Способ измерения температурных характеристик биполярных двухколлекторных магнитотранзисторов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
) Авторыизобретенн В.Рагауск шите 7) 3 аяввтель асский политехнический институт им. Ан а Снечкус 4) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРНЫХ ХАРАКТКРИСТИ кой комле ностей ос еш При по ных приб лекторных годных маграммиров трое нии магнитоиэмерительна основе двухколнитотранзисторов отбор ранзисторов и простройств автоматичесо маг нитотеИзобретение относится к электрОн ной и измерительной технике и может быть использовано для измерения характеристик полупроводниковых приборов.Основными температурными характе ристиками биполярных двухколлекторных магнитотранэисторов являются температурная зависимость магниточузствнтельности4.ф- ф 1 где дОкг- изменение напряжений на первом и втором коллекторах магнитотранэистора при изменении на дВ индукции магнитного поля, а также температурная зависимость начальной разности коллекторных напряже- ний нсации температурных погруществляют с использованием характеристик ,(Т)и ООо(Т),Известны способы измерения температурных характеристик биполярных ф транзисторов, основанные на воздействии на испытуемый транзистор тепловым потоком, регистрации величины температуры этого потока, а такжерегистрации величины напряжений или 10токов) на электродах транзистора 1Известные способы не обеспечиваютвбзможности одновремйюного измерениятемпературных зависимостей магниточувствительности и начальной разно" 15сти коллекторных напряжений биполярных двухколлекторных магнитотранзисторов.Наиболее близким к предлагаемомуявляется способ измерения температурных характеристик, включающий одновременное воздействие на испытуемый прибор теплового потока, температуру которого изменяют, и слабо
СмотретьЗаявка
2919411, 05.05.1980
КАУНАССКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. АНТАНАСА СНЕЧКУСА
РАГАУСКАС АРМИНАС ВАЛЕРИОНОВИЧ, МАНЮШИТЕ ВИКТОРИЯ ЮОЗОВНА
МПК / Метки
МПК: G01R 31/26
Метки: биполярных, двухколлекторных, магнитотранзисторов, температурных, характеристик
Опубликовано: 30.12.1981
Код ссылки
<a href="https://patents.su/4-894615-sposob-izmereniya-temperaturnykh-kharakteristik-bipolyarnykh-dvukhkollektornykh-magnitotranzistorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ измерения температурных характеристик биполярных двухколлекторных магнитотранзисторов</a>
Предыдущий патент: Устройство для задания и измерения пикового тока туннельных диодов
Следующий патент: Устройство для измерения параметров транзисторов
Случайный патент: Устройство для компенсации температурной зависимости э. д. с. насыщенного нормального элемента