H01L 21/00 — Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей

Номер патента: 1215081

Опубликовано: 28.02.1986

Авторы: Попова, Суслов

МПК: G03C 11/04, H01L 21/00

Метки: фотошаблонов

...Светочувствительного покрытия не превышает нескольких микрон. Образуемый вторым слоем гарантированный зазор между фотошаблоном и подложкой УФЭ не приведет к искажениям изображения при последующих фотолитографических операциях.В качестве светочувствительного слоя можно использовать негативно работающие диазосоединения с различными механизмами образования изображения. Например, такие диазосоединения, которые, разрушаясь под действием Уф света, образуют продукты взаимодействия с оставшимися диазосоединениями с образованием красителя.В качестве негативно работающих материалов можно предложить материалы, дающие везикулярное изображение. Диазосоединения являются светочувствительной составной частью этих материалов.При экспонировании слоя...

Номер патента: 1233309

Опубликовано: 23.05.1986

Автор: Мякинченко

МПК: H01L 21/00, H05K 13/02

Метки: виде, групповой, деталями, диска, отверстиями, преимущественно, сборки, стержня, фланцем

...деталей, содержащая раму 21, установленную в шариковых направляющих 22, на раме установ.лены две траверсы 23 с четырьмя отверстиями 24 под стыковочные штыри19 заслонок.В открытом положении заслонок.подвижная опора фиксируется относительно виброоснования регулируемымупором 25 и защелкой 26, в закрытом - регулируемом упором 27 и защелкой 28.Ход подвижнои опоры относительновиброоснования равен расстоянию 1между осями Й и Р проема профильныхотверстий 12 заслонок.Для размещения деталей в видедиска с отверстиями, например стеклотаблеток 29, на выводах 30 предназначена кассета 31, в которой233309 4ствуют (с допуском+0,03 мм) координа- там отверстий 32 в кассете 3. Устройство содержит также вибропрйвод виброоснования 1 (не показан)....

Номер патента: 1476555

Опубликовано: 30.04.1989

Авторы: Веселов, Дурново, Красильников

МПК: H01L 21/00, H05K 13/02

Метки: кассета, полупроводниковых, преимущественно, приборов, транспортирования

...пазами 4 корпуса 1. Крьппка 2 для удобства работы снабжена ручкой 10. Узел удержания изде 4 лий в кассете выполнен в виде двух упругих пластин 11 и 12, один конец которых закреплен на крьппке, а на втором конце выполнены Г-образные ототгибы (выступы) 13, перпендикуляр. ные к поверхности пластин, расположенные в сквозных пазах 7 и 8 крышки 2 и перекрывающие осевой канал 3 корпуса. Пластина 11 имеет два боковых симметричных. выступа 14,со скосами, перпендикулярных к ее поверхности, проходящих через пазы 9 крьппки и размещенных в полукруглых пазах 4 корпуса. Пластины 11, и 12 закреплены на крышке 2, Кассета , может быть использована в устройстве для монтажа или транспортирования с манипулятором 15 и упором 16.Для заполнения...

Номер патента: 1684833

Опубликовано: 15.10.1991

Авторы: Альтман, Головнин, Гордон, Деневич, Левин, Рифтин, Сухоруков, Церфас

МПК: H01L 21/00

Метки: герметизации, кассета, полупроводниковых, приборов, эластичная

...3510 ВНИИПИ Государственного 113035, раж Подписноекомитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СС Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина, 10 сеты за счет оптимизации соотношенияглубины ячеек и высоты кассеты, прикоторой достигается максимальный срокслужбы кассеты,Эластичная кассета для герметизации полупроводниковых приборов, выполненная в Форме прямоугольного параллелепипеда с основными ячейками, выполненными на одной из больших сторсн параллелепипеда, о т л и ч а ющ а я с я тем, что, с целью снижения материалоемкости кассеты при повышении ее надежности, на противолежащей большей стороне параллелепипеда выполнены дополнительные ячейки, расположенные зеркально симметрично...

Номер патента: 1705920

Опубликовано: 15.01.1992

Автор: Кабанец

МПК: H01L 21/00

Метки: полупроводниковый, прибор

...рамки в зоне центровки лепестков вчводов имеет рифленую поверхность, выс упы которой выполнены с гарантироанным зазором до 20 мкм относительно размероя кристалла, Во впадинах рифленой повехности отверстия рамки шириной ро 120 мкм и глубиной ро 14 П мкм размещены 16 лепестков, имеющие ширину 100 мкм и толщину 50 мкм, сФормованные из выворов рвухсторонним травлением. Лепестки сформованы в вире уголков со сторонами, имеющими длину по 0,4 мм, разверенными между собой подоуглом 120 , Угол развора лепестков меньше 100 применять нецелесообразно так как не будет обеспеоена ростаточная деформация лепестков, при угле больше 135 лепестки вследствие большой жесткости могут повреждать контакты кристалла, Пт воздействия усилия на стороны...

Номер патента: 1706894

Опубликовано: 23.01.1992

Авторы: Коваленко, Серебрянников

МПК: B41F 17/00, H01G 13/00, H01L 21/00 ...

Метки: ленточном, маркирования, носителе, перфорированном

...на котором имеются две собачки 7,Полэун 6 связан с возвратной пружиной 8 иупирается в регулируемый ограничитель хода ползуна. Устройство снабжено гребенкой 10 с подпружиненными зубьями 11.Маркируемые изделия 12 находятся вленточном носителе 13, который имеет пошаговую перфорацию 14 и окна 15 перфорации (элементы перфорации). 30Маркирующий ролик 2 кинематическисвязан с ползуном 6 через шестерни 16 и 17,коническую передачу 4 и профильный кулачок 5.Устройство работает следующим абраэом.Ленточный носитель 13 подается наползун 6 в зону собачек 7 до их зацепленияс перфорацией 14. Ползун б совершает возвратно-поступательные перемещения от ку лачка 5,и собачки 7 осуществляют пошаговую подачу ленточного носителя 13. Скорость движения ползуна 6...

Номер патента: 1711268

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Варфоломеева, Гордон, Городенская, Дмитриев, Копылов, Сизова

МПК: H01L 21/00

Метки: вольфрамовых, восстановления, молибденовых, термокомпенсаторов

...раствором 8. Способ осу разом.В устройстве фиг.2) проводят удаление металлических покрытий в среде движущегося раствора химического травителя с абразивом. Объем абразива выбирают равным 2,754,35 об.ч., а объем термокомпенсаторов - 0,51,0 об,ч. от объема раствора химического травителя,П р и м е р. Восстанавливают термокомпенсаторыф 24 мм из сплава ТСМ-З, на контактной цилиндрической поверхности которых нанесен слой никеля толщиной 0,01 мм, а на плоскости - слой силумина, имеющий неравномерную толщину 0,1 - 0,2 мм.После операции распайки, при которой удаляют пластину 3 кремния, термокомпенсаторы с покрытиями подвергают объемной виброобработке в виброустановке с контейнером тороидальной формы емкостью 60 л, В качестве гранул абразивного...

Номер патента: 1775752

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Банный, Петкевич

МПК: H01L 21/00

Метки: базовому, ориентации, подложек, полупроводниковых, срезу

...полупроводниковую подложку на полный оборот, осуществлять преобразование профиля подложки в электрический сигнал, анализировать в нем количество импульсов, находить из них наибольший,Использование вместо датчиков угла поворота и базового положения кругового потенциометра с линейным сигналом, зависящим только от угла поворота столика, позволяет находить середину наибольшего бокового среза путем нахождения полусуммы величин сигнала от этого же потенциометра в моменты открытия и перекрытия оптронной пары регистратора базового среза, Уравнивание сигнала потенциометра с вычисленной полусуммой приводит к подводу середины базового среза подложки к базовой точке, т,е, к ориенггцгги подложки в базовом положении. На основании вышеизлокеннпго,...

Номер патента: 1795527

Опубликовано: 15.02.1993

Автор: Добродеев

МПК: H01L 21/00

Метки: герметизации, интегральных, схем

...При ши рине пазов меньше 20 увеличивается ве-. роятность непопадания вывода в паз и его эакусывание; больше 30 ф 6 между пазом и выводом остаются зазоры, в которые вытекает пресс-композиция, образуя на выводах 15 трудно удалимцй облай, Указанные осо"енности предложения представляют собой его отличия от прототипа и обуславливают новизну предложения. Эти отличия являются сущсств".иными, поскольку именно они 20 обуславливают достижение положительного эффекта, отраженного в цели изобретения и отсутствуют в других известных технических решениях.На Фиг.1 показана формообразующая 25 полость ни.кней части пресс-формы, с уложенной в нее рамкой, и положение в пазе; на Фиг.2 - рабочая полость пресс-формы с рамкой в сом ну. ом виде и...

Номер патента: 1798947

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Лопатин, Москвичев

МПК: H01L 21/00, H05K 13/00

Метки: выводов, полупроводниковых, преимущественно, приборов, радиоэлементов, рихтовки

...располокен над всей длиной опорной поверхности 15.Рабочие поверхности планки 9 элемента правки механизма рихтовки, опорная поверхность 15 стойки 14 и рабочая поверхность планки 11 прижима механизма фиксации выполнены из полиуретана, обеспечивая необходимый коэффициент трения между деталью 3, взаимодействующей с поверхностями вышеперечисленных элементов.Устройство работает следующим образом,Детали 3 подаются вибролотком 1 и посредством анкеров 2 поштучно загружаются в механизм рихтовки, При вращении двух выходных валов 5 редуктора 4 с равной скоростью и в одну и ту же сторону эксцентрики 6 обеспечивают перемещение корпуса 7 в пространстве по необходимой траектории. В результате перемещения корпуса 7 планка 9 посредством подпружиненных...

Номер патента: 1806418

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Немцев, Орлова, Полякова, Тявловский, Яржембицкий

МПК: H01L 21/00

Метки: однородности, поверхности, полупроводниковых, потенциала, распределения, электрического

...нм и расстоянием между дефектами более 50 нм, На расстояния более нескольких десятков мкм поверхность является статистически однородной.П р и м е р 2, Указанная в примере 1 последовательность операций была повторена при использовании в качестве объекта измерения эпитаксиальной пленкивыращенной на кремниевой пластине с полностью удаленным нарушенным слоем, Получены следующие результаты измерения.При изменении расстояния от отсчетного электрода до поверхности от 0,37 до 1,2 мм минимальное и максимальное значения потенциала составили 268 и 276 мВ, а их полураэность 4 мВ. Микроморфология поверхности характеризовалась однороднымраспределением точечных микродефектов с регулярным пространственным распределением и средним расстоянием между...

Номер патента: 2004036

Опубликовано: 30.11.1993

Автор: Иовдальский

МПК: H01L 21/00, H05K 5/00

Метки: гибридная, интегральная, квч-схема, свчи

...р и м е р. Гибридная интегральная СВЧ-схема содержит твердую диэлектрическую плату 1, выполненную, например, из поликара толщиной 0,5 или 1 мм, имеющую топологический рисунок металлизации 2 на лицевой стороне и экранную заземляющую металлизацию 3 на обратной стороне, Структура металлиэации может быть, например, Т 1 толщиной, обеспечивающей сопротивление пленки (100.0 мсм ), - Ро (0,2 мкм) - Ац (3 мкм) или Сг(100 Омlсм ) - Сц напыленная (1 мкм) - Сц гальваническая (3 мкм) - Ю гальванический (0,6 мкм) -Ац тальваническое (3 мкм), Конденсатор 4, например, ТС 7,088.005-20 (ТС 0.707.001 ТУ) толщиной 0,15 мм расположен и закреплен электропроводящим связующим веществом, например припоем эвтектического состава Ац - Я или Ац - Ое или клеем...

Номер патента: 1681694

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Губин, Катин, Острецов, Стадник, Шамардин

МПК: H01L 21/00

Метки: корпус, микросхемы

КОРПУС ДЛЯ МИКРОСХЕМЫ, содержащий керамическую плату с контактными площадками и выводную рамку с наружными и внутренними частями выводов, соединенными с контактными площадками, отличающийся тем, что, с целью улучшения технологичности, керамическая плата выполнена пирамидальной, с боковыми гранями в виде ступеней одинаковой высоты, на которых размещены контактные площадки, образующие симметричные группы, состоящие из центральной площадки, расположенной на верхней ступеньке, и пар зеркально симметричных площадок на нижележащих ступеньках платы, при этом внутренние части выводов выполнены в виде обнисок.

Номер патента: 1526508

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Горлов, Кальянов, Тетерьвов

МПК: H01L 21/00

Метки: двухкоординатный, стол

1. ДВУХКООРДИНАТНЫЙ СТОЛ, содержащий основание, продольную каретку с направляющими, закрепленными на основании, поперечную каретку с направляющими, закрепленными на продольной каретке, шаговые приводы продольной и поперечной кареток, выполненные в виде пневмо- или гидроцилиндров с подвижными в осевом направлении ползунами с установленными в них с возможностью поперечного перемещения поводковыми штырями, и шаговые рейки продольной и поперечной подач, неподвижно закрепленные на каретках, отличающийся тем, что, с целью расширения эксплуатационных возможностей, он снабжен дополнительным приводом в виде пневмо- или гидроцилиндра с ограничителями его хода, при этом шток дополнительного привода совмещен со штоком основного привода продольной...

Номер патента: 1649955

Опубликовано: 15.12.1994

Авторы: Катин, Стадник, Челноков

МПК: H01L 21/00

Метки: корпусе, микросхемы, сборки

1. СПОСОБ СБОРКИ МИКРОСХЕМЫ В КОРПУСЕ, включающий изготовление керамической платы, формирование на ней токоведущих дорожек, вырубку окна, обжиг платы, сборку основания корпуса, размещение кристалла на основании, разварку проволочных проводников, изготовление и установку крышки на основание и герметизацию корпуса, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и надежности микросхемы, обжиг платы проводят перед сборкой основания, при сборке предварительно осуществляют соединение металлической пластины с металлическим термокомпенсатором, площадь которого выбирают меньше площади сечения окна а в плате, и шлифовку поверхности термокомпенсатора, формирование токоведущих дорожек осуществляют после сборки основания путем напыления...

Номер патента: 1708104

Опубликовано: 27.10.1995

Авторы: Абгарян, Авакян, Будагян, Есаян, Мкртчян

МПК: H01L 21/00

Метки: контактного, соединения

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОНТАКТНОГО СОЕДИНЕНИЯ, включающий последовательное нанесение в вакууме слоев алюминия и промежуточного металла, термообработку и присоединение золотой проволоки микросваркой, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности контактного соединения, в качестве промежуточного металла используют хром, толщину слоя которого выбирают равной 800 1000 а термообработку осуществляют при 450oС в течение 20 мин.

Номер патента: 1799196

Опубликовано: 20.12.1995

Автор: Переверзев

МПК: H01L 21/00

Метки: пластин, полупроводниковых, термообработки

...фоторезистомустанавливается на подложкодержатель 2,нагреваемый с помощью резистивного нагревателя 1 до верхней (конечной) температуры Тк и охлаждаемый с помощьюхолодильника 3 до базовой (начальной) температуры Тн, причем контроль за температурой осуществляется посредством блока 9 управления через термопару 10, являющуюся датчиком температуры. По завершении 5 обработки при температуре Тк полупроводниковая пластина 11 снимается с подложкодержателя 2. Цикл нагрева в процессе обработки завершен и начинается цикл охлаждения, который служит подготовкой к 10 приему следующего изделия, По сигналу иэблока 9 управления открываются клапаны 6, 7 для подачи воды и воздуха соответственно, в результате чего в холодильник 3 по спиралевидному...

Номер патента: 751256

Опубликовано: 27.01.1996

Авторы: Чуйко, Якубинская

МПК: B04B 5/00, H01L 21/00

Метки: нанесения, пленок, тонких

СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК, например пленок фоторезиста на подложки, включающий нанесение на подложку раствора фоторезиста, центрифугирование подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества нанесения на подложку раствора фоторезиста, край стороны подложки, на которую наносят раствор, скругляют по всему периметру.

Номер патента: 1779198

Опубликовано: 10.03.1996

Автор: Зайдман

МПК: H01L 21/00, H05K 3/00

Метки: металлодиэлектрических, подложек, покрытий, стеклокристаллических, термообработки

УСТРОЙСТВО ТЕРМООБРАБОТКИ СТЕКЛОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ МЕТАЛЛОДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК, содержащее камеру нагрева с размещенным внутри нее конвейером, средство изменения скорости перемещения подложки, отличающееся тем, что, с целью повышения качества покрытия, оно снабжено подложкодержателем, выполненным в виде двух профилированных стрержней из жаростойкой стали с упорами на их концах, скрепленных между собой в центре тяжести каждого стержня, и теплопроводящей пластины с упорами, жестко соединенной со стержнями одним своим концом, причем упоры пластины выполнены из материала с большей теплопроводностью и с большим поперечным сечением, чем упоры стержня, средство изменения скорости перемещения подложки выполнено в виде лебедки, барабан...

Номер патента: 1611151

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Абрамян, Есаян, Мкртчян, Петросян

МПК: H01L 21/00

Метки: золото-алюминий, контакта, кремниевой, подложке

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОНТАКТА ЗОЛОТО-АЛЮМИНИЙ НА КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ по авт. св. N 152975, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных и надежности приборов, перед напылением меди алюминиевый слой выдерживают в течение 5 10 мин не нарушая вакуума.

Номер патента: 1101078

Опубликовано: 10.11.1999

Автор: Клименко

МПК: H01L 21/00

Метки: матрица, фотоприемников

Матрица фотоприемников, состоящая из диэлектрической подложки в расположенных на ней фоточувствительных элементов из монокристаллического полупроводникового материала, содержащих фотоприемную и приконтактную области, отличающийся тем, что, с целью увеличения обнаружительной способности, фоточувствительные элементы выполнены переменными по толщине, при этом толщина фотоприемной области в 3 - 10 раз меньше толщины приконтактной области.

Номер патента: 1254960

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Клименко, Недосекина

МПК: H01L 21/00

Метки: микроэлектроники, полупроводниковой

1. Устройство для очистки изделий полупроводниковой микроэлектроники, содержащее воздушное сопло с установленным на нем рабочим органом, отличающееся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных возможностей и повышения качества очистки, рабочий орган выполнен в виде плоской пружины, консольно закрепленной на конце воздушного сопла, и гибкого стержня, закрепленного своим концом на свободном конце плоской пружины.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что гибкий стержень выполнен из вольфрама.

Номер патента: 1607640

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Бальвинский, Копецкий, Маликов, Нисельсон, Шаповал

МПК: H01L 21/00

Метки: металлов, осаждения, слоев, тугоплавких

1. Способ осаждения слоев тугоплавких металлов, включающий гетерогенное активированное плазмой восстановление водородом летучих галогенидов металлов на подложке, отличающийся тем, что, с целью повышения качества слоев при снижении температуры подложки, плазму пространственно отделяют от подложки, для активации водорода используют плазму СВЧ-разряда в условиях электронного циклотронного резонанса, а летучий галогенид металла подают непосредственно к подложке.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что плазму пространственно отделяют от подложки, удерживая ее магнитным полем.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что плазму отделяют от подложки с помощью электростатических сеток.

Номер патента: 519043

Опубликовано: 20.05.2000

Автор: Теплова

МПК: C22C 9/00, H01L 21/00

Метки: n-типа, арсениду, галлия, контактный, материал, омический

Омический контактный материал к арсениду галлия n-типа на основе меди, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры вжигания контакта, материал, кроме меди, содержит олово и галлий, причем меди 70 - 75 вес.%, олова 14 - 17 вес.% и галлия 11 - 13 вес.%.

Номер патента: 1671065

Опубликовано: 27.04.2002

Авторы: Горюнов, Камышный

МПК: H01L 21/00

Метки: полупроводниковый, прибор

Полупроводниковый прибор по крайней мере с одним p-n-переходом одноразового действия, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности пробивного напряжения, в теле базы или на ее поверхности созданы неоднородности, а в зоне омических контактов размещены дозированные запасы электродного сплава, объем которых обусловлен протяженностью и диаметром токопроводящей перемычки, замыкающей в результате пробоя p-n-перехода и высокоомную базу.

Номер патента: 1566912

Опубликовано: 10.08.2005

Авторы: Демещук, Перожок

МПК: G01P 21/00, H01L 21/00

Метки: акселерометра, кремниевого, сборки

Способ сборки кремниевого акселерометра, заключающийся в последовательном сопряжении друг с другом элементов акселерометра и взаимной их фиксации, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности сборки и снижения себестоимости производства, последовательное сопряжение друг с другом элементов акселерометра и взаимную их фиксацию проводят в деионизированной воде, а после взаимной фиксации элементов удаляют из акселерометра остатки жидкости просушиванием при повышенной температуре.

Номер патента: 1840187

Опубликовано: 10.08.2006

Авторы: Бахтин, Гонтарь, Емельянов, Кандыба

МПК: H01L 21/00

Метки: а3в5, анодного, окисления, полупроводниковых, сложных, соединений, электролит

Номер патента: 1373230

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Готлиб, Григоров, Гурский, Зеленин

МПК: H01L 21/00, H05H 1/00

Метки: вакуумно-плазменного, травления

Устройство для вакуумно-плазменного травления, содержащее вакуумную камеру с размещенными в ней механизмом перемещения подложкодержателей и планарной системой электродов, подключенных к источнику ВЧ-мощности, систему газообеспечения, отличающееся тем, что, с целью повышения качества и производительности травления путем устранения загрязнения камеры продуктами износа трущихся частей, механизм перемещения подложкодержателей выполнен в виде магнитопровода с разноименными полюсами, охваченными электромагнитными катушками, образующими магнитную подвеску, включающую подъемные обмотки и обмотку бегущего магнитного поля, подключенные к источникам питания, а подложкодержатели и катод установлены...

Номер патента: 1840825

Опубликовано: 10.07.2012

Авторы: Терехов, Юшина

МПК: H01L 21/00

Метки: электродного

1. Способ получения электродного материала на основе сульфида меди с добавками, основанный на твердофазном синтезе входящих компонентов, отличающийся тем, что, с целью повышения способности материала к интеркаляции, при одновременном увеличении электропроводности и чистоты материала, в качестве добавки используют теллурид и пирофосфат меди, а входящие в состав ингредиенты сплавляют стадийно, с последующей изотермической выдержкой расплава, после чего производят ступенчатое охлаждение.2. Способ получения электродного материала по п.1, отличающийся тем, что вначале сплавляют при 950÷970°C под инертной атмосферой сульфид и теллурид меди, затем вводят в расплав вначале металлическую медь, а после 30-минутной выдержки при...