Способ изготовления толстопленочных резисторов

Номер патента: 1806106

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Андронов, Журавов, Молотков, Шахов, Шумовский

МПК: C03C 8/12

Метки: защиты, преимущественно, резисторов, стекло, толстопленочных

...введении в состав стекла оксида алюминия более 5,0 мас.% резко возрастает изменение сопротивления резистора из-за повышения температуры деформации стекла и температуры оплавления порошкообразного слоя,Введение в состав стекла оксида алюминия менее 0,8 мас.% снижает устойчивость стекла к воздействию раствора серной кислоты, повышает ТКЛР стекла,При введении в состав стекла оксида хрома более 2,0 мас.% наблюдается образование в стекле посторонней кристаллической фазы, что делает его непригодным для защиты толстопленочных резисторов,Введение в состав стекла оксида хрома менее 0,5 мас.о приводит к снижению химической устойчивости по отношению к растворам гидроокиси натрия и серной кислоты,Стекло готовят следующим образом.,Исходные...

Номер патента: 960969

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Белицкая, Генесева, Калашников, Кучеренко

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, основе, резистивный, резисторов, толстопленочных

...-60 С АРО 5,48-6,44до + 125 С составляет не более 0,5%. Ь 10 5,34- 14,70 После выдержки толстопленочных резисто- ООЗ 15,13 16,50 ров в условиях относительной влажности в,о, 32,93-35,92 . воздуха 98% при + 40 С в течение 30 сут Кроме того, согласно спосооу изготов- уход номинальных значений сопротивления ления толстопленочных резисторов на ос составляет не более 1%, нове резистивного материала, включаюше- ТКС резисторов с удельным сопротивму нанесение на диэлектрическую подложку лением от 100 Ом/кВ до 100 кОм/кВ резистивной композиции с последующим в интервале температур от - 60 оС до вжиганием ее, отличается тем, что вжи- + 125 оС не хуже + 1101/град. ганне проводят при 630 - 640 С в тече-,15 Предлагаемое изобретение позволяето ние 8.-...

Номер патента: 1240250

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Беляцкий, Волкова, Михайлов, Нарышкин, Шумков

МПК: G21G 4/00

Метки: источников, керамических, подложках, радионуклидных

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РАДИОНУКЛИДНЫХ ИСТОЧНИКОВ НА КЕРАМИЧЕСКИХ ПОДЛОЖКАХ, включающий нанесение радионуклида на подложку, фиксацию его в слое глазури и формирование защитного покрытия, отличающийся тем, что, с целью увеличения поверхностной активности источников при сохранении высокого энергетического выхода, фиксацию радионуклида проводят путем нагревания керамической подложки с нанесенным радионуклидом в парах пентаоксида фосфора до образования слоя глазури.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что нагревание в парах пентаоксида фосфора керамических подложек с нанесенными радионуклидами в случае плутония или америция проводят при 900 - 1100oС в течение 2 - 3 мин.

Номер патента: 1819036

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Андронова, Братчиков, Вышкина, Морозова, Нечаев, Петрова, Шутова

МПК: C03C 3/064, H01C 7/00

Метки: основе, паст, резисторов, рутения, стеклосвязующее, толстопленочных

...25 и 29 мас,соответственно, обусловливает повышение температуры синтезастекла до значения выше 1500 С, что неже 15 лательно, а также повышает температурувжигания резисторов до 870 ОС, Уменьшение содержания Ю 02 и А 120 з в стекле дониже 20 и 15 мас.соответственно резкоухудшает влагостойкость резисторов20 ЬВ(,- 4 - 5 О, Также значительно ухудшаетсявлагостойкость резисторов при введении всостав стекла 820 з и ВаО более 33 и 18мас, о соответственно. Стекла, содержащие25 менее 10 мас,ф ВаО, имеют низкий КЛТР(менее 45 10 К ), что приводит к снижению термостойкости реэистивных пленокиз-за значительной разности в КЛТР проводящей фазы и стеклосвязующего.30 Уменьшение содержания ВОздо менее25 мас.о приводит к формированию неспеченной,...

Номер патента: 996356

Опубликовано: 15.02.1983

Авторы: Корнатовский, Махонина, Панов, Тризна, Федоров

МПК: C03C 3/10

Метки: резисторов, стекло, толстопленочных

...10 530 527 15 3 10 526 Со- ста Мпо Таблица 3 ТКС, 10- 1/град табильность езисторов осле воздейтвия повышеной влажности,ф Удельное поверхностноесопротивление,Ом/п Стабильнострезисторовпосле воздействияэлектрической нагрузки, Ъ Соста т -60 о +25 т +25о +125 32,0,05,26 Д 6203, что, с го коэф торов с нием, о и МпО гредиен 60 Зб,О-М 1 2",О"30 8,0-10 7 О" 8 502В 20,ВгазА 10,резисВО В 2 5,0 стабильности сопротивления в процессе эксплуатации резисторов при воздействии электрических и климатических факторов,Наличие в составе стекол крупных Ионов Сц 2+и Мп 4+в сочетании с малы ми ионами с сильным кулоновскпм полем АЗ+и В 3+обеспечивает необходимую плотность упаковки ионов и затрудняет ионную проводимость стекла, что и позволяет уменьшить ТКС...