Архиповг

Номер патента: 339245

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Архиповг, Бабушкин, Веремейчук, Домницкий, Эмке

МПК: H01L 21/36

Метки: наращивания, реактор, эпитаксиального

...для эпитаксиального наращивания слоев полупроводниковых материалов, в частности германия или кремния.Известны реакторы для эпитаксиального наращивания слоев полупроводниковых материалов, выполненные в виде стального кожуха (колпака), охлаждаемого водой, внутри которого размещается графитовый подложкодержатель. Подложкодержатель представляет собой полый цилиндр, внутри которого установлен индуктор, состоящий из кварцевого держателя и катушки, причем катушка расположена на внешней стороне держателя. Колпак снабжен штуцерами для подачи рабочего газа. Такая конструкция реактора не обеспечивает достаточной герметизации индуктора от газовой среды, так как создание надежного вакуумного уплотнения между основанием кожуха и вращающимся...