Гравов

Номер патента: 1645350

Опубликовано: 30.04.1991

Авторы: Березницкий, Гравов, Долинский, Пасичник, Рухов

МПК: E02B 5/02

Метки: емкости, накопительной, строительства

...части в щели 3 для последующего защемления в глине б противофильтрационной диафрагмы, Щель. 3, которую целесообразно выполнять с врезкой в слой водоупорного грунта 7, заполняют глиной б и после этоо изготавливают под подошвой облицовки 8 и по верху противофильтрационной диафрагмы жесткий, например железобетонный пояс 9 с отверстиями 10, сообщающимися с глиной 6 (телом диафрагмы).После изготовления пояса 9 производят выполнение защитной облицовки 8 иэ связного грунта (глина, суглинок) с удельным весом у, сцеплением С и углом внутреннего трения р, Облицовку 8 образуют толщиной Ь с уступами по форме траншей 2 шириной 1 При этом защитную облицовку выполняют иэ связного грунта при образовании траншей в количестве, определяемом иэ...

Номер патента: 1633055

Опубликовано: 07.03.1991

Авторы: Березницкий, Гравов, Иванченко, Кукушкин, Моцер, Пасичник, Рухов

МПК: E02B 5/02

Метки: емкости, многокамерной, накопительной, строительства

..."Патент",Изобретение относится к строительству накопительных емкостей сезонного регулирования промышленных и коммунальных стоков, а также стоков животноводческих комплексов, касается многокамерных емкостей, опорожнение которых производят в разные периоды времени.Цель изобретения - повышение надежности работы,На фиг,1 изображена схема трехкамерной емкости, реализующая предлагаемый способ, разрез по плоскости дополнительных диафрагм; на фиг,2 - то же, вид в плане.С поверхности земли известными приемами производят разработку котлованов с образованием камер 1 - 3 с перемычками 4 и 5 между ними, монтаж облицовки 6 откосов, Далее выполняют заглубленные в водоупорпо контуру днища камер 1 - 3 водонепроницаемые вертикальные диафрагмы 8 и...

Номер патента: 1300080

Опубликовано: 30.03.1987

Авторы: Березницкий, Гравов, Пучков, Рухов, Щемелев

МПК: E02B 5/02

Метки: емкость, накопительная

...предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4Изобретение относится к строительству накопительных емкостей для сезонного регулирования стоков промышленных предприятий и животноводческих комплексов, а именно многокамерных емкостей.Цель изобретения - повышение надежности работы емкости при многокамерном ее исполнении.На чертеже изображена трех камерная накопительная емкость.Емкость включает камеры 1, 2 и 3 с бетонной облицовкой 4 откосов и грунтовым днищем 5 с водонепроницаемой диафрагмой 6, заглубленной в водоупорный грунт 7 по периметру днища 5.Емкость снабжена дополнительными водонепроницаемыми диафрагмами 8. Диафрагма 8, выполненная между камерами 1 и 2, соединена своим нижним торцом с диафрагмой днища 6, а ее...

Номер патента: 1221484

Опубликовано: 30.03.1986

Авторы: Гравов, Дмитриев, Тян

МПК: G01B 7/16

Метки: тензорезисторное

...соединен с диагональю питания тензорезисторной мостовой схемы , суммирующий усилитель 3, дифференциальный вход которого соединен с выходной диагональю тензорезисторной мостовой схемы масштабный усилитель 4, выход которого соединен с суммирующим входом суммирующего усилителя 3, два равных резистора 5 и 6, соединенных между собой последовательно и включенных параллельно выходной диагонали.Устройство работает следующим образом.При нагружении тензорезисторов тензореэисторной мостовой схемымеханическим параметром изменение потенциалов точек 7 и 8 ее выходной диагонали имеет противоположные знаки, а при изменении температуры тензорезисторов изменение потенциалов этих же точек имеет одинаковые знаки. Сигналы с выходной диагонали поступают на...

Номер патента: 1138838

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Гравов, Кононюк, Попов, Тихонова

МПК: H01C 7/04

Метки: материал, терморезисторов

...коэффициента старения (100%) и узком диапазоне температурного коэффициента 25сопротивления (5-8%/ С) .Цель изобретения - расширениедиапазона температурного коэффициента сопротивления в области отрицательных значений и повышение стабиль-ЗОности электрического сопротивленияпутем уменьшения коэффициента старения,Поставленная цель достигается тем,35 что материал для терморезисторов, содержащий оксид марганца и оксид цинка, дополнительно содержитоксид меди при следующем соотношении компонентов, мас.%:Оксид марганцаОксид цинкаОксид меди Для приготовления материала ис.пользуют порошки Мп О и Си(МОз) х ЗСпОЗН О марок "для полупроводников" и 2 пО марок ч. или ч.д.а. Смесь порошков предварительно обжигают при 750-800 С 1-2 ч на воздухе, затем...