Патенты с меткой «элементов»

Номер патента: 795319

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Верходанов, Гаштольд, Герасименко

МПК: H01L 21/265

Метки: памяти, элементов

Способ изготовления элементов памяти, включающий последовательное формирование на полупроводниковой подложке первого туннельно тонкого слоя диэлектрика, второго слоя диэлектрика, обладающего эффектом запоминания, и электрода, отличающийся тем, что, с целью повышения времени хранения записанной в элемент памяти информации, перед формированием электрода производят ионное легирование второго слоя диэлектрика ионами элементов из группы веществ, атомный вес которых превышает атомный вес каждого из составляющих диэлектрик элементов, включающей фосфор, аргон, галлий, мышьяк и криптон, с дозой (5 1014 - 1

Номер патента: 1492656

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Корнилов, Лебедев, Фролов

МПК: C01F 17/00, C01G 56/00

Метки: кислых, растворов, редкоземельных, соединений, трансплутониевых, элементов

Способ получения кислых растворов соединений редкоземельных и трансплутониевых элементов, включающий обработку оксалатов редкоземельных и трансплутониевых элементов щелочным реагентом и растворение образующегося соединения в минеральной кислоте, отличающийся тем, что, с целью сокращения длительности процесса и его упрощения, в качестве щелочного реагента используют раствор карбоната щелочного металла или аммония с концентрацией 0,1-0,5 моль/л в количестве, обеспечивающем мольное отношение CO23-: РЗЭ (ТПЭ) 6.

Номер патента: 1558149

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Абрамов, Баргон, Голубева, Журавлев, Кощеева, Кравцова, Никифорова, Редких, Фотиев

МПК: C01F 17/00, C01G 3/00, G01F 11/00 ...

Метки: висмута, купритов, редкоземельных, щелочноземельных, элементов

Способ получения купритов щелочноземельных и редкоземельных элементов или висмута, включающий термообработку смеси оксида редкоземельного элемента или элементов или висмута, соединений меди и щелочноземельного элемента или элементов, последующий размол и повторную термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения чистоты и выхода целевого продукта, в качестве соединения меди используют ее основную углекислую соль, в качестве соединения щелочноземельного элемента или элементов используют его нитрат, первую термообработку ведут при 700 - 800oC в течение 3 - 10 ч, а вторую - при 900 - 930oC в течение 15 - 25 ч.

Номер патента: 1515981

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Волкова, Иванов, Иншаков, Хулугуров, Шнейдер

МПК: H01S 3/16

Метки: активных, затворов, лазерный, материал, пассивных, элементов

Лазерный материал для активных элементов и пассивных затворов на основе монокристаллического фтористого лития с примесными ионами гидроксила OH и рабочими F+2-центрами, отличающийся тем, что, с целью уменьшения потерь, он дополнительно содержит примесь натрия в количестве 0,5 - 3 мас.%.

Номер патента: 1412546

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Балашов, Бондарчук, Васильев, Герасюк, Ермикова, Мысовский, Парфианович, Рейтеров, Чепурной, Чуфистов, Шкадаревич, Шляк, Янчук

МПК: H01S 3/11, H01S 3/16

Метки: активных, затворов, лазера, пассивных, элементов

Способ изготовления активных элементов и пассивных затворов для лазеров на основе монокристаллов фтористого лития с F-2-центрами окраски, включающий облучение кристаллов ионизирующей радиацией, отличающийся тем, что, с целью увеличения стабильности энергетических параметров среды, облученные монокристаллы дополнительно отжигают при температуре не выше 368 5 К до установления неизменного значения коэффициента оптического поглощения во времени.

Номер патента: 1822109

Опубликовано: 27.08.1999

Авторы: Гордеев, Дураков, Корнилов, Лебедев, Ядовин

МПК: C01G 56/00

Метки: азотнокислый, оксалатов, перевода, раствор, трансплутониевых, элементов

Способ перевода оксалатов трансплутониевых элементов в азотнокислый раствор, включающий обработку их раствором неорганического соединения и азотной кислотой, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и снижения потерь трансплутониевых элементов, в качестве неорганического соединения используют перекись водорода и перевод осуществляют раствором смеси перекиси водорода и азотной кислоты с концентрацией 2 - 5 моль/л.

Номер патента: 1828073

Опубликовано: 27.08.1999

Авторы: Аввакумов, Киселев, Розенталь, Фотиев

МПК: C01F 11/00, C01F 17/00, C01G 29/00 ...

Метки: висмута, купритов, редкоземельных, щелочноземельных, элементов

Способ получения купритов щелочноземельных и редкоземельных элементов или висмута, включающий смешение исходных соединений меди, щелочноземельных элементов, редкоземельных элементов или висмута, разлагающихся при высокой температуре, обработку полученной смеси в режиме ударных механических нагружений с последующей термообработкой, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса, снижения его энергоемкости, обработку смеси в режиме ударных механических нагружений ведут с частотой следования ударов 0,8 - 10 Гц, их количеством 1 - 2 103 и интенсивностью 0,6 - 20 ГПа, а термообработку ведут при 900 - 930oC...

Номер патента: 1593116

Опубликовано: 27.08.1999

Авторы: Калачева, Маркеев, Мельниченко, Петрова, Помадчин, Раков, Рейтеров

МПК: C01F 17/00

Метки: комплексных, лития, редкоземельных, фторидов, элементов

Способ получения комплексных фторидов редкоземельных элементов и лития, включающий обработку водных растворов смеси солей редкоземельных элементов и лития реагентом-осадителем и спекание образовавшегося осадка, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса за счет непосредственного выделения фторидов из растворов, в качестве реагента-осадителя используют бифторид аммония или раствор фтористоводородной кислоты, образовавшийся осадок высушивают при 50 - 150oC до влажности 0,2 - 2,0%, а спекание ведут при 350 - 500oC.

Номер патента: 1194138

Опубликовано: 10.09.1999

Авторы: Гражулене, Карандашев, Попандопуло

МПК: G01N 1/28, G01N 30/48

Метки: cdxhg1-xte, анализе, многоэлементном, отделения, примесных, элементов

Способ отделения примесных элементов при многоэлементном анализе CdTe и CdxHg1-xTe, включающий сорбцию матричных элементов в экстракционно-хроматрографической колонке, заполненной сорбентом с неподвижной фазой, и элюирование примесных элементов соляной кислотой, отличающийся тем, что, с целью повышения экспрессности и числа отделяемых примесных элементов, в качестве неподвижной фазы используют смесь три-н-октиламина и три-н-бутилфосфата в соотношении (1 - 2) : 1, а элюирование проводят 2 - 6 М : соляной кислотой.

Номер патента: 459055

Опубликовано: 20.09.1999

Авторы: Бамбуров, Жидовинова, Стрекаловский

МПК: C01F 17/00, C01G 25/00, C01G 27/00 ...

Метки: гафнатов, редкоземельных, цирконатов, элементов

Способ получения цирконатов и гафнатов редкоземельных элементов путем обжига сбрикетированной смеси двуокиси циркония или гафния с окислом соответствующего редкоземельного элемента, отличающийся тем, что, с целью получения цирконатов и гафнатов двухвалентных редкоземельных элементов со структурой перовскита, используют моноокись редкоземельного элемента и процесс ведут под вакуумом 10-3 - 10-4 мм рт.ст. и при 800 - 1200oС в течение 2 - 3 ч.

Номер патента: 1827936

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Ананченков, Волков, Грязев, Зарубенко, Оловянишников

МПК: B23K 20/12

Метки: радиальной, сварки, трением, трубчатых, элементов

1. Способ радиальной сварки трением трубчатых элементов, включающий телескопическую установку концов свариваемых элементов, неподвижное закрепление одного из элементов, радиальную деформацию свариваемых элементов с нагревом, осадку и проковку зоны соединения, отличающийся тем, что, с целью повышения прочности соединения, перед сваркой на неподвижном элементе устанавливают радиально-деформирующий инструмент в виде конической матрицы с телами качения, контактирующими с конической поверхностью и свариваемым элементом, и при вращении подвижного элемента перемещают его поступательно вдоль оси соединяемых элементов, после достижения температуры оплавления зоны соединения прекращают перемещение...

Номер патента: 1834223

Опубликовано: 10.10.1999

Автор: Волков

МПК: B21F 3/04, B65H 59/00

Метки: длинномерных, натяжения, тело, укладке, цилиндрическое, элементов

1. Устройство для натяжения длинномерных элементов при укладке их на цилиндрическое тело, содержащее полый шпиндель, установленную на нем планшайбу для катушек с длинномерными элементами и распределительно-натяжной механизм, включающий нажимную шайбу, отличающееся тем, что, с целью повышения качества изделий и производительности труда распределительно-натяжной механизм содержит спираль, замкнутую концами в тор и взаимодействующие со спиралью разжимной конус, установленный на одном конце шпинделя и опорное кольцо, смонтированное на планшайбе, при этом нажимная шайба расположена на другом конце шпинделя и связана с приводом осевого перемещения относительно опорного кольца.2. Устройство...

Номер патента: 1531376

Опубликовано: 20.10.1999

Авторы: Калугин, Коваленко, Кокорюкин, Косовских

МПК: B62D 55/32

Метки: гусеницы, звенных, сборки, составных, элементов

Способ сборки гусеницы из составных звенных элементов, при котором звенья напрессовываются до упора на взаимодействующие с ними втулку и палец, размещенный во втулке соседнего звена гусеницы, отличающийся тем, что, с целью повышения эксплуатационной надежности, ремонтопригодности и снижения трудоемкости изготовления гусеницы, после напрессовки звеньев на палец до упора во втулку, указанный палец сжимают осевым усилием в пределах упругой деформации, смещая концы пальцев относительно проушины звеньев, затем снимают осевые усилия.

Номер патента: 1760926

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Аникина, Земцов

МПК: H01M 2/20

Метки: высокотемпературных, материал, соединения, электрического, электрохимических, элементов

1. Материал для электрического соединения высокотемпературных электрохимических элементов, включающий оксид хрома, оксиды редкоземельных элементов и кальция, отличающийся тем, что, с целью повышения электропроводимости при высоких температурах в окислительно-восстановительной среде, он дополнительно содержит оксид щелочного металла при следующем соотношении компонентов, мол.%:Оксид редкоземельного элемента - 30 - 46Оксид кальция - 4 - 20Оксид щелочного металла - 2 - 10Оксид хрома - Остальное2. Материал по п.1, отличающийся тем, что в качестве оксида щелочного металла используют оксид лития3. Материал по п.1, отличающийся тем, что в качестве оксида...

Номер патента: 915684

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Вихрев, Герасименко, Лебедев, Ободников

МПК: H01L 21/425, H01L 31/18

Метки: антимониде, индия, создания, фоточувствительных, элементов

Способ создания фоточувствительных элементов, на антимониде индия p-типа проводимости, включающий операции фотолитографии, нанесения диэлектрических покрытий, облучения протонами для создания p-n-переходов, нанесения контактов к элементам на кристалле, присоединения кристаллов к основанию корпуса, отличающийся тем, что, с целью избежания деградации параметров p-n-переходов во время технологических нагревов, облучение проводят после всех технологических операций.

Номер патента: 1545821

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Гудов, Комаров, Красников, Серый, Черепанов

МПК: G21G 4/00

Метки: препаратов, радионуклидных, редкоземельных, элементов

1. Способ получения радионуклидных препаратов редкоземельных элементов (РЗЭ), включающий изготовление мишени прессованием при комнатной температуре смеси оксида РЗЭ и наполнителя, облучение мишени в ядерном реакторе и выделение радионуклидов из облученной мишени, отличающийся тем, что, с целью упрощения и ускорения процесса, в качестве наполнителя используют диоксид кремния и силикат натрия в массовом соотношении этого диоксида кремния и диоксида кремния в силикате 1 : (0,6 - 0,9), прессование мишени проводят при давлении (2,8 - 3,2) 108 Па, а выделение радионуклидов из облученной мишени проводят кислотным...

Номер патента: 1560006

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Глазман, Николаев

МПК: H01P 11/00

Метки: волноводных, оправки, основании, элементов

Способ изготовления оправки на основании для волноводных элементов, заключающийся в формировании на плоском основании оправки, отличающийся тем, что, с целью повышения точности при изготовлении волноводных элементов с профилированными участками из индия, формирование на плоском основании оправки включает выполнение в плоском основании из материала, устойчивого к щелочам, сквозного отверстия с размерами, превышающими размеры профилированного участка из индия, установку на одну из сторон плоского основания двух пластин из алюминия, имеющих профилированные края над сквозным отверстием в плоском основании, размещение на них накладки из алюминия или фторопласта, образующей с профилированными...

Номер патента: 1308013

Опубликовано: 20.12.1999

Авторы: Агафонова, Пушков, Сенчуков, Старков, Толкунов

МПК: G01R 31/26

Метки: качества, конструкции, полупроводниковых, приборов, соединений, элементов

Способ контроля качества соединений элементов конструкции полупроводниковых приборов, включающий создание механического напряжения в соединения кристалла и основания корпуса прибора, измерение параметра, характеризующего качество соединения кристалла и основания корпуса, и сравнение его с эталонным, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности контроля, механическое напряжение создают сжатием или растяжением основания корпуса прибора, измеряют относительную деформацию корпуса, параметр, характеризующий качество соединения кристалла и основания корпуса, измеряют при величине относительной деформации основания корпуса прибора в пределах 10-1 - 10-3, при этом в...

Номер патента: 1565316

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Гаврин, Кислов, Маликов, Семчишен

МПК: H01L 31/18

Метки: излучения, интенсивности, коррекции, электромагнитного, элементов

Способ изготовления элементов коррекции интенсивности электромагнитного излучения, включающий формирование на прозрачной подложке корректирующего поглощающего слоя путем воздействия на подложку корректируемого электромагнитного излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения точности коррекции интенсивности электромагнитного излучения в ультрафиолетовом и видимом диапазонах, в том числе со сложным распределением интенсивности, сокращения длительности цикла изготовления элемента коррекции за счет уменьшения числа технологических операций, одну или обе поверхности подложки приводят в контакт с фоторазлагающейся средой, продукты фотодиссоциации которой непрозрачны к корректируемому...

Номер патента: 704238

Опубликовано: 27.02.2000

Авторы: Анисимова, Большакова, Калита, Куликов, Масленников, Фабрикова, Челищев

МПК: C22B 26/10

Метки: извлечения, минерального, редких, сырья, щелочных, элементов

Способ извлечения редких щелочных элементов из минерального сырья, включающий его шихтование с карбонатом кальция, высокотемпературный обжиг и улавливание пыли, отличающийся тем, что, с целью возможности переработки слюдитов, повышения степени извлечения щелочных элементов, интенсификации процесса и охраны окружающей среды, в шихту добавляют кокс и обжиг ведут при температуре 1600 - 1700oC.

Номер патента: 1269440

Опубликовано: 10.03.2000

Авторы: Попов-Толмачев, Пшеничный

МПК: C06C 5/04

Метки: гибких, соединения, элементов

Устройство для соединения гибких элементов, преимущественно детонирующих шнуров, содержащее клин с опорными гранями и муфту для клина и детонирующих шнуров с продольной прорезью и опорными частями, расположенными под углом друг к другу, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности соединения, одна из опорных граней клина выполнена в виде храповой рейки, а муфта выполнена с разновеликими по длине опорными частями, меньшая из которых прижата к храповой рейке клина.

Номер патента: 740046

Опубликовано: 20.03.2000

Авторы: Гимельштейн, Грошев, Мацкевич, Теплов, Федоров

МПК: G21C 17/06

Метки: водным, оболочек, реактора, состояния, тепловыделяющих, теплоносителем, элементов, ядерного

Способ контроля состояния оболочек тепловыделяющих элементов ядерного реактора с водным теплоносителем, включающий определение концентрации продуктов деления, таких как изотопы иода и радиоактивные благородные газы в потоке теплоносителя первого контура и сравнение результатов измерения концентрации иодов и радиоактивных благородных газов, отличающийся тем, что, с целью повышения представительности и точности контроля, поток теплоносителя пропускают через катионитовую колонку, затем делят на две части, одну из которых направляют в анионитовую колонку для осаждения радиоактивных изотопов иода, после чего производят определение концентрации радиоактивных благородных газов в этой части потока,...

Номер патента: 1706111

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Бондаренко, Бояркин, Бурков, Зверев, Ковтунов, Моргулис-Якушев, Петров

МПК: B21D 53/06, B23P 15/26

Метки: лепесткового, оребрения, теплообменных, элементов

Способ изготовления лепесткового оребрения теплообменных элементов, заключающийся в подрезании слоя материала лепестков на поверхности теплообменного элемента с одновременным его отгибанием, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества готового изделия, сначала подрезают и отгибают с наклоном в одну сторону лепестки четных рядов, затем теплообменный элемент поворачивают на 180o и подрезают и отгибают лепестки нечетных рядов с наклоном в противоположную сторону.

Номер патента: 339223

Опубликовано: 10.04.2000

Авторы: Ветров, Владимиров, Смирнов, Титов

МПК: G01R 7/00, G01V 5/00

Метки: концентраций, радиоактивных, элементов

Устройство для измерения концентраций радиоактивных элементов, содержащее датчик гамма-излучений, многоканальный амплитудный анализатор импульсов, ключи пропускания импульсов каналов, счетно-запоминающие и счетно-решающие устройства, регистратор числа циклов экспозиции и реле времени, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерений, увеличения производительности и упрощения эксплуатации, выход реле времени через ключевой каскад соединен с блоком повторного запуска, один выход которого соединен с реле времени, а другой - с регистратором числа циклов экпозиции, при этом входы ключевого каскада соединены с выходами счетно-запоминающих устройств.

Номер патента: 1697503

Опубликовано: 27.04.2000

Автор: Иванов

МПК: G01D 5/22

Метки: влажности, древесных, изделиях, элементов

Способ контроля влажности элементов в древесных изделиях, заключающийся в размещении в исследуемом элементе измерительной ячейки в виде двух параллельных проводников, измерении электрического параметра этой ячейки и определении влажности элемента при сравнении измеренной величины с ранее измеренным значением в процессе калибровки, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей контроля в древесных изделиях неоднородной структуры, измерительную ячейку, выполненную с пленкой полимера между двумя проводниками, размещают в предварительно выполненной полости в исследуемом элементе, после этого полость герметизируют, на электроды измерительной ячейки подают переменное...

Номер патента: 324902

Опубликовано: 10.05.2000

Авторы: Ванин, Камардин, Поляков

МПК: F16J 15/08

Метки: герметизирующего, металлического, образования, поверхности, слоя, уплотнительных, элементов

1. Способ образования металлического герметизирующего слоя на поверхности уплотнительных элементов, например, в вакуумных устройствах, отличающийся тем, что, с целью образования мелкодисперсного слоя с наименьшим возможным пределом текучести, между уплотнительными элементами размещают прокладку из материала, образующего герметизирующий слой, в зоне уплотнения создают вакуум, прокладку обжимают уплотнительными элементами, выдерживают при заданном усилии обжатия и заданной температуре некоторое время, затем уплотнительные элементы разводят и повторяют весь цикл несколько раз.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что при разведении уплотнительных элементов последние отрывают от...

Номер патента: 1314889

Опубликовано: 10.05.2000

Авторы: Глазман, Николаев

МПК: H01P 11/00

Метки: волноводных, элементов

Способ изготовления волноводных элементов, включающий изготовление в пластинах пазов, поперечное сечение которых равно половине поперечного сечения волноводного элемента постоянного профиля, совмещение пластин по внешнему контуру пазов, и соединение пластин, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления волноводных элементов переменного профиля, перед совмещением пластин, в каждой из них дополнительно выполняют сквозное отверстие на участке волноводного элемента переменного профиля, причем поперечный размер сквозного отверстия больше размеров участка переменного профиля волноводного элемента, вставляют в паз оправку, поперечное сечение которой соответствует размерам паза на...

Номер патента: 296456

Опубликовано: 10.05.2000

Авторы: Ванин, Камардин, Поляков

МПК: F16J 15/12

Метки: герметизирующего, контактирующих, металлического, образования, поверхностях, слоя, уплотнительных, элементов

Способ образования металлического герметизирующего слоя на контактирующих поверхностях уплотнительных элементов запорных и разъемных устройств, работающих в условиях вакуума или избыточного давления, заключающийся в помещении уплотнительных элементов в вакуум, обжатии их, выдержке при усилии обжатия и температуре, обеспечивающих молекулярно-диффузионное сцепление контактирующих поверхностей, разведении их с отрывом друг от друга и повторении всего цикла несколько раз, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологического цикла при одновременном улучшении характеристик слоя, металлический герметизирующий слой формируют на контактирующих поверхностях уплотнительных элементов...

Номер патента: 1082233

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Колоскова, Корольков, Круус, Кузьмин, Локтаев, Марквичева, Нисневич, Сурженков, Фихтенгольц, Хуторянский

МПК: H01L 21/24

Метки: выпрямительных, элементов

Способ изготовления выпрямительных элементов силовых полупроводниковых приборов, включающий операции шлифовки и химической очистки пластин кремния, изготовления высоковольтных p-n-переходов и создания омических контактов методом диффузионной сварки, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных приборов, после изготовления высоковольтных p-n-переходов с обеих сторон пластины кремния удаляют нарушенный слой толщиной 5 - 20 мкм.

Номер патента: 1319692

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Злобин, Костышева, Кюрегян, Сорокин, Шуман

МПК: G01N 23/225

Метки: анализа, локального, образцов, подготовки, следов, элементов

Способ подготовки образцов для локального анализа следов элементов, находящихся в перенасыщенных твердых растворах с ограниченной растворимостью, включающий выделение преципитатов, отличающийся тем, что, с целью расширения спектра примесей, содержащихся в преципитатах в концентрации, превышающей пороговую чувствительность M используемой методики локального анализа, образцы отжигают после выделения преципитатов при температуре интенсивного распада твердого раствора (0,4 - 0,7) Tпл в течение времени от tмин до 10tмин,где ;D(T) и Vа - коэффициент диффузии и объем атома...