Способ палладирования карбида кремния

Номер патента: 810649

Опубликовано: 07.03.1981

Авторы: Ворнычев, Казимиров, Микляев, Нижарадзе, Фролов

МПК: C04B 35/565

Метки: изде-лий, карбида, кремния, пористых

...ниже 1800 С и вакууме ниже 1 10 -мм рт. ст, давление паров карбида кремния невысоко, процесс сублимации проходит очень медленно, что не позволяет получить каркас изделия, Времени выдержки менее 1 час также недостаточно для образования каркаса изделия.При температуре выше 2000 С и вакууме выше 1 10 -мм рт. ст. сублимация карбида кремния идет с большой скоростью, проис 10 15 20 25 30 35 40 45 50 00 65 ходит интенсивное испарение 51 С и удаление его из печного пространства. Выдержка более 2 час нецелесообразна, так как возрастает энергоемкость процесса.Б результате проведения 1 стадии процесса происходит частичное спекание частиц карбида кремния за счет испарения и конденсации частиц С, что приводит к формированию каркаса изделия.На...

Номер патента: 833860

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Алесковский, Гаршин, Кольцов, Малыгин

МПК: C04B 35/565

Метки: карбида, кремния, спеченныхизделий

...азотом. В результате частицы карбида кремния равномерно покрываются алюминий-кислородными слоями, связанными с поверхнос. тью карбида химической связью, Послеэтого модифированный порошок карбида кремния подвергают горячему прессованию.П р и м е р 1. Порошок карбидакремния крупностью частиц 2 мкм помещают в реактор, обогреваеьый до180-20 Й, В нагретый реактор черезсосуд с дистиллированной водойпропускают газ-носитель азот),в результате образующийся водянойпар гидроксилирует поверхность частиц карбида кремния. Затем в обогреваемую зону, реактора вносят хлорид.алюминия (в виде твердого продукта который переходя в парообразноесостояние, транспортируется газом"но.сителем снизу вверх через засыпанный в реактор порошок карбида кремния,...

Номер патента: 270080

Опубликовано: 15.10.1975

Автор: Водаков

МПК: H01L 21/306

Метки: высокотемпературном, защиты, карбида, кремния, поверхности, травлении

...Метод вакуумного напыления позволяет получать слои любой толщи 15 ны и на большом числе монокристаллов заодин технологический цикл. Кроме того, используя маски, можно непосредственно принапылении получать слои нужной конфигурации.20 Если необходимо получить очень точный рисунок с резкоочерченными краями (с микронной точностью), его вытравляют фотолитографическим способом. Наиболее прочно скрепленные с поверхностью и плотные слои алю 25 миния (толщиной 1 р и выше) получают привакууме не уже 10 - 4 тор и температуре кристаллов карбида кремния 5700 - 6100 С, причем алюминий в виде гусариков подвешиваютна вольфрамовой спирали, нагреваемой при270080 Предмет изобретения 15 Составитель М, Сорокина текоед Т. Мп;:онова Редактор Б, федотов...

Номер патента: 384208

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вейцар, Инастраи, Иностранна, Клод, Швейцари, Якоб

МПК: C30B 29/36, C30B 29/62

Метки: выращивания, карбида, кремния, монокристаллов, нитевидных

...О Применяемый раствор имеет концентрацию 0,01 - 2 г железа на 100 г растворителя; время погружения варьируется от 0,5 до 5 мин, После нанесения раствора подлояки супоат для,вьспаривания растворителя и помещают в 15 реакционный объем.Реакпор состотст из водоохл аждае ма гостального кожуха, футерованното муллитом и графитовыми плитами, напревательньсм элементом является графитовый стержень. Под ложечки располагают по вертикали на расстоянии 5 см друг от друта; на каждую подложку наносят элементарный кремний или ЯОг и уголь. Молярное отношение ЯОг, С составляет от 1:1 до 1:10. Уголь полностью или частич но может быть з,амещен газообразными углеводородами (метан, этан, горопаи), Реактор наполняют водородом или смесью из Нг и аргона и...

Номер патента: 913762

Опубликовано: 20.11.1996

Авторы: Водаков, Мохов

МПК: C30B 23/02, C30B 29/36

Метки: выращивания, карбида, кремния, политипа, эпитаксиального

1. Способ эпитаксиального выращивания карбида кремния политипа 4Н путем пересублимации исходного материала на монокристаллическую подложку карбида кремния в присутствии паров вещества, трансформирующего ее в политип 4Н, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных кристаллов, их совершенства и чистоты, в качестве трансформирующего вещества используют олово, или свинец, или германий, или их смесь.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью уменьшения толщины переходного слоя, пересублимацию ведут со скоростью нагрева исходного материала 100 1000oС/мин.3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что, с целью легирования кристаллов, пересублимацию ведут в присутствии паров легирующего вещества из ряда:...