Архив за 1992 год

Номер патента: 1759238

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Генкин, Жемкова, Ставровский

МПК: F42C 19/12

Метки: электродетонатор

...изобретения достигается тем, что вторичный заряд взрывчатого вещества выполнен на основе гексанитростильбена, при этом массовое соотношение вторичного и первичного зарядов взрывчатого вещества равно 0,25- 0,40, а соотношение плотностей равно 2-4, 1 Целью изобретения является уве ние инициирующей способности при одновременном снижении массогабаритных характеристик.Поставленная цель достигается тем, что вторичный заряд взрывчатого вещества выполнен на основе гексанитростильбена, при этом весовое соотношение вторичного и первичного зарядов взрывчатого вещества равно 0,25-0,40, а соотношение плотностей равно 2 - 4.На чертеже схематически представлено предлагаемое устройство.Устройство состоит из электровоспламенительного узла,...

Номер патента: 858476

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Зуев, Лушкин, Михайловский, Шнюков

МПК: H01J 1/142, H01J 1/144

Метки: распределительный, термокатод

...иприведенных выше показывает, что дляполучения подобного эФФекта количе-.ство напыленного никеля должно бытьтаким, чтобы оно обеспечивало, содной стороны, существование пленкина заметной части поверхности катода, .а с другой - достаточное поступление 76 4активного вещества на эмиттирующуюповерхность. По аналогии с пленкойОе - 1 г " А 1 для распределительныхтермокатодов наилучшие условия будутдостигнуты при толщинах пленки никеля в пределах 0,1-0,6 мкм,В связи с тем, что никель неявляется тугоплавким металлом, арабочая температура существующих рас.пределительных катодов достаточно высока (1100-1 ч 00 К), были проведеныпрямые масс-спектрометрические исследования предлагаемых катодов наиспарение никеля, Оказалось, что притемпературе...

Номер патента: 1384165

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Никулкин, Пшеничников

МПК: H02M 3/335

Метки: высоковольтный, источник, постоянного, стабилизированный

...высоковольтный источник постоянного тока работает следующим образом.Выходное напряжение от выпрямителипоступает на преобразователь 2 преобразующий постоянное напряжение в переменное прямоугольной формы, которое далее повышается до требуемого уровня высоковольтным выпрямителем 3, Выпрямленное напряжение сглаживается конденсаторным фильтром 4 разрядный ток которого протекает через резисторы 5, б,коиденса тор 7 и нагрузку 15. На резисторе датчике тока) 6 одновременно выделяется суммарная величина постоянного и переменного напряжения, пропорциональная току разряда конденсатора 4. При этом величина переменной составляющей напряжения зависит от соотношения сопротивления конденсатора 7, нагрузки 15 и резисторов 6.При выборе параметров схемы...

Номер патента: 1385639

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Кричков, Подсухин, Савостиков

МПК: C23C 14/36

Метки: ионно-плазменного, мишени, распыления

...смеси.Поджцг осу 1 ествлялся путеи разряда конденсатора,емкостью 200 мкф, заряженного до 3 кВ, через изолированныйтокопвод 1 в верхнем пуансоне 3Сразу же после подачи поджигающего импу 1 ься ця электрод и воспламенениесмеси лоро)пковых компонентон осуществляпц прессовяцие под давлением(.О - 500) кгс/си . После оксГнчация реакции высокотемпературного синтеэ продолжительностью не более"пп 1 ГГГец 1 иэвлекалясь иэ раэборцой прессформы, Общее время изготовления иии.еци момента формовянияЭЯГОТ 011 К 11 ПОДЖЦГс 1С 1 ЕКЯЦ 1%Я Ц ГГЭНЛР" чецця мишецц иэ прессформы состаВГГяло це более 10 миц, Образцы спеченного мате риала ис следов алис ь на дифрактомере ДРОНс целью определения фазового состава.ДГГяпаэон давления 30 - 200 кгс/см н момент...

Номер патента: 1443668

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Баранов, Гутман, Казаков, Карпунин

МПК: H01J 17/49

Метки: газоразрядной, индикаторной, панелью, переменного

...напряжения . поддержания разряда, а также мощность,.потребляемая ГИПП при горящих элементах отображения. Так, при диапазоне изменения напряжения поддержания разряда 90-100 В, т.е. диапазоне памяти г 0 В я стабильности источника питания 1-1,5 Ж с учетом температурного изменения параметров ГИПП, рабочая точка А динамической характеристики берется на уровне Б = 92 В. Практически наиболее оптимальной является рабочая точка А, лежащая в серединедиапазона памяти ГИПП, в этом случаепревышение рабочего напряжения поддержания разряда над минимальным значение;г равно 0,5 величины диапазона памяти,Дггя выше рассмотренного примерапри диапазоне памяти г 0 В напряжениеподдержания разряда составляет ПИг95 В. При этом положении рабочей тачки А амплитуда...

Номер патента: 1387765

Опубликовано: 30.08.1992

Автор: Баранов

МПК: H01J 17/48

Метки: газоразрядной, индикаторной, панелью, переменного

...исключения нулевого уровня в результирующем НПР.Для исключения включения невы- бранных ЭО длительность плоской вер" шины импульса 2 НПР по координате У на невыбранных электродах увеличивают на время номинальной длительности импульса записи 3 за счет уменьшения длительности переднего фронта С(Фиг. 6).На выбранном электроде У напряжение снижают до нулевого уровня в мо. мент подачи импульса записи 3 на выбранный электрод Х, Нулевой уровень на выбранном электроде У лучше всего начать Формировать одновременно с Формированием переднего фронтана невыбранных электродах У,Это позволяет исключить на выбранномэлектроде У короткий импульс с длительностью С пер. 1, В режиме выключения ЭО (фиг. 7,8,9;импульс стирания 4 по координате Х подают...

Номер патента: 1387766

Опубликовано: 30.08.1992

Автор: Коростелев

МПК: H01J 17/48

Метки: газоразрядного, индикатора, матричного, параметров

...с блока 12, на выходекомпаратора 11 устанавливается сигнал, разрешающий прохождение сиихроимпульса с четвертого выхода блока4 синхронизации через коммутатор 13на интегратор 14.Синхроимпульсы, поступающие наинтегратор 14, устанавливают на его,выходе сигнал запрещающий остановФку изменения выходного сигнала датчика 15 кода сигналом с Фотосчитывающего устройства бДатчик 15 кода повышает напряжение управляемого источника 16 пита.Ния до тех пор, пока разница длительностей световых имлульсон выбранного ЭО ГРИ 2 не станет меньшезначения с блока 12 задания контрольного значения, При этом синхроимпульсы с четвертого выхода блока4 синхронизации не проходят черезкоммутатор 13 на интегратор 14, и свыхода последнего снимается сигнал,запрещающий...

Номер патента: 1387832

Опубликовано: 30.08.1992

Автор: Беляев

МПК: H01S 3/03

Метки: активного, газового, лазера, элемента

...остальных элементов разрядной цепи. Прн достаточной величинеэнергии, запасенной в конденсаторах8, заостренные кромки ц взрываются.Отсутствие или наличие заостреннойкромки после прохождения импульса тока можно обнаружить с помощью емкостного датчика, устанавливаемого сна"ружи трубки 6. Испарившийся материалкромок ч цилиндрических экранов 3оседает после пропускания импульсатока в основном на близлежащих поверхностях секций, Попадание испарившегося металла на керамическуютрубку 6 исключается чашеобразнойконструкцией опорных диафрагм 1,ОДновременно с секциями к трубке6 припаиваются катодный и анодные узлы с оптическими наконечниками. После испарения заостренных кромок ц воптических наконечниках закрепляютсявыходные окна, активный элемент...

Номер патента: 1445492

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Пшеничников, Самородов

МПК: H01S 3/0977

Метки: зажигания, лазера, непрерывного

...увеличением тока дополнительного несамостоятельного разряда В дополнительном Объеме В Диапазоне 100)% от рябоего тГ)ка разрядного ка -Г)2)ЛЯРа ЛОСтЦГается НГ)В)1 еццв цаыряр)еццГ 2 стц ).)1 ектри)ескоо ыопл в разрядном капилляре ц сГ)злак)Рся условияГ.я пробоя ц цци)вцровя ция разрядан разрядном капилляре,Увеличение тока дополнительногоГ)бъема более )0% становится технически и эцер етирески нецелесообразно,тяк кяк приводит к цеопрявдаццрмуувеличению массогабаритных характеристик 1 стоников питания. Величинутока в дополнительном объеме выбира 1)т н зависимости от конструктинцьгхряэмерон лазеров, сГ)отцопеция разме" ров разрядного капилляра и дополнительного объема активного элемента лазера, состава цаполцеция, общей емкости между...

Номер патента: 1445494

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Власов, Инденко, Тимошенко

МПК: H01S 3/13

Метки: двухмодового, излучения, лазера, стабилизации, частоты

...раэностного сигнала 15 возможно и при использовании поляризационной призмы 3. Хотя при этом не колько снижается отношение сигнал/шум, но упрощается конструкция прибора,Показанный на эпюре сигнал 14 может иметь и синусоидальную форму,что проще осуществить на практикепо форме н виде знакопеременных импульсов со скнажностью, равной двум.Это улучшает отношение сигнал/шум иделает устройство более экономичным.Поэтому использование такой формысигнала 14 является более приемлемым.Накладываемое магнитное поле может быть как продольным, так и попе"речным. С продольным полем приборыполучаются более компактные, и егоиспользование предпочтительнее,Наложение магнитного поля с частотой, в дна раза меньшей частотыопорного сигнала, исключает...

Номер патента: 749113

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Войнова, Золотарев, Игнатова, Трахониотовский, Чернов

МПК: C22C 19/03, H01F 1/04

Метки: магнитный, никеля, основе, сплав

...КоэфФицИент анизотропии 79 НМ 0,4 0,4 0 0,6 0,4 ОЖ Ре +0,02%4+О,Оэ%Т+Бснова 1,0 л о Никель ОстальноеСумма примесей Не более 0,2.Бор и титан, каждый в отдельности,способствуют раскиспению (рафинированию) сплава, в одновременное ихвведение в указанных количествах всплав приводит дополнительно к полученйю мелкозернистой однороднойструктуры мишени, Указанный вышедиапазо, концентраций В и Т - этоминимальные количества, при которыхобеспечивается высокое раскисляющееи модиФицирующее действие этих элементов на Б - Ре основу. При мень.ших концентрациях их действие малоэффективно, при больших - нецелесо образно, т,к, при этом ухудшаютсятехнологические свойства слитков имагнитные свойства пленок, Указанныйинтервал содержания железа в...

Номер патента: 1448993

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Быстрицкий, Толмачева, Фикс

МПК: H05H 5/00

Метки: импульсный, источник, нейтронов

...15, либо в случае сильного турбуЛентиого разогрева (плязмл обладает большим сопротивлением поле быстро диФфундирует сквозь вее и ве является вмороженным. Таким брл ом, с уменьшением г (радиуса тков йполочки) возрастает Ч, т.е. полю тся , (щЧ +еА г/с)=сопвг), и ч п ия Ы31448993мента (для плазмы, прозрачной для аксиального пОлЯ) с 1/Рддр (гич /гкфч ) югде г- средний радиус электро"дов, т.е. средний начальный радиусгд+гкплазменной оболочки г = в в ", кото"рый составляет обычно единицы"десятки сантиметров., г к- радиус плаз"менного фокуса, имеет порядок долиединицы миллиметров, Е - азимутальная энергия; Гн- начальная энергия дейтонов, получаем для Гзначения = 1 О эВ. Эта оценка позволяетопределить границы длины спиральногоучастка...

Номер патента: 900753

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Орлов, Старынина

МПК: H01J 17/49

Метки: газоразрядная, индикаторная, панель

...боковые контуры светоэлемента являются одновременно боковыми контурами соседних светоэлементов, приэтом общая конфигурация люминофорных светоэлементов имеет прямоугольную Форму, Такая Форма и взаимноерасположение светоэлементов позволяетобеспечить плотную группировку всехсветоэлементов повысив тем самымэффективность смешения цветов и качество изображения панели,В такой конструкции панели подбором площадей светоэлементов возможно также получить равноценные габаритные яркости излучения люминофоров,Боковыми контурами, ограничивающимисветоэлементы, могут быть узкие диэлектрические перегородки, служащиедля исключения подсветки люминофорана соседнем уцастке, а также дляобеспечения контраста,Укаэанное расположение люмино"Форных...

Номер патента: 1394696

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Зубович, Касьянов, Кел, Кечко, Корж, Чесновицкий

МПК: C10G 21/16

Метки: масляных, нефтяных, фракций, электропав

...разделению в злектрополе электроэкстрактора между электродами при напряженности 130;140; 160; 200 нли 210 В/м на экстрактный и промежуточный рафинатный растворы. Из полученного экстрактного раствора далее регенерируют фенол.Часть полученного промежуточного рафинатного раствора подвергают окончательной очистке в зкстракционной колонне с расходом 0,93; 1,2;1,33 или 1,47 кг/ч. Промежуточный раствор рафината (раствор промежуточного рафината) подают при 65 С на отметку 400 мм зкстракционной колонны. Фенол вводят в экстракционнуюо колонну на отметку 1100 мм при 65 С с расходом 0,85; 1,09; 1,14; 1,7 или 1,9 кг/ч (100 110; 130 135 200 или 210% на исходный дистиллят). Границу раздела фаз в колонне поддерживают на отметке 950 мм. С верха колонны...

Номер патента: 1395027

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Глубоков, Шипалов, Яблонский

МПК: H01J 17/49

Метки: временных, газоразрядной, люминофорной, характеристик, ячейки

...люминофора.Теоретическим подтверждением вышесказанного Является следующее.При подаче на ячейку импульса .напряжения длительностью й, (фиг. 1),спустя некоторое время запаздываниясе, в ячейке возникает разряд, приэтом в течение , - Ъ происходитпроцесс разгорания люминофора, а поокончании импульса - процесс зату хания. Кандел-секундная площадь,,светового импульса на участке разгорания люминофора3 1 т дй т (й -Т )и ст 20 фстХ 3,(е -е ) (1) а на участке затухания 15 Яе1 ОЕ 1 ее ( Ф 1 к(1-еъ)средняя яркость люминофорной ячейки36 при этомТСчитая перенапряжение на разрядном промежутке достаточно большим,1,Й= с в 3Ге6 0 Т т.е. 1,А -1 гце й,Другими слова начальном уча едняя ми ркость сти яр тке зависимости пропорруется наПараменкнии можно(1...

Номер патента: 1395071

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Козлов, Оськин, Сипайло

МПК: H01S 3/03

Метки: газовый, лазер

...цилиндрическимикраями, осуществжет жесткую связьконцов разрядных капилляров междусобой и поперечном сечении, в реэуль"та е чего исключается воэможность рассогласования оптических. осей капилляров в этом сечении при механоклиматических воздействиях. Мембраны 4, 5 жестко связывают разрыдные капилляры между собой в поперечном сечении, одновременно закрепляя их, в оболочке лазера 3. В то же время у капилляров сохраняется возможность перемещения в продольном направлении при температурных и механнческкя воздействиях. В результате повышается устойчивость лазера к механоклиматическим воздействиям. Электри, ческая связь катода с оболочкой лазера, находящемся под нулевым потенциалом, осуществляется токопроводящими покрытиями 13, 14,...

Номер патента: 1452223

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Андреев, Воеводин, Грибенюков, Зуев

МПК: C30B 29/10, C30B 33/00, G02F 1/35 ...

Метки: излучения, монокристалла, оптического, параметрического, преобразователя, частоты

...сечений моно- кристалла ЕпСеР 1, имеет азимутальный Угол Ч " 0 ипи90 , что экви- валентно у, Оф из-за физической неразличимости направлний х и у в кристалле 2 аСеР (это также следует иэ выражений для эффективной нелинейной восйриимчивости для трехчас"тотного параметрического взаимодействия).Пересечение плоскостей ( ОО) и(010) - на чертеже эти плоскостинредставленм сечениями кристаллаЕпСеР с контурами, обозначенными соответственно точками АВГМ ЕМ,Р и ГМ,СИ 3 - аредставляеФ собой отрезокоптической осн кристалла с, обозначенный отрезком РР, относительно которого проводился отсчет углов синхрониэма О . Разметка эквивалентных направлений синхронизма АА, А, и А и измерение угловых отклонений этих направлений относительно оси роста...

Номер патента: 1452421

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Гуделев, Поляков, Чуляев, Чуляева, Ясинский

МПК: H01S 3/13

Метки: излучения, лазера, стабилизации, частоты

...Так происходит девиация частоты, которая в центре контура имеет минимум. С выхода активного элемента с фазовнизотропиьм резонатором лазерное излучение, содержащее раэностную. 45 частоту Г , модулированную по часто" те с помощью низкочастотного генера" тора 13, подключенного к электромагниту 3, создающим пульсирующее поперечное магнитное поле, направля- Ьо ется иа фотоприеиник 4, где преобразуется в электрический сигнал. Усиленный в усилителе сигнал ивправлается в частотный детектор 5, ныП 1 элиеииый в виде когерентного детек тора с фазоной автоподстройкой частотн (ФАПЧ). После захвата разиостной частоты 8 частотиом детекторе генератор, управляемый током 8 частатного детектора 5, устанавливается на частоте Гя а на выходе фильтра низкой...

Номер патента: 906291

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Инкин, Киселев, Малинов, Москвичева, Савранская, Туманов, Файфер

МПК: H01J 17/04, H01J 19/30

Метки: долговечных, искровых, материал, разрядников, электродов

...свойства сомпозиции Пластичность резко возрастает при измеокись сгпонция при следующем соот 1(ошег(1.1 комОгентогз, ма с, 4:О (:, и ;. , Г т)1 ц , я 2)0-5,5Г) (с:.1 ь 2,0-3,5ВО г(ьф а )"1 (ЗС та П ЫОР1 л -.о ) (и 1( вещес Гвами для полУОкись стронция - 3)54) вольфрамОстальное, в 600 мл дистиллированнОЙ воды растворяют 1(6,8 г азотнокислого сгронция Бз.(г 10 ) марки ЧДА3 2и 85 г азотнокислого никеля 11(110 з) л3)6 Н О марки 11 Лд, Е раствору добавляют при перемешивании порошок вольфрамового ангидрида УО, марки Чз(Д585 г,В полученную суспензлю прл непрерЫвном перемешивании вводят растворуглекислого аммония (1)1 Н,) СО марки4 2 3(1 Ю (107 г в 950 мл воды), ОсадокотделяЮт фильтрованием, сушат прио130-150 С, восстанавливают в водороде при...

Номер патента: 1403942

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Поляков, Чуляев, Чуляева

МПК: H01S 3/10

Метки: газовый, двухчастотный, лазер, стабилизированный

...напряжения с источников 19,20 и 21. При этом в момент времени 1, под влиянием напряжения, поданного на участок керамикипод электродом 12, керамика вспучивается, в следующий момент времекивспучивается участок керамики, находящийся под электродом 13, и т.д.В результате деформируется пьезоэлемент так, что его деформации образуют бегущую волну, и пьезоэлемент толкает зеркалоЗа счет силь трения между зеркалом и вакуумной оболочкой создается тангенциальная составляющая силы трения, стремящаяся развернуть зеркало в направлении движения волны, и зеркалоповорачивается вокруг своей оси. Этоприводит к появлению дополнительнойфазовой анизотропии резонатора и возрастанию разностной частоты, что расширяет диапазон управления разностнойчастотой,...

Номер патента: 1460977

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Голкин, Лебедев, Новосельцев

МПК: C08K 13/02, C08L 9/02

Метки: композиция, назначения, полимерная, фрикционного

...ситуации. Кроме того, при стендовыхиспытаниях накладок отмечено воз)пк. иовение вибраций тормоза.Изобретение иллюстрируют примеры, представленные в табл. 1. ПредложеннуЮ композицию изготавливаютюбкам Известным способом, например, изделия (тормозные накладки) и 1 шепложенной композиции изготовлчю ледуюО щим образом при темперлтург 1-35 С В пресс-форме изготовляют Г 1 рпгеть Йощ дэзвмеииеи ЙЭМ 1.я С, ; р: ирувЭ 146 шей сеткой). Затем брикеты помещают в пресс-форму, разогретую до 150- 200 С и выдерживают под давлейиЕМ 20-100 ИПа в течение 0,51,5 мнн на 1 мм толщины изделия. При необходимости изделия подвергают дополнительной термической обработке при 80 " 250 С в течение времени, достаточного для отверждения связующего. Появ" ление...

Номер патента: 1460985

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Засова, Кириллов, Курапова, Парменычева, Плеханова, Порошин, Прозоров, Савинский, Ширяева

МПК: C09K 3/10

Метки: герметизирующая, композиция

...СКТН-Г, метилфеннлднметнлполисилоксанднол СКТНФ"6 или метил- трифторпропилдиметилполисилоксандиол, в качестве этилсиликата " этилси" ликатили этилсилихат, в качестве харбоксилата диалкилолова -. дизтилдикаприйат или дибутилдиаце" твт олова. 1 табл. 2СКТНФ-б (ТУ 38.03129-77) или мстилтрифторпропилдиметипполисилоксандиол СКТНФТ.(ТУ 38.03124-80), в качестве этилсилнквтв - этилсилнкатипи этилсиликат, в качестве хар" 1 боксилатадиалкил олова - диэтилдикап рилат олова илн дибутилдиацетат олова, 8-охсихинолин соответствует.ГОСТ 5847 Уб.Композицию получают поной загрузкой всех компонекость, снвбаенную механичекалкой, к перемещиввнием в5-10 мин. Нанесение компоэЮ верхность прокладки осущесщЭ 14 каин, ракилсм, окунанием или при помющи...

Номер патента: 1405361

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Глушко, Кричков, Помазенко, Пушных, Савостиков, Сергеев

МПК: C23C 14/32

Метки: вакууме, ионно-плазменной, подложек

...счет сил трения части нижней торцовой поверхности с рифленойповерхностью выступа приходят но вра -щательное движение вокруг собствен 140536115 20 25 30 35 40 50 ной оси и проходят через зону обработки ионным пучком как от верхнего,так и от бокового источника ионов.Таким обра зом, обработке поднергаются верхняя торцовая и боковая поверхности подложек 7. При необходимостина вращающиеся подложки 7 можно подать регулируемый (от 200 до 70000 В)эдектрический потенциал и, не снимаяего, переместить подложки 7 иэ однойпозиции обработки в другую.Во второй позиции 4 обработка осуществляется аналогичным образом (сосменой вида рабочего вещества - ионовв зависимости от требований техпроцесса).В позиции 3 обработки можно осуществить процесс...

Номер патента: 708924

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Демкин, Елесин

МПК: H01S 3/227

Метки: газового, излучения, лазера, металла, мощности, парах, стабилизации

...отклонения напряжения горения.Введением разлицных корректирующих звеньев также сложно добитьсяжелаемого результата, так как возмущающие воздействия различны по вели"чине, времени и скорости воздействия,Цель изобретения - повышение чувствительности и точности стабилизации З 5мощности излучения лазера,Поставленная цель достигаетсятем, что в зоне выхода источникапаров металла установлен терморезистор, соединенный с резистором дат- ,щчика напряжения горения.На чертеже представлена структурная схема устройства стабилизациимощности газового лазера.Устройство содержит источник питания 1, соединенный с лазером 2, источник 3 паров металла, вход которого соединен с выходом источника питания 4 нагревателя, управляемоговыходным сигналом устройства...

Номер патента: 1407345

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Аронов, Васильев, Десятов, Морозов, Родионов

МПК: H01L 29/73

Метки: свч-транзистор

...позволяет раменения СВЧ"тран0( Од.м(бобщл,и индуктивность общего электрода транзистора, включающая индуктивность базыи внешнюю индуктивностьмонтажа;импульсный ток эмиттерапосле завершения переходного процесса;максимальное обратное напряжение эмиттбр-база;требуемая длительностьФронта радиоимпульсов.:ьмекс Составитель Н. Гусельников Техред К,Дидык Корректор Э, Лончакова Редактор Н.Коляда Заказ 3475 Тираж Подписное ВВИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий13035, Иосква, Ж, Раушская наб., д, 4/5аеПроизводственно-полиграФическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к полупроводниковой технике.Целью изобретения является снижение длительности Фронтов радиоимлульса усиливаемого...

Номер патента: 1407367

Опубликовано: 30.08.1992

Автор: Чуляева

МПК: H01S 3/13

Метки: газовый, лазер, частотно-стабилизированный

...наклонена, по крайней мере, одна иэ торцовых граней призмы к оптической оси резонатора выбирается из соотношенияяо Ь и М = 90 - агсз ьп - (и- пв )з 1 пфЙри этом 1 = - - --1 югде Ь - длина резонатора,и1, 2, 3;Ь - длина призмы;и- коэффициент преломления необыкновенного лучаи, - коэффициент преломления обыкновенного луча;- угол между оптической осьюпризмы и волновой нормальюлуча;% - длина волны излучения,Сигналы с фотоприемников, где световые лучи преобразуются в электрические сигналы, поступают на системуАПЧ 5, На выходе системы сигналы, вычитаясь и усиливаясь, поступают науправляющий элемент 2, вызывая изме"ленце частоты в направлении установ"ления равенства сигналов.Р: данном лазере достигается повышение стабильности частоты,...

Номер патента: 649273

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Власов, Перебякин, Тимошенко

МПК: H01S 3/038

Метки: газового, газоразрядная, лазера, трубка

...к электродам напряжение становится недостаточным для поддержания условия стационарности в окружающем точку пространстве, В нем образуется всеменьше ионов, чем нужно для сохра"нения плотности стационарного заряда,и она прогрессирующе уменьшается,Меньшая плотность тем более не можетостаться стационарной, Разряд кон"центрируется, т,е. на некоторых участках поверхности катода плотностьтока увеличивается до величины, соответствующей установившемуся минимальному напряжению, а на других участках уменьшается до нуля, а этоприводит к интенсивному распылениюкатода и изменению параметров рабочейсреды,Цель изобретения - повышениестабильности разряда.Это достигается тем, что на рабочую поверхность анода нанесена полу- проводящая пленка с удельным...

Номер патента: 538649

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Виневич, Красуцкий, Печенин, Соллогуб

МПК: H01S 3/081

Метки: генератор, квантовый, оптический

...из двухвзаимно перпендикулярных зеркал,Для повышения деформационной устойчивости известного ОКГ в качестве несущей конструкции использована гранитная плита, В результатеустройство усложняется и увеличивается его вес.Цель изобретения - повышение леформационной устойчивости многоэлементных ОКГ без усложнения конструкции,занная цель достигаеглы между промежуточи, расположенными наи того же активного э180ы , гре щ - числоШ ементов в соседнем рНа фиг.1 схематично показан предложенный ОКГ с пятью активными элементами, где 1 - активные элементы, 2 - попарно расположенные промежу" точные зеркала; 3 - концевые зеркала,На фиг. 2 приведена схема ОКГ в поперечной плоскости, на которой кружками обозначены активные эле" 1 О менты, сплошными и...

Номер патента: 1468293

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Печенкин, Сметанин, Толмачева

МПК: H01J 1/30

Метки: взрывоэмиссионный, катод

...После этого необходима длительная 300 мкс пауза, в течение которой плазма рекомбинирует а зазорвосстанавливает свой первоначальныйимпенданс.На чертеже представлено предлагаемое устройство.Он содержит криогенное устройство1, внутри которого установлена про водящая, герметичная камера 2, эаполненная водой 3, торец катода закрыткрьппкой 4, выполненной нэ пористогопроводящего материала слой льда 5,намороженный на крьппке.Устройство работает следукщим образом.Криогенное устройство 1 включается.и вода 3, находящаяся в герметичной камере 2, замерзает, а посколькупри переходе воды из жидкого состоя" 45ния в твердое происходит увеличениеобъема, то часть воды в виде слояльда 5 оказывается намороженной наповерхности пористой крышки 4....

Номер патента: 1416005

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Базилев, Кодылев, Медведева, Трусов, Холопова

МПК: H01S 3/034

Метки: активного, газового, лазера, элемента

...состоянии. При температуре, меньшей 250 С, происходит неполное удаление пленки с поверхности окна. В этом отношении оптимальным вариантом конструкции являются узлы со сварным соединением окон, которые можно подвергнуть обработке при максимальной температуре с целью удаления пленки с внутренней поверхности окна.1416005 5 10 15 20 25 30 35 40 45 БО формула иэ обретения Дальнейшее повышение температуры нагрева, например, до 540 С для ЛК позволяет снять напряжения в окнах, .Время выдержки 15-90 мин определяется, с одной стороны, временем,достаточным для удаления пленки(15 мин), с другой сторонй, временем,исключающим разрушение узла и дополнительное гаэовыделение для всех типов соединений (90 мин) (участок 4,фиг. 6). Для цельносварных...