Андзюлис

Номер патента: 1307447

Опубликовано: 30.04.1987

Авторы: Андзюлис, Паулаускас

МПК: G05B 1/01

Метки: компаратор

...и второго транзисторов, причем вторые выводы первого и второгорезисторов соединены с клеммой 12напряжения смещения, а токовые шины 2513-16 и клемма 17 подключены так,что токовые шины 14 и 16 подключенынепосредственно к коллекторам первого 1 и второго 2 транзисторов, клемма 17 - к базе пятого транзистора 7, 30а токовая шина 13 через третий 18 ичетвертый 19 резисторы подключенасоответственно к второму и первомуэмиттеру первого транзистора 1, токовая шина 15 подключена чарэ пятый 3520 и шестой 21 резисторы соответственно к первому и второму эмиттерам второго транзистора 2, при этоманоды первого 10 и второго 11 диодовподключены соответственно к выходным 40клеммам 22 и 23, а база шестого транзистора 8 соединена с шиной 24...

Номер патента: 1115113

Опубликовано: 23.09.1984

Автор: Андзюлис

МПК: H01C 17/00

Метки: многослойных, резисторов, тонкопленочных

...во время отжига;на фиг. 8 - кинетика изменения удельных поверхностных сопротивлений однономинальных (Нз=350 Ом/кв) однослойных и многослойных пленок во времяотжига.40Способы нанесения резистивных пленок (слоев) и формирование диэлектрических слоев могут быть разными, втом числе термическое напыление илиионно-плазменное распыление резистив 45ных и диэлектрических материалов ввакууме, в инертных или реактивныхсредах. Способ включает формированиетонких диэлектрических слоев путемобработки резистивных пленок в реактивных средах, в кислороде, азоте,например, термическим окислением,окислением под давлением или анодированием, например, в высокочастотном разряде. В массовом производстве способ предполагает возможностькосвенного контроля...