Способ отбора кристаллических заготовок n j(т ) для изготовления сцинтилляционных счетчиков

)5 С ОБРЕТ Я И что одно вающих из является в сцинтил радиациой из основных менение пара" послесвечение, ляционных крис- нного воздейпрме ивност ь1(Т 1) также, что интенся в кристаллах Назависит от темпере +60 С достигаетчения при -40 С,вестные способы оа 1(Т 1), обладающи наиПо" тббра х. лзаСОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛ ИСТИЧ ЕСКИХРЕСПУБЛИК ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕВЕДОМСТВО СССР(56) Долгополова А.В, Исследование влияния некоторых технологических факторов на оптические и сцинтилляционные характеристики активированных монокристаллов иодистого натрия, подвергнутых гамма-облученйю, Проверка работоспособности детекторов размерами 30 х 5.мм на воздействие повышенных доз радиации в диапазоне температур, " Промежуточный отчет, М 76040826, 1978,. гл, 1.Долгополова А,В, Исследование влияния некоторых технологических фак" торов на оптические сцинтилляционные характеристики активированных моно- кристаллов иодистого натрия, подвергнутых гамма-облучению, Там же, гл. 111. Изобретение касается регистрации ионизирующего излучения и может быть использовано для отбора кристаллических заготовок На 1(Т 1) и. изготовления на их основе сцинтилляционных счетчиков с заданной стабильностью плато" счетной характеристики после радиационных воздействий в широком диапазоне температур (+60 С).Параметром, характеризующим плато- счетной характеристики, является наклон плато при заданной протяженнос" ти (Р)-,:(54)(57) СПОСОБ ОТБОРА КРИСТАЛЛИЧЕС КИХ ЗАГОТОВОК На 1(Т 1) ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫХ СЧЕТЧИКОВ,. включающий облучение -радиацией,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что,с целью исключения непроизводитель"ных затрат и сокращения времени отбора, кристаллическую заготовку прикомнатной температуре подвергают импульсному облучению длительностью10 - 2.10 зс, через интервал времени 310 ф 10-зс после окончанияоблучения измеряют интенсивность послесвечения и по значению этой величины и ранее найденной градуиро"вочной кривой осуществляют отбор заготовок для изготовления сцинтилля"ционных счетчиков, обладающих заданной стабильностью платосчетной харак",теристики после радиационного воздействия в диапазоне температур+ 60 фС,ф Известноичин, вызтров платвозникающееталлах послствия.Известнопослесвеченсущественнои в интервабольшего знэтому все идетекторов Нданной стабильностью платосчетной характеристики после радиационного воздействия в интервале температур +60 С, проводятся только при -40 С.Известен способ с непосредственным измеренИем наклона платосчетной характеристики у детекторов МаЕ(Т 1) после воздействия -радиации при -40 С включающий охлаждение испытуемого детектора в термостате до -40"С; измерение скорости счета сцинтилляционных импульсов, возбуждаемых потоком -квантов малой интенсивности, при различных напряжениях на фотоумножителе и определение наклона платосчетной характеристики; облучение детектора потоком -квантов большой интенсивности с последующим измерениеч наклона платосчетной характеристики; отбор тех детекторов, у которых изменение наклона плато- счетной характеристики после радиационного воздействия не превышает заданных допустимых значений. Ближайшим к заявляемому по технической сущности является способотбора кристаллических заготовокМа 1(Т 1) для изготовления сцинтилляционных счетчиков, включающий облучение-радиацией,Этот способ отбора детекторовоснован на измерении Фоновой скорости счета испытуемых детекторов изаключается в том, что испытуемый детектор охлаждают до -40 С; определяют Фоновую скорость счета детекторадо облучения (М ) при пороге регистрации 20 кэВ в шкале детектора; испытуемый детектор облучают -квантами большой интенсивности и после этого определяют Фоновую скорость счета(М) детектора после облучения на томже пороге регистрации; по величинеизменения Фоновой скорости счета М==М-Мо и определенной ранее зависимости наклона Р от величины ЬМ определяют изменение наклона плато де,текторов МаЕ(Т 1) после радиационного воздействия при -40 С и отбирают те из них, которые удовлетворяют предъявляемым требованиям.Оба известных способа могут бытьреализованы только на упакованныхкристаллах (детекторах), что приводит к большим непроизводительным затратам на контейнеризацию заготовок,не удовлетворяющих предъявляемым тре Время импульсного облучения и ин тервал времени между окончанием облучения и измерением послесвечениябыли определены в процессе исследований и соответствуют наилучшей корреляционной зависимости между радиационным изменением наклона платодетектора при -40 С и величинойпослесвечения заготовки при комнатой температуре.Отклонение времени облучения и интервала времени между окончанием облучения и измерением величины Л отуказанных выше значений приводит кнарушению корреляции между величинами 3 иЬР. 5 10 15 20 25 30 35 40 бованиям, при этом повторное использование контейнеров исключено.Необходимость охлаждения детекторов до -40 ОС приводит к существенному усложнению требуемой аппаратуры изначительному увеличению длительности во времени процесса отбора (только охлаждение до -40 С и нагрев докомнатной температуры требует не менее 1 ч.) .Целью изобретения является сокра-щение времени, исключение непроизводительных затрат и упрощение процесса отбора заготовок.Указанная цель достигается тем,что в известном способе отбора кристаллических заготовок МаЕ(Т 1) дляизготовления сцинтилляционных счетчиков, включающем облучение "радиа"цией, кристаллическую заготовкуМаЕ(Т 1) при комнатной температуреподвергают импульсному облучению ионизирующим излучением длительностью10 - 2 10 с, а затем через интервал времени 3 .10 - 7 1 О с послеокончания облучения измеряют интен"сивность послесвечения (Л) и по зна"чению этой величины и ранее найденной градуировочной кривой осуществляют отбор заготовок для изготовлениясцинтилляционных счетчиков, обладающих заданной стабильностью платосчетной характеристики после радиационного воздействия в диапазоне температур +60 С. По градуировочной кривой корреляционной зависимости 6 Р(Х)определяют величину Д Р - изменениенаклона плато счетной характеристикидетектора, содержащего исследованнуюзаготовку и подвергнутого радиационному воздействию при -40 С,862700 бвались с помощью подбора числа оборотов диска и взаимного расположенияФЭУ и-источника.По предлагаемому способу былипроведены измерения интенсивностипослесвечения на партии заготовокиа 1(Т 1) в количестве 35 шт, 7 заготовок были отобраны как удовлетворяю 10 щие предъявляемым требованиям. Приэтом на проведение отбора заготовокбыло затрачено 7 мин,5Данные для построения градуиро"вочной кривой 6 Р(Л) были полученыследующим образом: партию кристаллических заготовок размером 30 х 5 мм вколичестве 35 шт облучали при комнатной температуре импульсным -излучением длительностью 1,2 .10 с и через интервал времени 510 зс измеряли значения Л; (1 = 1,235).После упаковки заготовок в контейнер на детекторах методом непосредственного измерения были получены значения и Р , По значениям1Л; и ЬР была построена градуировочная кривая (см, Фиг. 1), Незначительный разброс точек на Фиг, 1 непревышает допустимую погрешность вопределении наклона платосчетнойхарактеристики,П р и м е р 1. Для создания импульсного облучения было использовано устройство (см, Фиг, 2), состоя"щее из светонепроницаемого сухогобокса 1, стального диска 2 .с .15 гнездами 3 для заготовок, который могвращаться с помощью электромотора 4со скоростью 600 об/мин, при этомкаждая заготовка за один оборот диска, проходя в зоне действия источ"ника 5 )-излучения фйп активностью. 2 Ки облучалась в течение 1,210 си через интервал времени 5 10 спроходила над фотоумножителем 6, который питался стабилизированным напряжением от стабилизатора 7 типаВС"22,Интенсивность послесвечения Л;заготовок фиксировалась с помощьюзапоминающего осциллографа 8 типаС 8-9 А.Для идентификации импульсов на осциллографе заготовки и в гнезда укладывались в определенной последова"тельности (в направлении против вра"щения диска), при этом в одно изгнезд заготовка не укладывалась. Отсчет значений Л 1 производился отвыделенного участка осциллограммы.На Фиг.3 приведен пример осциллограммы полученной на 14 заготовОках, температура в помещении 22 С,время облучения и интервал временимежду окончанием облучения и измерением (1,2 10 и 5 10 с) устанавлиДля сравнения был проведен отборизвестным способом. При этом былозатрачено 5 ч и были отобраны те же7 образцов. Затраты на контейнеризацию 28 заготовок оказались непроизводительными,20 П р и м е р 2, В качестве источ"ника ионизирующей радиации использо":вана рентгеновская установка РУП 150/300. Для создания импульсов длительностью (1-2)10 ьс испольэовали25 механический модулятор пучка (латунный цилиндр50 мм с отверстием,перпендикулярным оси цилиндра, вращался с помощью электромотора), Испытуемые заготовки (по 1 шт) уста 30 навливались на Фотокатод ФЭУ и облучались импульсами рентгеновскойрадиации, Послесвечение Л; фиксировалось на запоминающем осцилло"графеОпределение параметра ЬР производилось, как в примере 1, по определенной заранее градуировочной кривойЬР(Л),Из приведенных двух примеров более40 предпочтительным является первый,так как позволяет практически одновременно проводить измерения на нескольких заготовках (14 шт),Таким образом, использование пред"45 лагаемого способа.:сокращает время отбора более чемв 40 раз;,исключает непроизводительные затраты на контейнеризацию заготовок50 не удовлетворяющих предъявляемымтребованиям;. Упрощает процесс отбора за счетисключения охлаждения и примененияЗаказ 1088 Тираж ВНИИПИ Государственного комитета 113035, Москва, Подписноеизобретениям и открытиям при ГКРаущская наб д 1/5