Способ измерения времени релаксации энергии носителей заряда в полупроводниках

Номер патента: 326526

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Амринов, Гуро, Ковтонюк

МПК: H01L 21/66

Метки: времени, жизни, носителей, объемного, полупроводников, слоях

...поверхности полупроводникового материала, 10 Цель изобретения - устрсти результатов измерений оностных свойств (поверхнции) полупроводников и тение точности измерений.Для достижения цели тонкийлупроводника отделяют от оэлектродов слоями диэлектрикатродам прикладывают импульсго поля, под влиянием которогоных носителей заряда выводиполупроводника в приэлектроВ результате этого тепловая генеме преобладает над рекомбиннекоторое время концентрациястигает исходной величины.Параметром кривой восстанодимости объема является величии определяет время жизни. Врс генерацией только в объеме, а ности, потому что при наличии поля приповерхностные области обогащены свободными зарядами, экранирующими это поле. При этом ловушечные центры поверхности...

Номер патента: 1733643

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Мазяров, Макаров, Медведев

МПК: F01L 1/12

Метки: вала, внутреннего, двигателя, привод, привода, работы, распределительного, сгорания

...- промежуточный диск; на фиг,7 - крайние диски,Устройство состоит из коленчатого вала 1 с ведущей шестерней 2, промежуточной шестерни 3, дифференциального редуктора 4 и распределительного вала 5 с кулачками 6. Дифференциальный редуктор является одноступенчатым с полным передаточным числом = 1 и состоит из пяти пар зубчатых колес 7-8, 9-10, 11-12, 13-14, 15-16 со ступенчатым расположением зубчатых секторов 17 - 21 на ведущем и ведомом валах,Зубчатые секторы 17 и 18, выполненные на больших 8 и 15 и малых 7 и 16 колесах, имеют большую длину дуги, чем зубчатые секторы на колесах 9, 11, 13 и 10, 12, 14, Это позволяет получить заданный режим вращения распределительного вала с четырьмя ускорениями и четырьмя замедлениями с последующими...

Номер патента: 1778819

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Карпов, Карпова

МПК: H01L 21/66

Метки: времени, жизни, заряда, неравновесных, носителей, объемного, полупроводниках, примесных

...подключения испытуемого об разца (фиг. 2) показаны: диафрагма 1, игольчатые электроды 2, испытуемый образец 3,область рекомбинации 4, инжектирующее излучение 5,.линии электрического тока 6;Реализуется способ следующим образом. В зависимости от требуемого уровня инжекции задаются количеством свободных носителей заряда примеси в зоне проводимости полупроводника и пользуются вь 1 раже нием где и - количество свободных зарядов примеси в зоне проводимости полупроводника, А - константа, численно равная количеству связанных носителей заряда с энергией активизации Еи, К - постоянная Больцмана, Т - абсолютная температура, определяют требуемую температуру образца,Присоединяют испытуемый образец 3 к источнику тока при помощи игольчатых электродов...

Номер патента: 512422

Опубликовано: 30.04.1976

Авторы: Бугаев, Гуляев, Иванов, Мансфельд, Хазанов

МПК: G01N 29/00

Метки: времени, заряда, кристалле, носителей, релаксации

...ультразвуковую волну, измеряют разность потенциалов в направлении распространения волны и проводимость в перпендикулярном направлении.При распространении по кристаллу высокочастотной ультразвуковой волны (УЗВ) 25из-за механизма электронфотонного взаимодействия звук поглощается электронами и ихсредняя энергия (температура) увеличивается. В области температур, где подвижностьносителей заряда зависит от их энергии, ука- ЗО анное увеличение температуры электронов риводит к изменению сопротивления образ ца Йо, которое дается выражением гд К - постоянная Больцмана;То - температура образца;аав - величина электронного поглощенияУЗВ;и" аэ - мощность УЗВ потока;о - показатель степени зависимости времени релаксации импульса электро.нов от...

Номер патента: 1689874

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Бородовский, Булдыгин, Тарло

МПК: G01R 27/28

Метки: времени, жизни, заряда, носителей, образцах, полупроводниковых

...9. 20Полупроводниковый образец 10 закрывает конец цилиндрического резонатора 11, отрезки прямоугольных волноводов 12, запредельное отверстие 13 служит вводом от импульсного источника энергии света. 25Устройство работает следующим обраОт генератора 1 СВЧ-сигнал через вентиль 2 и циркулятор 3 попадает в цилиндрический резонатор 4, одной из стенок 30 которого является исследуемый полупроводниковый образец, В конце цилиндрического резонатора 11 возбуждают колебания типа Ео 1, причем для резонансной длины отрезка круглого волновода надлежащее 35 расположение плужнеров в симметрично расположенных трех отрезках прямоугольного волновода практически исключает возбуждение низшего типа колебаний Н 11. При импульсном освещении проводимость по...