Резистивный материал
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
РЕТЕ ентов ЗО - ште- вена- соотмЛФ.Иоффе Калязин АЕ; Ф институт ение тивКомитет Российской Федерации о иатентам и товарным знакам ОПИСАН(7) Использование: элекости технологии изгото ВВТЕРИАЯктронная техника, в час пения резистивных мат риалов, используемых преимущественно дпя мирования резисторов и резистивных элем схем, работающих в диапазоне температур 3000 К Сущность изобретения: резистивный к риал содержит дисипицид железа, никель и дий, при этом компоненты ит 1 е от следующее ношение, мас%: никель 5,0 - 5 Я, ванадий 8,7 дисилицид железа остальное Указанное со шение компонентов обеспечивает уменьш температурного коэффициента электросопро пения. 1 табл.Изобретение относится к резистивным материалам и может быть преимущественно использовано для иэготовления резисторов и резистивных элементов схем, работающих в диапазоне температур 80- 1000 К,Известен материал с содержанием дисилицида железа ЕеЯ 2, Дешевизна, недефицитность, жаропрочность, способность работать на воздухе, в вакууме и в агрессивных средах при повышенных температурах делают этот материал перспективным при изготовлении резисторов. Основными парэ- метрами реэистивного материала являются удельное электросопротивление г, диапазон температур, в котором используется данный материал, (ТД) и температурный коэффициент электросопротивления (ТКС), характеризующий изменение г при изменении температуры ТКС измеряется как отношение изменения г к соответствующему изменению температуры и может быть вычислен только при линейной зависимости г от температуры, Если в требуемом ТД г нелинейно зависит от температуры, то в этом ТД может быть определен средний ТКС (СТКС), который равен отношению изменения г в данном ТД к величине ТД. В этом случае на одних участках ТД, где можно измерить ТКС, СТКС больше соответствующего ТКС, а на других меньше, Большой интерес представляет получение резистивных материалов с малым ТКС в диапазоне 80-1000 К, так как в этом диапазоне температур проводится основная масса физических измерений,. Недостатками материала являются отсутствие линейности и большая величина ТКС в диапазоне 80-1000 К,Известен также материал, который содержит дисилицид железа и дисилицид молибдена в соотношении (мас.70) 10;90, При температурах, близких к комнатной, ТКС этого материала составлял 190 10К 1. Недостатком данного материала является большая величина СТКС в диапазоне 80- 1000 К,Наиболее близким по технической сущности к изобретению является материал, представляющий собой тонкую пленку Ре 512, полученную методом ионно-плазменного распыления. ТКС такой пленки при температурахб близких к комнатной, составлял 5000 10 К, Данных о СТКС в диапазоне 80-1000 К не имеется. Целью изобретения является снижение ТКС в интервале температур 80-1000 К.Цель достигается тем. что резистивный материал, содержащий дисилицид железа, согласно изобретению дополнительно св держит никель и ванадий при следующемсоотношении компонентов, мас,0,Никель 5,0-5,2Ванадий 8,7-8,8Дисилицид железа ОстальноеВведение никеля 5,0-5,2 мас.0/, и ванадия 8,7-8,8 мас способствует появлениюлинейной зависимости электросопротивления от температуры в диапазоне 80-1000 К10 и уменьшению ТКС. При содержании никеляменее 5,0 мас,/, и ванадия менее 8,7 мас4и содержании никеля более 5,2 мас., и ванадия более 8,8 мас,0 величина ТКС больше, чем в материале-прототипе. При15 содержании никеля и ванадия в пределах,указанных в формуле изобретения, величина ТКС в указанном температурном диапазоне меньше, чем в лучших резистивныхматериалах на основе дисилицида железа,20 Исходя из известных свойств ванадия,нельзя было предположить, что введениеего в известный материал повысит стабильность электросопротивления в диапазоне80-1000 К, о чем свидетельствует отсутствиесведений в патентной и научно-техническойлитературе, касающихся влияния ванадияна электрические свойства дисилицида железа. Что касается никеля, то имеются сведения о его влиянии на электрическиеЗО свойства дисилицида железа, но при этомзависимость электросопротивления от температуры имеет типично полупроводниковый характер. В то же время в ходеэкспериментальных исследований было усЗ 5 тановлено, что. при одновременном введении никеля и ванадия происходитизменение механизма проводимости, следствием чего является появление линейнойзависимости г от температуры и резкое"О уменьшение ТКС в диапазоне температур80-1000 К. Что касается процентного содержания никеля и ванадия, а также соотношения всех компонентов предлагаемого. резистивного материала, то они получены45 также в результате экспериментального исследованияТаким образом, у заявленной совокупности признаков в результате взаимовлияния всех компонентов, взятых в указанных50 соотношениях, появляется новое свойстволинейный характер изменения удельногоэлектросопротивления в широком интервале температур вследствие изменения механизма проводимости, которое проявляется55 в новом положительном эффекте, а именнов повышении стабильности электросопротивления в интервале температур 80-1000 К,что свидетельствует о соответствии заявляемого технического решения критерию "существенные отличия"2004020 Формула изобретения и ванадий компоненполнительно содержит никельпри следующем соотношениитов, мас,;НикельВанадий, Дисилицид железа 5,0 - 5,2 8,7 - 8.8 Остальное Составитель Г. АлексееваТехред М.Моргентал Корректор М, Куль Редактор Тираж Подписное НПО "Поиск" Роспатента113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Заказ 3325 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 Для приготовления образцов материала использовались дисилицид железа, ванадий и никель, Синтез материала проводился путем сплавления в печи сопротивления в атмосфере аргона в корундизовых тиглях при 1600 К дисилицида железа и добавок, взятых в соотношениях, указанных в таблице, С целью наиболее полного растворения добавок и уплотнения слитков во время плавки применялась вибрация с частотой 50-150 Гц. Для изменения Фазового состава образцы материала подвергались отжигу в атмосфере аргона при 1000 К в течение 200 РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ, содержа- щий дисилицид железа, отличающийся тем, что, с целью уменьшения температурного коэффициента электросопротивленияв диапазоне температур 80 - 1000 К, он доч, Изменения электросопротивления полученных материалов проводились двухзондовым методом на постоянном токе спогрешностью не более 2;ь.5 Величины ТКС в интервале температур80-1000 К приведены в таблице,Таким образом, заявляемый материал,как следует из анализа данных, приведенных в таблице, имеет меньшую величину10 ТКС в интервале температур 80-1000 К, чтоне обеспечивал прототип,56) Обмен опытом в радиопромышленности. вып. 10, 1985, с. 38-40.
СмотретьЗаявка
04929050, 24.04.1991
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН
Алексеева Галина Тарасовна, Енгалычев Али Эдуардович, Калязин Андрей Евгеньевич, Федоров Михаил Иванович
МПК / Метки
МПК: H01C 7/00
Метки: материал, резистивный
Опубликовано: 30.11.1993
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-2004020-rezistivnyjj-material.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Резистивный материал</a>
Предыдущий патент: Разъемный инструмент
Следующий патент: Мембранный блок резистивных элементов и способ его изготовления
Случайный патент: Пневмогидравлический гайковерт рычажного типа