H01L 21/00 — Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей

Номер патента: 410493

Опубликовано: 05.01.1974

МПК: H01L 21/00

Метки: 410493

...3 установлена на кронштейне 4, смонтированном на конце вала 5. Вал установлен на подшипниках в корпусе 6. Закрепленный на другом конце вала 5 рычаг 7 через ось 8, сухарь 9 и пружину 10 связан с тягой 11, шарнирно соединенной с рычагом 12, который через ролик 13 контактирует с профильным кулачком 14, Рычаг 15 установлен на оси 16. Одно его плечо через ролик 17 взаимодействует с кулачком 18, а другое через регулировочный винт 19 и шток 20 - со сварочной головкой 1.Механизм фиксации сварочной головки выполнен в виде трехплечего рычага 21, установленного на вертикальной оси 22. На двух плечах рычага установлены регулировочные винты 23 и 24, контактирующие соответственно с кронштейном 4, несущим сварочную головку, и неподвижным основанием 25,...

Номер патента: 410494

Опубликовано: 05.01.1974

МПК: H01L 21/00

Метки: 410494

...Между штырями-ловителями 12 размещен рабочий столик 2, смонтированный на микроманипуляторе 3 и выполненный в виде вертикально перемещающейся каретки, приводимой в движение приводом 8 через рычаг 14. Для создания нагружения при сварке рабочий столик 2 снабжен снизу пружиной 15, Ход рабочего столика 2 ограничен двумя упорами 16 и 17, один из которых 16 служит для регулировки расстояния между кристаллом и контактной рамкой при их совмещении, а другой (упор 17) является ограничителем хода рабочего столика 2 при захвате кристалла из кассеты-накопителя 6 аВтооператором 5. Сварочная головка 7 снабжена упором 18, регулирующим опускание сварочного инструмента 19. Визуальный контроль совмещения кристалла с контактной рамкой осуществляется...

Номер патента: 415758

Опубликовано: 15.02.1974

Авторы: Колытин, Комиссаров, Кучеров, Новак, Тригуб, Шаталов

МПК: H01L 21/00

Метки: пластин, полупроводниковых, скрайбирования

...7 установлен на валу 8 и кинемати-.чески связан с механизмом перемещения 9, который имеет столик 10 для закрепления полупроводниковой пластины 11, Каретка 12, сна ряженная резцом 13, подпружиненным с помощью пружины 14, перемещается по направляющим 1 б, которые оснащены демйферным устройством 1 б. Привод холостого хода состоит из цепнойпередачи 17 с захватами 18 и ки нематически связан с механизмом 9 перемещения пластины.Устройство работает следующим образом.Обрабатываемая полупроводниковая пластина 11 закрепляется (например, мастикой) З 0 на столике 10. Поршень 3 посредством тяги413б, кулачка б и вала 8 выводится в крайнееле-, вое положение. Привод холостого хода, управляемый валом 8, выводит каретку 12 с помощью одного из захватов...

Номер патента: 415759

Опубликовано: 15.02.1974

Авторы: Кулешов, Панчев

МПК: H01L 21/00

Метки: выводов, присоединения

...плоского кольца 1, на котором установлен привод сварочного инструмента в виде пневмоцилиндра 2 с поршнем 3 и по меньшей мере два механизма перемещения инструмента. Каждый из механизмов перемещения выполнен в виде П-образного рычага 4, в двух углах которого имеются шарнирные опоры б и б. Через опору б П-образный рычаг крепится к кольцу 1, а к опоре б крепится кронштейн 7, на одном конце которого закрепляется инструмент 8. На другом кронштейне 7 имеются два упора 9 и 10. Упор пружиной 11 прижимается к кольцу 1, а упор 9 устанавливает зазор между кронш. тейном 7 и нижним плечом 12 П-образного рычага 4. Верхним плечом 13 П-образный ры415759 б 010 9 авитель Ю. Цвехред Т. Усков Редактор Л. Цветкова орректор А, Васильева Подписное Тираж...

Номер патента: 421073

Опубликовано: 25.03.1974

Авторы: Артынов, Бичев, Золотаревский

МПК: H01L 21/00

Метки: загрузки, кассету, кристаллов, полупроводниковых, приборов

...ца цих для повторения цикла. вакуумцые присосы каждой из рабочих поверхцостей лотка выполцецы автоцомцыми,На чертежике изображена предлагаемое устройство.5 На столе 1 устройства расположены направляющие решетки 2 с отверстиями и прцемциком для кассет 3. Между решетками ца оси 4 укреплен вибролоток 5, с двух стороц которого имеются канавки с гнездами 6, че рез отверстия в которых происходит вакуумцый присос кристаллов. К корпусу вцбролотка через гибкие штапгц 7 ц трехпозцциоццый распределитель 8 присоедццец форвакуумцый цасос 9. Кристаллы насыпаются ца верхшою 15 сторону вибролотка 5. Вибратор включается,ц детали начинают двигаться по поверхности лотка, заполнял гнезда 6. Как только все гнезда заполнятся деталями, распределителем...

Номер патента: 432618

Опубликовано: 15.06.1974

Авторы: Загайтов, Рков, Северинов, Степанов

МПК: H01L 21/00

Метки: автомат, контактной, полупроводниковыхдиодов, приварки, пружины, формовки

...что приводит к браку на юслсдуощих операциях.Предложенный автомат снабжен механизмом сдвига и фиксации вывода с бусой в момент резки, выполненным в впдс подпружиненного прижима и закрепленной на нем изогнутой пружиной сдвига, что иовьппает :качество приварки.Ня фиг. 1 показана кинсаЯтичсскд 51 схема автомдтд приварки и формовки контактной пружины; на фиг, 2 - механизм с.вигд и фиксации вывода. Вт) м л т состоит из Вид рооу 1 кс р 1 1, мехх,1 низхд 2 п)итчнои выдяи, ВьВОд)В с Оусой, грейфсрного механизма у с редуктором 4, элсктродвигдтсл я 5. Нд корпусе грсйфсрного механизма рдзмсцсны лоток 6, механизм иодрсзки 7 торца выводя 8 с оусой, лсх 1 низ)1 прижим 1 ВЫВОдд ид позиции 9 свдрки. механизм 10 формовки контактной пружины, неодвижная...

Номер патента: 434519

Опубликовано: 30.06.1974

Авторы: Иванов, Ордена, Скрипко, Шушпан

МПК: H01L 21/00

Метки: полупроводниковыхслитков, поперечной, резки

...изобретения ение выхода годщих операциях ин, улучшение ка ых пластин нарядиаметров разреСпособ поперечнои резки пол вых слитков абразивным отрез включающий вращение инструме ную подачу слитка на инструмен щ и й с я тем, что, с целью увели годных пластин и повышения кач ности, радиальную подачу слит мент прекращают после пересече кромкой инструмента продольно а затем осуществляют подачу с струмент путем поворота слитка дольной оси,подача слитка на в два этапа; снаная подача, кото- сечения режущей тка, а затем сливоей продольной и поясняется схеующим образом Известен способ рез слитков, когда одновр дачей слитка на вра происходит вращение ной оси; при этом рез ферии и заканчиваетс В результате такой мой пластины остаютс пы,...

Номер патента: 435573

Опубликовано: 05.07.1974

Авторы: Таранчук, Турусов

МПК: H01L 21/00

Метки: загрузки, ферромагнитныхдеталей

...с трубками, пода 20 ются из вибробункера по вибролотку в вибрирующую приемную кассету 1, полностьюзаполняют ее и под действием магнитногополя катушки 9 удерживается в ней в вертикальном положении, Под действием вибрации25 детали равномерно распределяются в пределах приемной кассеты. Устройством 11 включают катушку 1 О, которая работает в импульсном режиме. Под влиянием магнитного полякатушки 10 детали 12 перемещаются в сторо 30 ну позиционного накопителя и заполняют всеего глухие горизонтальные пазы, причем каждая последующая деталь подталкивает предыдущую. Достигнув глухой стенки, первые в ряду детали под действием вертикальной составляющей магнитного поля катушки 10 опускаются в вертикальных цилиндрических пазах и зависают на корпусе...

Номер патента: 500555

Опубликовано: 25.01.1976

Авторы: Завадская, Кузнецов, Парфенова, Приходько

МПК: H01L 21/00

Метки: выявления, кремния, нарушений, пластине, структурных

...что растворение нарушенных областей 20кристалла происходит намного легче, чемна остальной поверхности, потому что энергия активации процесса растворения уменьшается в этом случае на величину, равнуюэнергии деформации, приходящейся на один 25 атом, в результате точечные нарушения или нарушенные области выявляются в виде отдельных треугольных "ямок" травленияМ Юили ряда треугольных ямок травления, отражающих симметрию граней.Методом контроля в травителе Сиртля широко распространен в исследовательной и заводской практике, однако травитель Сиртля может быть применен для выявления как слиточных нарушений, так и нарушений, внесенных обработкой только кристаллов, вырашенных в плоскости 111;Скорость травления в травителе Сиртля велика, т, е....

Номер патента: 502425

Опубликовано: 05.02.1976

Автор: Айнитдинов

МПК: H01L 21/00

Метки: джозефсоновский, контакт, точечный

...Составитель В, Долинин Техред М. Семенов Корректор В, Брыксина Редактор Т, Орловская Изд.232 а Тираж 977 Заказ 758/5 Подписное Типография, пр. Сапунова, 2 Целью изобретения является повышение стабильности и воспроизводимости параметров джозефсоновского точечного контакта в течение длительного времени после многократных циклов охлаждения - нагрева и исключение при эксплуатации внешних механических подрегулировок контакта.Поставленная цель достигается благодаря тому, что проволочный электрод изгибается в виде петли (концы которой закрепляются в электроде-держателе) и прижимается наиболее удаленной от держателя точкой к плоскому электроду, а оба электрода герметично соединены с торцовыми поверхностями изолирующей втулки,...

Номер патента: 460012

Опубликовано: 05.03.1976

Авторы: Баранов, Достанко, Мурашкин, Цуканов

МПК: H01L 21/00

Метки: мощный, свч, транзистор

...в кристалле транзистора, повышегоию коэффициента усиления по мощности и зь 1 ходной мощности прибора. Отсутствие непосрвдстввнного контакта с кремнием з обла) Состагитель Г, /Те:пед А, Еамь викина никова едактор Т. Орлсвск корректср 14. СнмкинаПодписное тров СССР Государственного комитет по делам изобретений Москва, Ж, Раушска Заказ 707/892ЦНИ Тираж 977 а Совета Мини и открытий н наб., д. 4/5П ип. Харьк. фил. пред. Патент стп эмиттера и маскирующими переход эмиттер - база участками пленки %0, такого металла,как А), для которого характерны процессь 1 электромиграции и интечсивного восстановления окисных соединений при повышенной температуре, положительно сказывается на проценте выхода годных приборов и их надежности. Если с эмиттером...

Номер патента: 512514

Опубликовано: 30.04.1976

Авторы: Круглов, Кузин, Павличенко, Рыжиков, Спасская

МПК: H01L 21/00

Метки: диапазона, источник, наносекундного, полупроводниковый, света

...промежуточньш слой толщиной от долей микрона до нескольких микрон того же типа проводимости, что и база, и включающий в себя одновременно донорную смесь, азот, в той же концентрации, что и в базе, н акцепторную примесь, алюминий в концентрации 10" - 10" см -На чертеже лен предлагаемый источник света в рЛлюминий из фв кристаллы 1 кршиной в 300 - По512514 Составитель М. ЛепешкинаТехред Е. Подурушина Корректор И. Позняковская актор В. ибобе Заказ 1575 Изд.1291 Тираж 1003Государственного комитета Совета Министрпо дедам изобретений и открытий13035, Москва, Ж.35, Раушская наб., д. 45 ПодписиСССР ИПИ инография, нр. Сапунов гельпо легируются азотом в процессе выращивания для создания приповерхностного слоя 2 кристалла, компенсированного...

Номер патента: 524262

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Ратнек, Чарный

МПК: H01L 21/00

Метки: загрузки, ориентированной

...служит для дальнейшей транспортировки сориентированной по полярности детали в узел штабелирования деталей 1. 26Работает устройство следующим образом.Детали загружаются навалом в узел загрузки и рихтовки 2, откуда они, пройдя операцию рихтовки выводов, поштучно подаются в блок контактов. Ролик 3 блока контактов 30 захватывает своими выступамц деталь и перемещает ее выводы по цилиндрической чаоти контактов 5, постоянно прижатых к захватывающему ролику пружинами 4. Верхняя часть контактов 5 обеспечивает плавный за ход детали на цилиндрические контактные поверхности, а нижняя часть контактов 5 максимально приближена к рабочим поверхностям сердечников 8 электромагнитов 7, что обеспечивает надежное и одновременное 40 попадание обоих выводов...

Номер патента: 434872

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Бордина, Заддэ, Зайцева, Ландсман, Стребков, Стрельцова, Унишков

МПК: H01L 21/00

Метки: генератор, полупроводниковый, фотоэлектрический

...нулю и -;.Пгт, схглгаОгг-я ДО ЗНаЧЕНИя, ОПрЕдЕЛяЕМОГО СвгЭ 1 СдваН О-перехода, параллельного световому потоку (перпендикулярного к рабо-ой ювенхности), Уменьшить сопротвлеше Оас гека -иния легированных слоев, расположенн;ых параллельно рабочей поверхностн ге;оратора, удается путем увеличения:;убпн.; ,залегания дополнительных р - Р в нерехоЯ дОВ, Однако такой спОсоб снжеп сопротивления растекания сопровождаетсп ростом нефотоактивного поглощения излучения В толстом легированном слое, что в конечном итоге не приводит к заметному увелитт.чени 0 к,п,.д. генератоа. Еце одним недосгат.:гэл мат;эичнсй конструкции генератора яьяется увеличение обратных токов утечкн через р - д -переход при увеличении исда - . раней мкротфотопресбг. - с; -...

Номер патента: 363410

Опубликовано: 25.08.1976

Авторы: Дерменжи, Думаневич, Евсеев, Конюхов, Локтаев

МПК: H01L 21/00

Метки: тиристор

...фронтом на части плошади структуры в состоянии низкой проводимости реализуются повышенные плотности тока, где и происходит первоначально включение тиристора, Как правило, в этой же области тиристорная структура обладает максимапьным значением коэффициента усиления, 15Приборы с такой конструкцией допускают скорости нарастания ансдного напряжения в лучшем спучае до 100 в/мксек,Цель изобретения - повышения стойкости к эффекту ди/1 Ф и устранение самовкпюО чения тиристора эа счет наводок в цепи управпения.В предлагаемом тиристоренимуму ипи вообще устраненываюшие неравномерное распред тока в эак лойную ст разницы в рного р-иециапьной рного р и ственно пр оду.чертеже и тирис тора, и и типа363410 ЮГПОЛЛ Составитель О. ФедюкинаТехредМ....

Номер патента: 541221

Опубликовано: 30.12.1976

Авторы: Айнбунд, Дунаевская

МПК: H01L 21/00

Метки: динод, жалюзийный

...в жйлюзийных динодах жалюзи должны быть геометрически непрозрачными, то есть необходимо, чтобы проекция лопасти на основание была не меньше расстояния между лопастями по основанию. Это достигается различными способами, в частности образованием динода из других геометрически прозрачных жалюзи. При этом для устранения пролета электронов лопасти одних жалюзи размещают между лопастями других так, что расстояние между ними по основанию не превышает проекции лопасти на основание.Такая конструкция непролетного, то есть геометрически непрозрачного динода осуществима лишь для жалюзи с уменьшенной длиной лопасти, так как при использовании обычных пролетных, то есть геометрически прозрачных жалюзи, в которых ширина лопасти равна расстоянию...

Номер патента: 559301

Опубликовано: 25.05.1977

Авторы: Иванов, Морозов, Царев

МПК: H01L 21/00

Метки: бескорпусных, радиоэлектронных, сопроводительная, тара, элементов

...тары; на фиг, 2 - схема измснеция параметров уверенной загрузки; на фнг. 3сечение по линии выступов и углублений. Сопроводительная тара содержит осупругозащелкиваемую крышку 2, Наобращенных друг к другу поверхностосей выводов 5 электронн. го элементаб ном порядке .сформированы чередутоные выступы 7 с конусной заходнойтью 8 и соответствующие нм пазы 9 в пщих деталяхДля фиксапиО нено гнездо 10, а Работа осуществляется следующим образом.Радиоэлектронный элемент 6 с предварительноразведенными в стороны выводами 5 помещается в 1 б гнездо 10, а выводы, скользя по конусной поверхности 8 выступов 7, автоматически направляются в канал, образуемый рядом выступов 7, расположенных вдоль осн вывода 5. При этом укладка проходит уверенно,...

Номер патента: 397123

Опубликовано: 05.07.1977

Автор: Поляков

МПК: H01L 21/00

Метки: многослойное, переключающее, полупроводниковое

...60 мкм, а контакт к области 4 . квадрата размером 15 х 15 мкм. Оба они также выполнены вз напыленногоТак же может б овлен трр М Дьм"и Увяваетор И, Груюва Заказ 2136/22 Э Тираж 976 Иойпиеное ЦНИИЛИ Государственного комитета Совета Министров СССР ло делам изобретениЯ и открытийФилиал 1 НН 1 "Патент", г. Ужгороц, ул. проектная, 4 монокристаллического кремния тт-пша прово. димости с концентрацией электрически активных примесен 3 104 с,т а.В пластине созданы одновременно области змиттера и коллектора, представлаощие собой прямоугольники размерами 30 х 100 мкм при глубине 3 мкм. Расстояние между областями эмиттера и коллектора 15 мкм, концентрация электрически активных примесей в этих областей 5 10смКонтакт к обласш эмиттера сдновременно...

Номер патента: 401273

Опубликовано: 05.07.1977

Автор: Поляков

МПК: H01L 21/00

Метки: многослойное, переключающее

...окисной пленке толщиной 0,1 мкм размещены два полевых электрода, представляющие собой наны. ленные полоски алюминия толщиной 1 мкм, которые перекрывают частично обе дополнительные области,Предлагаемое устройство может быть выполнено в виде тиристора, состоящего из пластины монокристалаческого кремния и типа проводимости с концентрацией электрически активных примесей 3 10" см, В указагщой пластине одновременной двусторонней диффузцей бора созданы анодная и управляющая области р.типа проводимости с концентрацией электрически активных примесей 5 107 см э и толщиной 10 мкм, Последующей локальной диффузцей фосфора в управляющей области созданы катодная, первая дополнительная, вторая и третья дополнительные области и.типа с концентрацией...

Номер патента: 401274

Опубликовано: 05.07.1977

Автор: Поляков

МПК: H01L 21/00

Метки: тиристор

...из напыленного алюминия толщиной 1 мкм, Размеры остальных областей и омических контактов соответствуют дан.ным на чертеже.В тиристоре по третьему варианту омическийконтакт к области 6 затвора, представляющийсобой пал ыле иную полоску алюминия шириной 36 мкм и длиной 136 мкм, выходит эа крайобласти. б затвора на 100 мкм на перемычку 5 ианодную область 2. Укаэанный контакт на всемсвоем протяжении за пределами области 6 эакорочен с областями 5 и 2. Аналогияо омическийконтакт 10 к катодной области 4 выходит эа крайобласти 4 на 5 мкм и закорочен на этом протяжениис областью 3, благодаря чему осуществляется шун.тирование катода, Размеры остальных областей иомических контактов не отличаются от деталейтиристора, приведенного на чертежеВ...

Номер патента: 339246

Опубликовано: 05.07.1977

Авторы: Куртайкин, Поляков

МПК: H01L 21/00

Метки: многослойный, перключающий, полупроводниковый, прибор

...управляющей 4 и анодной 2 областей, контакты 9,10, 11.Если к контакту 9 приложено напряжение положительной полярности, к контакту 11напряжение отрицательной полярности, к контакту 10- напряжение управляющего сигнала поло. жнтельной полярности, то вследствие действия положительной обратной связи, сопровождаю. щегося инжекцией неосновных носителей из об. ласти 2 в область базы 1, и из области 6 в область 4, устройство переходит в состояние с малым сопротивлением, т.е, включается, Перенос и инжекция неосновных носителей в области базы 1 зависит от расстояния между областью 8 и анодной 2 и управ. ляющей 4 областями, Так как диффузия неосновных ностттелей в область 8 невозможна, то около области 8 образуется избыточный градиент концентрации...

Номер патента: 434871

Опубликовано: 05.07.1977

Автор: Поляков

МПК: H01L 21/00

Метки: полевым, полупроводниковое, управлением

...например титанат батолщиной 1100 мкм. Наибольшая чувствитеность устройства к сигналу управления при вкой температурной стабильности достигаетсятолпвпте слоя сегнетоэлектрита 5-10 мкм,летень25 (53) УДК621382323 (088.8 ння 12 11.77Редактор И, Орлова Корректор М, демчук Заказ 2 36/223 Тираж 976 Повислое ЩМИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР ло делам изобретений и открьгпФ 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 нагрузкой к выходной цепи, При отключении иповторной подаче напряжения питания устройствоостается во включенном состоящщ благодаря оста.очной поляризации слоя 3 и сохранению свяэаьщого с ней обогащения приповерхностной части об.ласти 1 основными носителями.Перевод...

Номер патента: 572862

Опубликовано: 15.09.1977

Авторы: Гончаров, Кузнецов

МПК: H01L 21/00

Метки: блоку, выводов, измерительному, подключения, радиодеталей

...пружинами 5, охватывающие клавиши 2 и выполненные в виде Ш-образного держателя, в основании 6 которого выполнен симметрично оси паз 7 с закругленными кромками, соединенный с пазом в средней полке 8, образуя полость для ввода контактов 9 и 10 колодки измерительного блока. Клавиши 2 шарнирно закреплены на оси 11.Перед подключением радиодетали 12 с выводами 13, 14 и 15 к измерительному блоку к клавишам 2 прикладывают нажимные усилия с помощью приспособления, вводимого в паз 7, и отжимают их от основания 6, При этом устройство базируют ио упорам 16.При загрузке происходит разведение выводов 13, 14 и 15 в направляющих гнездах 17. После загрузки приспособление убирают из паза 7, при этом вывод 14 оказывается зажатым между основанием 6 и...

Номер патента: 576077

Опубликовано: 05.10.1977

Авторы: Джон, Ричард

МПК: H01L 21/00

Метки: контактный, соединитель

...контактов.Контактный соещивтель для подключения полупроводникового прибора к печатной плате представляет собой изоляционное основа ос 2 с отверстиями для выводов 3 прибора, вылолнснными с заходнок фаской 4 для наравлевя выводов. Отверстия 5 к 6 расположены на одной оси, а отверстие 7 смещено относительно этой осн к соединено с трапецеидальным пазом 8 в основании между отверстиями 5 и 6, сужакапимся в направ. леви отверстия 7, В отверсткях основания разме. щепы контакты 9 в виде консольно закрепленной в основании плоской пластины с упругой рабочей частью 10, монтажной частью 1 для создания прес. совок посадки на выступы 12 основания, хвосто. виком 13 и фланцем 14, который фиксирует вывод и предотвращает случайное соединение с...

Номер патента: 576623

Опубликовано: 15.10.1977

Авторы: Денисова, Седых, Сидоров, Тикунова, Типаева

МПК: H01L 21/00

Метки: микроминиатюрных, мойки

...стенках сосуда, в котором размещены отмываемые детали 5, выполнены капиллярные от верстия 6. Размеры отверстий недостаточныдля свободного прохождения через них моющего раствора. Стенка 7 сосуда примыкает к плоскости стенки 8 ванны 3, перпендикулярной направлению действия вибрации.0 До включения вибратора моющий растворне натекает через стенку 7, поскольку отверстия в ней малы и она выполнена из материала, не смачиваемого моющим раствором, например фторопласта.5 При включении вибратора стенка 7 сосуда2 и стенка 8 ванны 3, расположенныс в исходном состоянии в непосредственной близости друг от друга, расходятся, образуя зазор б, и затем сходятся, как бы захлопывая этот за зор. При этом моющий раствор в зазоре оказывается под большим...

Номер патента: 579666

Опубликовано: 05.11.1977

Авторы: Барышев, Введенский, Каплин

МПК: H01L 21/00

Метки: нанесения, покрытий, распределительное, фоторезистивных

...на кронштейне 11 винтами17. Для фиксации поворота шарнирного элемента 12 служит винт 18. Запирающий механизм закреплен на поворотной оси 19 штифтом 20, причем на каждую ось воздействуетпневмоцилнидр 21 с помощью штока 22,Распределительное устройство работаетследующим образом,В трубопровод 1 через штуцер 2 подпостоянным давлением подается фоторезист. В момент подачи воздуха в каждый пневмоцилиндр21 его шток 22 воздействует на поворотнуюось 19, и оиа поворачивается на определенный угол (фиг. 2)11 ри этом поворачиваетсяжестко связанный с ней поворотный рычаг 7, 25который натягивает пружину 8. Кронштейн11, поворачиваясь, отводит закрепленный внем шарнирный запирающий элемент 12 отконтактной площадки 6 трубопровода 1, апружина 16...

Номер патента: 585562

Опубликовано: 25.12.1977

Авторы: Пашков, Якубов

МПК: H01L 21/00

Метки: контактное

...вид; на фиг. 2 - разрез А - А на фиг, 1.Контактное устройство содержит выполненные в виде полуцилиндров потенциальный контакт 1 и токовый контакт 2, разделенные по оси 25 диэлектрической прокладкой 3, пружины 4, винты 5, корпус 6.Диэлектрическая прокладка 3 изолирует контакты 1 и 2 друг от друга и постоянно перемещается вместе с контактом 1, входя выступом в поперечный паз контакта, Боковому смещению прокладки 3 препятствуют сами контакты и стенки отверстия в корпусе 6 контактного устройства.Выполненные плоскими пружины 4 одними концами жестко закреплены на корпусе 6, а другими входят в пазы контактов 1 и 2, выполненные перпендикулярно оси контактов.Пружины 4 фиксируют и поджимают токовые контакты 2 и потенциальные контакты 1 так,...

Номер патента: 326917

Опубликовано: 05.02.1978

Авторы: Думаневич, Евсеев, Фалин

МПК: H01L 21/00

Метки: симметричный, тиристор

...й/О 1 ограничивается величиной лучшем случае порядка 30 А/мкс. Этот пара метр накладывает значительные ограничения на схемные применения приборов.Предлагаемый симметричный тиристор допускает критическое . значение Й/Й до 000 А/мкс благодаря тому, что пятислойиая структура управляется с полощью самовозбуждающегося (регенеративного) управляющего электрода по току или напряжению как для прямой, так и для обратной ветви.На фиг.и 2 изображен один из возможных вариантов предложенной пятислойной структуры,Симметричный тиристор содержит дополнительные областии 2 в правом и левом тиа напряжение на силовых полярность (плюс свер а, а управляющей цепи вльное смещение (минус аления), проводящий канал чально непосредственно у у32697формула...

Номер патента: 608210

Опубликовано: 25.05.1978

Авторы: Пащинин, Семенов

МПК: H01L 21/00

Метки: подачи, радиодеталей

...чертеже изображено устройстводля подачи радиодеталей.5 Устройство содержит загрузочныйлоток 1 и отсекатель, состоящий изверхнего 2 и нижнего 3 толкателей,соединенных с приводом 4. Нижний толкатель 3 снабжен вилкой 5, установленной с воэможностью взаимодействияс приводом 4 и верхним толкателем 2,Толкатели 2 и 3 сдвинуты относительно друг друга на величину 1 перемещения толкателей и подпружинены15 пружинами б и 7.Устройство работает следующим образом.При включении привода 4 вилка 5перемещается влево, сдвигая толка 20 тели 2 и 3, причем паз толкателя 2совмещается с каналом загрузочноголотка 1, а толкатель 3 частично перекрывает канал загрузочного лотка 1.При этом транзисторы 8, находящиеся25 на толкателе 2, падают на нижний...

Номер патента: 608211

Опубликовано: 25.05.1978

Авторы: Огорелышев, Токаренко

МПК: H01L 21/00

Метки: сортировки

...вращения бункера и отводящие каналы, закрепленные на корпусе, причем приемный бункер выполнен в виде наклонного усеченного конуса, установленного с воэможностью поочередного совмещения нижнего отверстия с входными отверстиями отводящих каналов, механизм вращения бункера выполнен в виде системы винт- гайка, при этом винт жестко закреплен в корпусе, гайка жестко соединена с бункером, а входные отверстия608211 Формула изобретения Составитель Л.ТришковаРедактор Т.Загребельная ТехредМ.Борисова Корректор Н.Тупт каз 2809/36 ЦНИИПИ Государств по дел 113035, МоТираж 960нного комитетм изобретенийква, Ж, Ра Подписноеистров СССР Совета Ми и открытий шская наб. д. 4/ Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектн отводящих каналов расположены по...