Реактор для эпитаксиального наращивания

Номер патента: 339245

Авторы: Архиповг, Бабушкин, Веремейчук, Домницкий, Эмке

ZIP архив

Текст

Союз СоветСких Социалистических Республик, Кл. Н 011 7/68 исоединением за киКомитет по деламобретений и открытийри Совете МинистровСССР риоритетпубликовано 21.1 Х. 72. Бюллетень Ъо 2 621,328 (088.8 та опубликования описания 8.1.197 Авторыизобретен Вере мейчу ЮМ, М. Бабушкин, И. Ф , Эмке и А, С. Архипо 3 аявител РЕАКТО П ИТАКСИАЛ ЬНО ГО НАРАЩИ ВАНИ эпитаксиального наращивания удаляо слой напыленного вещества. Однако ает неудобство в эксплуатации и приснижению качества напыляемых плеа после ют с нег это создводит к 5 нок. Цель изобретения - повышение качестванаращиваемых слоев. Достигается это тем, что в предлагаемом реакторе держатель индуктора выполнен в виде кварцевого стакана, 10 герметично вмонтированного в верхний фланец кожуха, причем индуктор установлен внутри держателя, а витки его катушки расположены вплотную к внутренним стенкам кварцевого стакана (держателя). Подложко держатель также выполнен в виде стаканаохватывающего снизу держатель индуктора.Такое выполнение реактора позволяет полностью изолировать индуктор от рабочей среды и герметизировать кожух с помощью 20 единственного уплотнения между подложка.держателем и верхним фланцем колпака.Описываемый реактор изображен на чертеже.Внутри стального охлаждаемого водой ко жуха 1 на вращающемся валу установленподложкодержатель 2 в виде графитового стакана. В верхнем фланце 8 кожуха 1 крепится держатель 4 индуктора, представляющий собой кварцевый стакан с расположен ной внутри него катушкой б. Витки катушки,Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов. Устройство может быть использовано для эпитаксиального наращивания слоев полупроводниковых материалов, в частности германия или кремния.Известны реакторы для эпитаксиального наращивания слоев полупроводниковых материалов, выполненные в виде стального кожуха (колпака), охлаждаемого водой, внутри которого размещается графитовый подложкодержатель. Подложкодержатель представляет собой полый цилиндр, внутри которого установлен индуктор, состоящий из кварцевого держателя и катушки, причем катушка расположена на внешней стороне держателя. Колпак снабжен штуцерами для подачи рабочего газа. Такая конструкция реактора не обеспечивает достаточной герметизации индуктора от газовой среды, так как создание надежного вакуумного уплотнения между основанием кожуха и вращающимся подложкодержателем при 1500 С вызывает большие технические трудности. Поэтому индуктор в процессе работы покрывается слоем напыляемого вещества, например кремния, что приводит к короткому замыканию витков катушки. Кроме того, индуктор в свою очередь вносит загрязнения, что ухудшает качество выращиваемых пленок. Для защиты индуктора на него наносят покрытия, например золото,)ницкии ),. ,, . рур )ы .с. и",. ) г)ькова ллова орректоры: Л,иЛ,К Заказ 4181(10 Изд.1547 Тираж 406 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делагв изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж-З 5, Раушская наб., д. 4(5 Типография, пр. Сапунова, 2 изготовленные точно по внутреннему диаметру держателя, служат для его охлаждения. Подложкодержатель 2 охватывает держатель индуктор а снизу. Фланец ч выполнен съе.,- ным, Коллекторы 6 служат для подачи рабочей газовой смеси и отвода продуктов реакции. Работает реактор следующим образом, В гнезда подложкодержателя 2 загружают полупроводниковые пластины, после чего реактор герметично закрывают, Затем пода 1 от воду для охлаждения реактора, продувают его азотом, включают индукционный нагрев подложкодержателя и подают через коллектор 6 рабочую газовую смесь. Предмет изобретения5 Реактор для эпитаксиального наращиванияслоев полупроводниковых материалов, содержащий охлаждаемый кожух, вращающийсяподложкодержатель, индуктор, кварцевыидержатель индуктора, отличающийся тем,10 что, с целью повышения качества наращиваемых слоев, индуктор установлен внутри егодержателя, который выполнен в виде стакана,герметично закрепленного на верхнем фланцекожуха реактора,

Смотреть

Заявка

1387277

Н. С. Веремейчук, М. М. Бабушкин, И. Ф. Домницкий, Ю. Л. Эмке, А. С. АрхиповГ

МПК / Метки

МПК: H01L 21/36

Метки: наращивания, реактор, эпитаксиального

Опубликовано: 01.01.1972

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-339245-reaktor-dlya-ehpitaksialnogo-narashhivaniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Реактор для эпитаксиального наращивания</a>

Похожие патенты