Устройство для измерения параметров транзисторов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 894616
Авторы: Захаров, Старовойтов, Стельмах, Уренев
Текст
(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗИЕРКНИЯ ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРОВ1Изобретение относится.к измерительной технике и может быть.использовано в установках для контроля. параметров мощных транзисторов,Известны измерители,параметровтранзисторов,. содержащие:источни"ки питания цепей коллектора и базы,импульсные измерители токов и напря"жений в указанных цепях, генераторимпульсов тока базы и блок получения стробирукицих импульсов 13.Известные устройства имеют ограниченные Функциональные возможности,так как обеспечивают измерение статических параметров транзисторовтолько в импульсном режиме и не могут использоваться для измерения па.раметров транзисторов большой мощ- ,ности,в стационарньм режимах, близких к рабочим,Наиболее близким по техническойсущности к предлагаемому являетсяустройство для измерения параметровтранзисторов,.содержащее задатчик 2режима .измерения, измерители тока к напряжения, источник напряжения. Устройство измеряют. напряжение между коллектором.и змиттером в режиме насыщения и ток коллектора в режи-. ме отсечки у транзисторов малой и средней мощности 23. Недостатком известного. устройства является большая потребляемая мощность вследствие того, что ток коллектора насыщения. ограничивается резистором, включенным последовательно в цепи коллектора и источника напряжения, При этом номинал напряжения источника составляет существенную величину, необходимую для измерения тока коплектора в режиме отсечки, а все напряжение источника прикладывается в режиме изме рения тока насьвцения к ограничительному резистору, что вызывает при значительных токах коллектора мошных транзисторов неэкономное рас,53 сеяние мощности на ограничительномрезисторе.Цель изобретения - снижение потребляемой мощности.Поставленная цель достигается тем,что в устройство для измерения па,раметров транзисторов, содержащеезадатчик режима измерения,. соединенный входом с первыми выводами пер", вого источника напряжения и измерителя тока, соединенного вторым выводом с эмиттером испытуемого транзистора и через измеритель напряжения - с коллектором испытуемоготранзистора, введены операционныйусилитель, первый и второй резисторы, вентиль, второй источник напряжения, первый транзистор и второйтранзистор, эмиттер которого соединен с коллектором испытуемого транзистора и через вентиль и второй источник напряжения - с первым выводом измерителя тока, коллектор -со вторым выводом первого источника напряжения и через первьм резистор - с базой первого транзистораи коллектором второго транзистора,соединенного эмиттером с первымивыводами измерителя тока и второгорезистора, .базой - со вторыми выводами измерителя тока и второго резистора и первым входом операционного усилителя, второй вход которого соединен с выходом эадатчика ре жима измерения, а выход - с базойиспытуемого транзистора.Электрическая схема предлагаемогоустройства приведена на чертеже.Устройство для измерения параметров транзистора 1 содержит задатчик 2 режима измерения, измеритель 3 тока,.измеритель 4 напряжения, первый источник 5 напряжения,первый транзистор 6, вентиль 7, второй источник 8 напряжения, второйрезистор 9, операционный усилитель10, второй транзистор 1 и первыйрезистор 12.Устройство работает следующим образом,Величина напряжения источника 5 питания коллектора фиксируется в соответствии с требованиями технических условий измерения тока через транзистор 1 в режиме отсечки, а величина рабочего тока источника 8 в соответствии с условиями режима насыщения. 4При подаче с задатчика 2 на неинвертирующий вход операционного усилителя 1 О запирающего напряженияна его выходе появляется сигнал,переводящий .транзистор 1 в режимотсечки, сопротивление транзистора1 возрастает, потенциал эмиттерауменьшается, что приводит к эапиранию транзистора 11 исоответственно, к возрастанию потенциала базы транзистора б, который в результате переходит в открытое состояние, Напряжение источника 5 оказывается практически полностью приложенным к коллектору испытуемого транзистора 1 и одновременно запирает вентиль 7, Искомое значение тока через транзистор 1 в режиме отсечки отсчитывают по показаиию измерителя 3. Потребляемая от источника 5 мощность при этом минимальна, поскольку она затрачивается в основном на обеспечение режима измерения транзистора 1 и питание маломощного транзистора 11 в цепи управления транзистора 6.При подаче с задатчика 2 на опера. ционный усилитель 10 отпирающего напряжения величиной где 3 нас, - заданная техническими условиями величина тока коллектора через транзистор 1,Р - сопротивление резистора 9, на выходе усилителя 10 появляется сигнал, открываницнй транзистор 1, в результате чего его сопротивление уменьшается, ток через него благодаря обратной связи через второй вход усилителя 1 О.устанавливается равным заданному техническими условия" ми, а потенциал на резисторе 9 фиксируется при значении,. равном О . В результате этого транзистор 11 открыт, потенциал базы транзистора 6, низок и транзистор. б закрыт, Режим насыщения транзистора 1 в этом случае обеспечивается ие источником 5, а источником 8, так как при низком потенциале коллектора транзистора 1, характернбм для режима насыщения, вентиль 7 открыт. Связь транзистора 6. с эадатчиком 2.режима измерения через точку. соединения эмиттера транзистора 1 с резистором 9, кроме выполнения основной функции коммутации источника 5 в процессе стан- дартных измерений, обеспечивает защиту источника 5 от перегрузок, на8946 б Ц Эмюс. Оа Формула изобретения пример, при недопустимых отклонениях параметров транзистора 1 от норм.Искомое значение напряжения между коллектором и эмиттером транзистораотсчитывают по измерителю. 5Поскольку величина напряжения 0 источника 8 выбирается малой в соответствии с условием 08Окнас +0 ь+ лоос.Р где Оо, О - соответствующие падения напряжения на от" крытом транзисторе 1 .и вентиле 7,то и потребляемая от источника 8 мощ- ность также невелика.Таким образом, предлагаемое устройство обеспечивает по сравнению с известным снижение потребляемой . мощности при измерении параметров транзисторов большой мощности в режимах, близких к рабочим. Устройство для измерения параметров транзисторов, содержащее задатчик режима. измерения, соединенный входом с первыми выводами первого источника .напряжения и измерителя тока, соединенного вторым выводом. с .эмит 3 тером испытуемо; о транзистора и чеИИПИ Заказ 11482/74раж 735 Подписное Филиал ППП Патентг.ужгород,ул.Проектная,4 рез измеритель напряжения. - с кол"лектором испытуемого транзистора,о т л и ч а ю щ е е с я . тем, что,с целью снижения потребляемой мощности, в него введены операционныйусилитель, первый и второй резисторы, вентиль, второй источник напряжения, первый транзистор и второй .транзистор,. эмиттер которого соединен с коллектором испытуемого транзистора и через вентиль и второйисточник .напряжения - с первым выводомизмерителя тока,.коллектор - совторым выводом, первого источника напряжения и через первый резистор -с базой первого транзистора и коллектором второго транзистора, соеди"ненного эмиттером с первыми выводами измерителя тока и второго резистора, базой . - со вторыми выводамиизмерителя тока и второго резистораи первым входом операционного усилителя, второй вход которого соединен с выходом задатчика режима измерения, а выход - с базой испытуемого транзистора. Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. орасу 100. Оссгее СовропейТези 5 уэеш. .оги псОэ 1 геэ,пс., ОапЬцгу, СТ.2. Измеритель параметров. транзисторов 312-17. Техническое.описание и инструкция по эксплуатации ипериодической проверке.
СмотретьЗаявка
2920540, 12.05.1980
БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. В. И. ЛЕНИНА
ЗАХАРОВ ЮРИЙ ВАСИЛЬЕВИЧ, СТАРОВОЙТОВ ИВАН ВАСИЛЬЕВИЧ, СТЕЛЬМАХ ВЯЧЕСЛАВ ФОМИЧ, УРЕНЕВ ВАЛЕРИЙ ИВАНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01R 31/26
Метки: параметров, транзисторов
Опубликовано: 30.12.1981
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-894616-ustrojjstvo-dlya-izmereniya-parametrov-tranzistorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для измерения параметров транзисторов</a>
Предыдущий патент: Способ измерения температурных характеристик биполярных двухколлекторных магнитотранзисторов
Следующий патент: Высоковольтный измеритель пробивных напряжений транзисторов
Случайный патент: Анализатор уровня напряжения