Патенты с меткой «вырожденного»

Номер патента: 140916

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Григолович, Крупицкий

МПК: H03F 7/00

Метки: вырожденного, диодный, параметрический, регенеративного, свч, типа, усилитель

...частоту со = 2 оз обеспечивается наличием обшего резонатора и производится только одним органом настройки.Одновременно повышается мощность и к. п. д, усилителя вследствие того, что вместо обыцчо применяемого тороидального резонатора в предлагаемом усилителе применен коаксиальный резонатор,Конструкция предлагаемого параметрического усилителя схематически показана на чертеже и представляет собой коаксиальный резонатор (близкий к Н-образному эндовибратору). Во внутренней трубе закреплен клистрон, дисковые выводы которого находятся на расстояниях приблизительно 3/4 7. и 1/4 7. от закорачиваюшпх поршней. Указанные расстояния меньше 3/4 7. и 1(4 7. вследствие имеюшейся в резонаПредмет из о бр етения Параметрический диодный усилитель СВЧ...

Номер патента: 708792

Опубликовано: 10.11.2001

Авторы: Коршунов, Морозов, Тихонов

МПК: G01N 21/21

Метки: антимонида, вырожденного, индия, концентрации, п-типа, приповерхностном, слое, электронов

Способ определения концентрации электронов в приповерхностном слое вырожденного антимонида индия, n-типа, включающий освещение монохроматическим поляризованным светом образцов исследуемого и взятого в качестве эталона невырожденного полупроводника, многократное измерение эллипсометрического параметра и соответствующих ему длин волн, определение энергетического сдвига края полосы собственного поглощения, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа перенесением измерений в видимую область спектра, перед освещением поверхности исследуемого образца и эталона аморфизируют с сохранением исходной концентрации электронов, при...