроля пластины 5 и 23 ориентируют так, что взаимно параллельные плоскости поляризации поляризатора 4 и анализатора 9 составляют с главными сечениями кристаллических пластин 5 и 23 углы соответственно -45 и 0. В этом случае пластина 23 не участвует в образовании суммарного порядка интерференции, т.е. М =М . КомпенсатоЕром 6 дополняют дробную часть порядка интерференции пластины 5 до значения 0,25 или 0,75, при котором свет, вы- ходящий иэ компенсатора б, поляризован по кругу. Критерием этого является отсутствие составляющей сигнала с частотой 4 И, наблюдаемой на синхронном детекторе 19, При этом показание компенсатора б, предварительно...

Номер патента: 1355846

Опубликовано: 30.11.1987

Авторы: Куц, Мельцер, Тутова

МПК: F26B 3/10

Метки: кристаллических, органических, сушки

...пористостью (металлы) и размер частиц насадки должен в 2 - 3 раза превышать размеры асц содноо материала. Так как сбобшающим показателем при характеристике материалов, дВижущихся В потоках газоВзвеси, яВляется скорость витания частиц, то и условия выбора насадки заданы через этот показатель, Обоснование численных значений этого показателя также приведено В примерах.Варьирование сксрости газа в зависимости от цикличност и прохождения материала через установку и его температуры обеспечивает повышение экономичности процесса при достиженьи поставленной цели.Эксперименты проведены на укрупненной экспериментальной установке (фиг. 1). Обезвоживаемый материал (кристаллический лизин) имел начальную влажность 15,2 Я, был полидисперсного...

Номер патента: 1374106

Опубликовано: 15.02.1988

Авторы: Макаров, Подсвиров

МПК: G01N 23/20

Метки: кристаллических, полярности, структур

...углов дифракции первич ного пучка электронов на плоскостях, перпендикулярных полярной оси. При этом эффект асимметрии наблюдается как для возбужденных в кристалле вторичных электронов, так и для упруго и неупруго отраженных электронов зондирующего пучка. Энергия первичных электронов не является критичной и может составлять единицы-десятки килоэлектронвольт. Варьирование энергии 35 в указанных пределах позволяет изменять глубину зондирования объекта в диапазоне единицы-десятки нанометров.Устройство для определения поляр О ности криСталлов включает вакуумную камеру 1, электронную пушку 2, исследуемый объект 3, коллектор 4 вторичных электронов 5, магнитную отклоняющую систему 6 с блоком 7 питания, 45 блок 8 измерения токов и...

Номер патента: 1377267

Опубликовано: 28.02.1988

Авторы: Бебчук, Васильева, Музафарова, Чукова

МПК: C04B 35/565, C04B 35/589

Метки: карбиднитридкремнийсодержащих, кристаллических, соединений

...композиции представлены в таблице. Формула изобретения Выход кристаллического осадка,вес. %Состав пиролизуемой смеси 1400 С 1200 С ОМФССА + 10% ТдО + 5% Тдд(ЯО) ОМФССА + 57 ТдО + 2,5% Тд(80)з 67,0 67,5 66 бб 17. ТдО, + 0,5% Тд(С О) к ОМФССА +10 Н,О" 56,1 63 107 Со. О . + 5% Со(СНСО )ОМФССА +ф 4 Н О 72,2 72,2 65,7 65,7 ОМФССА + 17. СоО + 0,5% Со(НН)Д (БОз)з 63,5 61,7 Составитель И. КляповТехред А.Кравчук Корректор.М.Шарони Редактор А.Лежнина Заказ 813/16 Тираж 594 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Изобретение относится к получениюв результате пиролиза полициклических органоолигосилазанов ООССА карбиднитридкремнийсодержащих соединений, которые...

Номер патента: 1394115

Опубликовано: 07.05.1988

Авторы: Вуцен, Дунаенко, Елизаров, Иванов, Лебедев

МПК: G01N 25/56

Метки: влажности, коллоидных, кристаллических, сыпучих

...(ПТП), 30 заключенный между верхней 10 и нижней 11 прокладками из фольги.Устройство работает следующим образом,В стакан 8 засыпается высушиваемый 35 продукт. Крышка 1 устанавливается в Верхнее положение, при этом шарики 6 упираются во внутренний кольцевой паз крышки 1, что устойчиво фиксирует ее относительно корпуса 4. Затем устройО ство ставится на полку сушильной камеры, температура которой меняется по заданному закону, При высушивании продукта испаряется влага, которая выходит через выпускные отверстия 2 крышки 1. Информация о влажности высушиваемого продукта поступает в вице электрического сигнала с выхода ПТП. При градуировке устройства гравиметрическим,методом, которая осуществляется с установленной периодичностью, крышка 1...

Номер патента: 1408209

Опубликовано: 07.07.1988

Авторы: Виноградова, Иванов

МПК: G01B 11/06

Метки: двулучепреломляющих, кристаллических, пластин, толщины

...регистрация спектра при ццорос О,сц(о из поляризаторов ца 90" отцосГель(ю первоначального положения. Те и. хицхх хОВ, соторые це изменили своего с ектрдльцсго юложения, принадлежат функциям1/.) Х ;)с,Ь(,)Их не уцитывают в расчетах. Тдхим образом по оставшимся мицимумдч мож(о судить о истинном пропуска:(ии с)испи.Используемая в способе форчу,д пГу- ча опытным путем. В основе ес.сжит известная формула с(=К/., где К црядк интерференции. Приравняв К= - 1,2, хдя изменение толщины пластиць ( Нри изхСцснии порядка интерференции цд 0,5:- -. Это есть требуемое изменение толццНЫ ПЛаетниы ПРИ СМЕЩСЦИИ Мси(СИ(ХХД СПСКГ Р с 1/1 1 Н 0 й Х Д Р с К Т С Р И ( Т И К1( 1 ВС,1 И Ч И 1 У, Р 3 В цую/2 щрядка интерференции. Определяя положение мини ума...

Номер патента: 1465066

Опубликовано: 15.03.1989

Авторы: Беломытцев, Курлянд, Овчинников, Рунов, Севрюкова

МПК: B01D 9/02

Метки: веществ, кристаллических, растворов

...суспензии до об ьемной концентрации кристаллов в ней 15 - 20%.Подача в кристаллизатор 1, а следовательно, и в циркулирующую в нем суспензию оборотного маточного раствора в количестве, превышающем значение, определяемое из соотношенияприводит к уменьшению объемной доли крис таллов в циркулирующей суспензии р(0,15, а следовательно, и к уменьшению поверхности массообмена в системе раствор - кристаллы, что приводит к снижению выхода по крупно-кристаллическому целевому продукту. При уменьшении количества оборотного маточного раствора, определяемого указанным соотношением, объемная доля кристаллов в циркулирующей суспензии увеличивается до р)0,25, вязкость суслензии существенно возрастает и циркуляция последней прекращается, что...

Номер патента: 1477438

Опубликовано: 07.05.1989

Авторы: Баранов, Громов, Мельников, Микенин, Фокин, Чистовалов

МПК: B01D 9/00

Метки: аппарат, веществ, кристаллических

...для выводгаза, Благодаря наличиюо установленных патруб акрученный поток, интенс й процессы тепломассообме вляющий сепарацию твердыхи 14 с кранами 15 и 16 соответственно.Аппарат работает следующим образом.5В рабочую камеру аппарата черезштуцер 5 подают исходный раствор накристаллизацию, при этом каретка 8установлена так, что филь.рующий элемент 11 расположен под гаэораснределительной решеткой 3, а рабочийобъем аппарата герметизируется, длячего краны 15 и 16 камеры 12 закрыты.По завершении процесса кристаллизации открывается кран 15 на штуцере 1513, включается вакуум (или нагнетается под давлением инертный газ в аппарат) и отфильтровывается маточныйраствор, Влажные кристаллы удерживаются на газораспределительной рещетке, Каретка 8...

Номер патента: 1479823

Опубликовано: 15.05.1989

Автор: Кузнецов

МПК: G01B 11/06

Метки: доводки, кристаллических, пластин, процессе, толщины

...число; где М -1(15) входную и выходную щели выполнятьшириной 281,Таким образом, введение ИПФ даетвозможность увеличить световой потокна выходе монохроматора (беэ учетапропускания ИПФ) в М раз, где М = (Ь 1/2 Р 1)= ( д Л ./2 А )(10) то выражение (10) можно преобразовать к виду С учетом пропускания ИПФ увеличение светосилы монохроматора М =л= М ,ф, где 0- коэффициент пропускания ИПФ,Следовательно, количество эталонных пластин где М - заданное увеличение светосилы монохроматора,Из выражения (12) при Л;= ЛЦ, и 2 сгЛ = с 1 Л , где сРЛ - монохроматичность излучения при контроле, получают значение толщины каждой отдельной пластины1 2,9 Л (1 -)Лаио р, алЙ (14)ГЛш РоСветосила монохроматора по потоку прямо пропорциональна квадрату ширины щели...

Номер патента: 1506420

Опубликовано: 07.09.1989

Авторы: Домышев, Садохин, Скоморовский

МПК: G02B 27/62

Метки: кристаллических, ориентирования, пластин

...плоскости 11 объектив 9 строит коноскопическую картину. Пластина 6 имеет возможность вращения на подшипнике 12вокруг оси, перпендикулярной ее плоскости,Ориентацию кристаллических пластинпроводят следующим образом. С помощьюточечного источника 1, коллиматора 4и поляризатора 5 получают параллельный пучок поляризованных лучей. Частьпучка лучей, не отклоняясь, проходитчерез частично прозрачную, полуматовую базовую поверхность пластины 6 икристаллическую пластину 7. В своейфокальной плоскости объектив 9 строитизображение светящейся точки А, положение которой наблюдают через окуляр10, На чертеже изображение светящейсяточки находится вне геометрическойоси прибора (зрительной трубы). Дру 1506420 6ла, толщины пластины и направления...

Номер патента: 1548709

Опубликовано: 07.03.1990

Авторы: Добровинская, Литвинов, Пищик

МПК: G01N 13/00

Метки: диффузионных, констант, кристаллических, неоднородностью, примесной, телах

...такой, чтобы оптическая плотность в максимуме и минимуме примеснойполосы соответствовала прямолинейному участ 5 ку характеристической кривой 1 = Й(8) где 1 - интенсивность излучения; Я - почернение.По данным фотометриоования пленки определяют отношение 1 я 1/1 являющееся функцией концентрации Сгде 1 - интенсивность света, прошедшего через фотопленку, снятую с исследуемого образца; 1 - интенсивность света, прошедшего через фотопленку от образца, не содержащего примеси, Иа фиг.2 показано распределение 1 р, 1/1 в отдельных областях т,е. дана картина распределения концентрации диффундирующвй примеси в различных точках исходного образца. Затем образец помещали в высокочастотную печь типа "Кристалл". тепловая зона которой характеризовалась...

Номер патента: 1564572

Опубликовано: 15.05.1990

Авторы: Здержиков, Ковалев, Окаевич, Серебряков, Солдатенков

МПК: G01R 27/28

Метки: кварцевых, кристаллических, резонансной, частоты, элементов

...модулирующей частоты, Основное же время в подэлектродном пространстве 19 находится шлифовачьная суспензия 16, и на выходе низкочастотного фазового дискриминатора 9 вырабатывается сигнал, не содержащий информации о резонансной частоте ККЭ 15. Средняя 5 20 25 ЗО 35 40 45 частота высокочастотного генератора 1 устанавливается равной конечной частоте ККЭ 15 и при шлифовании,когда резонансная частота ККЭ изменяется при изменении его геометрическихразмеров, всегда и; ступ:.:ет моментсовпадения средней чястот 11 высокочастотного генератора 1 и резонансной частоты шлифуемых ККЭ 15. Сигналы модулирующей час готы, пблучаемой на выходе высокочастотного фазового детектора 8, когда фаэо-, частотная характеристика измерительного четырехполюсника 6...

Номер патента: 1570740

Опубликовано: 15.06.1990

Авторы: Баранов, Бомштейн, Борщевский, Громов, Малышев, Мельников, Микенин, Рябенко, Чистовалов

МПК: B01D 9/00

Метки: аппарат, веществ, кристаллических

...исходный раствор на кристаллизацию. Включается вибратор 9 и проводится процесс кристаллизации. При завершении процесса рабоч я камера 1 с помощью устройства перев рота 12 переводится и фиксируется в п ложении фильтрования (фиг. 3). При работ ющем вибраторе 9 под фильтрующей и регородкой 2 создается разряжение и от нльтровывается маточный раствор из рабочей камеры 1. Затем рабочая камера перевводится в исходное положение (фиг, 2),танавливаются соответствующие температрные режимы в обогреваемой рабочей Камере 1, полой вставке 11 и полой ка 1 ере 3 и проводится процесс кондуктив: ой сушки в виброкипящем слое. Вогну - ,;ая форма крышки полой камеры 3 при том исключает образование застойных зон в пристеночной области рабочей каеры 1 при...

Номер патента: 1579517

Опубликовано: 23.07.1990

Авторы: Баранов, Бомштейн, Громов, Малышев, Мельников, Микенин, Новиков, Рябенко, Чистовалов

МПК: B01D 9/00

Метки: аппарат, веществ, кристаллических

...предлагаемый аппарат; на фиг. 2 - узел 1 на фиг. 1.Аппарат содержит корпус 1 с конической крышкой 2, газораспределительную решетку 3, перемешивающее устройство 4, вводной штуцер 5 исходного раствора, штуцер 6 вывода сушильного газа, установленный тангенциально в крышке 2, штуцера 7 для дополнительного ввода сушильного газа, установленные тангенциально в месте перехода корпуса 1 в нижнюю конусообразную часть.Корпус 1 установлен на раме с подвижной кареткой 8, имеющей бункер 9 с ситчатым элементом 10, шарнирно закрепленным одним концом на его внутренней поверхности, и приводом 11, выполненным Г-образной формы, вертикальный участок которого снабжен сферическим элементом 12, расположенным в непосредственной близости от верхней кромки...

Номер патента: 1583263

Опубликовано: 07.08.1990

Авторы: Баранов, Бурцев, Дюжиков

МПК: B24B 1/00

Метки: кварцевых, кристаллических, шлифования, элементов

...зерен была бы не меньшесмежной и не больше основной фракциимикропорошка предшествующего перехода вследствие того, что минимальныйприпуск (нарушенный слой), удаляемыйна каждом переходе, всегда большеили равен припуску последующего перехода, Это отличие делает процесс эффективным даже при использовании 20микропорошков без повышенного содержания основной фракции (фиг,4).Косвенное повышение производительности путем повышения качестваобработки и выхода годных КЭ обеспечивается условиями обработки, когдапри снятии минимального припуска Б,на каждом переходе удаляют не тольконарушенный предшествующей обработкойслой, но и обеспечивают заданное отклонение от плоскостности и параллельности КЭ,Установлено, что при этом одновременно обеспечивается...

Номер патента: 1583869

Опубликовано: 07.08.1990

Авторы: Ковалев, Эдержиков

МПК: G01R 27/00

Метки: кварцевых, кристаллических, резонансной, частоты, элементов

...7 высокой частоты,высокочастотный 8 и низкочастотный9 фазовые детекторы, пороговый элемент 10,счетчик 11, измерительныйэлектрод 12, притиры 13, объект 14контроля, шлифовальную суспензию 15,первый 16 и второй 17 резисторы,подэлектродную область 18 и. выходнуюклемму 19,О2025 Устройство работает следующим образом.Высокочастотный генератор 1 вырабатывает сигнал, средняя частота которогоо измеряется частотомером 2. Опорная частота частотомера 2 подаетсяна делитель 3 частоты, где уменьшается до значения, необходимого длямодуляции высокочастотного генератора 1. Выходной сигнал делителя 3 частоты синхронизирует модулятор 4. Свыхода модулятора 4 сигнал поступаетна аттенюатор 5, где его величинауменьшается до зяачения, обеспечивающего...

Номер патента: 1663063

Опубликовано: 15.07.1991

Авторы: Будина, Назарова, Сясина, Шишацкая

МПК: C30B 29/10, C30B 33/00

Метки: кристаллических, оптических

...спектра.Полученные превышения пропускания сведены в таблицу для иллюстрации полученной разницы для конкретных длин1663063 Козффициент спектрального пропускания, %, после обработки Длина волны, нм Окон из лейкосапфира предлагаемым способо предлагаемым .способом известнымспособом известнымспособом 75838 б919294 47 72 7 б 90 92 124145 25150 38180 63200 71250 81 44 59 7277 84 При изучении микрофотографий окон излейкосапфира и фтористого магния, полученных с помощью электроного микроскопа с увеличением 20000, видно, что приобработке известным способом полированная поверхность имеет ярко выраженныймикрорельеф с сетью царапин, обусловленных обработкой абразивом большей твердости по сравнению с самимобрабатываемым кристаллом. При обработке...

Номер патента: 1665873

Опубликовано: 23.07.1991

Авторы: Вейди, Джеймс, Джон

МПК: C01B 25/44

Метки: асбестоформных, волокон, кальций, кристаллических, метафосфатных, натрий

...кристаллического кальций-натрий метафосфата в течение 3-7 ч со скоростью. достаточной для поддержания температуры слоя и получения 53,7 кг/ч м практически кристаллического2кальций-натрий метафосфата. В результате собирают 46,053 кг практически кристаллического кальций-натрий метафосфата, имеющего степень кристалличности практически такую же, что определена для продукта, полученного сухим перемешиванием согласно п.А. Полученный материал дробят в кулачковой дробилке до образования частиц размером 6 меш (Стандартный ситовой размер США, 3,35 мм) и хранят во влаго-непроницаемом контейнере, с целью последующего использования в примере 2 В. Такую методику повторяют несколько раз с целью сбора желаемого количества практически...