Патенты с меткой «кристаллических»

Номер патента: 372646

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Закреплени, Иедостатками

МПК: H03H 3/02

Метки: быстрого, вследствие, износа, инструмента, кристаллических, кристаллического, недостаточная, ность, повышенный, процесса, пьезоэлектрических, расход, резонаторов, сырья, точность, ультразву, элементов

...форм; на фиг, 2 - заготовка с прорезанными пазами.Предложенный способ заключается в том, что от исходного монокристалла отрезают не отдельные бруски, а заготовки, имеющие толщину з, равную толщине кристаллического элемента, и ширину 1, равную его длине (фиг, 2). Длина заготовки должна быть равна сумме ширин нескольких пьезоэлементов и припусков, соответствующих необходимому количеству пропилов алмазными отрезными кругами с внутренней режущей кромкой.Каждая заготовка 1 наклеивается вместе со стеклянной подложкой 2 на держатель 3 отрезного станка с отрезными кругами, имеющими внутреннюю режущую кромку. После отрезки от заготовки пробной пластинки для корректировки угла среза суппортстанка с держателем перемещают на величину...

Номер патента: 443457

Опубликовано: 15.09.1974

Автор: Мошковский

МПК: H03H 3/04

Метки: кварцевых, кристаллических, резонаторов, элементов

...одну плоскую устацовочц)ю поверхность, обработанную под точную плоскость, ца последней устацавлцва 1 от крцсталлцчсскцс элс 11 сцт 1.25 Криста,1 цсскцс элементы оПП 1 а(ог, цац 1 лякг в ьакууме црц разряжении 1.10 в " мм рт. Ст, ца окончательно Обработанную поверхность слой хрома плц титана толщиной до 0,01 мкм ц слой серебра, мели зо или другого металла с маль 1 м удельным со3противлением толщиной до 0,2 мкм, Мсталлизированную поверхность кристаллически элементов покрывают слоем золота толщиной до 0,01 мкм любым нз известныгалы 1 аничсских способов.Очищают технологическую подложку и напыляют 13 Вакме па установочну 10 поверхность слой рома или титана толщиной до 0,01 мкм, слой меди или серебра толщиной до 0,2 мкм илн другого...

Номер патента: 443670

Опубликовано: 25.09.1974

Авторы: Альжанов, Железняков, Ликаченков, Никитин, Солонин, Филипенко

МПК: B01D 9/02

Метки: аппарат, кристаллических, осадков

...всасывает пульпу или раствор из всасывающего патрубка 6, вставляемого в турбинную мешалку. Последняя обеспечивает интенсивное перемешивание рас твора и быстрое распределение кристаллов повсему объему камеры. Раствор осадителя подается в камеру по разбрызгивателю 7 раствора, выполненному в виде перфорированной трубы.15 Исходный раствор для осаждения подаетсяпо патрубку 8 во всасывающиц патрубок 6 и далее совместно с рециркулируемой пульпой поступает в первую камеру. Для регулировки подачи рециркулируемой пульпы из послед ней камеры в первую имеется регулируемыйпорог, показанный на фиг. 4 и представляющий из себя пластину 9, плотно прилегающую к наружной стене последней камеры, движущуюся в пазах 10 вверх - вниз штоком 25 11 и...

Номер патента: 394093

Опубликовано: 25.09.1975

Авторы: Голубев, Корнеев, Шмарцев

МПК: B01J 17/06

Метки: кристаллических, полупроводниковых, структур

...или не дают возможности получать большое количество слоев в структуре, или ведутся при температурных режимах, которые не препяч ствуют взаимной диффузии материалов близлежащих слоев, Известен способ получения ,п-р и-;-структур на германии, основанный на использовании эффекта Пельтье при пропускании импульсов постоянного тока через систему "твердое-расплав- твердое.2394093 Составнтелв д ГолубевРедактор Техред КорректорКиШапаурова И.Карандашова Н.Стельмах ЗасдоЯЗЦ Идд до Ю 6 Торси 782 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий Москва, 113035, Раушская наб 4 Предприятие Патент, Москва, Г, Бережковская наб., 24 3такой, чтобы на границе раздела твердый -раствор-расплав ,обеспечить...

Номер патента: 484877

Опубликовано: 25.09.1975

Авторы: Бабенко, Гальперин, Иткис, Либерман

МПК: B01D 1/30

Метки: вакуум-выпарной, внешнего, кристаллических, многокорпусной, пароотбора, продуктов, процессом, установке

...на линии подачи пара в первый корпус; контур регулирования ваку- И ума в конденсаторе, содержащий датчик 43 484 температуры, регулятор 5 и исполнительный механизм 6, установленныйфна линии подачи барометрической воды в конденсатор, и контур регулирования подачи свежего раствора в каждый корпус установки. состоящий иэ датчика 7 расхода греющего пара, установленного на линии подачи грею.с щего пара в первый корпус, регулятора 8, служащего для поддержания кристаллов в пульпе на верхнем допустимом пределе, исполнительных механизмов 9, установленных на линии подачи свежего раствора в каждый корпус, и преобразователей 10. Прп этом выходы последних подключены на соответствующие исполнительные меанизмы, а входы - к выходу регулятора, вход...

Номер патента: 484891

Опубликовано: 25.09.1975

Авторы: Ванюков, Жуховицкий, Нечаев, Офицеров, Пустов, Сыромятникова, Якунькин

МПК: B01J 17/00

Метки: кристаллических, образцов, термообработки

...н ждение проводят химическ ,приповерхностного слоя то .в бидистилляте азотной ки жимое примесей в исходно грев - охлаоерастворение лшиной 10 мкм т как и лоты. С м кадми очного с,%: И 5 10; 2 п 2 ботки кадмия йо пре содержание этих при химико-спектральног эн10длагае месей тавляет, ве После обр мому способ а пределамилы ой осле т лажде рмообия ведут со скоростью 10 - 10 град/сек2 2Возникшую приповерхностную сегрега аю примесей периодически удаляют, на 05 г 10р 2. Полик 410алюми-ф эа, вес.7 оПрим щ 1алль С целью понижения оста ржания примесей с положит уией связи с вакансиями, п работки образцов процесс о лаждению от Т м 20 Ъ 2194601 Составитель Гангардя Техред М, Левицкая Корректор И. Гокснч. Редактор О. Кузнецова,Заказ 1048 Подписное...

Номер патента: 497552

Опубликовано: 30.12.1975

Авторы: Влох, Шамбуров

МПК: G03B 9/56

Метки: затворов, зрения, кристаллических, модуляторов, поля, увеличения, электрооптических

...поля зрения либо уменьшают толщину кристалла, либо устанавливают дополнительный кристалл, компенсирующий коноскоцическую картину.Однако применение этих способов ограничено напряжением пробоя и отсутствием подходящих дополнительных кристаллов для олной коч 55 снсации коцоскопической кар тины. т через закрытыи зегвсвет через прозрачныеи затвора, т. е. при ного поля па кристалл. р, и,про участки ложен ни 11 рсдмст цзобретени собу поле з ому, что за в света, в пло кой картины щую собойражецне (не картины без астками свет,Г 1 о предлагаемому спо увеличивают благодаря т поляризатором, по ходу изображения коцоскопгечес щгпот маску, представляю ченцое на фотопленке изоб цое или позитивное) этой экрацируощес темными уч рения торым...

Номер патента: 500466

Опубликовано: 25.01.1976

Авторы: Домышев, Садохин, Скоморовский

МПК: G01B 11/06, G01B 11/24, G02B 27/28 ...

Метки: кристаллических, пластин, плоскопараллельности, толщины

...непосредственно технике, предназначено для контроля толщи на полироввпьнике, ны 0 плоскопвраллельности кристаллических Для этого предлагаемое устройство снабь. пластин и,может использоваться в проиэводст жено кристаллическим клином, установленньм ве, занятом Изготовлением интерференпионно 5 зв объективом коллиматора перед лолирова ,поляриэационных фильтров.ником, и нлоским зеркалом, закрепленнымИзвестно устройство для контроля нлосв иолироввльнике так, что плоскость зе квла наклонена к оптической оси объектива Копарвллельных пластин, содержащее источ, коллиматорв на угол, обеспечивающий ник монохроматического света, точечную диафр у, обеспечивающий рвзвФ- ,рагму, объектив коллимвтора; пробное стек,6 дение иэображений точечкой див вгмы...

Номер патента: 501343

Опубликовано: 30.01.1976

Авторы: Алексеев, Пахомов

МПК: G01N 25/02

Метки: веществ, исследования, кристаллических, переходов, фазовых

...емого веще онцентрац анной тем ки исслед го вещества. ющую температоряют анало 20 высчитываю льности и за ределени уры в от Кр = П) По точке переги аличие полиморф ом теле, вызываю на графике определяют го превращения в тверго скачкообразное измеИзобретение относится к области исследования фазовых переходов кристаллических веществ, характеризующих механические и электрические свойства твердых тел.Известен способ дифференциально-термического анализа для исследования фазовых переходов кристаллических веществ при изменении их температуры путем регистрации на кривой подъема температуры точек перегибов, соответствующих фазовым переходам.Недостатком такого способа является невысокая точность, а также необходимость применения...

Номер патента: 520995

Опубликовано: 15.07.1976

Авторы: Бибанов, Щетинский

МПК: B01D 33/58, C02F 11/00

Метки: жидкости, извлечения, кристаллических, межкристальной, продуктов, фильтровании

...В кооыто ба-.аблнпеговакуум-Фильтра подают 30-40 м /ч су;екзии бикарбонята натрия, а в зоке фильч 3 с" -ции барабана создают вакуум величиной230 мм рт,ст, Под действием вакуума наФильтруюшей поверхности барабана образуется кристаллический осадок бикарбонатанатрия толщиной 30-40 мм, который наФильтре промывают водойподаваемой в количестве 5 м ч, и осушают ) пропускаячерез осадок атмосферный воздух под действием вакуума величиной 230 мм рт, ст,Осужденный осадок, имеюитий влажность1 д:О, дополнительно вакуумируют, соз -давая через полость кожа в слое осадкавакуум величиной 230 мм рт. ст, и одновременно срезая его с фильтруюией поверхности,При снятии осадка с поверхности барбанного фильтра уложенные в процессе3фильтрования кристаллы...

Номер патента: 108582

Опубликовано: 25.07.1976

Автор: Иоффе

МПК: G01B 11/06

Метки: кристаллических, пластин, толщины

...температуру Т, Если развернуть кристалл А на угол 45, тоокажется, что он не участвует в образовании разности хода. Измеренная дробная часть порядка интерференции хд относится целиком к более тонкому кристаллу Б. Далее кристалл А поворачивают в первоначальное положение, а кристалл Б - на угол 90. Суммарная разностьхода Е теперь будет равна ЕА - Еь, При этом дробная часть порядкаинтерференции окажется равной х.Если бы пластина Б была точно в два раза тоньше, чем А, какэто требуется для идеального иптерференционно-поляризационного светофильтра, то разность хв - х была бы равна нулю, так как в обоихслучаях отсчитывали бы одинаковый угол поворота анализатора.Разность отсчетов указывает на отступление от кратности толщини дает...

Номер патента: 543857

Опубликовано: 25.01.1977

Авторы: Булат, Сирота

МПК: G01N 23/00

Метки: атомов, динамических, кристаллических, смещений, твердых, телах

...когерентном рассеянии медленных нейтронов непосредственно определяется величиной динамических сме.,щений атомов твердого тела.При изменении температуры изменяется 40 ширина когерентных пиков, что позволяет определять температурную зависимость величины смещений атомов, При изменении энергии падающих нейтронов и угла рассеяния когерентные пики на спектрах смещаются 45 по энергетической шкале, что позволяет и:- мерить частотную зависимость динамическихсмещений атомов кристаллического твердого тела.Принципиальным отличием предложенного 50 способа измерения динамических смещений атомов кристаллических твердых тел от известного является использование неупругого рассеяния, что дает возможность прямого определения величины динамических смещений...

Номер патента: 568368

Опубликовано: 05.08.1977

Авторы: Вильфрид, Ганс, Карл

МПК: A61K 31/431, A61P 31/04, C07D 499/04 ...

Метки: кислот, кристаллических, пенициллановых

...веществе, % (аналитическоеполному использованию производных пенициллина, распределение по Крейгу).избыток которых, в свою очередь, уменьшает вероятность гидролиза производных имидазолина. р и м е р .,э вес.ч. О-а- амино -1,4 Поскольку избыточные производные имидазо -циклогексадиени - (1)- ди нил -( )- метилпеициллин- суспенлина в воде бистро переходят в нейт альные а лр ные ацил- дируют в . 0 об.ч. воды, при размешивании добавсили ацилтиомочевины, которые легко удалить чис- ляют н. едкии натр до образования раствора, прил 2охлаждении смесью льда с водой прибавляюттота целевых продуктов остается почти неизменной,Приразделенииреакционнуюсмесьподкисляют 1,6 вес.ч. 1-хлоркарбонил -2- оксо -3- метилсульдо рН 1 - 4 неорганическои...

Номер патента: 568594

Опубликовано: 15.08.1977

Авторы: Амелина, Белоус, Клементьева, Силкина, Сорокин

МПК: C01C 1/28

Метки: аммония, кристаллических, солей

...на сивора кислоты аммиаком, отделением осадка и проведением распылительной сушки маточного раствора нагретым воздухом.Отличительными признаками способа яв. ляется то, что при сушке растворов в воздух дополнительно вводят газообразный аммиак в количестве 1/400 - 1/500 объемов и сушку ведут при температуре газа 75 - 100 С, а также при соотношении 1 ОО - 200 нм воздуха на 1 кг раствора,П р и м е р 1. Способ получения кристаллического фторида аммония, 50 кг 45%-ного раствора фтористоводородной кислоты подают в реактор синтеза, перемешивают и насышают газообразным аммиаком до рН 9, за. тем раствор охлаждают до 20 С и из полу. ченной суспензии отделяют кристаллы, а 407 о-ный маточный раствор направляют в су. шилку, где происходит...

Номер патента: 578538

Опубликовано: 30.10.1977

Авторы: Репринцева, Федорович

МПК: F26B 17/10

Метки: атериалов, дисперсных, кристаллических, сушилка

...выполнен с диаметром, составляющим О,( - 0,8 диаметра цилиндрической ча ст; камеры, равного 0,2 - 0,7 высоты всей сушильной камеоы, а над решеткой в зоне разрузочной тск рдзмсшснд многоярусная ме 1 з шалка.На чертежезобрджеца п 11 сдлдгдемдя сушилка.Оца содержит цилиндрическую камеру 1 сзагрузочным бункером 2. соединенным с рдс пределгелем-просеивателем 3, состоящим изворошителя 4 и перфорированной решетки 5.Распределитель-просеватель выполнен с диаметром, равным 0,8 - 0,7 ддметрд цилиндрической части и расположен в расширсцной чд- Б сти 6 сушильной камеры, соединенной с циклонами ( ., 8. (иазетр цилиндрической чдсп 1 составляет 0,2 - 0,7 всей высоты сушильной кдмеры 1. В ццжцей чдстц камеры 1 рдзмщсцд газораспределцтсльндц...

Номер патента: 597712

Опубликовано: 15.03.1978

Авторы: Дятлов, Лосев, Мартыненко, Овсянников, Сыресин

МПК: C10G 43/04

Метки: депарафинизации, карбамидом, кристаллических, нефтепродуктов, процесса

...1, контвктор образованиякомплекса 2, центрифуги 3, контактор разложения комплекса 4, В контектор 2 образования комплекса подеется сырье. В цент . 35рифуги 1 и 3 подается бензин. Насосы5 и 6 обеспечивают прокачку суспензии поциркулирующим линиям соответственно,контакторов 2 образования комплекса иразложения комплекса 4, Фугат отводится 40из центрифуг 1 и 3.Способ автоматического регулированияпроцесса депврафиниэации нефтепродуктовкристаллическим карбамидом осуществляютследующим образом. 45С помощью датчиков расхода 7 и 8осуществляется равномерное распределениепотоков бензине, подаваемых в центрифуги1, 3 для смыва твердой фазы.Датчиком давления 9, регулятором 10 50и исполнительным механизмом 11 стабилие,..успенэии в центрифуги 1,...

Номер патента: 631533

Опубликовано: 05.11.1978

Авторы: Пономарченко, Постная, Филиппов

МПК: C12H 1/04

Метки: вин, кристаллических, помутнений, предохранения

...1 добавка пектовой кислоты, г/л онцентрация металлов в виноматериале,мг/л К Мо Са 880 82,5 97,3 1,04 11,9 Контроль 0,2 820 78,0 0,83 77,6 10,6 74,3 0,4 792 62,0 9,22 0,63 71,3 70,1 69,4 770 8,55 0,6 53,8 0,59 8,30 7,10 750 0,8 51,7 0,56 0,50 720 49,3 Таблица 2 Обработанный пектовой кис- лотой ВиноматериалПико урожая 1975 г. Исходный 0,9921 0,9921 Удельный вес Экстрагир,г/л 18,3 18,3 Спирт, Ъ (объемн) 11,7 11,7 Сахар,г/100 мл0,12 0,12 3концентрации в виноматериале Пинов зависимости от количества применяемой для его обработки пектовойкислоты, приведены в табл.1.Как видно из табл.1, введениепектоэой кислоты в виноматериал снижает в нем содержание всех металлов. 5Величину ее добавки определяют поснижению концентрации калия и кальция,...

Номер патента: 570239

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Бочкарев, Домрачев, Жук, Каверин, Кириллов, Нестеров, Хамылов

МПК: B01J 17/32

Метки: а1у, ву14, кристаллических, соединений

...ФормулуЙ А ВщЧ, гдеЦи 3 - водород или алкилы.С целью получения кристаллическим,эпитаксиальных слоев термическое разложение ведут при осаждении продуктовна кристаллическую нагретую подложку.С целью получения слоев теллуридаалова -Блие в качестве элементоорганического соединения используют соединение общей Формулы ЙЬп"еЙз илиЧ ВпРебп Й- гдето иц - алкилы, 10выбранные из ряда кетил, этил,пропил,бутил, и осаждение ведут на подлокку, нагретую до 250-375 фС,С целью получения нитевидных кристаллов подложку нагревают изотропным 15ИК-светом или направленным излучением со скользящим углом падения наподложку.П р и м е р 1. Для получениякристаллических слоеввпТе берут в качестве исходного соединения бис-триэтилстанилтеллур. Подложкой...

Номер патента: 647595

Опубликовано: 15.02.1979

Авторы: Волчок, Гиндин, Малик, Неклюдов

МПК: G01N 29/00

Метки: воздействии, деформирования, кристаллических, ультразвуковом

...нижнему концу образца крепится ферромаг 5чик амплитуды ультразвуковых колебаний 4, . нитная насадка (например, посредством источника ультразвуковых колебаний, сос- сварки или пайки), входящая в катушку тоящего из магнитострикционного преобра- индуктивности, т, е. в установку монтируетзователя 5 и концентратора 6, катушки ин- ся пара, состоящая из образца и ферромагдуктивности 7, захвата тяги 8. 1 п нитной насадки.Установка дает воможность проводитьМагнитострикционный преобразователь, испытания образцов на растяжение при концентратор и образец представляют собой ультразвуковом воздействии и ультразвукоедйную колебательную систему, Образец 9вую обработку кристаллических материалов одним концом помещен в Электромагнитную непосредственно в...

Номер патента: 693193

Опубликовано: 25.10.1979

Авторы: Баталов, Ильчук, Ключник, Лобачев, Смирнов

МПК: G01N 25/16

Метки: диэлектрических, коэффициента, кристаллических, сжимаемости, термического

...а- ,. +,ц. (6) х ю Ч 7 Ж18 -термический коэффициент сжидмаемости эталонного стержня вв температурном материалеЬТ: Т - Т, измерений,55 Погрешность термического ко эффициента сжимаемости диэлектрических и кристаллических материалов равна 0,5%. ОпЬТ - т -т,Недостатки известного способа состоят в том, что применение его ограничивается лишь электропроводящими материалами; наряду с дилатометрическими из", мерениами используется и калориметрирование, что увеличивает время одногозамера; точность определения ограничивается точностью измерения тока и напряжения ( абсолютная "погрешность измере ний поэтому достигает 2-3%); высокиетемпературы электронагрева дают большиепогрешности и требуют лучшей термоизоляции, что усложняет измерения.Белью...

Номер патента: 700342

Опубликовано: 30.11.1979

Авторы: Гельфонд, Семкин

МПК: B28D 5/00

Метки: колки, кристаллических, стержней

...обеспечивает уменьшение зоны действия генерируемых волн механических напряжений на кристаллический стержень, снижает энергозатраты на осуществление процесса колки и сокращает количество отходов.На фиг, 1 изображено устройство для колки кристаллических стержней, общий вид 1 на Фиг.,2 - сечение А-А на Фиг. 1Это устройство состоит из корпуса 1, источника волн сходящихся механических напряжений, содержащего две взрйвающиесяпроволочки 2, высоковольтный ввод 3, заземленный ввод 4,700342 оставитель В.Холоповехред С,Мигай Корректор И.Михеев Редактор Улыбин Заказ 7310/ 4 Тираж 646 ЦИИИПИ Государственн по делам изобрете 035, Москва, Ж, Рдпи сиССР г и комитетаи открытикая наб.,4 5 Филиал ППП Патент г.ужгород, ул.Проектная,4 Фдвух резиновых...

Номер патента: 779046

Опубликовано: 15.11.1980

Авторы: Баранов, Бурцев, Гаврилко, Дмитриев, Дюжиков, Кабанович, Лапидус, Лытнев, Рыжков

МПК: B24B 37/04

Метки: исправления, кристаллических, среза, угла, элементов

...элементы поджимаютсяк притиру поверхностью фаски нагружающего элемента.На чертеже схематично изображеноустройство;Кристаллические элементы 1, подлежащие исправлению угла среза, располагают в отверстиях кассеты 2 между притиром 3 и поверхностью фаскинагружающего элемента .4. Кассету инагружающий элемент центрируют на не"подвижной оси 5, расположенной эксцентрично относительно оси нритира.Эаготовка для получения кристаллйческих элементов выполняется в виде плоскопараллельнойпластины с припуском на обработку по толщине. Плоские поверхноств этой пластины должныРедактор Ш ужен Заказ 7911/18 Тираж 943 ВНИИПИ Государственного по делам йзобретений 113035, Москва, Ж, Ра Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, ПроектнПодгисн комитета ССС...

Номер патента: 785830

Опубликовано: 07.12.1980

Авторы: Алексеев, Казаков, Нежметдинов, Травин, Ушаков, Филиппов

МПК: G01W 1/00

Метки: концентрации, кристаллических, облаках, обнаружения, прибор, частиц

...из датчиков, расположенного непосредственно справа или слева от выхода луча света из труоы, поступает на блок управления и открывает цикл опроса блока хранения45 аналоговой информации, Такое расположение запускающего датчика вызвано тем, что на него поступает по сравнению с остальными датчиками самый сильный сигнал (рассеяние вперед наи 50 более интенсивно). Это позволяет регистрировать частицы с наименьшей интенсивностью светорассеяния. Блок управления 13 через коммутатор 5 вьщаеиз блока хранения аналоговой информа 55 ции 4 на преобразователь 9 данные, поступающие с первого датчика. Аналогоцифровой преобразователь преобразует поступивший на его вход аналоговый 0 6сигнал в параллельный двоичный код. Этот код поступает на сумматор 10 и...

Номер патента: 826178

Опубликовано: 30.04.1981

Авторы: Кудряшов, Фокин

МПК: F26B 17/10

Метки: дисперсных, кристаллических, сушижа

...3 перемешивает слой у самой газораспределительной решетки 5, Материал высушивается в сушильной камере до значения влажности при котором кристаллы не прилипают 15 друг к другу. Зтого значения влажности кристаллы достигают у самой газо- распределительной решетки 5. Высушенные до такой степени кристаллы прова:ливаются сквозь решетку 5, размеры от:верстий которой соизмеримы с размерами кристаллов (отношение диаметра отверстий к эквивалентному диаметру кристаллов равно 3:4),Далее кристаллы падают вниз и движутся через соп ло 6 Лаваля где окончательно досушиваются в ускоренном потоке теплоносителя, который поступает иэ распределительного коллектора 7. В коллектор 7 теплоноситель подается через ввод ЗО 9. Наличие узкого сечения в сопле 6...

Номер патента: 857800

Опубликовано: 23.08.1981

Автор: Коваленко

МПК: G01N 21/41

Метки: веществ, главных, кристаллических, показателей, преломления

...повреждений, Кроме того, недостатком устройства является отсутствие поворотного механизма держателя камер с жидкостями. При смене камер поворот держателя осуществляют непосредственным приложением вращающегося момента к самому держателю,что снижает надежность устройства и создает неудобства при работе с ним.Целью изобретения является упрощение конструкции камер, повышение удобства работы и надежности эксплуа тации.Указанная цель достигается тем, что в устройстве для определения главных показателей преломления кристаллических веществ теодолитно-иммерсионным способом, содержащем закрепленные на основании держатель с вращающейся иглой и револьвер с камерами иэ оптического стекла для иммерсионных жидкостей, камеры выполне- З ны в виде пар...

Номер патента: 873069

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Ильинский, Кононенко, Новоставский, Скляров, Тимин

МПК: G01N 23/20

Метки: дифрактометр, исследования, кристаллических, структуры, тонкой

...осидетектора на точку 0, Главная ось гонио.метрического устройства 8 перпендикулярнаэкваториальной плоскости в точке 0 и еенаправление выбрано, как направление однойиэ главных осей координатной системы дифрактометра,Поворотный стол 7, расположенный на ва.лу 8 вместе с собственной осью вращения, может наклоняться вокруг оси качанияс, проходящей через точку О перпендикулярно оси 8, Направление оси.качания совпадает со второй главной осью координатнойсистемы дифрактометра. Базовая плоскость по.воротного стола 7 всегда параллельна оси качания с" и находится ниже геометрическогоцентра 05 дифрактометра,Ось 1 всегда перпендикулярна оси о и проходит через точкуо,. 5 1 О 15 20 25 30 35 40 На базовой поверхности поворотного столаразмещен блок 9...

Номер патента: 911291

Опубликовано: 07.03.1982

Автор: Бирюков

МПК: G01N 27/14

Метки: веществ, кристаллических, параметров, переходов, фазовых

...второй вход узла 10 управления и на управляющий вход первого дифференциа. тора 8. Поэтому на этапе быстрого нагрева измерительной ячейки отключена запись на самописец 23 и отключен первый дифференциатор, за счет чего цепь обработки сигнала30, поступающего с выхода согласующего усилителя 7, через первый дифференциатор8 на схему 9 формирования запускающих911291импульсов, размыкается и исключается воэможность ложных срабатываний.На третьи входы Я+1 узлов 19 сравненияпоступают опорные напряжении ЬЧ, - Ы 1,1+ 1с выходов источника 17, которые суммируются с выходным напряжением 31, поступающим со схемы измерения температуры навторые входы узлов 19 сравнения. Это приводит к тому, что момент переключения узлов сравнения наступает раньше,...

Номер патента: 922610

Опубликовано: 23.04.1982

Автор: Бирюков

МПК: G01N 27/02

Метки: веществ, кристаллических, параметров, переходов, фазовых

...импульсов переводится во включенное состояние, Выходное напряжение 2 ч схемы 9 формлрования чеоез узел 10 управления разрешает нагрев, снимая напряжение с дополнительного входа силового ключа 15 включает самописец 2 1 и отключает вентилятор 22 вовремя с на Фиг, 2), До начала Фазового перехода световой поток через исследуемое вещество не меняется, следовательно,не изменяется напряжение 25 на выходе согласующего усилителя 7 и выходное напряжение 26 первого дифФеренциатора 8 равно нулю, Скорость прогрева измерительной ячейки 2 определяется напряжением 27, снимаемым с выхода задатчика 16 скорости, которое не инвертируется в сумматоре 17 и сравнивается в усилителе 11 рассогласования с выходным напряжением второго дифференциатора 13,...

Номер патента: 924477

Опубликовано: 30.04.1982

Авторы: Репринцева, Федорович, Чижик

МПК: F26B 17/10

Метки: дисперсных, кристаллических, сушилка

...3, состоящимиз ворошителя 4 и перфорированной решетки5. В нижней части камеры 1 размещена газораспределительная решетка 6, над которой рас.атоложена многоярусная мешалка 7, Снизу вкамере 1 через диффузор 8 и калорифер 9 10додсоедьщен вентилятор 10.,В зоне размещения мешалки 7 к боковой по.верхности камеры 1 подсоединена разгрузочнаятечка 11 с бункером 12, Мешалка выполнена полой с ярусами в виде труб 13 - 15, имеющих наповерхностях, обращенных к решетке 6, выпуск.ные отверстия. В полость мешалки подается теплоноситель от калорифера 9, К камере 1 подсоединены циклоны 16 и 17,гоСушилка работает следующим образом,тикально через отверстия труб 15 верхнегояруса мешалки 7, зажимает кипящий слой,тем самым снижая унос...

Номер патента: 938364

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Богаткин, Богаткина, Герасимов

МПК: H03H 3/02

Метки: кристаллических, осей, элементах

...У и 2.Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности и достигаемом результату является устройство для определения осей У, и 2 в кристаллических элементах, содержащее основание и элек тропы, взаимно перемещающиеся в вертикальной и горизонтальной плоскостях повышение точУ и сется тем, что вния осей У и 2ентах, содержащем взаимно перемей и горизонтальэлектрод выполвокруг центра орезью для размет3 ОЗВМ 4 4центра элемента и Вертикального переме- Предлагаемое устройство позволяетц 3 ения относительно нижнего электрода одновременно определять с высокой точпосредством резьбовой втулки 7, соеди- ностью направл ниавление осей У и Е в крисвен с другим выводом 8. таллических элементах любой конфигураебания сдвига поОриентация...