Способ измерения характеристик управления магниточувствительностью полевых магнитотранзисторов

. Ант 71) Заявитель Каунасский политехнический институт а Снечку) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК УПРАВЛЕ МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬИ ПОЛЕВЫХ МАГНИТОТРАНЗИСТОРОВ ляющегоампли обаизмезможомаг" Изобретение относится к электронной промышленности иможет найти применение при исследовании характеристик магнитотранзисторов, а также для контроля их качества в процессе% изготовления.Известен способ измерения электрофизических характеристик полупроводника,.заключаацийся в том, что полупроводниковый образец помещают10 в скрещенные электрическое и магнитное поля, измеряют их величину и регистрируют сигнал на поверхности полупроводника 01.Однако известный способ не обеспечивает возможности измерения характеркстик управления магниточувствительностью магнитотранзисторов.Наиболее близким к предлагаемому является способ, заключающийся в воздействии на испытуемый прибор постоянным магнитным полем, пропускании через его токовые электроды постоянного тока питания, подаче на его полевые электроды управ напряжения и в регистрации туды его выходного напряжения 23.Недостатками указанного спос являются трудоемкость процесса рения и узкие функциональные во ности, так как измеряется тольк одна характеристика управления ниточувствнтельностью прибора.При технологическом контроле нли при исследовании магнитотранзисторов со структурой металл-диэлектрик- полупроводник-диэлектрик-металл (ИЦПДМ) необходимо одновременно из" мерять три характеристики управления магниточувствительностью прн управлении на первый, второй и на оба по- левых электрода.Цель изобретения - уменьшение времени измерений и расширение функциональных возможностей.Поставленная цель достигается тем, что в способе измерения характеристик управления магниточувствительностьюполевых магнитотранзисторов, заключающемся в воздействии на испытуе:ый прибор постоянным магнитным полем, пропускании через его токовые электроды постоянного тока питания, подача 5 на его полевые электроды управляющйх .напряжений и в регистрации амплитуды его выходного напряжения, в качестве одного управлякщего напряжения используется периодическая последова тельность прямоугольных видеоимпуль-, сов, а в качестве второго - сдвину" тая последовательность противоположной полярности с амплитудой, изменяющейся по линейному закону, дли- . 15 течьность импульсов которых устанавливают больше удвоенной длительности переходной характеристики магнито- транзистора, а временной сдвиг устанавливают больше длительности пере ходной характеристики магнитотранзис тора, причем параметры характеристики управления при модуляции на первый полевой электрод определяют поамплитуде первой ступени выходного 25 ступенчатого импульса напряжения магнитотранзистора, параметры характеристики управления при модуляции на оба полевых электрода определяют поамплитуде второй ступени, а параметры З 0 характеристики управления при модуляции на второй полевой электрод определяют по амплитуде третьей ступени.На фиг. 1 изображены временные диаграммы управляющих напряжений О(С) и О(й), представляющие собой сдвинутые во времени последовательности видеоимпульсов противоположной полярности с амплитудой, нарастающей по линейному законур и диаграмма вы ходного напряжения магнитотранзистора ЦЬ(й), представляющая собой импульсы ступенчатой формы, на фиг. 2 - функциональная схема устройства для осуществления способа измерения характе" 4 ристик управления магниточувствительностью магнитотранзистора.устройство содержит магнитотранзистор 1 с токовыми электродами 2 и 3 пофкюйоченными к источнику 4 поЭ50 стоянного тока, и полевыми электродами 5 и 6, соединенными с выходами импульсного генератора 6. Испытуемый прйбор помещен в постоянное магнитное поле, создаваемое электромагнитом 8 Токовый электрод 2 магннтотранзистора 1 через переключатель 9 соединен со входами преобразователей 10-12 амплитуда видеоимпульса-цифра,выходы которых подключены через переключатель 13 ко входу вертикальной развертки цифрового графопостроителя 14. Вход горизонтальной развертки цифрового графопостроителя 14, а также входы управления преобразователей 10, .11 и 12, импульсного генератора 7 и переключателей 9 и 13 соединены с блоком 15 управления.Способ осуществляется следующим образом.В момент времени Й импульсом, поступающим с блока 15 управления, запускается импульсный генератор 7, на выходе которого формируется видеом импульс положительной полярности. Дпительность этого импульса 6 устанавливают больше удвоенной длительности переходной характеристики магннтотранзистора. Одновременно импульсами, поступавцими с блока управления, запускается, горизонтальная развертка цифрового графопостроения 14, переключатедь 9 приводится в положение, при котором выход преобразователя 10 соединен со входом цифрового графопостроителя 14, на котором при этом фиксируется первая точка характеристики управления при модуляции на первый полевой электрод 5 магнитотранзистора 1.В момент времени з с блока 15 уп" равления поступает следующий импульс, в результате чего на выходе импульсного генератора формируется импульс отрицательной полярности, поступающий иа полевой электрод б магннтотранзистора 1. Временной сдвиг между импульсами устанавливают больше длительности переходной характеристики магнитотранзистора. Одновременно переключатель 9 отключает от выхода магнитотранзнстора преобразователь 10 и подключает преобразователь 11, а переключатель 13 отключает выход преобразователя 1 О от входа циФрового графопостроителя 14 и подключает к нему выход преобразователя 11. При этом .на цифровом графопостроителе. фиксируется первая точка характеристики управления при модуляции на оба полевых электрода.В момент. времени ь импульсами, поступакщими а блока управления, первый выход импульсного генератора закрывается, переключатель 9 приводится в положение, при котором к выходу магнитотранэистора 1 подключен вход преобразователя 12, выходкоторого через переключатель 13 сое. диняется с цифровым графопостроителем 14, на котором при этом фиксируется первая точка характеристикиуправления при модуляции на второйполевой электрод 6 магнитотранэистора 1,После записи в момент времени.,импульсами, поступающими с блока уп равления, осуществляется сброс и под Еготовка преобразователей к следующему такту. Работа устройства вовтором и последующих тактах аналогична работе в первом с той разницей, что амплитуда импульсов, посту- фпающих на полевые электроды, увеличивается от такта к такту по линейному закону.Таким образом, предлагаемый спо-соб измерения характеристик управ- ффления магниточувствительностью магнитотранзисторов обеспечивает возможность одновременного измерениясразу трех характеристик. управления,что увеличивает функциональные возможности, производительность , атакже позволяет автоматизировать процесс измерения. Формула изобретенияСпособ измерения характеристик упт" равления магниточувствительностью полевых магнитотранзисторов, заключающийся в воздействии на испытуемый прибор постоянным магнитным полем, и .пропускании через его токовые электроды постоянного тока питания, подаче на его полевые электроды управляющих напряжений и в регистрации амплитуды его выходного напряжения, 4 ф о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью уменьшения времени измерений н расширения функциональных воэможностей, в качестве одного управлякзцего напряжения используется периодическая последовательность прямоугольных видеоимпульсов, а в качестве второго - сдвинутая последовательность противоположной полярности с амплитудой, изменяющейся по линейному закону, длительность импульсов которых устанавливают больше удвоенной длительности переходной характеристики магнитотранзистора, а временной сдвиг устанавливают больше длительности переходной характеристики магнитотранзистора, причем параметры характеристики управления при модуляции на первый полевой электрод определяют по амплитуде первой ступени выходного ступенчатого импульса напряжения магнитотранзистора, параметры характеристики управления при модуляции на оба полевых электрода определяют по амплитуде второй ступени, а параметры характеристики управления при модуляции на второй полевой электрод определяют по амплитуде третьей ступени.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. СЬоче 1 А. 5 йцду о 1 гесовЬ 1 пай 1 оп ргосеззез 1 гов СЬе вадпеСосопсепйгай оп еНесйз. - "РЬуз)саэйайцз о 1101 (а)", 1975, Чо. 28,У 2, р. 633,2. Авторское свидетельство СССРВ 661437, кл, 6 01 Р 31/26, 1979894618 9 иа ВНИИПИ юлиал ППП каз 11482/74 Тираа 735 Подписное Патент , г. Ужгород, ул. Проектная,