Способ определения концентрации электронов в приповерхностном слое вырожденного антимонида индия п-типа

Номер патента: 1118177

Опубликовано: 30.06.1990

Авторы: Сухоруких, Харитонов, Шаров

МПК: G01N 21/45

Метки: волной, газа, ионизированного, компонентов, концентрации, плоской, потоке, ударной

...интерференционной картине,причем количество спектральных ин тервалов выбирают равным числу компонентов в газовом потоке, а уголпросвечивания фронта ударнов волнывыбирают из условия(и - п) 11 ЪЫ асвХп(2)АЧ Е .-11где 0скорость фронта ударной волны 4. Ч - скорость развертки спектраинтерФеренционной картины;-.ширина невозмущенных интер-,ференционных полос;и и и - показатели преломления газасоответственно перед и.эафронтом ударной водны;В - разрешающая способность.регистрирующего материала;Ь - наименьшая длина волны, светав спектре интерференционнойкартины,При наклонном просвечивании потока под углом о к фронту ударной волны интерференционные полосы на фронте ударной волны не терпят разрыва;на интерферограмме образуется участок,в котором...

Номер патента: 1242890

Опубликовано: 07.07.1986

Авторы: Окунишников, Петренко

МПК: G02B 5/28

Метки: волны, длины, интерференционного, максимума, полосы, пропускания, светофильтра, ширины

...эффективный показатель преломления разделительного слоя фильтра.Цель изобретения - повышение точности измерения характеристик интерференционного светофильтра за счет исключения влияния показателя преломления разделительного слоя светофипьтра.Поставленная цель достигается тем,чта согласно способу определения ширины полосы и длины волны максимумапорпускания интерференционногосветофильтра дополнительно просвечивают светофильтр вторым зондирующимпучком излучения с длиной волны, мень О шей длины волны, соответствующей максимуму пропускания светофильтра, неравной длине волны основного зонди 1.рующего пучка излучения, и измеряютугол падения второго пучка излученияна светофильтр, соответствуюшиймаксимуму интенсивности прошедшегоизлучения, а...

Номер патента: 1264097

Опубликовано: 15.10.1986

Авторы: Головков, Кузнецов, Макаров, Осипов, Павлов

МПК: G01R 23/17

Метки: волны, длины, сигнала

...лазера 1, имеющегс ячейку 3 поглощения, через зеркало 9 оптической связи подается ца фотоприемник 10, усилитель 11 и устройство измерения частоты; состоящее из осциллографа 3, стандарта 14 частоты и электронно- счетного частотомера 15. Излучение лазера 4 через акустооптический.дефлектор 8 и систему зеркал также пода ется на вход Фотоприемника, При подаче на пьезопреобразователь пилообразного напряжения с генератора 12 частота излучения лазеров линейно изменяется вследствие изменения оптической длины резонаторов, причем закон изменения частоты лазеров 1 и 4 противоположен. Это достигается тем.что зеркала резонаторов лазеров 1 и Перекрывая ца время излучения лазера 4, получают на выходе усилителядва пика, которые осуществляют запуск и...

Номер патента: 1836256

Опубликовано: 23.08.1993

Автор: Ян

МПК: B65B 61/00

Метки: края, непрерывной, полосы, складывания, упаковочного

...что нет прочного обертываниякрая полосы 10. Эту проблему также можно 55решать использованием направляющих роликов (не показаны) для ремня и полосыматериала. Следовательно, жизненно важна иметь ремень туго натянутым, так чтоустройство должно иметь какой-нибудь элемент для регулирования натяга - винт или что-нибудь подобное (не показан).Полная длина ремня 1 может меняться, но 1 ак называемая неактивная часть является охлаждающимся участком для небольшого тепла трения, которое выделяется в активной части, поэтому ремень может быть длинным, не обязательно занимая большое место.В предпочтительном исполнении устройство так ориентировано, что полоса 10 материала движется вертикально через устройство и активная часть ремня 1 поэтому также...

Номер патента: 471634

Опубликовано: 25.05.1975

Авторы: Воробьев, Крушеницкий, Федорцев

МПК: H01S 3/08

Метки: волны, длине, интерферометр, репесматриваемый

...параллельна поверхности пластины. При этом хотя бы одна из областей пластины легируется донорной примесью до такой степени, что в Диэлектрическая проницаемость полупника в определяется по формулам; в . - высокочастотная диэлектрическая проницаемость полупроводника в отсутствие свободных носителей тока;е - заряд электрона;Р - концентрация свободных электронов в и-материале и дырок в р-материале;аказ 999,"1421ЦНИИПИ Изд Лв 8 осуда рственногого делам изоМосква, Ж-З 5,Тираж 833омитета Совета Минисетений и открытийаушская наб., д. 4/5 ПодписноеСССР Тип. Харьк. фил Патент(,о - длина волны инфракрасногосвета;иг" (и - эффективные массы электрои рнов и дырок;С - скорость света.В области объемного заряда р - п перехода диэлектрическая...