Сидоров

Номер патента: 1829787

Опубликовано: 27.04.2002

Авторы: Андреев, Барышев, Сидоров, Столяров

МПК: H01L 21/66

Метки: мдп-структур, микропробоя

Способ измерения напряжения микропробоя МДП-структур, заключающийся в том, что МДП-структуру заряжают путем пропускания прямоугольного импульса тока и одновременно измеряют временную зависимость напряжения на МДП-структуре, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени измерения и упрощения способа, одновременно с МДП-структурой заряжают емкость сравнения произвольной величины, определяют отношение емкости МДП-структуры к емкости сравнения n = Cмдп/Cср, при этом заряжают МДП-структуру импульсом тока с амплитудой Iмдп = k Iпор, где Iпор - пороговая величина тока; k -...

Номер патента: 1464863

Опубликовано: 20.07.2000

Авторы: Воздвиженский, Сидоров

МПК: H01H 33/59, H01T 2/00

Метки: вакуумный, разрядник, управляемый

Вакуумный управляемый разрядник, содержащий два основных электрода, управляющий электрод и размещенные между одним из основных и управляющим электродами несколько диэлектрических и разделяющих их металлических вставок, образующих электрические емкости, отличающийся тем, что, с целью уменьшения времени срабатывания, уменьшения напряжения поджига и увеличения срока службы, рабочие поверхности диэлектрических вставок вынесены на поверхность основного электрода, обращенную в сторону противоположного основного электрода, а электрические емкости промежутков и внешние периметры диэлектрических вставок выбраны в соответствии с соотношениямиСn+1/Сn > 2;...

Номер патента: 511755

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Васильева, Дворецкий, Сидоров

МПК: H01L 21/205

Метки: n+-слоев, арсенида, галлия, кристаллах, пленках

Способ получения n+-слоев на кристаллах и пленках арсенида галлия в кварцевом реакторе при выращивании из газовой фазы или при отжиге пластин, отличающийся тем, что, с целью получения поверхностных слоев с концентрацией носителей до 1019 см-3, в газовую фазу вводят треххлористый алюминий в концентрации, большей, чем содержание кислорода и кислородсодержащих соединений, например при содержании в газовой фазе паров воды ~ 2 10-5 атм, концентрация вводимого треххлористого алюминия составляет 3,5 10-4 атм.

Номер патента: 1128700

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Воздвиженский, Иванов, Сидоров

МПК: H01H 9/30

Метки: выключатель, высоковольтный, постоянного

Высоковольтный выключатель постоянного тока, содержащий главные контакты, коммутирующие цепи по крайней мере двух ступеней коммутации, каждая из которых включает в себя последовательно соединенные управляемый ключ и предварительно заряжаемый конденсатор, причем коммутирующая цепь первой ступени коммутации включена параллельно главным контактам, отличающийся тем, что, с целью упрощения устройства и повышения его надежности, в него введены последовательные цепи по числу ступеней коммутации, состоящие из диода и резистора, причем коммутирующая цепь каждой ступени коммутации, начиная со второй, включена параллельно управляющему ключу предыдущей ступени коммутации, каждая из последовательных...

Номер патента: 1424631

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Басовский, Зданович, Кац, Орехов, Сидоров

МПК: H01L 21/208

Метки: p-p+-структур, кремниевых, н-п.и, непланарных, приборов

Способ изготовления n-p+- и p-p+ - структур кремниевых непланарных приборов, включающий заполнение промежутка между кремниевой монокристаллической пластиной-подложкой и пластиной-источником расплавом алюминия и последующее проведение зонной перекристаллизации в поле с градиентом температур, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур за счет уменьшения удельного сопротивления p+-слоя, в качестве пластины-источника используют пластину поликристаллического кремния, легированную бромом до уровня 1020 - 3 1020

Номер патента: 1701087

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Воздвиженский, Демидов, Лавринович, Сидоров

МПК: H01T 2/02

Метки: вакуумный, разрядник, управляемый

Управляемый вакуумный разрядник, содержащий два соосных основных электрода с расположенными по окружности выступами переменного сечения по высоте на обращенных друг к другу торцах, направленными вдоль оси электродов, между обращенными друг к другу рабочими боковыми поверхностями которых образованы искровые промежутки, отличающийся тем, что, с целью повышения ресурса, протяженность указанных искровых промежутков выбрана минимальной в средней части выступов и максимальной у концов выступов, причем hмакс и hмин протяженности искровых промежутков выбраны в соотношении 1,1 hмакс/hмин...

Номер патента: 1178286

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Воздвиженский, Сидоров

МПК: H01T 2/02

Метки: вакуумный, разрядник, управляемый

Управляемый вакуумный разрядник, содержащий установленные в вакуумированном корпусе основные электроды, один из которых выполнен с отверстием, в котором установлен поджигающий электрод, отделенный от указанного основного электрода диэлектрической втулкой, и генератор поджигающих импульсов, подключенный между основным электродом с отверстием и поджигающим электродом, отличающийся тем, что, с целью повышения срока службы, повышения частоты срабатывания и уменьшения времени включения, подключение поджигающего электрода к указанному генератору выполнено через дополнительно введенный искровой промежуток, образованный между нерабочим концом поджигающего электрода и дополнительно введенным...

Номер патента: 1405668

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Воздвиженский, Сидоров, Татарников

МПК: H01T 2/02

Метки: вакуумный, разрядник, управляемый

Вакуумный управляемый разрядник, содержащий анод и катод и поджигающий электрод, установленный в отверстии анода или катода, отличающийся тем, что, с целью уменьшения времени срабатывания и повышения срока службы, радиусы кривизны r и R взаимно обращенных рабочих поверхностей соответственно анода и катода, расположенных на кратчайшем расстоянии от поджигающего электрода, и расстояние H между рабочими поверхностями анода и катода выбраны в соответствии с соотношениями1,1 R/r 6; r 0,5H.

Номер патента: 706994

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Максимов, Сидоров

МПК: C30B 25/02

Метки: переменного, состава, структур, эпитаксиальных

Способ получения эпитаксиальных структур переменного состава на основе твердых растворов полупроводниковых соединений III-V методом газовой эпитаксии, включающий подачу в зону осаждения галогенидов, элемента III группы из его источника и паров элемента V группы потоком газа-носителя и изменение состава подаваемой парогазовой смеси в процессе осаждения, отличающийся тем, что, с целью расширения интервала изменения состава твердого раствора и упрощения процесса, для элемента III группы используют источник с полузакрытой поверхностью, а изменение состава парогазовой смеси ведут путем изменения подачи галогенида элемента V группы за время 0,01 - 1,0 мин.

Номер патента: 948170

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Кантер, Сидоров, Шахина

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, монокристаллов, полупроводниковых

Способ выращивания монокристаллов полупроводниковых материалов из расплава в запаянной ампуле, включающий предварительный перегрев расплава, затравливание в носике ампулы и последующую направленную кристаллизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода монокристаллов, предварительный перегрев ведут не более чем на 5-10oC выше температуры плавления, затравливание проводят с регистрацией температуры в носике ампулы, и при наличии пика на температурной кривой процесс затравливания возобновляют.

Номер патента: 524492

Опубликовано: 27.05.2000

Авторы: Дворецкий, Сидоров

МПК: H01L 21/36

Метки: выращивании, газовой, диэлектриков, зоне, кислорода, кислородсодержащих, летучих, полупроводников, реакционной, слоев, соединений, фазы, эпитаксиальных

Способ очистки газовой фазы от кислорода и летучих кислородсодержащих соединений в реакционной зоне при выращивании эпитаксиальных слоев полупроводников и диэлектриков, отличающийся тем, что, с целью выращивания полупроводников и диэлектриков в атмосфере с содержанием кислорода и летучих кислородсодержащих соединений меньше 1 ppm, очистку производят в реакционной зоне в процессе выращивания путем введения в газовую фазу реакционной зоны контролируемого количества элемента, не являющегося электрически активной примесью и образующего прочные соединения с кислородом, например алюминия, при выращивании полупроводников типа A3B5.

Номер патента: 531430

Опубликовано: 20.05.2000

Автор: Сидоров

МПК: H01L 21/20

Метки: арсенида, газотранспортной, галлия, источник, эпитаксии

1. Источник галлия для газотранспортной эпитаксии арсенида галлия, представляющий собой кварцевую лодочку закрытого типа, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности работы и уменьшения времени насыщения источника, в отверстие источника опущен капилляр, имеющий на другом конце развитую поверхность контакта с газовой фазой.2. Источник по п.1, отличающийся тем, что капилляр образован близкорасположенными пластинами из материала, смачиваемого галлием, например вольфрама, имеющего отверстия в верхнем конце пластины.3. Источник по п.1, отличающийся тем, что капилляр образован спиралью, намотанной на пластину.

Номер патента: 1665704

Опубликовано: 20.03.2000

Авторы: Кулебякина, Матвеев, Миронов, Сидоров, Струев, Юшкин

МПК: C22C 1/02

Метки: жаропрочных, никелевой, основе, сплавов

Способ получения жаропрочных сплавов на никелевой основе, включающий загрузку неактивных компонентов шихты, плавление, рафинирующую выдержку и введение в расплав активных легирующих элементов, отличающийся тем, что, с целью снижения себестоимости и повышения качества ренийсодержащих сплавов, введение рения осуществляют во время рафинирующей выдержки в интервале от 10 до 50% ее длительности в виде лигатуры, содержащей рений и металлы из группы: Ni, W, Mo, Al, а также кальций Са и/или Mg в количестве 0,003 - 0,100 мас.%.

Номер патента: 1709738

Опубликовано: 20.03.2000

Авторы: Апальков, Кепов, Матвеев, Миронов, Сидоров, Струев

МПК: C22C 1/02

Метки: жаропрочных, литейных, никелевой, основе, сплавов

1. Способ получения литейных жаропрочных сплавов на никелевой основе, включающий загрузку и расплавление шихтовых свежих материалов и отходов в вакууме, рафинирование, введение активных легирующих элементов и слив металла, отличающийся тем, что, с целью повышения жаропрочных свойств и сокращения энергозатрат, первоначально осуществляют загрузку и подплавления свежих шихтовых материалов, затем вводят отходы, рафинирование проводят в течение 10 - 20 мин при температуре, определяемой из уравненияТ = (1550 - 1570oC) + [20oC 0,1 (К - 10)],где К - количество используемых отходов, мас.%.2....

Номер патента: 851836

Опубликовано: 10.02.2000

Авторы: Абдрахманов, Балабашин, Блинков, Евстафьев, Зайнуллин, Ишимов, Мелинг, Порунов, Сафонов, Сидоров

МПК: B21D 39/14

Метки: развальцовки, труб

Устройство для развальцовки труб, содержащее корпус и установленную на нем под углом к оси корпуса вальцовку, смонтированную в подшипниках на цапфе, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции и расширения технологических возможностей путем обеспечения возможности развальцовки труб с продольными гофрами, вальцовка выполнена в виде шарового сегмента с пазами на наружной поверхности, расположенными вдоль оси цапфы.

Номер патента: 474272

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Кизирия, Кравченко, Подопригора, Потехина, Серегин, Сидоров, Силина, Станьков, Сухаренко, Хоргуани, Шишкин

МПК: C06B 21/00, F42B 12/58

Метки: противоградовых, снаряжения

Способ снаряжения противоградовых изделий, включающий операции равномерного смешения гексогена и активного реагента, прессования из смеси шашек и заполнения ими каморы изделия, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода активных ядер кристаллизации и обеспечения надежного дробления оболочки на безопасные осколки, заполнение каморы изделия производят в ее центральной части шашками из флегматизированного гексогена и активного реагента, например ацетилацетоната меди, в отношении по весу 20 : 80 - 60 : 40, запрессованными с коэффициентом уплотнения 0,9 - 0,95, и по периферии к стенкам - шашкам указанного взрывчатого вещества одного без реагента, обеспечивая при этом соотношение реагента и...

Номер патента: 1443309

Опубликовано: 10.01.2000

Авторы: Захватов, Панфилов, Рожков, Сидоров, Томашевский, Яковлев

МПК: B29C 43/20

Метки: основе, связующего, стеклопластика, толстостенных, эпоксидианового

Способ изготовления толстостенных изделий из стеклопластика на основе эпоксидианового связующего, включающий раскрой препрега, укладку его на предварительно подогретую прессформу, таблетирование, выдержку при температуре под давлением, охлаждение и распрессовку, отличающийся тем, что, с целью повышения качества изделий путем устранения расслоений, на этапах нагревания и выдержки на поверхностях изделия, перпендикулярных плоскости армирования, поддерживают температуру ниже температуры гелеобразования связующего на 5 - 10oС в течение времени, соответствующего длительности выдержки при температуре полимеризации связующего на поверхностях, параллельных плоскости армирования, затем...

Номер патента: 660453

Опубликовано: 20.12.1999

Авторы: Семеновых, Сидоров, Стерхов, Стронский

МПК: F41A 31/00

Метки: испытаний, оружия, станок, стрелкового

Станок для испытаний стрелкового оружия, содержащий неподвижное основание, переднюю и заднюю опоры, узлы крепления оружия и амортизатор, отличающийся тем, что, с целью повышения кучности боя и исключения деформации ложи испытуемого оружия в местах крепления, в нем передняя и задняя опоры соединены с узлами крепления и основанием посредством шарниров, снабженных радиально-упорными подшипниками и устройствами выбора зазоров, каждое из которых выполнено в виде подвижного и неподвижного упоров, взаимодействующих с подшипниками, и регулировочной гайки с фиксатором.

Номер патента: 848966

Опубликовано: 20.12.1999

Авторы: Бравичев, Молоков, Сидоров

МПК: F41G 1/02

Метки: мушка, прицела, прямоугольная

Прямоугольная мушка прицела, содержащая кольцевой корпус и прицельный пенек, размещенный внутри, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности прицеливания и уменьшения времени наведения оружия на цель, в ней прицельный пенек снабжен двумя вертикальными нитеобразными элементами, укрепленными на боковых сторонах пенька и на верхней части корпуса, и горизонтальным нитеобразным элементом, проходящим через вершину пенька.

Номер патента: 1028197

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильева, Дворецкий, Максимов, Сабинина, Сидоров, Шахина

МПК: H01L 21/324

Метки: xsnxte, полупроводниковых, соединений

Способ обработки полупроводниковых соединений PbTe и Pb1-х Snx Te, включающий загрузку в ампулу образца, вещества - источника паров, откачку воздуха из ампулы, заполнение ампулы водородом и диффузионный отжиг, отличающий тем, что, с целью снижения температуры отжига и расширения интервала регулирования концентрации электронов в полупроводниковых соединениях, качестве вещества - источника паров - загружают PbBr2 в количестве 0,1 = 1 г, а отжиг проводят при температуре образца 623 - 873 К и температуре навески PbBr2 573 - 773 К.

Номер патента: 1028198

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильева, Дворецкий, Максимов, Сабинина, Сидоров, Шахина

МПК: H01L 21/324

Метки: xsnxte, полупроводниковых, соединений

Способ обработки полупроводниковых соединений PbTe и Pb1-x Snx Te, включающий загрузку в ампулу образца, вещества - источника паров, откачку ампулы, заполнение ампулы водородом и диффузный отжиг, отличающий тем, что, с целью обеспечения возможности независимой регулировки концентрации носителей заряда в обработанном материале и скорости диффузии, в качестве вещества - источника паров - в ампулу загружают PbBr2 в количестве 5 - 10oC10-3 г на 1 см3 объема ампулы и теллур в количестве 4,55 - 85,5oC 10-6 г на 1 см3 объема ампулы.

Номер патента: 786720

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Дворецкий, Сидоров

МПК: H01L 21/368

Метки: поверхности, полупроводников

Способ обработки поверхности полупроводников, состоящий в удалении остаточного раствора-расплава с поверхности подложки механическим путем, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии получения гладкой, свободной от образований поверхности, удаление осуществляют путем приведения поверхности с остаточным раствором-расплавом в контакт с системой капилляров, охватывающей всю обрабатываемую поверхность.

Номер патента: 1398154

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Сидоров, Хвостанцев, Яковлев

МПК: B01J 3/06

Метки: давления, сверхвысокого, создания

Устройство для создания сверхвысокого давления, содержащее матрицу с центральным отверстием, пуансон, прокладку из пластического материала, нагреватель и контейнер с образцом, отличающееся тем, что, с целью увеличения срока службы устройства, пуансон выполнен цилиндроконическим с диаметром, меньшим диаметра центрального отверстия, и составленным по высоте из нескольких поршней, разделенных пластичными прокладками в виде фигурной шайбы с отверстием, в котором установлен медный диск, причем кольцевая часть шайбы размещена в кольцевом зазоре между пуансоном и отверстием матрицы, нижняя часть пуансона, обращенного к образцу, выполнена в виде усеченного конуса с углом при вершине 20 -...

Номер патента: 1137779

Опубликовано: 27.09.1999

Авторы: Бухарцев, Николаев, Орлов, Сидоров, Хвостанцев

МПК: B01J 3/06, C30B 7/10

Метки: высокого, давления, ячейка

Ячейка высокого давления, содержащая исследуемый образец, контейнер, нагреватель, рабочую термопару в зоне размещения образца, контрольный датчик давления и теплоизоляционную прокладку, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности измерения давления, она дополнительно содержит контрольную термопару и герметичную ампулу с гидростатической средой, в которой размещены контрольный датчик давления и термопара, при этом теплоизоляционная прокладка расположена между образцом и ампулой.

Номер патента: 1202146

Опубликовано: 10.06.1999

Авторы: Бакланов, Корнилов, Косов, Миронцев, Осипов, Сидоров, Трухан, Чернышев

МПК: B21H 1/18

Метки: поперечно-клиновой, прокатки

1. Устройство для поперечно-клиновой прокатки, содержащее два приводных вертикальных рабочих валка, проводку, установленную над рабочими валками и имеющую рабочий канал, ось которого совмещена с осью прокатки, и узел для поштучной подачи заготовок в рабочий канал проводки, выполненный в виде копира, закрепленного на одном из рабочих валков, и отсекателя заготовок, установленного над проводкой с возможностью взаимодействия с копиром, отличающееся тем, что, с целью повышения качества изделий путем обеспечения температурного режима горячей прокатки, оно снабжено вертикальным проходным нагревателем, установленным над отсекателем заготовок, проводка выполнена с отводным каналом для удаления...

Номер патента: 1526337

Опубликовано: 10.08.1998

Авторы: Горбачев, Жетлухин, Кан, Кондратюк, Копытов, Николаев, Поддубный, Сидоров, Соркин, Строганов, Чекалина, Янковский

МПК: E21B 33/138

Метки: водопритоков, ограничения, состав, эмульсионный

Эмульсионный состав для ограничения водопритоков, включающий нефть, воду и добавку, отличающийся тем, что, с целью повышения его водоизолирующей способности за счет уменьшения начальных величин вязкости и статического напряжения сдвига, в качестве добавки он содержит этилсиликат при следующем соотношении компонентов, мас.%:Нефть - 20 - 60Этилсиликат - 10 - 45Вода - Остальноеи

Номер патента: 1540359

Опубликовано: 27.06.1998

Авторы: Анисимов, Герштанский, Есенжанов, Кан, Крикунов, Поддубный, Сидоров, Соркин, Фархутдинов

МПК: E21B 43/22

Метки: ингибиторами, парафиноотложений, скважин, солеи

Способ обработки скважин ингибиторами соле- и парафиноотложений, включающий закачку в призабойную зону пласта ингибитора и его извлечение в скважину, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности способа в обводненных скважинах за счет увеличения длительности ингибирующего действия и увеличения производительности скважин, перед закачкой ингибитора в призабойную зону пласта осуществляют закачку ингибитора соле- и парафиноотложений в обводненную часть призабойной зоны пласта, а после закачки ингибитора в обводненную часть призабойной зоны пласта закачивают материал, увеличивающий в 2 - 100 раз фильтрационные сопротивления на пути извлечения ингибитора из обводненной призабойной зоны пласта в скважину.

Номер патента: 1383969

Опубликовано: 20.07.1997

Авторы: Долик, Духопел, Ельницкая, Ефимов, Жданова, Константиновская, Серегин, Сидоров, Тульева, Федина

МПК: G01B 9/02

Метки: интерферометр, лучей, обратнокруговым, ходом

Интерферометр с обратнокруговым ходом лучей для контроля формы вогнутых сферических и асферических поверхностей оптических деталей, содержащий лазерный источник поляризованного света, последовательно расположенные по ходу потока излучения коллиматорный объектив, установленный с возможностью перемещения вдоль направления излучения, образующие зеркально-призменную систему светоделитель, выполненный в виде призмы-куба, плоское зеркало, симметричный высокоапертурный объектив и двугранное зеркало и наблюдательную систему, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и производительности контроля, лазерный источник поляризованного света выполнен двухчастотным с взаимно перпендикулярной поляризацией частотных компонент излучения в одном...

Номер патента: 1157865

Опубликовано: 10.06.1997

Авторы: Балашов, Герасимов, Глезер, Голубовский, Должанский, Журавлева, Зуев, Кишкин, Ларионов, Логунов, Морозова, Панкратов, Петрушин, Сидоров, Соболев, Чумаков, Шпунт

МПК: C22C 19/05

Метки: никеля, основе, сплав

Сплав на основе никеля, содержащий углерод, хром, кобальт, вольфрам, молибден, ниобий, алюминий, бор, ванадий, церий, иттрий, лантан, отличающийся тем, что, с целью улучшения литейных свойств, повышения жаростойкости и жаропрочности, он дополнительно содержит рений и тантал, при следующем соотношении компонентов, мас.Углерод 0,02 0,5Хром 2,0 10,0Кобальт 5,0 15,0Вольфрам 2,0 10,0Молибден 0,5 5,0Ниобий 1,1 5,0Алюминий 4,5 8,0Бор 0,01 0,2Ванадий 0,1 3,0Церий 0,005 0,1Иттрий 0,005 0,05Лантан 0,001 0,2Рений 1,0 5,0Тантал 1,0 9,0Никель Остальное

Номер патента: 1834489

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Кожанов, Никитин, Сидоров

МПК: G01B 5/20, G21C 17/00

Метки: искривления, каналом, непрерывного, реактора, технологическим, уран-графитового, ячеек

...торцами, датчик с плунжером, взаимосвязанный с первой втулкой, и опорное кольцо, отличающееся тем, что, с целью повышения чувствительности устройства и точности измерения, оно снабжено трубой, охватывающей втулки и предназначенной для установки в технологический канал, датчик установлен на ее конце в верхней части технологического канала, опорное кольцо жестко установлено на другом конце трубы и взаимосвязано с торцом последней втулки, труба и втулки выполнены перфорированными и из того же материала, что и технологический канал, втулки выполнены односторонних зазоров Л между втулками в искривленной ячейке.Устройство с технологическим каналом для непрерывного измерения искривления ячеек уран-графитового реактора содержит...